Способ создания светоизлучающего элемента



Способ создания светоизлучающего элемента
Способ создания светоизлучающего элемента
Способ создания светоизлучающего элемента
Способ создания светоизлучающего элемента
Способ создания светоизлучающего элемента
Способ создания светоизлучающего элемента
Способ создания светоизлучающего элемента
Способ создания светоизлучающего элемента

 

H01L33/26 - Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, предназначенные для светового излучения, например инфракрасного; специальные способы или устройства для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов (соединение световодов с оптоэлектронными элементами G02B 6/42; полупроводниковые лазеры H01S 5/00; электролюминесцентные источники H05B 33/00)

Владельцы патента RU 2485632:

Учреждение Российской академии наук Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения РАН (ИАПУ ДВО РАН) (RU)

Изобретение относится к способам изготовления светоизлучающего элемента с длиной волны из ближней инфракрасной области спектра. Диодная светоизлучающая структура формируется на монокристаллическом кремнии с ориентацией поверхности (111) или (100). Активная зона светоизлучающего элемента представляет собой наноразмерные кристаллиты (нанокристаллиты) полупроводникового дисилицида железа, упруго встроенные в монокристаллический эпитаксиальный кремний. Перед формированием активной зоны на подложку наносится слой нелегированного кремния для ее пространственного отделения от подложки (буферный слой). Нанокристаллиты образуются при эпитаксиальном заращивании, предварительно сформированном на буферном слое методом твердофазной эпитаксии наноостровков полупроводникового дисилицида железа. Применение особых режимных параметров обеспечивает высокую концентрацию нанокристаллитов в активной зоне. Изобретение обеспечивает повышение эффективности светоизлучающего элемента за счет возможности уменьшения размеров кристаллитов полупроводникового дисилицида железа β-FeSi2 (до 5-40 нм) и обеспечения их высокой плотности (количества кристаллитов в единице объема кремниевой матрицы) и в силу этого упругого встраивания в кремниевую матрицу и значительной напряженности внутренней структуры кристаллитов. 1 з.п. ф-лы, 8 ил.

 

Изобретение относится к способам изготовления светоизлучающего элемента с длиной волны из ближней инфракрасной области спектра.

Известен способ создания светоизлучающих приборов на основе кремния, включающий формирование в непосредственной близости от р-n перехода излучающей зоны, легированной примесями редкоземельных элементов, на основе того же полупроводникового материала, что и активные слои n- и р-типа проводимости (см. US №6828598, H01 S3/16, H01S 5/30, H01S 5/32, 2004). В зависимости от уровня легирования активных слоев в приборах реализуется механизм туннельного, лавинного либо смешанного пробоев. Основным ограничивающим фактором практического применения приборов, создаваемых известным способом, несмотря на их простоту и интегрируемость в схемы микроэлектроники является их низкая излучающая способность и, следовательно, низкая выходная мощность прибора.

Известен также способ создания светоизлучающего элемента, включающий формирование слоя железа осаждением в условиях сверхвысокого вакуума атомов железа на кремниевую подложку первого типа проводимости, агрегацию этого слоя в островки β-FeSi2 и последующее осаждение эпитаксиального слоя кремния второго типа проводимости при нагреве подложки (см. US №6368889, H01L 33/26; H01L 21/00; H01L 33/00,2002).

Недостаток этого технического решения - значительный (около 100 нм) размер зерен дисилицида железа, что не позволяет обеспечить высокую эффективность светоизлучающего элемента в силу недостаточно хорошего встраивания кристаллов в кремниевую матрицу и релаксированной внутренней структуры.

Задача, на решение которой направлено заявленное изобретение, выражается в повышении эффективности светоизлучающего элемента.

Технический результат - повышение эффективности светоизлучающего элемента за счет возможности уменьшения размеров кристаллитов полупроводникового дисилицида железа β-FeSi2 (до 5-40 нм) и обеспечения их высокой плотности (количества кристаллитов в единице объема кремниевой матрицы) и в силу этого упругого встраивания в кремниевую матрицу и значительной напряженности внутренней структуры кристаллитов.

