Способ формирования маскирующего изображения в позитивных электронных резистах



Способ формирования маскирующего изображения в позитивных электронных резистах
Способ формирования маскирующего изображения в позитивных электронных резистах
Способ формирования маскирующего изображения в позитивных электронных резистах
Способ формирования маскирующего изображения в позитивных электронных резистах
Способ формирования маскирующего изображения в позитивных электронных резистах
Способ формирования маскирующего изображения в позитивных электронных резистах

 


Владельцы патента RU 2478226:

Брук Марк Аврамович (RU)

Способ формирования маскирующего изображения в позитивных электронных резистах состоит в прямом травлении резиста непосредственно в процессе экспонирования пучком электронов в вакууме. В качестве резистов используют полимеры, способные к цепной деполимеризации (например, полиалкилметакрилаты, полиметилизопропенилкетон, поли-альфа-метилстирол). Экспонирование проводят в области температуры стеклования исходного полимера или при более высоких температурах. Технический результат состоит в значительном снижении дозы экспонирования и устранении необходимости введения в систему дополнительных реагентов. 1 з.п. ф-лы, 5 ил., 1 табл.

 

Изобретение относится к области радиационной физики и химии полимеров и может быть использовано в электронно-лучевой литографии, дифракционной оптике, в области создания метаматериалов и ряде других областей техники.

Традиционный метод электронной литографии, используемый в микро- и наноэлектронных технологиях для формирования рисунка маски, состоит в экспонировании полимерного резиста, предварительно нанесенного на твердый субстрат (например, пластину кремния с различными функциональными слоями), сфокусированным электронным лучом, приводящим к таким изменениям в экспонированных областях, которые меняют растворимость полимера при последующей обработке растворителями [1. Валиев К.А. Физика субмикронной литографии. М.: Наука, 1990. 528 с.]. Эта стадия, по существу, представляет собой создание в слое резиста скрытого изображения. При этом экспонированные области растворяются либо быстрее, чем неэкспонированные, вследствие деструкции полимера и уменьшения его молекулярной массы (в случае позитивных резистов), либо медленнее вследствие сшивания полимера (в случае негативных резистов). После проявления изображения в экспонированном резисте на субстрате остается маскирующее изображение (маска), через которое проводятся последующие операции. Соответственно, в традиционных технологиях литографии для получения маскирующего изображения после стадии экспонирования резиста, осуществляемой в высоком вакууме, проводится невакуумная стадия обработки резиста растворителями с последующей сушкой [2. Броудай И., Мерей Дж. // Физические основы микротехнологии. М.: Мир. 1985].

В ряде работ предпринимались попытки прямого травления некоторых позитивных фоторезистов под действием УФ-света. В работе [3. Nobuo Ueno, Shinji Konishi, Keisuke Tanimoto and Kazuyuki Sugita. Direct Etching of Resists by UV Light. Jpn. J. Appl. Phys. 20 (1981), pp.L709-L712] изучено прямое травление полиметилметакрилата (ПММА) и полиметилизопропенилкетона под действием УФ-света с длиной волны 180-290 нм. Установлено, что при весьма больших временах и дозах облучения (времена 20-100 мин, дозы 20-100 Дж/см2) наблюдается прямое травление резистов при температурах 20-100°C. Скорости травления в вакууме (0.5 Торр), на воздухе, а также в атмосфере O2 и N2 близки. Предполагается, что процесс протекает по механизму фотоокислительной деструкции.

В работе [4. M.Lanagan, S.Lindsey and N.S.Viswanathan. Deep UV Ablation of PMMA Resists. Jpn. J. Appl. Phys. 22 (1983), pp.L67-L69] изучено прямое травление ПММА-резиста под действием УФ-света 220-250 нм при толщине слоя резиста около 1 мкм. Установлено, что скорость травления при температурах ниже температуры стеклования ПММА крайне низка. В области 120-180°C скорость травления заметно растет при повышении температуры. Предполагается, что травление протекает по механизму фотоокислительной деструкции при существенном вкладе процесса деполимеризации. Полного травления резиста достигнуто не было. При 128°C максимальная глубина травления составила около 30% от начальной толщины слоя.

