Подложка матрицы тпт и жидкокристаллическая панель отображения



Подложка матрицы тпт и жидкокристаллическая панель отображения
Подложка матрицы тпт и жидкокристаллическая панель отображения
Подложка матрицы тпт и жидкокристаллическая панель отображения
Подложка матрицы тпт и жидкокристаллическая панель отображения
Подложка матрицы тпт и жидкокристаллическая панель отображения
Подложка матрицы тпт и жидкокристаллическая панель отображения
Подложка матрицы тпт и жидкокристаллическая панель отображения
Подложка матрицы тпт и жидкокристаллическая панель отображения
Подложка матрицы тпт и жидкокристаллическая панель отображения
Подложка матрицы тпт и жидкокристаллическая панель отображения
Подложка матрицы тпт и жидкокристаллическая панель отображения
Подложка матрицы тпт и жидкокристаллическая панель отображения
Подложка матрицы тпт и жидкокристаллическая панель отображения
Подложка матрицы тпт и жидкокристаллическая панель отображения
Подложка матрицы тпт и жидкокристаллическая панель отображения
Подложка матрицы тпт и жидкокристаллическая панель отображения
Подложка матрицы тпт и жидкокристаллическая панель отображения

 


Владельцы патента RU 2491591:

ШАРП КАБУСИКИ КАЙСЯ (JP)

В подложке (20) матрицы содержатся элементы ТПТ и пиксельные электроды, соответственно соединенные с элементами ТПТ, которые расположены в виде матрицы на изолирующей подложке. Подложка матрицы включает в себя: линии шины затворов, изготовленные из первого металлического материала (M1); линии шины истоков, изготовленные из второго металлического материала (М2); пиксельные электроды, изготовленные из третьего металлического материала (М3); межсоединение (72) синхронизации, изготовленное из первого металлического материала (M1); ответвительное межсоединение (74), изготовленное из второго металлического материала; и соединительный проводник (102), изготовленный из третьего металлического материала (М3), соединительный проводник (М2), соединяющий межсоединение (72) синхронизации и ответвительное межсоединение (74) на соединительной части (80) в периферийной области (24), причем соединительная часть (80) имеет сквозное отверстие (112) ответвительного межсоединения, которое оставляет незащищенным ответвительные межсоединения (74), которое закрыто соединительным проводником (102) и перекрывает межсоединение (72) синхронизации, по меньшей мере, частично при виде сверху. Технический результат - улучшение качества изображения. 4 н. и 36 з.п. ф-лы, 17 ил.

 

Область техники, к которой относится изобретение

Настоящее изобретение относится к подложке матрицы тонкопленочных транзисторов (ТПТ), в которой элементы ТПТ выполнены на изолирующей подложке, и жидкокристаллической панели отображения, использующей подложку матрицы ТПТ.

Уровень техники

В устройствах отображения (таких как жидкокристаллические панели) и сенсорных устройствах широко известны подложки матриц ТПТ, в которых элементы ТПТ выполнены на изолирующей подложке. Элементы ТПТ подсоединены с помощью межсоединений к своим электродам.

В частности, элемент ТПТ соединен с соответствующей линией шины затворов на своем электроде затвора и соединен с соответствующей линией шины истоков на своем электроде истока.

Кроме того, в случае, где подложка матрицы ТПТ используется в жидкокристаллической панели, элемент ТПТ соединен с пиксельным электродом на своем электроде стока.

В случае, где элементы ТПТ размещены в виде матрицы, линии шины затворов и линии шины истоков выполнены перпендикулярно друг к другу на изолирующей подложке. В этом случае линии шины затворов и линии шины истоков выполнены в различных слоях на изолирующей подложке, между которыми выполнен изолирующий слой для того, чтобы линии шины затворов и линии шины истоков не были электрически соединены друг с другом.

(Схематичная конфигурация подложки матрицы ТПТ)

Далее приводится схематичное описание подложки матрицы ТПТ.

