Гибридная интегральная схема свч-диапазона

Изобретение относится к электронной технике, а именно к конструкции гибридных интегральных схем СВЧ-диапазона длин волн. Техническим результатом изобретения является улучшение электрических характеристик и повышение технологичности гибридной интегральной схемы. Гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона содержит диэлектрическую подложку с топологическим рисунком металлизации на лицевой и экранной заземляющей металлизацией на обратной сторонах; кристаллы навесных компонентов: активных - полупроводниковых приборов и пассивных - конденсаторов, расположенные на лицевой стороне подложки и соединенные с топологическим рисунком металлизации, на лицевой поверхности подложки расположен пленочный полимерный носитель, на наружной стороне которого выполнены плоские пленочные внутрисхемные соединительные проводники, которые соединены с контактными площадками активных и пассивных навесных компонентов и с топологическим рисунком металлизации через сквозные отверстия, выполненные в полимерном носителе. Толщина полимерного носителя выполнена от 5 до 100 мкм, а диэлектрическая проницаемость полимера - от 1,5 до 8,0. В пленочном полимерном носителе вдоль пленочных проводников топологического рисунка металлизации и на расстоянии от него не более 1 мм, а также под внутрисхемными соединительными проводниками выполнены дополнительные отверстия с плотностью от 10 до 90% общей площади полимерного носителя. 4 з.п. ф-лы, 10 ил., 2 табл.

 

Изобретение относится к электронной технике, а именно к конструкции гибридных интегральных схем СВЧ-диапазона длин волн.

Известна гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона [1], содержащая диэлектрическую подложку с топологическим рисунком металлизации на лицевой и экранной заземляющей металлизацией на обратной сторонах. Топологический рисунок металлизации содержит, по крайней мере, одну монтажную площадку для расположения, по крайней мере, одного кристалла навесного компонента - активного полупроводникового прибора, например транзистора. Кристалл расположен на монтажной площадке и закреплен на ней связующим веществом. Контактные площадки навесного компонента - кристалла активного полупроводникового прибора соединены плоскими балочными (ленточными) проводниками с пленочными проводниками топологического рисунка непосредственно или через другие навесные компоненты, например конденсаторы. Остальные внутрисхемные соединения выполнены разваркой проволочными проводниками.

Недостатком данной конструкции гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона является: недостаточно высокие электрические характеристики, что связано с применением проволочных внутрисхемных соединений, обладающих большими паразитными параметрами (индуктивностью и емкостью) и низкой технологичностью, что связано с невозможностью выполнения всех внутрисхемных соединений в едином технологическом цикле.

Известна гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона, на диэлектрической подложке с топологическим рисунком металлизации на лицевой стороне, содержащем пленочные проводники и посадочные площадки, и экранной заземляющей металлизацией на обратной стороне, которой расположены кристаллы навесных компонентов: активных - полупроводниковых приборов и пассивных - конденсаторов, имеющие контактные площадки, по крайней мере, на лицевой стороне, и накрыты пленочным полимерным носителем, на котором расположены плоские пленочные соединительные проводники. Плоские пленочные соединительные проводники соединены с контактными площадками активных и пассивных навесных компонентов и с топологическим рисунком металлизации через отверстия, выполненные в пленочном полимерном носителе [2].

Недостатками данной гибридной интегральной схемы является увеличение потери мощности сигнала из-за наличия полимерного носителя, что ухудшает электрические характеристики. Кроме того, предусматривается индивидуальное подключение каждого кристалла полупроводниковых приборов плоскими балочными выводами на полимерном носителе и монтаж на подложку, что снижает технологичность конструкции схемы.

Техническим результатом изобретения является улучшение электрических характеристик и повышение технологичности гибридной интегральной схемы.