В работе [5. Америк Ю.Б., Валиев К.А. и др. … Доклады АН СССР, 1985, т.280, №5, с.1106] также предпринята попытка совмещения стадии экспонирования фоторезиста и проявления скрытого изображения в едином сухом процессе. В указанной работе в качестве потенциальных резистов использовались пленки из полиолефинсульфонов, а в качестве излучения для формирования изображения - вакуумный ультрафиолет. Непосредственно в процессе экспонирования в вакууме происходил распад макромолекул до летучих продуктов (мономеров), которые удалялись из системы. Оказалось, однако, что процесс не удается довести до полного травления резиста; кроме того, используемые материалы при комнатной температуре являются не вполне устойчивыми.

Известен способ электронно-лучевой литографии с использованием ПММА-резиста [6. Shinji Matsu. Electron beam lithography using surface reactions with ClF3. Applied Physics Letters. 1989. Vol.55. Issue 2. PP.134-136], принятый нами за прототип, в котором стадии экспонирования и проявления скрытого изображения совмещены в едином технологическом процессе, состоящем в реактивном электронно-лучевом травлении резиста при комнатной температуре. При этом в камеру для экспонирования вводится специальный весьма агрессивный реагент - газ ClF3, способствующий травлению резиста в экспонированных областях. В числе прочего в этой работе показана возможность формирования этим методом элементов трехмерного изображения в резисте. Недостатком этого метода является необходимость очень больших доз экспонирования: при травлении слоя ПММА-резиста толщиной 200 нм максимальная глубина травления, достигнутая при дозе 3·103 µС/см2, составила около 140 нм. Таким образом, для полного травления слоя резиста толщиной 100-200 нм рассматриваемый метод требует использования доз облучения (2-4)·103 µC/см2, что приблизительно в 20 раз превышает дозы экспонирования ПММА в традиционной "мокрой" технологии. Это, соответственно, значительно снижает производительность литографического процесса. Серьезным недостатком прототипа является также необходимость использования весьма агрессивного дополнительного реагента.

Техническая задача предлагаемого в данной заявке способа прямого электронно-лучевого травления позитивных резистов состоит в значительном снижении дозы экспонирования и устранении необходимости введения в систему дополнительных реагентов.

Предлагаемый в данной заявке способ позволяет получать маскирующее изображение или другой рельеф в резисте в сухом одностадийном вакуумном процессе экспонирования, сопровождающегося одновременным проявлением изображения, что достигается за счет прямого травления резиста и превращения его в летучие продукты непосредственно при воздействии электронного луча в экспонированных областях. Принципиальной особенностью предлагаемого способа является то, что травление резиста происходит главным образом за счет цепной реакции распада полимерного резиста до мономера в результате цепной реакции деполимеризации. Цепной характер процесса, в соответствии с которым образование одного активного центра приводит к выделению большого числа (102-103) молекул мономера, удаляющегося в процессе откачки, обусловливает высокую эффективность электронно-лучевого травления.

Для реализации этого способа могут использоваться позитивные резисты на основе полимеров, способных к цепной деполимеризации при воздействии ионизирующих излучений. В предлагаемом способе в качестве таких полимеров заявляются полиалкилметакрилаты, полиметилизопропенилкетон и поли-альфа-метилстирол.

Предлагаемый в данной заявке способ позволяет получить маскирующее изображение или иной рельеф в резисте в одностадийном сухом процессе при сравнительно небольших дозах облучения порядка 10-30 µС/см2. Применительно к ПММА-резисту эти дозы примерно в 10 раз меньше, чем в традиционной технологии с использованием процесса мокрого проявления, и в 150-200 раз меньше, чем в прототипе. При этом в отличие от прототипа при экспонировании нет необходимости вводить в систему дополнительные реагенты.

В предлагаемом способе указанные эффекты достигаются за счет использования процесса цепного электронно-лучевого травления, в основе которого лежит инициированная излучением реакция цепной деполимеризации полимерного резиста до мономера. При этом высокая эффективность процесса травления резиста обусловлена сочетанием двух факторов: 1) достаточно высокой скоростью деполимеризации, определяемой природой полимера и условиями проведения процесса, прежде всего температурой экспонирования; 2) достаточно высокой скоростью удаления мономера из резиста, обеспечивающей протекание процесса в т.н. "кинетической" области, когда транспорт реагентов не лимитирует скорость процесса (диффузия мономера из образца протекает быстрее, чем реакция деполимеризации). Эти условия обеспечиваются проведением процесса экспонирования в области температуры стеклования исходного полимера или более высоких температурах и при толщинах слоя резиста, меньших некоторой критической величины hкр, выше которой скорость удаления мономера начинает тормозить общую скорость травления. Значение hкp зависит от температуры проведения процесса: чем выше температура, тем выше значение hкp.

