Способ выращивания монокристаллов литий-магниевого молибдата

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов литий-магниевого молибдата Li2Mg2(MoO4)3. Способ включает расплав литий-магниевого молибдата в расплаве растворителя, кристаллизацию при охлаждении расплава и охлаждение выращенных кристаллов, при этом в качестве растворителя используют молибдат лития Li2MoO4 при мольном соотношении литий-магниевого молибдата и молибдата лития Li2MoO4, равном 2:3, соответственно, кристаллизацию ведут на вращающуюся затравку со скоростью 35 об/мин, ориентированную по направлению [010], скорости вытягивания затравки от 1 до 3 мм/сутки с одновременным охлаждением расплава со скоростью от 0,2 до 5 град/сутки и последующим отделением выращенных кристаллов от расплава и их охлаждением со скоростью 30 град/час. Предлагаемый способ позволяет получать оптически однородные кристаллы литий-магниевого молибдата, Li2Mg2(MoO4)3, не содержащих включений, блоков и трещин, размерами 25×45 мм. 1 з.п. ф-лы.

 

Изобретение относится к области химической технологии, а именно к выращиванию монокристаллов, и касается получения крупных оптически однородных кристаллов литий-магниевого молибдата Li2Mg2(MoO4)3.

Известен способ получения мелких кристаллов литий-магниевого молибдата Li2Mg2(MoO4)3 путем спонтанной кристаллизации (Sebastian L., Piffard Y., Shukla A.K., Taulelle F., Gopalakrishnan, J. Synthesis, structure and lithium-ion conductivity of Li2-2xMg2+x(MoO4)3 and Li3M(MoO4)3 (MIII=Cr, Fe), Journal of Materials Chemistry (2003), 13, 1797-1802). Кристаллы получают из расплава смеси Li2CO3, MgO, МоО3 и NH4F, при этом Li2CO3 и NH4F берут с 10% избытком (по весу). Реакцию проводят при 750 в течение 18 часов, а затем постепенно охлаждают до комнатной температуры (скорость охлаждения не указана). Получают мелкие кристаллы размером 0.17×0.045×0.045 мм.

Литий-магниевый молибдат, Li2Mg2(MoO4)3, плавится с разложением при 1060°C и поэтому не может быть получен в виде объемных однородных кристаллов обычным методом Чохральского. Известен способ получения кристаллов литий-магниевого молибдата Li2Mg2(MoO4)3 путем спонтанной кристаллизации из расплава смеси Li2Mo2O7 и Li2Mg2(MoO4)3, взятых в соотношении 2:1 (В.Г.Пенкова, П.В.Клевцов, «Синтез кристаллов двойных молибдатов лития с двухвалентными металлами Mg, Ni, Co и Zn», Ж. неорганич. химии. 22 (1977) 1713-1715), выбранный в качестве прототипа. Спонтанную кристаллизацию Li2Mg2(MoO4)3 проводили путем снижения температуры раствора-расплава со скоростью 3-5 град/час в интервале температур от 1000 до 930 град. Размеры кристаллов в длину до 5-7 мм.

Указанными способами получают мелкие кристаллы, непригодные для практического применения.

Задачей изобретения является увеличение размеров кристаллов литий-магниевого молибдата с сохранением их оптического качества.

Поставленная задача достигается тем, что в способе выращивания кристаллов литий-магниевого молибдата из раствора в расплаве, включающий расплав литий-магниевого молибдата в расплаве растворителя, кристаллизацию при охлаждении расплава и охлаждение выращенных кристаллов, в качестве растворителя используют молибдат лития Li2MoO4 при мольном соотношении литий-магниевого молибдата и молибдата лития Li2МоO4, равном 2:3, соответственно, кристаллизацию ведут на вращающуюся затравку со скоростью 35 об/мин, ориентированную по направлению [010], скорости вытягивания затравки от 1 до 3 мм/сутки с одновременным охлаждением расплава со скоростью от 0,2 до 5 град/сутки, и последующим отделением выращенных кристаллов от расплава и их охлаждением со скоростью 30 град/час, при этом, вытягивание затравки ведут при автоматическом весовом контроле.