Технический результат достигается тем, что гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона содержит диэлектрическую подложку с топологическим рисунком металлизации на лицевой и экранной заземляющей металлизацией на обратной сторонах; кристаллы навесных компонентов: активных - полупроводниковых приборов и пассивных - конденсаторов, расположенные на лицевой стороне подложки, и одни из выводов которых соединены с топологическим рисунком металлизации, на лицевой поверхности подложки расположен пленочный полимерный носитель, на наружной стороне которого выполнены плоские пленочные внутрисхемные соединительные проводники, которые соединены с контактными площадками активных и пассивных навесных компонентов и с топологическим рисунком металлизации через сквозные отверстия, выполненные в полимерном носителе. Толщина полимерного носителя выполнена от 5 до 100 мкм, а диэлектрическая проницаемость полимера - от 1,5 до 8,0. В пленочном полимерном носителе вдоль пленочных проводников топологического рисунка металлизации и на расстоянии от него не более 1 мм, а также под внутрисхемными соединительными проводниками выполнены дополнительные отверстия с плотностью от 10 до 90% общей площади полимерного носителя.

Дополнительные отверстия там, где на полимерном носителе нет внутрисхемных соединительных проводников, могут быть выполнены в виде окон, открывающих поверхность диэлектрической подложки.

Расстояние между соседними отверстиями или окнами может быть равно или больше толщины полимерного носителя.

Кристаллы навесных компонентов могут быть расположены в углублениях диэлектрической подложки, глубина которых обеспечивает расположение их лицевых поверхностей в одной плоскости с лицевой стороной диэлектрической подложки.

Дополнительные отверстия и окна в полимерном носителе могут быть выполнены глухими, при этом толщина дна отверстия или окна равна или более 1 мкм.

Выполнение пленочного полимерного носителя из полимера с диэлектрической проницаемостью от 1,5 до 8,0 позволяет использовать ряд полимерных материалов. Ограничение диэлектрической проницаемости снизу величиной 1,5 определяется тем, что материалы с меньшими диэлектрическими проницаемостями мало влияют на электрические характеристики схемы, а величиной 8,0 сверху - тем, что диэлектрическая проницаемость большинства используемых пленочных полимерных материалов имеет меньшую величину [3].

Ограничение толщины пленочного полимерного носителя, равной от 5 до 100 мкм, определяется тем, что пленки полимерного пленочного носителя менее 5 мкм изготовить потребителю сложно. Толщина полимерного носителя более 100 мкм увеличивает длину внутрисхемных соединений, и, тем самым, увеличивается их паразитная индуктивность, и ухудшаются электрические характеристики схемы.

Выполнение на пленочном полимерном носителе всех внутрисхемных соединительных проводников позволяет исключить проволочные соединительные проводники из конструкции схемы, и, тем самым, улучшить электрические характеристики, и повысить технологичность схемы.

Выполнение дополнительных отверстий в пленочном полимерном носителе под плоскими пленочными соединительными проводниками, расположенными на пленочном полимерном носителе, и вдоль пленочных проводников топологического рисунка металлизации, а также в непосредственной близости от него, на расстоянии не более 1 мм, позволяет снизить влияние полимерного носителя на потери мощности проходящего сигнала и, тем самым, улучшить электрические характеристики гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона.

Плотность расположения дополнительных отверстий в пленочном полимерном носителе менее 10% от общей площади не дает заметного улучшения электрических характеристик схемы.

Плотность расположения дополнительных отверстий в пленочном полимерном носителе более 90% от общей площади не позволяет сохранить жесткость пленочного полимерного носителя и, вследствие этого, осложняет совмещение рисунка внутрисхемных соединений с топологическим рисунком металлизации.

Выполнение в отдельных областях полимерного носителя, не имеющих внутрисхемных соединений, над пленочными проводниками топологического рисунка металлизации окон, открывающих до 90% площади поверхности диэлектрической подложки с топологическим рисунком металлизации, позволяет снизить влияние материала полимерного носителя на проходящий сигнал и, тем самым, улучшить электрические характеристики схемы.

Дополнительные отверстия там, где на полимерном носителе нет внутрисхемных соединительных проводников, могут быть выполнены в виде окон, открывающих поверхность диэлектрической подложки, что позволяет снизить влияние материала пленочного полимерного носителя на проходящий сигнал и, тем самым, улучшает электрические характеристики.