Фиг.12 изображает вид сверху, схематично иллюстрирующий конфигурацию подложки 20 матрицы ТПТ. Как изображено на фиг.12, подложка 20 матрицы ТПТ имеет область 22 отображения на своем центральном участке при виде сверху. В области отображения элементы ТПТ и пиксельные электроды, соответственно подсоединенные к элементам ТПТ, размещены в виде матрицы.

Область вокруг области 22 отображения и вблизи от краев 26 подложки 20 матрицы ТПТ представляет собой периферийную область 24. Схема 60 возбудителя и т.п. выполнены в периферийной области 24.

Одним специфическим примером схемы 60 возбудителя является схема возбудителя затворов. Фиг.12 изображает образцовую конфигурацию, в которой схема 60 возбудителя выполнена в периферийной области 24 на любой стороне области 22 отображения в горизонтальном направлении (в направлении Х на фиг.12).

В этой конфигурации возбудитель 60 соединен с элементами ТПТ (не изображены) в области 22 отображения через межсоединения, такие как линии 42 шины затворов.

Кроме того, подложка 20 матрицы ТПТ, изображенная на фиг.12, выполнена с возбудителем 62 в периферийной области 24 на одной из двух сторон области 22 отображения в вертикальном направлении (в направлении Y на фиг.12). Возбудитель 62 и схемы 60 возбуждения соединены через сигнальное межсоединение 46 схемы возбудителя затворов, такое как межсоединение синхронизации. Кроме того, возбудитель 62 соединен с элементом ТПТ (не изображен) в области 22 отображения через межсоединения, такие как линии 44 шины истоков.

Кроме того, подложка 20 матрицы ТПТ смонтирована вместе с противоэлектродом (не изображен) через изолирующий слой 90, таким образом образуя жидкокристаллическую панель 10 отображения. Изолирующий слой 90 выполнен в форме, похожей на рамку, вдоль и внутри краев 26 подложки 20 матрицы ТПТ.

(Периферийная область)

Далее более подробно описана периферийная область 24 со ссылкой на фиг.13.

Фиг.13 изображает вид сверху, схематично иллюстрирующий конфигурацию периферийной области 24.

Как изображено на фиг.13, периферийная область 24 выполнена не только со схемами 60 возбудителей, но также с различными межсоединенями, соединенными с возбудителем 62. Межсоединения выполнены между схемами 60 возбудителей и краями 26 подложки изолирующей подложки 16. Фиг.13 иллюстрирует пример подложки 20 матрицы ТПТ, на которой в качестве межсоединений выполнены межсоединение 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом, межсоединение 72 синхронизации или ответвительные межсоединения 74. Среди межсоединений, межсоединение 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом и межсоединение 72 синхронизации продолжаются в вертикальном направлении (в направлении Y), и ответвительные межсоединения 74 продолжаются в горизонтальном направлении (в направлении X). Кроме того, межсоединение 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом и межсоединение 72 синхронизации электрически соединены со схемой 60 возбудителя через ответвительные межсоединения 74, соответственно.

(Металлические материалы и т.д.)

Далее будут объяснены металлические материалы и т.д. для выполнения межсоединений.

Межсоединение 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом и межсоединение 72 синхронизации, которые продолжаются в направлении Y, выполнены на изолирующей подложке таким способом, что межсоединение 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом и межсоединение 72 синхронизации, продолжающиеся в направлении Y, выполнены на слое, который отличается от другого слоя, расположенного на нем, в котором выполнены ответвительные межсоединения 74, продолжающиеся в направлении X. Кроме того, они выполнены из различных металлических материалов.

Фиг.14 изображает вид в поперечном сечении, схематично иллюстрирующий конфигурацию подложки 20 матрицы ТПТ.

Как изображено на фиг.14, обычно выполняют такую конфигурацию, в которой первый металлический материал M1, первый изолирующий материал I1, второй металлический материал М2, второй изолирующий материал I2 и третий металлический материал М3 расположены послойно в этом порядке на изолирующей подложке 16. Первый металлический материал M1 представляет собой материал, из которого выполнены линии 42 шины затворов. Первый изолирующий материал I1 представляет собой материал, из которого выполнена изолирующая пленка 50 затворов. Второй металлический материал М2 представляет собой материал, из которого выполнены линии 42 шины истоков. Второй изолирующий материал 12 представляет собой материал, из которого выполнена межслойная изолирующая пленка 52. Кроме того, третий металлический материал М3 представляет собой материал, из которого выполнены пиксельные электроды 48.

