Способ сравнительной оценки надежности полупроводниковых изделий

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий (ПИИ), и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий НИИ как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях - изготовителях радиоэлектронной аппаратуры. Сущность изобретения заключается в том, что на одинаковых выборках из сравниваемых партий НИИ одного типа проводят измерения значения квадрата напряжения шумов U ¯ ш 2 на частотах 160 и 1000 Гц до и после воздействия электростатическими разрядами напряжением, допустимым по техническим условиям на половине выборки, а на второй половине ЭСР, равным половине допустимого значения. Для каждого изделия определяется параметр γ до воздействия ЭСР и после воздействия по следующей формуле:

γ = L g ( U ¯ 2 ш 160 U ¯ 2 ш 1000 ) L g ( 1000 160 )

где U ¯ ш 160 2 и U2ш1000 - значения низкочастотного шума на частотах 160 Гц и 1000 Гц соответственно, по значениям γ проводят сравнение партии изделий по надежности. Технический результат - повышение функциональных возможностей способа. 2 табл.

 

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий ПЛИ (диодов, транзисторов и интегральных схем), и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий ПЛИ как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях - изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.

Известен способ сравнительной оценки надежности партий транзисторов [1], в соответствии с которым проводят выборочные испытания партий транзисторов воздействием электростатических разрядов. На каждый транзистор выборки подают электростатические разряды потенциалом вдвое большим, чем допустимый по техническим условиям, каждый раз повышая его на 20-30 В до появления параметрического или катастрофического отказа.

Недостаток данного способа - испытание является разрушающим. Представленное изобретение направлено на устранение этого недостатка и повышение функциональных возможностей способа.

Достоинством предложенного способа является то, что сравнительная оценка партий ПЛИ основывается на измерении среднего значения квадрата напряжения низкочастотного шумов U ¯ ш 2 до и после воздействия электростатическим разрядом ЭСР. Значение U ¯ ш 2 измеряется на частотах 160 Гц и 1000 Гц. Напряжение ЭСР равно допустимому значению по техническим условиям (подается на половину выборки), а половина допустимого значения на другую половину выборки.

Способ осуществляется следующим образом: от каждой партии одного типа (количество партий неограниченно) методом случайной выборки отбирают одинаковое количество изделий не менее 20 штук. У каждого из отобранных изделий проверяют значение U ¯ ш 2 на частотах 160 Гц и 1000 Гц. Затем на половину отобранных изделий воздействуют ЭСР величиной, равной половине допустимой по техническим условиям, а на вторую половину - ЭСР величиной, равной допустимому значению. После воздействия ЭСР вновь проверяют значение U ¯ ш 2 на частотах 160 и 1000 Гц. Для каждого изделия определяется параметр-показатель формы спектра γ до воздействия ЭСР и после по следующей формуле [2]:

γ = L g ( U ¯ 2 ш 160 U ¯ 2 ш 1000 ) L g ( 1000 160 ) ,

где U ¯ ш 160 2 и U ¯ ш 1000 2 - значения низкочастотного шума на частотах 160 и 1000 Гц соответственно. Из техники известно [2], чем меньше значение показателя γ, тем выше надежность изделий.

Способ был опробован на выборках по 20 шт. из двух партий ИС типа КТ209 (кремниевые маломощные, n-p-n-типа). После измерения U ¯ ш 2 на частотах 160 Гц и 1 кГц подавалось по пять импульсов ЭСР на выводы: коллектор «+», эмиттер «-», по модели «тела человека» [3]. Типовые значения и изменение значения квадрата напряжения шума U ¯ ш 2 до и после воздействия ЭСР представлено в таблице 1. Расчет значения коэффициента γ представлены в таблице 2.

Если по таблице 1 нельзя сказать о тенденциях по надежности партий, то по таблице 2 четко определяется, что партия 2 является более надежной.

Источники информации

1. Горлов М.И., Ануфриев Л.И., Достанко А.И., Смирнов Д.Ю. Диагностика твердотельных полупроводниковых структур по параметрам низкочастотного шума. - Минск, Интегралполиграф, 2006. 112 с.

2. Патент РФ N2226698, G01R 31/26, опуб. 10.04.2004, бюл. №10.

3. Горлов М.И., Емельянов А.В., Плебанович В.И. Электрические заряды в электронике. - Мн.: Бел.наука, 2006. - 295 с.

