Подложка для выращивания эпитаксиальных слоев арсенида галлия


 


Владельцы патента RU 2489533:

Учреждение Российской академии наук институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН (RU)

Изобретение относится к электронной технике, а именно - к материалам для изготовления полупроводниковых приборов с использованием эпитаксиальных слоев арсенида галлия. Сущность изобретения заключается в использовании для выращивания эпитаксиальных слоев GaAs подложек из интерметаллических соединений, имеющих строго стехиометрический состав, а именно из лантанидов галлия GaLa3 и Ga3La5, цирконидов галлия Ga3Zr и Ga3Zr5, цирконида алюминия Al3Zr, церида алюминия CeAl2, бериллида палладия BePd, лантанида магния MgLa, лантанида алюминия Al2La, станнида платины Pt3Sn, лантанида индия InLa, цирконида олова SnZr4, плюмбида платины Pt3Pb. Предлагаемое изобретение позволяет существенно улучшить электрофизические параметры арсенида галлия за счет исключения диффузии компонентов подложки в эпитаксиальный слой. 1 табл.

 

Изобретение относится к электронной технике, а именно к материалам, предназначенным для изготовления полупроводниковых приборов широкого класса применения с использованием эпитаксиальных слоев арсенида галлия.

В настоящее время достигнуто высокое качество автоэпитаксиальных слоев арсенида галлия по электрофизическим свойствам. Несмотря на это эпитаксиальные слои арсенида галлия до сих пор не могут вытеснить кремниевые слои в массовом производстве электронной техники. Связано это с тем, что для современной технологии их производства требуются подложки из монокристаллов арсенида галлия с диаметром 250 мм и более. Однако современные возможности промышленной технологии выращивания монокристаллов арсенида галлия ограничены диаметром около 100-150 мм. Увеличение диаметра монокристаллов свыше этого размера приводит к возникновению радиальной неоднородности состава монокристаллов арсенида галлия.

Делались многократные попытки выращивания качественных слоев арсенида галлия на других альтернативных подложках (подложки для гетеро-эпитаксиальных слоев арсенида галлия), однородных по составу при большом диаметре монокристаллов, например на кремнии или на сапфире. Эти попытки были безуспешными в первую очередь из-за большой разницы в периодах кристаллических решеток арсенида галлия с одной стороны и кремния и сапфира, с другой стороны.

Известны так же попытки нанесения переходных слоев между арсенидом галлия и, например, кремнием для уменьшения разницы в периодах кристаллических решеток между соседними эпитаксиальными слоями, которые оказались малоуспешными [1].

В работе [2] предложен новый подход к выбору подложек для выращивания эпитаксиальных слоев арсенида галлия, а именно на использовании подложек, изготовленных из интерметаллидов, (к которым относится и сам арсенид галлия), но с металлическим типом проводимости. В этом патенте в качестве подложек впервые предложено использовать монокристаллы интерметаллидов бинарных сплавов NiAl, CoAl, AlTi, NiGa в качестве подложек для эпитаксии арсенида галлия. К достоинству этих материалов подложек следует отнести очень низкое давление паров компонентов, позволяющее не беспокоится о превышении критического давления паров компонентов в процессе синтеза исходного материала интерметаллида и предотвратить (существенно снизить) испарение одного из компонентов в процессе выращивания монокристаллов, которое обычно приводит к нарушению стехиометрии в выращенном монокристалле. С этой точки зрения в отличие от синтеза арсенида галлия, технология выращивания этих монокристаллов более проста и выращивание качественных, достаточно однородных по составу монокристаллов большого размера не представляло больших проблем. К недостаткам этих материалов следует отнести в первую очередь относительно высокую температуру их плавления (например, у NiAl температура плавления равна ~1660°C). Это требует для выращивания монокристаллов данных соединений применение специального высокотемпературного оборудования. Необходимость использования такого оборудования затрудняет применение более простого горизонтального метода Бриджмена, широко используемого в лабораторной практике.

Существенное снижение температуры выращивания монокристаллов для подложек по сравнению с [2] достигнуто при использовании интерметаллических соединений, описанных в патенте [3], который является прототипом предполагаемого изобретение. Предложенные в этом патенте интерметаллические соединения имеют значительно более низкие температуры плавления (станнат никеля - Ni3Sn2-1138°С, алюминат никеля - Ni2Al3-1264°С, германат кобальта - Co2Ge-1200°С, германат никеля - Ni2Ge-1200°С, антимонид палладия - PdSb-805°С, полуантимонид марганца - Mn2Sb-948°С, арсенид олова - SnAs-605°С. Такие относительно низкие температуры плавления существенно упрощают выращивание этих монокристаллов. Монокристаллы выращивались как методом Чохральского, так и более простым и доступным в применении методом Бриджмена.