Межсоединение 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом и межсоединение 72 синхронизации выполнены из первого металлического материала M1, и ответвительные межсоединения 74 выполнены из второго металлического материала М2.

С помощью этой конфигурации, межсоединение, которое продолжается в направлении X, может легко пересекаться с межсоединением, которое продолжается в направлении Y, без электрического соединения этих межсоединений, как изображено в виде части 82 пересечения на фиг.13.

С другой стороны, необходимо выполнить контактное отверстие для того, чтобы установить электрическое соединение между межсоединением, которое продолжается в направлении X, и межсоединением, которое продолжается в направлении Y, как изображено на соединительном участке 80 на фиг.13.

(Патентная литература 1)

Одна известная конфигурация такого контактного отверстия изображена, например, в патентной литературе 1.

Фиг.15 изображает вид, иллюстрирующий жидкокристаллическую панель отображения с многопленочными транзисторами на основе аморфного кремния, как описано в патентной литературе 1.

Как изображено на фиг.15, основное межсоединение 150 и электрод 160 затворов электрически соединены через контактное отверстие 100, выполненное в соединительном участке 80.

Список литературы

[Патентная литература]

[Патентная литература 1]

Японский перевод заявки РСТ, Токухио (Tokuhyo), №2005 - 527856 А (дата подачи: 15 сентября 2005 года).

[Патентная литература 2]

Патент США №7379148 В2, описание (дата подачи: 27 мая 2008 года).

[Патентная литература 3]

Публикация японской заявки на патент, Токукай (Tokukai), №2006 - 259691 (дата подачи: 28 сентября 2006 год).

[Патентная литература 4]

Публикация японской заявки на патент, Токукайхей (Tokukaihei), №9 - 179116 (дата подачи: 11 июля 1997 года).

[Патентная литература 5]

Публикация японской заявки на патент, Токукай (Tokukai), №2006 - 39524 (дата публикации: 9 февраля 2006 года).

Сущность изобретения

Техническая задача

Однако известная конфигурация контактного отверстия 100 имеет недостаток, который заключается в том, что оно вызывает ухудшение качества отображения жидкокристаллической панели 100 отображения. Ниже объяснен такой недостаток.

Фиг.16 изображает вид, схематично иллюстрирующий конфигурацию известного соединительного участка 800. Между тем, фиг.17 изображает вид в поперечном сечении, взятом поперек линии С-С на фиг.16.

Как изображено на фиг.16, известное контактное отверстие 100 находится частично на и за пределами межсоединений 72 синхронизации при виде сверху. То есть, известное контактное отверстие 100 имеет участок 104 за пределами межсоединений.

Как изображено на фиг.17, контактное отверстие 100 позволяет подсоединять межсоединение 72 синхронизации к ответвительному межсоединению 74.

Межсоединение 72 синхронизации выполнено из первого металлического материала M1, из которого выполнен слой линии 42 шины затворов. Между тем, ответвительное межсоединение 74 выполнено из второго металлического материала М2, из которого выполнен слой линии 44 шины истоков. Поэтому, межсоединение 72 синхронизации и ответвительное межсоединение 74 выполнены на различных слоях на изолирующей подложке 16.

Соединительный проводник 102, выполненный в контактном отверстии 100, соединяет межсоединение 72 синхронизации с ответвительным межсоединением 74. Однако межсоединение 72 синхронизации и ответвительное межсоединение 74 не перекрывают друг друга при виде сверху. Соответственно, соединительный проводник 102 выполнен так, что он позволяет соединить межсоединение 72 синхронизации с ответвительным межсоединением 72 при виде сверху.