Таблица 1
Изменение значения квадрата напряжения шума U ¯ м 2 до и после воздействия ЭСР
Номер партии Значение U ¯ м 2 , мВ2, на частоте Значение ЭСР, В
160 Гц 1000 Гц
до воздействия ЭСР после воздействия ЭСР до воздействия ЭСР после воздействия ЭСР
1 85 87 49 53 500
97 98 55 57 1000
2 93 93 68 72 500
104 106 69 72 1000
Таблица 2
Расчет значения коэффициента γ
Номер партии Значение γ Значение ЭСР, В
до воздействия ЭСР после воздействия ЭСР
1 0,3 0,27 500
0,31 0,3 1000
2 0,17 0,14 500
0,23 0,21 1000

Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых
изделий, в соответствии с которым на произвольных одинаковых выборках из партий проводят измерения значений квадрата напряжения шумов U ¯ ш 2 до и после воздействия электростатическим разрядом, отличающийся тем, что отбирают выборки не менее 20 изделий от партии, измерение U ¯ ш 2 проводят на частотах 160 и 1000 Гц до и после воздействия электростатическим разрядом напряжением, равным половине допустимого по техническим условиям на половине выборки, а на второй половине электростатическим разрядом, равным допустимому значению, при этом для каждого изделия вычисляется значение коэффициента γ до воздействия и после воздействия электростатическим разрядом по следующей формуле
γ = L g ( U ¯ 2 ш 160 U ¯ 2 ш 1000 ) L g ( 1000 160 ) ,
где U ¯ ш 160 2 и U ¯ ш 1000 2 - значение низкочастотного шума на частотах 160 и 1000 Гц соответственно, и проводят сравнение партий полупроводниковых изделий по значениям коэффициента γ.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения надежности полупроводниковых изделий (ППИ) (транзисторов и интегральных схем), и может быть использовано для обеспечения повышенной надежности партий изделий как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.

Изобретение относится к контрольно-испытательному оборудованию изделий электронной техники. .

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и предназначено для использования в системах испытаний на радиационную стойкость радиоэлектронной аппаратуры.

Изобретение относится к технологии изготовления и способам тестирования матричных или линейных МОП мультиплексоров. .

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий (диодов, транзисторов и интегральных схем), и может быть использовано для разбраковки по критерию потенциальной надежности как в процессе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности интегральных схем (ИС), и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий ИС как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к обеспечению надежности транзисторов. .

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий (диодов, транзисторов и интегральных схем), и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых приборов как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения надежности транзисторов, и может быть использовано для разделения транзисторов по надежности в процессе производства, а также на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности интегральных схем (ИС), и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий ИС как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к измерительной технике. Сущность: устройство содержит измерительную интегральную схему с элементами с перестраиваемыми параметрами, вход которой соединен с генератором шума отрезка линии передачи, выход которого соединен с входом измеряемого четырехполюсника, измеритель коэффициента шума. Измерительная интегральная схема дополнительно содержит второй отрезок линии передачи на выходе, две емкости, резистор, индуктивность, две контактные площадки для подачи питания к измеряемому четырехполюснику. Элементы с перестраиваемыми параметрами выполнены в виде полевых транзисторов с барьером Шотки. На затвор полевого транзистора подают управляющее напряжение от соответствующего источника. Величина сопротивления резистора на порядок больше величины волнового сопротивления отрезка линии передачи на входе, величины индуктивности и емкости определяются из математических формул. Технический результат: расширение рабочей полосы частот, повышение точности измерений, упрощение устройства. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к измерительной технике. Сущность: устройство содержит измерительную интегральную схему с перестраиваемыми параметрами, вход которой соединен с генератором шума посредством центрального проводника в виде отрезка линии передачи, выход которого соединен с входом измеряемого четырехполюсника, измеритель коэффициента шума. Измерительная интегральная схема содержит второй центральный проводник в виде отрезка линии передачи, две емкости, резистор, индуктивность, элемент с перестраиваемыми параметрами в виде полевого транзистора с барьером Шотки и две контактные площадки для подачи питания к измеряемому четырехполюснику. Величина сопротивления резистора на порядок больше величины волнового сопротивления отрезка линии передачи на входе, величины индуктивности и емкости определяются из математических формул. Технический результат: расширение рабочей полосы частот, повышение точности измерений, упрощение устройства. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к способам тестирования параметров планарных полупроводниковых светодиодных гетероструктур (ППСГ) на основе GaN. Способ включает облучение светоизлучающей полупроводниковой гетероструктуры пучком электронов и возбуждение катодолюминесценции, причем возбуждение катодолюминесценции осуществляют облучением в импульсном режиме с длительностью импульса от 10 нс до 400 нс. Энергию электронов обеспечивают преимущественно 18 кэВ и выше. Технический результат заключается в уменьшении влияния неоднородности ионизационных потерь и в устранении деградации активных слоев ППСГ при измерениях. 2 ил.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к обеспечению качества и надежности полупроводниковых изделий (ПЛИ), в частности транзисторов, и может быть использовано как на этапе производства, так и на этапе применения. Способ разделения транзисторов по надежности включает измерение низкочастотного шума, при этом измерение напряжения низкочастотного шума перехода эмиттер-база проводят до и после воздействия рентгеновским излучением дважды: после облучения половины дозы и полной дозы допустимой по техническим условиям, и по поведению параметра низкочастотного шума разделяют транзисторы на надежные и потенциально ненадежные. Технический результат - повышение достоверности способа без превышения допустимых воздействующих факторов. 1 ил.