Для большей жесткости конструкции пленочного полимерного носителя, а также для обеспечения надежного сцепления плоских пленочных соединительных внутрисхемных проводников с пленочным полимерным носителем расстояние между соседними отверстиями или окнами равно или больше толщины полимерного носителя.

Кристаллы навесных компонентов могут быть расположены в углублениях в диэлектрической подложке, глубина которых обеспечивает расположение их лицевых поверхностей в одной плоскости с лицевой поверхностью диэлектрической подложки, что облегчает совмещение плоских пленочных соединительных внутрисхемных проводников с топологическим рисунком металлизации и, тем самым, повышает технологичность схемы, а кроме того, уменьшает длину плоских пленочных соединительных внутрисхемных проводников и, тем самым, улучшает электрические характеристики схемы.

Выполнение дополнительных отверстий и окон глухими с толщиной дна, равной более 1 мкм, позволяет сохранить жесткость конструкции пленочного полимерного носителя, облегчить совмещение плоских пленочных соединительных внутрисхемных проводников с топологическим рисунком металлизации и, тем самым, повышает технологичность схемы.

Изобретение поясняется чертежами.

На Фиг.1 представлен фрагмент предложенной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона, где:

- диэлектрическая подложка 1;

- топологический рисунок металлизации 2;

- экранная заземляющая металлизация 3;

- кристаллы активных навесных компонентов 4;

- кристаллы пассивных навесных компонентов 5;

- выводы кристаллов навесных компонентов 6;

- пленочный полимерный носитель 7;

- плоские пленочные соединительные внутрисхемные проводники 8;

- контактные площадки кристаллов навесных компонентов 9;

- сквозные отверстия в пленочном полимерном носителе 10;

- дополнительные отверстия 11.

На Фиг.2 представлен фрагмент предложенной гибридной интегральной схемы СВЧ диапазона, в которой дополнительные отвестия выполнены в виде окон, где:

- диэлектрическая подложка 1;

- топологический рисунок металлизации 2;

- экранная заземляющая металлизация 3;

- пленочный полимерный носитель 7;

- плоские пленочные соединительные внутрисхемные проводники 8;

- дополнительные отверстия 11;

- окна 12.

На Фиг.3 представлен фрагмент предложенной гибридной интегральной схемы СВЧ диапазона, в которой кристаллы навесных компонентов расположены в углублениях диэлектрической подложки, где:

- диэлектрическая подложка 1;

- топологический рисунок металлизации 2;

- экранная заземляющая металлизация 3;

- кристаллы активных навесных компонентов 4;

- кристаллы пассивных навесных компонентов 5;

- выводы кристаллов навесных компонентов 6;

- пленочный полимерный носитель 7;

- плоские пленочные соединительные внутрисхемные проводники 8;

- контактные площадки кристаллов навесных компонентов 9;

- сквозные отверстия в пленочном полимерном носителе 10;

- дополнительные отверстия 11;

- углубление диэлектрической подложки 13.

На Фиг.4-10 представлены графики изменения передаточной характеристики моста Ланге гибридной интегральной схемы СВЧ диапазона, где:

- передаточные характеристики моста Ланге S12 и S13;

- график зависимости передаточной характеристики моста Ланге без полиимидного покрытия Δ - S12 и - S13;

- график зависимости передаточной характеристики моста Ланге с полиимидным покрытием по всей площади х - S12 и + -S13;

- график зависимости передаточной характеристики моста Ланге с полиимидным покрытием 50% площади о.

Пример 1.

Гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона, например балансного усилительного каскада входного малошумящего усилительного модуля. В состав модуля входит семь усилительных каскадов. ГИС содержит диэлектрическую подложку 1, выполненную из поликора (керамика ВК - 100), например, размером 12×15×0,5 мм с топологическим рисунком металлизации 2, на лицевой стороне и экранной заземляющей металлизацией 3 на обратной ее стороне. Структура металлизации 2 и 3 одинакова: Cr (0,02 мкм) напылен. - Cu (1 мкм) напылен. - Cu (3 мкм) гальванич. - Ni (0,8 мкм) гальванич. - Au (3 мкм) гальванич. Кристаллы навесных компонентов: активных полупроводниковых приборов 4, например транзисторов 3П612А-5 (АЕЯР4321.50.157 ТУ), и пассивных 5 - конденсаторов, например «Емкости, сосредоточенные на полупроводниковой подложке» ТС7.088.005-22 (ТС0.707.001 ТУ), имеющие металлизационные контактные площадки 9 со структурой Тi (0,02 мкм) напылен. - Pd (0,2 мкм) напылен. - Au (3 мкм) гальваничес. Плоские пленочные внутрисхемные соединительные проводники 8, имеющие структуру металлизации Cr (0.02 мкм) напыленный - Cu (1 мкм) напыленная - Au (8 мкм) гальванически наращенное, причем в местах выполнения соединений с пленочных соединительных проводников удалены (стравлены) слои хрома и меди.

Соединения выполняются, например, контактной сваркой на установке «Контакт 3А» при комнатной температуре. Кристаллы навесных компонентов устанавливаются на посадочные площадки приклеиванием с помощью электропроводящего клея ЭЧЭ - С (ЫУО.028.052 ТУ). В качестве пленочного полимерного носителя 7 используется пленка полиимидная ПМ-ИС-100 (ТУ 6-19-051-533-85) толщиной 100 мкм. Диэлектрическая проницаемость материала (ПМ-1) полиимидной пленки равна 3,9 [3]. Дополнительные отверстия 11 в полимерном пленочном носителе 7 выполнены диаметром 0,3 мм с расстоянием между отверстиями 100 мкм. Плотность расположения дополнительных отверстий 11 в пленочном полимерном носителе 7 составляет 50% от общей площади пленочного полимерного носителя 7 в областях расположения внутрисхемных соединений и с окнами 12, открывающими проводники топологического рисунка металлизации 2, величина окон 12 выбрана такой, что окно 12 заканчивается на расстоянии 1 мм от топологического рисунка 2. Кристаллы транзистора 3П612А-5, имеющие размеры 0,5×0,5×0,1 мм установлены в металлизированные углубления размером 0,7×0,7×0,12 мм, конденсаторы размером 0,65×0,65×0.3 мм установлены в углубления размером 0,85×0,85×0,33 мм.

Проведена оценка влияния наличия носителя 7 из полиимида с диэлектрической проницаемостью 3,9 на передаточную характеристику одного из элементов схемы, а именно моста Ланге, в зависимости от толщины носителя 7 и плотности заполнения дополнительными отверстиями 11 и окнами 12. Компьютерное моделирование электрических характеристик моста Ланге проводилось с использованием программы Microwave Office (AWR Design Environment). В состав каждой ГИС усилительного каскада входят два моста Ланге. Результаты представлены на Фиг.4-10.

Пример 2. Толщина полиимидного носителя 5 мкм (Фиг.4).

При нанесении слоя на всю поверхность моста Ланге его передаточная характеристика изменяется (ухудшается) на 3%. При нанесении слоя полиимида на 50% площади моста Ланге его передаточная характеристика изменяется на 1.7%.

Это ухудшение вызывает увеличение потерь мощности в каждом плече моста Ланге и ухудшение суммирования мощности из-за увеличения разбалансирования амплитуды и фазы сигнала.

Пример 3.

Толщина полиимидного носителя 10 мкм (Фиг.5).

При нанесении слоя на всю поверхность моста Ланге его передаточная характеристика изменяется (ухудшается) на 5%. При нанесении слоя полиимида на 50% площади моста Ланге его передаточная характеристика изменяется на 2.5%.

Пример 4.

Толщина полиимидного носителя 20 мкм (Фиг.6).