Отличительными признаками предлагаемого способа являются:

- в качестве растворителя используют молибдат лития Li2MoO4,

- соотношение литий-магниевого молибдата и молибдата лития Li2MoO4,

- вращение затравки и ее ориентировка по направлению [010],

- скорость вытягивания затравки от 1 до 3 мм/сутки,

- скорость охлаждения расплава от 0,2 до 5 град/сутки,

- вращение затравки со скоростью 35 об/мин,

- охлаждение кристаллов со скоростью 30 град/час,

- процесс ведут при автоматическом весовом контроле.

Использование таких заданных параметров выращивания позволяет получить крупные оптически однородные монокристаллы литий-магниевого молибдата Li2Mg2(MoO4)3.

Мольное соотношение компонентов Li2Mg2(MoO4)3 и Li2MoO4, равное 2:3. Выбор данного мольного соотношения компонентов системы обусловлен оптимальными режимами эксплуатации оборудования и энергопотребления.

Выбор молибдата лития обусловлен тем, что при использовании этого растворителя получаются более однородные, без включений, кристаллы (лучшего качества).

Оптимальные условия роста кристаллов: скорость вытягивания затравки от 1 до 3 мм/сутки обусловлены тем, что вытягивание затравки при выращивании кристалла со скоростью, большей чем 3 мм/сутки, не соответствует скорости устойчивого однородного роста кристалла в данных условиях. Снижение скорости вытягивания меньше 1 мм/сутки нецелесообразно, так как это приводит к увеличению времени процесса. Вращение затравки с заданной скоростью (35 об/мин) способствует равномерному росту, что позволяет избежать появления дефектов в кристалле, которые влияют на его оптические свойства.

Охлаждение расплава со скоростью от 0,2 до 5 град/сутки обусловлено тем, что уменьшение скорости охлаждения ниже 0,2 град/сутки в начале процесса приводит к уменьшению массовой скорости кристаллизации, уменьшению размеров выращиваемого кристалла и увеличению времени процесса. Увеличение скорости охлаждения выше 5 град/сутки в конце приводит к образованию концентрационного переохлаждения и, как следствие, захвату растворителя, образованию блоков и других дефектов.

Ориентация затравки по направлению [010] обеспечивает при данных условиях образование наиболее однородных кристаллов по сравнению с другими кристаллографическими ориентациями.

Автоматический весовой контроль позволяет осуществлять контроль за процессом роста на всем протяжении роста кристалла. Выращенные кристаллы затем постепенно охлаждают, чтобы не происходило их растрескивание, и скорость охлаждения зависит от их размера.

Пример.

В платиновый тигель диаметром 70 мм и высотой 120 мм помещают смесь соединений Li2Mg2(MoO4)3 и Li2MoO4, синтезированных известным способом путем (твердофазный синтез) из Li2CO3, MgO, МоО3, при этом Li2Mg2(MoO4)3 - 130,15 г и Li2MoO4 - 62,57 г, или в соотношении 2:3, что соответствует концентрации раствора-расплава 40 мол.%. Смесь расплавляют при 1000°C на воздухе в резистивной печи установки для выращивания кристаллов. Для гомогенизации раствор-расплав перемешивают платиновой мешалкой, затем температуру понижают до точки равновесия кристалла с раствором-расплавом для данной концентрации Li2Mg2(MoO4)3 (994°C) и к поверхности расплава подводят вращающуюся (35 об/мин) затравку, ориентированную по направлению [010].

После установления температуры, при которой наблюдается начало заметного роста затравки, осуществляют вытягивание затравки со скоростью 1-3 мм/сутки, одновременно понижают температуру раствора-расплава с начальной скоростью 0,2-5 град/сутки.

В процессе выращивания при увеличении массы кристалла скорость вытягивания плавно уменьшают до 1 мм/сутки, а скорость охлаждения - до 5 град/сутки в соответствии с графиком растворимости кристаллов Li2Mg2(MoO4)3 в расплаве Li2MoO4.

За 30 суток выращивают монокристалл литий-магниевого молибдата весом 80 г размерами: длиной (конус + цилиндр) до 45 мм и диаметром до 25 мм оптического качества.

По окончании процесса выращивания монокристалл отделяют от раствора-расплава и охлаждают до комнатной температуры со скоростью 30 град/час.

Оптическое качество выращенных кристаллов определяют под микроскопом визуально. В кристалле отсутствуют включения другой фазы, не выявлены блоки и другие дефекты.