Изобретение относится к технике измерения теплофизических параметров полупроводниковых диодов. Способ измерения теплового импеданса полупроводниковых диодов, заключающийся в том, что через полупроводниковый диод пропускают последовательность импульсов греющего тока, период следования которых постоянный, в паузах между ними измеряют температурочувствительный параметр - прямое падение напряжения на полупроводниковом диоде при малом измерительном токе - и определяют изменение температуры р-n-перехода. При этом модуляцию длительности импульсов греющего тока осуществляют по полигармоническому закону с заданным набором частот модуляции, вычисляют с помощью Фурье-преобразования мнимые и вещественные трансформанты температуры, по ним вычисляют значения амплитуд и фаз всех гармоник температуры, после чего определяют модули и фазы теплового импеданса на всех заданных частотах модуляции. Технический результат заключается в сокращении времени процесса измерения зависимости теплового импеданса от частоты модуляции греющей мощности и повышении оперативности контроля теплофизических параметров полупроводниковых диодов. 2 ил.

Изобретение относится к измерительной технике на СВЧ. Устройство для измерения полного сопротивления и шумовых параметров двухполюсника на СВЧ, содержащее измеритель частотных характеристик и интегральную схему в составе центральной линии передачи, отрезка линии передачи, соединенного с центральной линией передачи, электрических ключей - полупроводниковых приборов, управляемых постоянными напряжениями, измеритель частотных характеристик соединен с одним концом центральной линии передачи, другой ее конец - с измеряемым двухполюсником. В котором в качестве измерителя частотных характеристик используют измеритель спектральной плотности мощности шума, интегральная схема выполнена в виде монолитной интегральной схемы на полупроводниковой подложке, при этом отрезок линии передачи выполнен равным одной восьмой длины волны в линии передачи, в качестве электрических ключей используют полевые транзисторы с барьером Шотки и, по меньшей мере, в виде одной пары, при этом в каждой упомянутой паре исток одного полевого транзистора с барьером Шотки соединен с центральной линией передачи на расстоянии одной восьмой длины волны в линии передачи от места соединения измеряемого двухполюсника и между парами, его сток с одним концом отрезка линии передачи, другой конец которого соединен со стоком другого полевого транзистора с барьером Шотки, его исток заземлен, постоянные управляющие напряжения подают на затворы каждого полевого транзистора с барьером Шотки от соответствующего источника постоянного управляющего напряжения. Технический результат заключается в расширении рабочей полосы частот, в повышении точности измерения путем снижения погрешности измерения и в упрощении устройства при сохранении возможности автоматизации. 4 ил.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий ППИ (транзисторов, интегральных схем (ИС) и т.д.) и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий ППИ как в процессе производства, так и при входном контроле на предприятии-изготовителе радиоэлектронной аппаратуры. Сущность изобретения заключается в том, что на произвольных одинаковых выборках из партий полупроводниковых изделий (не менее 25 штук от каждой партии) проводят измерение электрического информативного параметра до и после воздействия пятью импульсами ЭСР обеих полярностей, потенциалом, допустимым по техническим условиям, затем для последнего измерения вычисляют коэффициент конструктивно-технологического запаса для верхней и нижней норм параметра, далее находят среднее значение изменения величины информативного параметра. По значениям коэффициентов запаса и средних значений величин изменения информативного параметра оценивают сравнительную надежность двух партий. Технический результат: повышение функциональных возможностей способа.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения надежности полупроводниковых изделий (ППИ) (транзисторов и интегральных схем), и может быть использовано для обеспечения повышенной надежности партий изделий как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры. Сущность изобретения заключается в том, что проводят измерения информативного электрического параметра или параметров при нормальной температуре, после 100 ч электротермотренировки в режиме проведения испытаний на безотказность по техническим условиям, после проведения воздействия электростатическим разрядом допустимым напряжением, указанным в технических условиях, по пяти разрядам в обоих направлениях и затем проведение температурного отжига при максимально допустимой температуре по ТУ в течение 2-4 ч. По результатам испытаний и измерений определяют для каждого изделия коэффициент К, по которому определяется изделие пониженной надежности. Технический результат: повышение достоверности и расширение функциональных возможностей способа отбраковки полупроводниковых изделий пониженного уровня надежности качества из партии изделий повышенной надежности.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий, и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий НИИ как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях - изготовителях радиоэлектронной аппаратуры

Наверх