При нанесении слоя на всю поверхность моста Ланге его передаточная характеристика изменяется (ухудшается) на 7%. При нанесении слоя полиимида на 50% площади моста Ланге его передаточная характеристика изменяется на 3.7%.

Пример 5.

Толщина полиимидного носителя 50 мкм (Фиг.7).

При нанесении слоя на всю поверхность моста Ланге его передаточная характеристика изменяется (ухудшается) на 8,35%. При нанесении слоя полиимида на 50% площади моста Ланге его передаточная характеристика изменяется на 5.1%.

Пример 6.

Толщина полиимидного носителя 100 мкм (Фиг.8).

При нанесении слоя на всю поверхность моста Ланге его передаточная характеристика изменяется (ухудшается) на 7,45%. При нанесении 5 мкм слоя полиимида на 50% площади моста Ланге его передаточная характеристика изменяется на 4.23%. При нанесении слоя полиимида на 10% площади моста Ланге его передаточная характеристики изменяется на 1.28%.

Полученные результаты изменения передаточной характеристики моста Ланге при изменении толщины носителя из полиимида сведены в таблицу 1.

Таблица 1
Толщина полиимида (мкм) 5 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
Передаточная характеристика (%) 3.1 4.9 7 7.9 8.3 8.35 8.25 8.1 7.9 7.7 7.4

График на Фиг.9 показывает, что наилучший результат получен при толщине 5 мкм.

Результаты изменения передаточной характеристики моста Ланге при изменении плотности заполнения дополнительными отверстиями и окнами площади носителя из полиимида толщиной 50 мкм приведены в таблице 2.

Таблица 2
Плотность заполнения (%) 10 20 25 40 50 60 70 80 90
Передаточная характеристика (%) 1.7 2.6 3.1 4.3 5.1 6 6.7 7.4 8.35

График на Фиг.10 показывает, что покрытие полиимидом должно быть минимальным.

Устройство работает следующим образом.

При подаче сигнала на вход усилительного балансного каскада, сигнал делится на две части направленным ответвителем (мостом Ланге), усиливается при прохождении через каждый из транзисторов 4, а затем складывается в другом направленном ответвителе. Усиленный сигнал выходит с выхода усилительного каскада.

При этом в предложенной конструкции гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона, по сравнению с прототипом, улучшены электрические характеристики: уменьшены потери мощности проходящего сигнала за счет снижения влияния полимерного носителя на проходящий сигнал, и уменьшена паразитная индуктивность схемы за счет использования всех плоских соединительных внутрисхемных соединительных проводников, а также повышена технологичность за счет выполнения всех плоских внутрисхемных соединительных проводников в едином технологическом цикле и возможности сборки в едином технологическом цикле на одном оборудовании в автоматизированном режиме.

Источники информации

1. Патент РФ №2314595, МПК H01L 21/84, приоритет 10.01.2006 г. / Способ изготовления гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона. // В.А.Иовдальский, Ю.И.Молдованов, В.Г.Моргунов, В.Г.Виноградов.

2. Г.Я.Гуськов, Г.А.Блинов, А.А.Газаров. Монтаж микроэлектронной аппаратуры. - М.: Радио и связь, 1986 г. - С.176 (с.109-110).

3. М.Ю.Кацнельсон, Г.А.Бадаев. Пластические массы. Свойства и применение. Справочник, Ленинград, «Химия», 1978 г., с.370.

1. Гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона, содержащая диэлектрическую подложку с топологическим рисунком металлизации на лицевой и экранной заземляющей металлизацией на обратной сторонах, кристаллы навесных компонентов: активных - полупроводниковых приборов и пассивных - конденсаторов, расположенные на лицевой стороне подложки, и одни из выводов которых соединены с топологическим рисунком металлизации, на лицевой поверхности подложки расположен пленочный полимерный носитель, на наружной стороне которого выполнены плоские пленочные внутрисхемные соединительные проводники, соединенные с контактными площадками кристаллов навесных компонентов и с топологическим рисунком металлизации через сквозные отверстия в полимерном носителе, отличающаяся тем, что толщина полимерного носителя от 5 до 100 мкм, а диэлектрическая проницаемость полимера от 1,5 до 8,0; в пленочном полимерном носителе вдоль пленочных проводников топологического рисунка металлизации и на расстоянии от него не более 1 мм, а также под внутрисхемными соединительными проводниками выполнены дополнительные отверстия с плотностью от 10 до 90% общей площади полимерного носителя.

2. Гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона по п.1, отличающаяся тем, что дополнительные отверстия в полимерном носителе в местах свободных от внутрисхемных соединительных проводников выполнены в виде окон.

3. Гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона по п.2, отличающаяся тем, что расстояние между соседними отверстиями или окнами равно или больше толщины полимерного носителя.

4. Гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона по п.3, отличающаяся тем, что отверстия и окна выполнены глухими, при этом толщина дна отверстия или окна равна или более 1 мкм.

5. Гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона по п.1, отличающаяся тем, что кристаллы навесных компонентов расположены в углублениях диэлектрической подложки, глубина которых обеспечивает расположение их лицевых поверхностей в одной плоскости с лицевой стороной диэлектрической подложки.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области конструирования радиоэлектронной аппаратуры и может быть использовано в миниатюрных приемопередающих устройствах. .

Изобретение относится к электронной технике, а именно к конструкции мощных гибридных интегральных схем СВЧ-диапазона длин волн. .

Изобретение относится к электронной технике, а именно к конструкции гибридных интегральных схем СВЧ-диапазона длин волн. .

Изобретение относится к пакету светового модуля со светоизлучающим диодом. .

Изобретение относится к электронной технике СВЧ. .

Изобретение относится к электронной технике, а именно к конструкции мощных гибридных интегральных схем СВЧ-диапазона длин волн. .

Изобретение относится к электронной технике, а именно гибридным интегральным схемам СВЧ диапазона. .

Изобретение относится к области силовой электроники. .

Изобретение относится к электронной технике, а именно к гибридным интегральным схемам СВЧ-диапазона. .

Изобретение относится к блоку микроэлектродной матрицы для датчиков или нейронных протезов

Изобретение относится к светоизлучающему модулю

Способ изготовления светодиодного модуля согласно изобретению включает формирование на подложке изолирующей пленки; формирование на изолирующей пленке первой заземляющей контактной площадки и второй заземляющей контактной площадки, отделенных друг от друга; формирование первой разделительной пленки, которая заполняет пространство между первой и второй заземляющими контактными площадками, второй разделительной пленки, осажденной на поверхность первой заземляющей контактной площадки и третьей разделительной пленки, осажденной на поверхность второй заземляющей контактной площадки; формирование первого разделяющего слоя заданной высоты на каждой из разделительных пленок; распыление затравочного металла на подложку, на которой сформирован первый разделяющий слой; формирование второго разделяющего слоя заданной высоты на первом разделяющем слое; формирование первого зеркала, соединенного с первой заземляющей контактной площадкой, и второго зеркала, соединенного со второй заземляющей контактной площадкой с помощью выполнения процесса нанесения металлического покрытия на подложку, на которой сформирован второй разделяющий слой; удаление первого и второго разделяющих слоев; соединение стабилитрона с первым зеркалом и соединение светодиода со вторым зеркалом; и осаждение флуоресцентного вещества для того, чтобы заполнить пространство, образованное первым зеркалом и вторым зеркалом. Также согласно изобретению предложены еще один вариант описанного выше способа и конструкция светодиодного модуля. Изобретение обеспечивает возможность улучшить относительную световую эффективность светодиодного элемента с помощью улучшения тепловыделяющей способности при изготовлении светодиодного модуля с высокой яркостью, и получить светодиодный модуль небольшого размера с высокой яркостью при низкой стоимости, значительно снизить интенсивность отказов модуля и стоимость изготовления единицы, используя полупроводниковый процесс, который облегчает массовое производство. 3 н. и 16 з.п. ф-лы, 13 ил.