Решение поставленной задачи обеспечивается тем, что способ создания светоизлучающего элемента, включающий формирование слоя железа осаждением в условиях сверхвысокого вакуума атомов железа на кремниевую подложку первого типа проводимости, агрегацию этого слоя в островки β-FeSi2 и последующее осаждение эпитаксиального слоя кремния второго типа проводимости при нагреве подложки, отличается тем, что на кремниевую подложку первого типа проводимости осаждают слой нелегированного кремния толщиной 100-200 нм при скорости осаждения 5×10-2-3.3×10-1 нм/с и нагреве подложки до 700-750°C, после чего ее охлаждают до комнатной температуры, при которой на поверхность слоя нелегированного кремния осаждают слой железа толщиной 0,2-0,8 нм со скоростью осаждения 1,7×10-3-1,7×10-2 нм/с, при этом агрегацию слоя железа в наноостровки β-FeSi2 осуществляют отжигом при температуре подложки 630°C в течение 20 минут, после чего агрегацию наноостровков β-FeSi2 в нанокристаллиты β-FeSi2 с размерами 5-40 нм, упруго встроенных в кремниевую матрицу, осуществляют осаждением нелегированного кремния толщиной 100-200 нм при скорости осаждения 5×10-2-3,3×10-1 нм/с и нагреве подложки до 600-800°C, после чего осаждают слой кремния второго типа проводимости толщиной 100-200 нм при скорости осаждения 5×10-2-3,3×10-1 нм/с и нагреве подложки до 700-750°C. Кроме того, в качестве подложки используют кремний с ориентацией поверхности (100) или (111).

Сопоставительный анализ признаков заявляемого и известных технических решений свидетельствует о его соответствии критерию «новизна».

Признаки отличительной части формулы изобретения решают следующие функциональные задачи.

Признаки «на кремниевую подложку первого типа проводимости осаждают слой нелегированного кремния толщиной 100-200 нм» отделяют нанокристаллиты β-FeSi2 от подложки, что обеспечивает их расположение вне границы р-n перехода и эффективную инжекцию носителей заряда.

Признаки, указывающие, что осаждение слоя нелегированного кремния ведут «при скорости осаждения 5×10-2-3.3×10-1 нм/с и нагреве подложки до 700-750°C» обеспечивают эпитаксиальное формирование буферного слоя нелегированного кремния на подложке.

Признаки, указывающие, что после осаждения слоя нелегированного кремния его охлаждают (за счет охлаждения подожки) «до комнатной температуры» и последующее поддержание этой температуры в процессе осаждения железа обеспечивают предотвращение формирования дисилицида железа.

Признаки, указывающие, что «осаждают слой железа толщиной 0,2-0,8 нм со скоростью осаждения 1,7×10-3-1,7×10-2 нм/с» обеспечивают минимизацию размеров наноостровков силицида железа при последующей агреации этого слоя.

Признаки, указывающие, что «агрегацию слоя железа в наноостровки β-FeSi2 осуществляют отжигом при температуре подложки 630°C в течение 20 минут» обеспечивает формирование на буферном слое нелегированного кремния наноостровков β-FeSi2.

Признаки, указывающие, что «агрегацию наноостровков β-FeSi2 в нанокристаллиты β-FeSi2 с размерами 5-40 нм, упруго встроенные в кремниевую матрицу, осуществляют осаждением нелегированного кремния толщиной 100-200 нм» обеспечивают возможность формирования кремниевой матрицы толщиной существенно большей размеров нанокристаллитов β-FeSi2, заключенных в ней. Кроме того, обеспечивается отделение нанокристаллитов β-FeSi2 от верхнего слоя кремния второго типа, что обеспечивает их расположение вне границы р-n перехода и эффективную инжекцию носителей заряда. Кроме того, обеспечивается трансформация наноостровков в нанокристаллиты заданной крупности и обладающие напряженной внутренней структурой.