В экспериментальных исследованиях по разработке предлагаемого способа значительное внимание уделено работе с ПММА-резистом, который широко используется в электронной литографии. Использование этого резиста позволяет получать изображение с весьма высоким разрешением. Недостатками традиционной технологии литографии с использованием ПММА-резиста являются низкая чувствительность резиста (при экспонировании электронным лучом необходимы дозы облучения порядка 100-200 µС/см2), не обеспечивающая высокую производительность процесса экспонирования, необходимость специальной невакуумной стадии проявления скрытого изображения с использованием значительных количеств органических растворителей, а также ряд проблем, вносимых процессами растворения экспонированных областей резиста в формирование контраста изображения.

Способ формирования маски путем прямого электронно-лучевого травления ПММА-резиста реализован следующим образом.

Пример 1. На пластину монокристаллического кремния методом центрифугирования из раствора в анизоле с последующей сушкой наносится слой ПММА-резиста марки 950К толщиной 80±5 нм. Толщина слоя резиста до и после травления определялась методом атомно-силовой микроскопии. Полученный образец разогревается в вакууме до 125°C и подвергается экспонированию электронным лучом в режиме сканирования по площади 1×1.3 мм. Энергия электронов в пучке Е=20 кэВ, диаметр пучка 0.3-0.4 мкм, ток в падающем пучке 1 нА, плотность тока (на единицу экспонируемой площади) около 80 нА/см2. При этом время удаления слоя резиста, равного половине его начальной толщины τ0.5, составляет около 30 с, а соответствующая этому времени доза облучения D0.5=2.5 µС/см2. Минимальное время полного удаления резиста в экспонированной области τ1 составляет 250 с, а соответствующая доза облучения D1=20 µС/см2. Дозу облучения рассчитывали по формуле

,

где I - ток в падающем электронном пучке, τ - время облучения, s - экспонируемая площадь.

Зависимость глубины травления ПММА-резиста от дозы облучения для описанных в примере 1 условий приведена на фиг.1. Обозначение Н на оси ординат означает нормированную к начальной толщину слоя резиста.

Пример 2. То же, что и в примере 1, но температура образца при экспонировании Т=150°C. При этом τ0.5=23 с, D0.5=1.9 µС/см2, τ1=190 с, D1=15.2 µС/см2.

Пример 3. То же, что и в примере 1, но температура образца при экспонировании Т=170°C. При этом τ0.5=19 с, D0.5=1.5 µС/см2, τ1=150 с, D1=12 µС/см2.

Пример 4. То же, что и в примере 1, но температура образца при экспонировании Т=118°C. При этом τ0.5=45 с, D0.5=3.8 µС/см2, τ1=360 с, D1=30 µС/см2.

Результаты, приведенные в примерах 1-4, показывают, что в интервале температур 118-170°C (выше температуры стеклования ПММА) скорость травления заметно возрастает при повышении температуры образца. Согласно данным ряда исследований температура стеклования ПММА-резиста 950К составляет 116-118°С (см., например, 7. Heilke R. Keymeulen, Ana Diaz. Harun H. Solak, Christian David, Franz Pfeiffer, Bruce D. Patterson, and J. Friso van der Veen. Measurement of the x-ray dose-dependent glass transition temperature of structured polymer films by x-ray diffraction. J. Appl. Phys. V.102, 013528 (2007)).

Пример 5. To же, что и в примере 1, но температура образца при экспонировании Т=98°C, ток I=6 нА, а плотность тока 480 нА/см2. При этом τ0.5=50 с, D0.5=22 µC/см2, τ1=400 с, D1=180 µC/см2.

Таким образом, ниже температуры стеклования ПММА эффективность травления существенно снижается.

Пример 6. То же, что и в примере 1, но ток в пучке составляет 6 нА, а плотность тока - 480 нА/см2. При этом τ0.5=12 с, D0.5=5.2 µС/см2, τ1=87 с, D1=46 µС/см2.

Пример 7. То же, что и в примере 1, но ток в пучке составляет 0.15 нА, а плотность тока - 12 нА/см2. При этом τ0.5=75 с, D0.5=0.85 µС/см2, τ1=540 с, D1=8 µС/см2.