Рентгеновским микроанализом подложек, изготовленных из выращенных монокристаллов, было установлено, что эти подложки в пределах чувствительности рентгеновского микроанализа достаточно однородны по составу по всей своей поверхности. Выращенные на этих подложках эпитаксиальные слои отличались достаточно высоким кристаллографическим совершенством. Однако измерение электрофизических свойств эпитаксиальных слоев арсенида галлия, выращенных на этих подложках-показало, что даже при достаточно низких температурах роста (300-350°C) происходит постепенное ухудшение электрофизических свойств этих слоев (старение) по сравнению со свойствами слоев, выращенных на арсенид галлиевых подложках. Это приводит к сильному ограничению применения таких структур в создании компонентов микроэлектронных устройств. Проведенные нами исследования по температурной зависимости электрофизических свойств (подвижность электронов в эпитаксиальном слое от температуры подложки в момент выращивания) показывают, что в отличие от обычных случаев, когда повышение температуры подложки способствует повышению подвижности электронов, в нашем случае повышение температуры приводит к ухудшению их электрофизических свойств. По нашему мнению это связно с тем, что при увеличении температуры подложки активизируется процесс диффузии одного из компонентов материала подложки в растущий на нем эпитаксиальный слой арсенида галлия.

Заявленные в [2, 3] интерметаллиды представляли собой соединения нестехиометрического состава. Как показали наши исследования, в этих интерметаллидах наблюдается заметная диффузия одного из компонентов (как правило, избыточного) как по всей монокристаллической подложке, так и диффузия в растущий на этой подложке слой арсенида галлия. Эта диффузия компонентов из подложки в растущий слой при повышенных температурах происходит практически постоянно, что приводит к ухудшению стабильности электрофизических параметров выращенного слоя.

Техническая задача, решаемая в предполагаемом изобретении - исключение вредной диффузии компонентов подложки в эпитаксиальный слой арсенида галлия. При этом достигается положительный технический результат, а именно, повышается стабильность электрофизических параметров выращенного слоя.

Указанная техническая задача решается тем, что в качестве материала подложек предлагается использовать интерметаллиды из группы: лантаниды галлия GaLa3 и Ga3La5, циркониды галлия Ga3 Zr и Ga3Zr5, цирконид алюминия Al3Zr, церид алюминия CeAl2, бериллид палладия BePd, лантанид магния MgLa, лантанид алюминия Al2La, станнид платины Pt3Sn, лантанид индия InLa, цирконид олова SnZr4, плюмбит платины Pt3Pb.

Предложенные интерметаллические соединения состоят преимущественно из элементов третьей группы: лантана, галлия, индия, алюминия или элементов четвертой группы - циркония, свинца, олова, создающих в случае их попадания в арсенид галлия только мелкие уровни, не захватывающие основные носители. Это выгодно отличает указанные материалы от материалов, использованных в [3] - металлов переходной группы - никель, кобальт, марганец, создающих в арсениде галлия обычно крайне нежелательные глубокие уровни.

Эти интерметаллические соединения имеют не только хорошее согласование кристаллических решеток с выращиваемым на них слоем арсенида галлия, но и обеспечивают стабильность электрофизических параметров выращиваемых на них активных слоев, (в таблице 1 и приведены некоторые свойства этой группы интерметаллидов).

Таблица 1
Соединение Al3Zr Ga3Zr BePd Al2Ce Pt3Sn Al2La GaLa3
Периоды кристаллических решеток, Å at=4.013 at=3.963 ak=8.19 ak=8.055 ak=4.004 ak=8,145 ak=5.66
Температура плавления, °C 1580 1275 1455 1480 1402 1405 615
Несовпадение периодов кристаллических решеток, в %: +0.389 -0.85 +0.265 +0.75 +0,18 +1,88 +0.12
Соединение Ga3La5 Ga3Zr5 InLa MgLa PbPt3 SnZr4
Периоды кристаллических решеток, Å at=8.056 ag=8.080 ak=3.985 ak=3.970 ak=4,058 ak=5.65
Температура плавления, °C 825 1600 1125 745 916 1327
Несовпадение периодов кристаллических решеток, %: +0.763 +1.06 -0.318 -0.69 +1,5 -0,05
ak - постоянная кубической решетки,
at - постоянная тетрагональной решетки,
ag - постоянная гексагональной решетки

Нами были выращены монокристаллы этих интерметаллидов, из них готовились подложки для эпитаксиального роста и проводился процесс эпитаксиального роста методом молекулярной эпитаксии по известным методикам, описанным, в частности, в патенте [2]. Проведенные нами исследования подтвердили, что качество эпитаксиальных структур GaAs, выращенных на поверхности этих интерметаллических соединении отличаются достаточно высоким совершенством, пригодным для приборного применения. Главным их достоинством является стабильность электрофизических свойств во времени: контрольные измерения таких важных параметров эпитаксиальных слоев как подвижность и концентрация электронов в течение года не обнаружило никаких заметных изменении.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Kadowa et al. Study of initial buffer in GaAs-on-Si grows Journal of crystal grows 115 (1991), 128-132.