Признаки, указывающие, что осаждение покрывающего слоя нелегированного кремния ведут «при скорости осаждения 5×10-2-3,3×10-1 нм/с при нагреве подложки до 600-800°C» задают режимные параметры процесса осаждения нелегированного кремния, обеспечивающее «запуск» и «протекание» процесса агрегации наноостровков в нанокристаллиты β-FeSi2.

Признаки, указывающие, что процесс формирования структуры светоизлучающего элемента завершают осаждением слоя «кремния второго типа проводимости толщиной 100-200 нм при скорости осаждения 5×10-2-3,3×10-1 нм/с и нагреве подложки до 700-750°C» обеспечивают формирование р-n перехода в структуре светоизлучающего элемента.

Признаки, указывающие, что «в качестве подложки используют кремний с ориентацией поверхности (100) или (111)» обеспечивают возможность варьирования кристаллографической ориентации подложки и варьирования свойств формируемого полупроводникового материала на подложке кремния.

На чертежах показаны стадии формирования светоизлучающего элемента, при этом на фиг.1 схематически показан этап формирования слоя нелегированного кремния на подложке кремния первого типа проводимости для пространственного отделения сформирующихся впоследствии нанокристаллитов β-FeSi2 и подложки; на фиг.2 схематически показан этап формирования массива наноостровков β-FeSi2; на фиг.3 схематически показан этап агрегации наноостровков β-FeSi2 в нанокристаллиты β-FeSi2 при осаждении на подложку нелегированного кремния; на фиг.4 показано завершение этапа осаждения нелегированного кремния; на фиг.5 показан этап осаждения кремния второго типа проводимости; на фиг.6 схематически показан общий вид светоизлучающего элемента, на фиг.7 схематически показана установка, обеспечивающая реализацию способа; на фиг.8 показано изображение поверхности кремния, на которой сформированы наноостровки дисилицида железа, полученное методом сканирующей атомно-силовой микроскопии.

На чертежах схематически показаны составные части светоизлучающего элемента, формируемого при реализации способа: подложка 1 кремния первого типа проводимости, например n-типа, слой нелегированного кремния 2 для отделения наноостровков 3 дисилицида железа (β-FeSi2) от подложки, нанокристаллиты 4 дисилицида железа β-FeSi2), образующие активный слой, заращенные слоем нелегированного кремния 5, слой кремния 6 второго типа проводимости (в данном случае р-типа), положительный 7 и отрицательный 8 электроды. Кроме того, показаны узлы и оборудование установки, обеспечивающей реализацию способа.

Для реализации способа используют известный комплект лабораторного оборудования (см. фиг.7), включающий в себя, кроме сверхвысоковакуумной камеры 9 (базовое давление в камере - 5×10-10 Торр и менее), электронный спектрометр 10 (например, фирмы Percin Elmer) манипулятор 11 образца (т.е. подложки) с электрическими вводами, имеющий четыре степени свободы, соединенный с образцом-подложкой 1, обеспечивающий возможность ее удержания в заданном положении и подвод к ней электрического тока для отжига.

Кроме того, комплект включает в себя блок испарителей 12 на три источника: источник 13 атомов железа, 14 нелегированного кремния и кремния первого или второго типа проводимости (не показан), а также сверхвысоковакуумный насос (не показан), обеспечивающий необходимый вакуум в камере 9. Обычно манипулятор 11 сгруппирован на одном фланце с тепло- и электрически изолированными вводами (на чертежах не показаны), через которые к ней подводится электрический ток для ее нагрева. Источник атомов железа 13 должен обеспечить достаточную для формирования наноостровков скорость осаждения (≥1,7×10-3 нм/с). Источник атомов кремния (нелегированного, первого и второго типов) должен обеспечить достаточную для формирования эпитаксиального слоя скорость осаждения (≥5×10-2 нм/с). Давление паров материала адсорбата в потоке, исходящем из блока испарителей, должно быть не менее чем на 2-3 порядка выше остаточного давления в камере 9. Экспозицию испаряемой порции адсорбата задают путем пропускания тока соответствующей величины через электрические вводы 15 в течение нужного времени.