Результаты, приведенные в примерах 1, 6 и 7, показывают, что увеличение плотности тока приводит к увеличению D и снижению τ, тогда как уменьшение плотности тока приводит к снижению D и увеличению τ. Однако τ и D изменяются слабее, чем изменяется ток (плотность тока). Эти результаты следует учитывать для правильного выбора условий проведения процесса травления.

Пример 8. То же, что и в примере 1, но энергия электронов в пучке Е=1 кэВ. При этом τ0.5=15 с, D0.5=1.3 µС/см2, τ1=130 с, D1=10.2 µС/см2.

Таким образом, снижение энергии электронов приводит к уменьшению необходимой дозы экспонирования, что, по всей вероятности, обусловлено более эффективным поглощением энергии слоем резиста. Отметим при этом, что расчетная доза определяется по току в падающем пучке электронов (см. выше формулу 1).

Пример 9. То же, что и в примере 1, но толщина слоя ПММА-резиста составляет 150 нм. При этом τ0.5=33 с, D0.5=2.7 µС/см2, τ1=280 с, D1=23 µС/см2. Таким образом, при увеличении толщины слоя резиста с 80 до 150 нм скорость травления почти не изменяется.

Пример 10. То же, что и в примере 1, но толщина слоя ПММА-резиста составляет около 1 мкм, а ток I=1 нА. При этом τ0.5=240 с, D0.5=20 µС/см2, τ1=2100 с, D1=170 µС/см2.

Сравнивая данные примеров 1, 9 и 10, можно констатировать, что при толщине слоя резиста 1 мкм в условиях, использованных в указанных опытах, наблюдается существенное снижение эффективности процесса травления, которое, по-видимому, связано с появлением диффузионных задержек в процессе удаления мономера из резиста.

Пример 11. То же, что и в примере 1, но толщина слоя ПММА-резиста составляет около 1 мкм, а температура экспонирования - 150°C. При этом τ0.5=45 с, D0.5=3.6 µС/см2, τ1=370 с, D1=30 µС/см2.

Пример 12. То же, что и в примере 1, но толщина слоя резиста составляет около 2 мкм, а температура травления - 170°C. При этом τ0.5=50 с, D0.5=4.0 µС/см2, τ1=410 с, D1=33.6 µС/см2.

Результаты, приведенные в примерах 1, 10, 11, 12, показывают, что повышение температуры травления позволяет устранить диффузионные задержки в процессе удаления мономера, возникающие при травлении сравнительно толстых слоев резиста.

Пример 13. То же, что и в примере 1, но ПММА-резист наносится на пластину кремния с поверхностным слоем диоксида кремния толщиной около 120 нм, сформированным путем термического окисления кремния. Толщина слоя резиста составляет около 90 нм. При этом τ0.5=28 с, D0.5=2.4 µС/см2, τ1=225 с, D1=19 µС/см2.

Пример 14. То же, что и в примере 1, но экспонирование проводится остросфокусированным электронным лучом (при энергии электронов в пучке 20 кэВ и диаметре пучка 10-15 нм), сканирующим вдоль линии длиной 100 мкм, при токе в пучке 5 пикоампер. Время экспонирования составляет 10 с. Полностью протравлена линия с шириной на полувысоте около 100 нм (по данным атомно-силовой микроскопии).

Пример 15. То же, что и в примере 14, но экспонирование проводится остросфокусированным электронным лучом при энергии электронов в пучке 100 кэВ и диаметре пучка 8-10 нм. Время экспонирования составляет 25 с. Полностью протравлена линия с шириной на полувысоте около 80 нм.

Приведенные выше результаты показывают, что использование предлагаемого метода позволяет получать маскирующее изображение в ПММА-резисте непосредственно в процессе экспонирования при дозах порядка 15-20 µС/см2 и временах экспонирования порядка 100-300 с и, таким образом, исключить невакуумную стадию проявления, сопряженную с использованием значительных количеств органических растворителей, а также существенно повысить чувствительность ПММА-резиста и, соответственно, производительность литографического процесса. При использовании электронного луча, сфокусированного до 8-10 нм, удается получать элементы рисунка маски с размерами порядка 80-100 нм. Можно полагать, что при использовании электронно-лучевых установок с фокусировкой луча 0.5-1.0 нм могут быть получены элементы рисунка размером 15-20 нм.