(Сквозное отверстие)

Более конкретно, через сквозное отверстие 110 основного межсоединения соединительный проводник 102 и межсоединение 72 синхронизации соединены друг с другом в месте, где соединительный проводник 102 и межсоединение 72 синхронизации перекрывают друг друга при виде сверху. Между тем, через сквозное отверстие 112 ответвительного межсоединения, соединительный проводник 102 и ответвительное межсоединение 74 соединены друг с другом в месте, где соединительный проводник 102 и ответвительное межсоединение 74 перекрывают друг друга при виде сверху.

Другими словами, контактное отверстие 100 выполнено так, что межсоединение 72 синхронизации и ответвительное межсоединение 74 соединены через два сквозных отверстия.

В этом случае соединительный проводник 102 выполнен из третьего металлического материала M3, который является материалом, из которого выполнены пиксельные электроды.

В непосредственной близости от сквозного отверстия 110 основного межсоединения, между межсоединением 72 синхронизации и соединительным проводником 102 находятся пленка 50 для изоляции затворов и межслойная изолирующая пленка 52. Соответственно, сквозное отверстие 110 основного межсоединения проходит сквозь пленку 50 для изоляции затворов и межслойную изолирующую пленку 52 для того, чтобы межсоединение 72 синхронизации и соединительный проводник 102 имели возможность соединения друг с другом.

Подобным образом в непосредственной близости от сквозного отверстия 112 ответвительного межсоединения между ответвительным межсоединением 74 и соединительным проводником 102 находится межслойная изолирующая пленка 52. Соответственно, сквозное отверстие 112 ответвительного межсоединения проходит насквозь межслойную изолирующую пленку 52 так, чтобы ответвительное межсоединение 74 и соединительный проводник 102 имели возможность соединения друг с другом.

(Участок за пределами межсоединений)

Сквозное отверстие 110 основного межсоединения и сквозное отверстие 112 ответвительного межсоединения подсоединены через соединительный проводник 102.

Известная подложка 20 матрицы ТПТ выполнена так, что межсоединение 72 синхронизации и ответвительное межсоединение 74 не перекрывают друг друга при виде сверху. То есть, ответвительное межсоединение 74 продолжается почти до межсоединения 72 синхронизации. Соответственно, соединительный проводник 102 имеет участок 104 за пределами межсоединений. Участок 104 за пределами межсоединений является таким участком соединительного проводника 102, который находится за пределами межсоединений 72 синхронизации при виде сверху.

Участок 104 за пределами межсоединений позволяет обеспечить соединение между сквозным отверстием 110 основного межсоединения и сквозным отверстием 112 ответвительного межсоединения.

(Изолирующий слой)

Ниже описан изолирующий слой 90 для соединения подложки 20 матрицы ТПТ с противоподложкой.

Изолирующий слой 90 выполнен в периферийной области 24 подложки 20 матрицы ТПТ для того, чтобы он проходил вдоль краев 26 подложки, как показано на фиг.12. Как изображено на фиг.16, изолирующий слой 90 закрывает межсоединение 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом, межсоединение 72 синхронизации и, частично, схемы 60 возбудителей. То есть, при виде сверху изолирующий слой 90 перекрывает межсоединение, которое продолжается в направлении X, и межсоединение, которое продолжается в направлении Y.

Изолирующий слой 90 позиционируется таким образом для нормального функционирования, связывая при этом подложку 20 матрицы ТПТ и противоподложку 18, и уменьшения области участка рамки.

Так как изолирующий слой 90 позиционируется таким образом, контактное отверстие 100 позиционируется под изолирующим слоем 90.

(Толщина ячейки)

Известная жидкокристаллическая панель отображения не позволяет обеспечить идентичную толщину ячейки в непосредственной близости от изолирующего слоя 90.

Невозможность обеспечения одинаковой толщины ячейки происходит из-за отличия по уровню, вызванного контактным отверстием 100, и отличий по ширине, плотности и т.д. межсоединений, выполненных под изолирующим слоем 90.

Особенно известная жидкокристаллическая панель 10 отображения, в которой соединительный проводник 102 имеет участок за пределами межсоединений, подвержена такой неравномерной толщине ячейки.