Заявленный способ реализуется следующим образом. Перед загрузкой в камеру выбирают подложку 1 со срезом вдоль кристаллической плоскости (100) или (111). Затем подложку очищают известным образом, например, с помощью органических растворителей (например, кипячением в толуоле). После размещения образца-подложки 1 на манипуляторе 11 сверхвысоковакуумной камеры 9 и установки в ней подготовленных источников в блок испарителей 12, камеру 9 известным образом герметично закрывают. Далее камеру вакуумируют с помощью насоса, понижая величину давления в ней до заданного значения (обычно ≤5×10-7 Торр). Далее камеру 9 и всю ее внутреннюю оснастку обезгаживают наружным нагревом камеры до температуры 120-150°C. При этом в процессе и после нагрева камеру 9 непрерывно вакуумируют. Обезгаживание обычно проводят в течение суток, после чего камеру 9 охлаждают.Температуру обезгаживания определяют опытным путем из расчета обеспечения после охлаждения камеры заданного рабочего вакуума (≤5×10-10 Торр).

После загрузки образца-подложки 1 и получения заданного вакуума подложку, перед напылением, очищают термическим отжигом в течение времени, достаточного для испарения окисной пленки с ее поверхности, например, для подложки из кремния - в течении 2-3 мин при температуре 1250°C.

Затем на подложке формируют эпитаксиальный слой нелегированного кремния 2 путем его осаждения при нагреве подложки до 700-750°C (путем пропускания через нее постоянного стабилизированного тока через термо- и электрически изолированные от камеры вводы), толщиной от 100 до 200 нм со скоростью осаждения 5×10-2-3,3×10-1 нм/с, что обеспечивает формирование на поверхности буферного слоя нелегированного кремния 2.

Затем подложку 1 (с нанесенным на нее слоем нелегированного кремния 2), известным образом, с использованием штатного оснащения камеры 9 охлаждают до комнатной температуры. Далее, при поддержании температуры подложки на этом уровне, на поверхность слоя нелегированного кремния осаждают слой железа толщиной 0,2-0,8 нм, со скоростью осаждения 1,7×10-3-1,7×10-2 нм/с. В случае использования сублимационного источника атомов железа заданная скорость обеспечивается его прогревом путем пропускания через него постоянного стабилизированного тока. Величина тока подбирается экспериментально так, чтобы скорость сублимации атомов железа из него находилась в указанных пределах.

Далее осуществляют агрегацию слоя железа в наноостровки β-FeSi2, для чего отжигают подложку при температуре 630°C в течение 20 минут. При этом на поверхности подложки 1 со сформированным буферным слоем 2 в процессе взаимодействия атомов кремния с атомами железа образуются наноостровки 3 дисилицида железа β-FeSi2 (см. фиг.2 и фиг.8).

Далее осуществляют агрегацию наноостровков 3 дисилицида железа β-FeSi2 в нанокристаллиты 4 дисилицида железа β-FeSi2 с размерами 5-40 нм, упруго встроенные в кремниевую матрицу, для чего проводят осаждение эпитаксиального слоя нелегированного кремния 5 при нагреве подложки до 600-800°C, толщиной от 100 до 200 нм при скорости осаждения 5×10-2-3,3×10-1 нм/с (см. фиг.3, 4). В процессе такого заращивания нанокристаллиты распределяются в объеме кремния, двигаясь в направлении фронта эпитаксиального роста кремния.

После этого формируют слой кремния второго типа проводимости, для чего осаждают кремний второго типа проводимости толщиной 100-200 нм при скорости осаждения 5×10-2-3,3×10-1 нм/с и при нагреве подложки до 700-750°C.