Таким образом, предлагаемый способ позволяет получить оптически однородные кристаллы литий-магниевого молибдата, Li2Mg 2(MoO4)3, не содержащие включений, блоков и трещин, размерами 25×45 мм, достаточными для исследования физических свойств и практического использования.

1. Способ выращивания кристаллов литий-магниевого молибдата из раствора в расплаве, включающий расплав литий-магниевого молибдата в расплаве растворителя, кристаллизацию при охлаждении расплава и охлаждение выращенных кристаллов, отличающийся тем, что в качестве растворителя используют молибдат лития Li2MoO4 при мольном соотношении литий-магниевого молибдата и молибдата лития Li2MoO4, равном 2:3 соответственно, кристаллизацию ведут на вращающуюся затравку со скоростью 35 об/мин, ориентированную по направлению [010], скорости вытягивания затравки от 1 до 3 мм/сутки с одновременным охлаждением расплава со скоростью от 0,2 до 5 град/сутки и последующим отделением выращенных кристаллов от расплава и их охлаждением со скоростью 30 град/ч.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что вытягивание затравки ведут при автоматическом весовом контроле.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологии выращивания полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения монокристаллов нитрида галлия, а также твердых растворов на его основе.
Изобретение относится к технологии получения объемных кристаллов александрита, которые могут быть использованы в качестве высококачественного сырья для изготовления оптических элементов лазерных систем.
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) типа «123», необходимых для проведения экспериментальных исследований фундаментальных свойств ВТСП, а также изготовления приборов и устройств сверхпроводниковой электроники.

Изобретение относится к способам получения кристаллов, а именно к способу получения монокристаллов хризоберилла и его разновидностей, в том числе его хромсодержащей разновидности - александрита, и может быть использовано для получения высококачественного ограночного сырья в ювелирной промышленности и для изготовления элементов квантовой электроники.

Изобретение относится к технологиям производства объемных монокристаллов и может быть использовано при управляемом раствор-расплавном выращивании кристаллов веществ, например сложных окислов.

Изобретение относится к области получения монокристаллов, в частности к способу получения раствор-расплавов для выращивания монокристаллов -ВаВ2О4 (ВВО) во флюсе. .
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов сверхпроводниковых соединений для производства устройств сверхпроводниковой электроники. .

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов, в частности к стадии предподготовки раствор-расплавов или расплавов, т.е. .

Изобретение относится к выращиванию кристаллов. .

Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла двойного цезий-литий бората CsLiB6O10 из раствор-расплава на затравку путем снижения температуры расплава.

Изобретение относится к получению монокристалла -BaB2O4(ВBO), применяемого для преобразования частоты лазерного излучения. .

Изобретение относится к области выращивания из расплава нелегированных кристаллов вольфрамата натрия-висмута NaBi(WO 4)2, являющегося перспективным материалом для Черепковских детекторов.

Изобретение относится к новому соединению класса оптических материалов - ахроматоров на основе неорганических кристаллических соединений, конкретно к сложным кальциевым тетрагерманатам эрбия и иттрия состава ЕrхY2-xCaGe4 O12, где 0.1<х0.3, которые могут быть использованы в фотонике в качестве оптической среды для преобразования монохроматического излучения лазера с длиной волны 975+/-5 нм в полосу от 1483 нм до 1654 нм ( =3500-4200 см-1) с одновременным усилением преобразованного излучения.

Изобретение относится к выращиванию высокотемпературных неорганических монокристаллов и может быть использовано в квантовой электронике и физике элементарных частиц, в частности, для создания детекторов процесса двойного безнейтринного бета-распада.

Изобретение относится к способам получения кристаллов, а именно к способу получения монокристаллов вольфрамата свинца, и может быть использовано при изготовлении сцинтилляционных элементов.

Изобретение относится к способам получения кристаллов, а именно к способу получения монокристаллов вольфрамата свинца, и может быть использовано при изготовлении сцинтилляционных элементов, применяемых в детекторах ионизирующих излучений высоких энергий, работающих в условиях высоких дозовых нагрузок в трактах регистрации, требующих высокого временного разрешения.

Изобретение относится к способам получения кристаллов, а именно к способу получения монокристаллов вольфрамата свинца (далее PWO), и может быть использовано при изготовлении сцинтилляционных элементов, применяемых в детекторах ионизирующих излучений высоких энергий, работающих в условиях высоких дозовых нагрузок в трактах регистрации, требующих высокого временного разрешения.
Наверх