Изобретение относится к светоизлучающему устройству и способу его изготовления. Светоизлучающее устройство содержит по меньшей мере одну монтажную площадку, множество светоизлучающих диодов, смонтированных на упомянутой по меньшей мере одной монтажной площадке и сконфигурированных для излучения конкретного цвета, и по меньшей мере одну интегральную схему, смонтированную на упомянутой по меньшей мере одной монтажной площадке и сконфигурированную для возбуждения по меньшей мере одного из упомянутого множества светоизлучающих диодов, при этом наиболее чувствительный к температуре светоизлучающий диод расположен между менее чувствительными к температуре светоизлучающими диодами и упомянутой по меньшей мере одной интегральной схемой. Изобретение обеспечивает возможность защитить чувствительные к температуре светоизлучающие диоды в случае высокой температуры, полученной, например, при возбуждении светоизлучающих диодов при большом токе. 3 н. и 11 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к электронной технике. Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона включает формирование многослойной диэлектрической подложки посредством расположения отдельных диэлектрических слоев с обеспечением формирования, по меньшей мере, одного сквозного отверстия в подложке, последующее спекание и отжиг, закрепление подложки экранной заземляющей металлизацией на электро- и теплопроводящее основание, закрепление активного тепловыделяющего компонента в одном сквозном отверстии подложки, соединение электрически контактных площадок активного тепловыделяющего компонента с топологическим рисунком металлизационного покрытия подложки, контроль электрических характеристик гибридной интегральной схемы. При изготовлении отдельных диэлектрических слоев многослойной диэлектрической подложки сквозные отверстия изготавливают с определенным сечением. При нанесении металлизационного покрытия топологического рисунка и экранной заземляющей металлизации одновременно заполняют материалом металлизационного покрытия одно сквозное отверстие и дополнительные сквозные отверстия. При формировании многослойной диэлектрической подложки отдельные диэлектрические слои располагают определенным образом, а формирование активного тепловыделяющего компонента осуществляют непосредственно в одном сквозном отверстии многослойной диэлектрической подложки. Технический результат - снижение трудоемкости изготовления и улучшение электрических характеристик. 1 ил., 1 табл.

Использование: для создания блока питания. Сущность изобретения заключается в том, что блок электропитания содержит силовые транзисторы и управляющие компоненты для управления силовыми транзисторами и охлаждаемый посредством теплопроводности, при этом блок электропитания дополнительно содержит: основную плату типа AMB/Si3N4, несущую силовые транзисторы, причем основная плата представляет собой рассеивающую тепло пластину для диссипации тепла, генерируемого силовыми транзисторами, посредством их расположения в блоке в непосредственном контакте с несущей структурой, обеспечивающей охлаждение посредством теплопроводности, когда блок установлен на своем месте; и керамическую плату, несущую управляющие компоненты, причем керамическая плата установлена на основной плате. Технический результат: обеспечение возможности уменьшения числа компонентов блока, повышения надежности, снижения массы, увеличения компактности. 5 з.п. ф-лы, 9 ил.

Изобретение относится к диодному осветительному прибору, осветительному узлу автомобиля, содержащему такой диодный осветительный прибор, и способу изготовления диодного осветительного прибора. Техническим результатом является защита диодного осветительного прибора от электростатического разряда. Результат достигается тем, что диодный осветительный прибор (1А, 1В, 1С), содержит прибор (1, 2) на светоизлучающих диодах, содержащий, по меньшей мере, два открытых, последовательно соединенных светоизлучающих диода (1), соединенных параллельно с диодным прибором (2) для защиты от электростатического разряда, а также и прибор (4) для отвода электростатического разряда, простирающийся в физической близости к межкомпонентному соединению (10) между соседними светоизлучающими диодами (1) прибора (1, 2) на светоизлучающих диодах, причем прибор (4) для отвода выполнен с возможностью отвода электростатического разряда (S2) от межкомпонентного соединения (10) в область низкого потенциала (21, 22, GND). 3 н. и 10 з.п. ф-лы, 6 ил.
Наверх