Поскольку в качестве подложки выбран кремний первого типа проводимости (в данном случае, например, n-типа), эпитаксиальный слой кремния второго типа проводимости должен быть представлен кремнием р-типа для обеспечения возможности формирования области р-n-перехода (при использовании подложки из кремния p-типа, эпитаксиальный слой кремния должен быть n-типа, т.е. фразы «первого типа» и «второго типа» говорят только о необходимости использования кремния различных типов проводимости).

По завершении этого процесса на внешних поверхностях кремния (соответственно, свободная поверхность эпитаксиального слоя кремния второго типа проводимости и свободная поверхность подложки) известным образом формируют положительный 7 и отрицательный 8 электроды, завершая процесс формирования светоизлучающего элемента (см. фиг.6).

Заявленный способ (на промежуточном этапе) обеспечивает формирование на поверхности кремния наноостровков дисилицида железа, изображение которых, полученное методом сканирующей атомно-силовой микроскопии, приведено на фиг.8.

Этот образец был получен осаждением 0,2 нм железа со скоростью 4×10-3 нм/сек. Большая часть поверхности занята небольшими островками с латеральными размерами 24 нм, высотой - 4 нм и концентрацией 4,7×1010 см-2. Островки имеют округлую форму и располагаются отдельно друг от друга или выстраиваются в цепочки длиной до 7 островков. Кроме того, на поверхности присутствует небольшое количество крупных островков (концентрация 7×108 см-2), размеры которых примерно в 2 раза больше размеров малых островков: высота - 9 нм, а латеральные размеры - 39 нм.

1. Способ создания светоизлучающего элемента, включающий осаждение на кремниевую подложку первого типа проводимости слоя нелегированного кремния толщиной 100-200 нм, при скорости осаждения 5·10-2-3,3·10-1 нм/с и нагреве подложки до 700-750°С, после чего ее охлаждают до комнатной температуры, при которой на поверхность слоя нелегированного кремния осаждают слой железа толщиной 0,2-0,8 нм, со скоростью осаждения 1,7·10-3-1,7·10-2 нм/с, при этом агрегацию слоя железа в наноостровки β-FeSi2 осуществляют отжигом при температуре подложки 630°С в течение 20 мин, после чего агрегацию наноостровков β-FeSi2 в нанокристаллиты β-FeSi2 с размерами 5-40 нм, упруго встроенные в кремниевую матрицу, осуществляют осаждением нелегированного кремния толщиной 100-200 нм, при скорости осаждения 5·10-2-3,3·10-1 нм/с и нагреве подложки до 600-800°С, после чего осаждают слой кремния второго типа проводимости толщиной 100-200 нм, при скорости осаждения 5·10-2-3,3·10-1 нм/с и нагреве подложки до 700-750°С.

2. Способ создания светоизлучающего элемента, отличающийся тем, что в качестве подложки используют кремний с ориентацией поверхности (100) или (111).



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к способам изготовления светоизлучающего элемента с длиной волны из ближней инфракрасной области спектра. .

Изобретение относится к квантовой электронной технике, а именно к конструкции инжекционного полупроводникового лазера с повышенной плотностью мощности излучения.

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, к лазерам на основе многопроходных p-n гетероструктур. .

Изобретение относится к оптическим усилителям поверхностного типа, используемым в качестве поверхностного излучающего свет лазера и так далее, когда резонатор размещен с внешней стороны усилителя, и способу их изготовления.

Изобретение относится к способам изготовления светоизлучающего элемента с длиной волны из ближней инфракрасной области спектра. .

Изобретение относится к области полупроводниковых светоизлучающих приборов и может использоваться для производства светодиодов. .

Изобретение относится к области электротехники и касается ламп светодиодных, работа которых сопровождается нагревом колб. .

Изобретение относится к светодиодным лампам. .
Изобретение относится к способам, специально предназначенным для изготовления приборов для светового излучения методом хлоридно-гидридной эпитаксии. .

Изобретение относится к светоизлучающим устройствам и более конкретно к светоизлучающим устройствам, включающим в себя, по меньшей мере, один светодиод и люминофор, причем люминофор включает в себя химические соединения, легированные свинцом и/или медью и преобразующие длину волны света
Наверх