Предлагаемый в заявке способ позволяет получать в резисте не только 2-мерное изображение, но и 3-мерный рельеф и, соответственно, проводить электронную 3D-литографию. Ниже приведены соответствующие примеры.

Пример 16. В условиях, соответствующих примеру 1, на одной пластине при неизменном положении луча и пластины проводится последовательно несколько экспонирований при сканировании по различным последовательно уменьшающимся площадям. Например, 1-е экспонирование проводится на площади 1000×1000 мкм, 2-е - на площади 990×990 мкм, 3-е - на площади 970×970 мкм и т.д. При этом положение электронного луча и пластины остается неизменным. Дозы облучения для каждого экспонирования рассчитывались в соответствии с кривой на фиг.1. При этом для каждого последующего экспонирования учитывалась доза, полученная экспонируемой областью при предыдущем облучении. Результаты, полученные в атомно-силовом микроскопе, представлены на фиг.2 (А, Б, В). Видно, что после проведенного эксперимента в ПММА-резисте сформировался 3-мерный рельеф, представляющий собой систему ступенек заданной ширины в интервале 5-10 мкм (по координате X) и заданной высоты в интервале 10-25 нм (по координате Z). На фиг.2: А - топография изображения, Б - трехмерное изображение, В - профиль поперечного сечения. Результаты, представленные на фиг.2, получены при следующих условиях: начальная толщина слоя резиста 80 нм, энергия электронов 20 кэВ, диаметр пучка 0.3-0.4 мкм, температура травления 125°C. Остальные условия указаны в примерах 1 и 16.

Пример 17. По схеме, описанной в примере 16, были проведены эксперименты с остросфокусированным электронным лучом при диаметре пучка 10-20 нм. При этом экспонировались квадраты с начальным размером 100×100 мкм и 40×40 мкм. Размеры последующих квадратов уменьшались на заданную величину. Были получены рельефы со ступеньками различной ширины в интервале от 0.3 до 3 мкм и высоты в интервале от 5 до 20 нм. Некоторые из полученных данных приведены на фиг.3 и 4.

На фиг.3 представлены данные, указывающие на формирование ступенчатого 3D-рельефа в процессе прямого электронно-лучевого травления ПММА-резиста на кремнии при диаметре пучка 15-20 нм. Ширина ступенек от 1.5 до 3 мкм. Начальная толщина слоя резиста 80 нм, энергия электронов 20 кэВ, температура травления 125°C. Остальные условия указаны в примере 17. На фиг.3 представлено полученное в атомно-силовом микроскопе изображение края экспонированной области: А - топография, Б - трехмерное изображение, В - профиль поперечного сечения.

На фиг.4 показано формирование ступенчатого 3D-рельефа в процессе прямого электронно-лучевого травления ПММА-резиста на кремнии при диаметре пучка 10-15 нм. Ширина ступенек около 1 мкм. Начальная толщина слоя резиста 80 нм, энергия электронов 20 кэВ, температура травления 116°C. Остальные условия указаны в примере 17. На фиг.4 представлено полученное в атомно-силовом микроскопе изображение края экспонированной области: А, Б - трехмерное изображение, В - профиль поперечного сечения.

Пример 18. То же, что и в примере 17, но температура экспонирования составляет 145°C. В этих условиях формирующиеся в процессе экспонирования ступеньки вследствие достаточно большой текучести ПММА "затекали" под действием сил поверхностного натяжения, образуя непрерывный монотонный рельеф, как это показано на фиг.5. Такой способ позволяет формировать рельеф с заданным углом наклона стенки экспонированной области по отношению к пластине, изменяя толщину слоя резиста и размер гипотетических ступенек.

На фиг.5 представлены данные, показывающие формирование непрерывного 3D-рельефа в процессе прямого электронно-лучевого травления ПММА-резиста на кремнии. Начальная толщина слоя резиста 80 нм, энергия электронов 10 кэВ, диаметр пучка 15-20 нм. Температура травления 145°C. Остальные условия указаны в примере 18. На фиг.5 приведено полученное в атомно-силовом микроскопе изображение экспонированной области: А - топография, Б - поперечное сечение края экспонированной области. Угол наклона "стенки" экспонированной области по отношению к поверхности пластины кремния α=3.5 градуса.