2. Патент РФ №2267565, МПК С30 В 19/12 «Подложка для выращивания эпитаксиальных слов арсенида галлия».

3. Патент РФ №2308784, МПК HO1L 21/203 «Подложка для выращивания эпитаксиальных слов арсенида галлия».

Подложка для выращивания эпитаксиальных слоев арсенида галлия, выполненная из монокристалла интерметаллического соединения, отличающаяся тем, что интерметаллическое соединение выбрано из группы стехиометрических интерметаллических соединений, а именно из лантанидов галлия GaLa3 и Ga3La5, цирконидов галлия Ga3Zr и Ga3Zr5, цирконида алюминия Al3Zr, церида алюминия CeAl2, бериллида палладия BePd, лантанида магния MgLa, лантанида алюминия Al2La, станнида платины Pt3Sn, лантанида индия InLa, цирконида олова SnZr4 и плюмбита платины Pt3Pb.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к способам приготовления атомно-гладких поверхностей полупроводников. .
Изобретение относится к получению монокристаллических материалов и пленок и может использоваться в технологии полупроводниковых материалов для изготовления солнечных элементов, интегральных схем, твердотельных СВЧ-приборов.

Изобретение относится к способу и устройству для разделения монокристаллов, а также устройству для юстировки и способу тестирования для определения ориентации монокристалла, предназначенным для осуществления такого способа.

Изобретение относится к электронной технике, конкретно к технологии материалов, предназначенных для создании приборов и устройств обработки и передачи информации.

Изобретение относится к способам получения монокристаллов полупроводников и может быть использовано в цветной металлургии и электронной промышленности. .

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может найти применение при создании приборов оптоэлектроники и нелинейной оптики, в частности для полупроводниковых лазеров и преобразователей частоты .

Изобретение относится к способу получения малодислокационных монокристаллов арсенида галлия и позволяет увеличить однородность распределения дислокаций в объеме монокристалла.

Изобретение относится к технологии получения многокомпонентных полупроводниковых материалов. .

Изобретение относится к устройствам для получения твердых растворов карбида кремния с нитридом алюминия, используемых в производстве силовых, СВЧ- и оптоэлектронных приборов, работающих при высокой температуре и в агрессивных средах.

Изобретение относится к области материалов и элементов спиновой электроники и может быть использовано для создания элементов спинтронных устройств, сочетающих источник и приемник поляризованных спинов носителей заряда в гетероструктуре: ферромагнитный полупроводник/немагнитный полупроводник.
Изобретение относится к области оптических устройств, конкретно к созданию трехмерных фотонных кристаллов с полной фотонной запрещенной зоной, которые могут применяться в системах оптической связи и передачи информации.

Изобретение относится к области получения оптических сред, включая среды с избирательным пропусканием, с высокой лучевой прочностью. .

Изобретение относится к способу получения биоактивных кальций-фосфатных покрытий и может быть использовано при изготовлении ортопедических и зубных протезов. .
Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии материалов для создания устройств отображения и обработки информации. .

Изобретение относится к технологии получения новых композиционных материалов, которые могут быть использованы в квантовой оптоэлектронике и телекоммуникационной индустрии.

Изобретение относится к области кристаллографии и может быть использовано для выращивания монокристаллов гексагидрата сульфата цезия-никеля Cs2Ni(SO4)2 ·6H2O, которые предназначены для применения в качестве фильтров ультрафиолетового излучения в приборах обнаружения источников высокотемпературного пламени.

Изобретение относится к области технологии получения многокомпонентных полупроводниковых материалов и может быть использовано в электронной промышленности для получения полупроводникового материала - твердого раствора (SiC)1-x(AlN)x для создания на его основе приборов твердотельной силовой и оптоэлектроники, для получения буферных слоев (SiC) 1-x(AlN)x при выращивании кристаллов нитрида алюминия (AlN) или нитрида галлия (GaN) на подложках карбида кремния (SiC).

Изобретение относится к способу изготовления высококачественных пластин нитрида галлия эпитаксиальным выращиванием с низкой плотностью дислокации на подложке и отделением от исходной подложки, а также к полупроводниковым пластинам, имеющим кристалл GaN.
Наверх