Как уже отмечалось выше, предлагаемый способ может быть использован для формирования рельефа в ряде других (помимо ПММА) позитивных резистах, способных к цепной деполимеризации при воздействии ионизирующих излучений, например других полиалкилметакрилатах, полиметилизопропенилкетоне, поли-альфа-метилстироле. Соответствующие примеры приведены ниже.

Пример 19. На пластину монокристаллического кремния методом центрифугирования из раствора в хлорбензоле с последующей сушкой наносят слой полиэтилметакрилата (со средневесовой молекулярной массой около 500000 и температурой стеклования около 65°C) толщиной около 100 нм. Полученный образец разогревают в вакууме до 75°C и подвергают экспонированию электронным лучом в режиме сканирования по площади 1×1.3 мм. Энергия электронов в пучке 20 кэВ, диаметр пучка 0.3-0.4 мкм, ток 1 нА, плотность тока около 80 нА/см2. При этом τ0.5=55 с, D0.5=4.5 µС/см2, τ1=450 с, D1=36 µС/см2.

Пример 20. То же, что и в примере 19, но в качестве резиста используют поли-н-бутилметакрилат со средневесовой молекулярной массой около 350000 и температурой стеклования около 15°C при толщине слоя резиста около 80 нм, а экспонирование электронным лучом проводят при температуре образца 20°С. При этом τ0.5=200 с, D0.5=17 µС/см2, τ1=1600 с, D1=130 µС/см2.

Пример 21. То же, что и в примере 19, но в качестве резиста используют полиметилизопропенилкетон со средневесовой молекулярной массой около 350000 при толщине слоя резиста около 100 нм, нанесенный из раствора в 2-метоксиэтилацетате, а экспонирование электронным лучом проводилось при температуре образца 125°C. При этом τ0.5=24 с, D0.5=2.0 µС/см2, τ1=200 с, D1=16 µС/см2.

Пример 22. То же, что и в примере 19, но в качестве резиста используют поли-альфа-метилстирол со средневесовой молекулярной массой около 300000 и температурой стеклования около 140°C при толщине слоя резиста 110 нм, а экспонирование электронным лучом проводят при температуре образца 145°C. При этом τ0.5=36 с, D0.5=3.0 µС/см2, τ1=300 с, D1=24 µС/см2.

Пример 23. То же, что и в примере 22, но экспонирование электронным лучом проводят при температуре образца 200°C. При этом τ0.5=19 с, D0.5=1.6 µС/см2, τ1=160 с, D1=13 µС/см2.

Подчеркнем, что предлагаемый способ может быть использован не только для формирования маскирующего изображения, позволяющего проводить последующие операции переноса рисунка на субстрат путем последующего травления последнего, но также и для формирования на основе материала резиста фигур с различными 2D- и 3D-рельефами, которые могут иметь иное функциональное назначение.

Из материалов, представленных выше, можно также заключить, что предлагаемый метод травления может быть использован для полного или частичного удаления пленок ПММА и других указанных в заявке полимеров на различных типах подложек.

Важно подчеркнуть, что предлагаемый метод может быть реализован при использовании не только потоков ускоренных электронов, но и потоков других видов ионизирующих излучений, в частности рентгеновского и гамма-излучения. Известно [см., например, 8. А.К.Пикаев. Современная радиационная химия. Твердое тело и полимеры. Прикладные аспекты. Москва, Наука, 1987, 448 с.], что при воздействии на органические полимеры (и другие материалы) всех трех указанных видов ионизирующих излучений основной радиационно-химический эффект обусловлен действием на вещество медленных тепловых электронов, образующихся при размене энергии высокоэнергетического первичного потока в процессе его поглощения средой.

1. Способ формирования маскирующего изображения в позитивных электронных резистах, состоящий в прямом травлении резиста непосредственно в процессе экспонирования пучком электронов в вакууме, отличающийся тем, что в качестве резистов используют полимеры, способные к цепной деполимеризации (например, полиалкилметакрилаты, полиметилизопропенилкетон, поли-альфа-метилстирол), а экспонирование проводят в области температуры стеклования исходного полимера или более высоких температурах.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что процесс проводят предпочтительно на образцах со слоем резиста толщиной до 2 мкм при температурах 20-200°C при энергии электронов в пучке 1-100 кэВ.



 

Похожие патенты:
Изобретение относится к микроэлектронике, к способам изготовления штампов для наноимпринт литографии с субмикронными и нанометровыми проектными нормами для использования при изготовлении полупроводниковых устройств.
Изобретение относится к химии и технологии фотополимеризующихся композиций, а именно окрашенных композиций, предназначенных для печати по текстильным материалам с последующей фиксацией УФ-излучением.
Изобретение относится к области микроэлектроники, а точнее к способам изготовления фотошаблонов для контактной фотолитографии с субмикронными и нанометровыми проектными нормами, и может быть использовано при изготовлении фотошаблонов для технологии изготовления акустоэлектронных устройств на поверхностных и объемных акустических волнах.

Изобретение относится к LIGA-технологии, а точнее к конструкции и способу изготовления рентгенолитографических шаблонов, включая переходные рентгеношаблоны и LIGA-шаблоны (ЛИГА-шаблоны), имеющих периодическую сеточную структуру, которые могут быть использованы для получения, в частности, широко известных металлических сеточных структур (МСС), применяемых для частотной и пространственной селекции электромагнитного излучения.

Изобретение относится к области производства интегральных схем, основанной на переносе изображения фотолитографическим способом с использованием фотошаблонов. .

Изобретение относится к композиции, меняющей цвет в зависимости от дозы поглощенного излучения, и ее применению в качестве индикатора дозы УФ-излучения. .

Изобретение относится к новым веществам для покрытий офсетных печатных форм и к покрывающему раствору офсетной печатной формы, содержащему указанные вещества. .
Изобретение относится к оптическому приборостроению и предназначено для создания сложных дифракционных оптических элементов (ДОЭ) - линз Френеля, киноформов, фокусаторов, корректоров и других устройств.
Изобретение относится к способу обработки фторопласта, который может быть использован для изготовления защитных покрытий металлических и/или любых окрашенных поверхностей, для консервации металлических поверхностей деталей без дальнейшей их расконсервации, в качестве составной части антифрикционных добавок, в том числе, для моторных масел автомобилей.

Изобретение относится к области химии полимеров, а именно к применению гидроксиламиновых сложных эфиров для уменьшения молекулярной массы полипропилена, пропиленовых сополимеров или полипропиленовых смесей.
Изобретение относится к области радиационной модификации полимеров и может быть использовано при производстве нагревостойких нефтепогружных кабелей, труб, термоусаживающихся пленок и трубок.
Изобретение относится к области нефтехимии, в частности к способу получения полимерных присадок к дизельным топливам и смазочным маслам. .

Изобретение относится к способам снижения молекулярной массы олефиновых сополимеров для использования их в качестве добавки в смазочных маслах. .

Изобретение относится к химической технологии, а именно к технологии утилизации синтетических полимерных материалов, и может быть использовано для получения химических веществ и моторных топлив из отходов пластмасс.

Изобретение относится к способу улучшения прочности при плавлении полипропилена, включающему стадии смешивания полипропилена с, по крайней мере, одним пероксодикарбонатом; взаимодействия указанных полипропилена и пероксодикарбоната при температуре от 150 до 300oС при условии, что пероксодикарбонат не имеет форму водной дисперсии в полярной среде, при этом, по крайней мере, 90 мас.
Изобретение относится к способу получения присадки загущающей, которая применяется для производства масел различного типа - моторных, трансмиссионных, гидравлических, смазочных и других, и может быть использовано в нефтехимической промышленности.

Изобретение относится к получению улучшенных материалов на битумной основе и может быть использовано при производстве дорожных, кровельных гидроизоляционных покрытий.
Изобретение относится к клеям. Предложен клей, содержащий по меньшей мере одну полимерную систему, полученную способом уменьшения вязкости расплава по меньшей мере одного полимерного смесевого исходного материала, где способ включает стадию обработки по меньшей мере одной полимерной смеси по меньшей мере одним донором радикалов в условиях сдвигового напряжения при температуре, большей, чем температура размягчения упомянутой полимерной смеси. Полимерный смесевой исходный материал содержит эластомерный каучук или смесь эластомерных каучуков, выбираемых из этилен-пропиленового каучука и терполимерного каучука этилен-пропилен-диенового мономера, и полукристаллический олефиновый полимер или смесь из полукристаллических олефиновых полимеров. Технический результат - предложенный клей характеризуется высокой когезионной прочностью в сочетании с низкой вязкостью расплава. 22 з.п. ф-лы, 2 табл., 4 пр.
Наверх