(Толщина изолирующего слоя)

Неравномерная толщина ячейки вызвана тем, что существуют области с или без контактного отверстия 100 при виде вдоль направления Y. То есть, неравномерная толщина ячейки вызвана тем, что изолирующий слой 90 имеет неравномерную толщину между двумя одинаковыми областями. Кроме двух вогнутых частей из-за сквозного отверстия 110 основного межсоединения и сквозного отверстия 112 ответвительного межсоединения, существует вогнутый участок, образованный вдоль направления Y на или около контактного отверстия 100. Вогнутый участок, выполненный вдоль направления Y на или около контактного отверстия 100, вероятно вызывает неравномерную толщину ячейки, как описано выше.

Как описано выше, известная жидкокристаллическая панель 10 отображения вероятно имеет неравномерную толщину ячейки из-за конфигурации рисунка на или около контактного отверстия 100 или неравномерную плотность межсоединений на или около контактного отверстия 100.

(Качество отображения)

Неравномерная толщина ячейки вероятно ухудшает качество отображения.

Кроме того, известная жидкокристаллическая панель 10 отображения с участком за пределами межсоединений имеет недостаток, который заключается в том, что участок за пределами межсоединений затрудняет выполнение равномерного облучения светом светоотверждаемой смолы или т.п. в случае, где светоотверждаемая смола или т.п. выполнена на или около контактного отверстия 100. Это приводит к недостаточному отверждению светоотверждаемой смолы. В таком случае, материал изолирующего слоя 90 будет вероятно протекать в жидкокристаллический слой, таким образом, вызывая ухудшение качества отображения.

(Другие характеристики схемы возбудителя)

Кроме того, с учетом современных требований к уменьшению внешних размеров панелей отображения, можно уменьшить площадь периферийной области 24 подложки 20 матрицы ТПТ, в результате чего должны уменьшиться расстояния внутренних межсоединений между межсоединениями, такими как межсоединение 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом и межсоединение 72 синхронизации. В этом случае, конфигурация с участком за пределами межсоединений может быть препятствием для уменьшения расстояний внутренних межсоединений. То есть, уменьшение расстояний внутренних межсоединений нельзя выполнить таким способом, чтобы уменьшилась область, в которой часть за пределами межсоединений перекрывала соседние межсоединения, или уменьшилось расстояние от участка за пределами межсоединений до такого соседнего межсоединения, потому что если участок за пределами межсоединений размещен таким образом, то нагрузка на межсоединения будет увеличиваться, таким образом, ухудшая выходные характеристики схем возбудителей.

Настоящее изобретение устраняет вышеупомянутые недостатки, и его задача заключается в том, чтобы выполнить подложку матрицы ТПТ и жидкокристаллическую панель отображения, каждая из которых позволяет избежать ухудшения качества отображения, вызванного неравномерной толщиной ячейки.

Решение задачи

Для того чтобы решить эту задачу, подложка матрицы ТПТ согласно настоящему изобретению представляет собой подложку матрицы ТПТ, в которой элементы ТПТ и пиксельные электроды, которые соединены соответственно с элементами ТПТ, расположены в виде матрицы на изолирующей подложке, причем подложка матрицы ТПТ включает в себя: линии шины затворов на изолирующей подложке, причем линии шины затворов, соответственно, соединены с элементами ТПТ и выполнены из первого металлического материала; и линии шины истоков на изолирующей подложке, причем линии шины истоков, соответственно, соединены с элементами ТПТ и выполнены из второго металлического материала, пиксельные электроды, изготовленные из третьего металлического материла, изолирующую подложку, имеющую область отображения, в которой пиксельные электроды размещены в виде матрицы, и периферийную область вокруг области отображения, периферийную область, выполненную со схемами возбудителей для возбуждения элементов ТПТ, соответствующих им, периферийную область, выполненную с (i) ответвительными межсоединениями, которые, соответственно, соединены со схемами возбудителей, и (и) основным межсоединением, которое соединено с ответвительными межсоединениями, ответвительные межсоединения, выполненные из одного из первого металлического материала и второго металлического материала, основное межсоединение, выполненное из другого одного из первого металлического материала и второго металлического материала, периферийную область, выполненную с соединительными частями, в которой основное межсоединение соединено с соответствующими ответвительными межсоединениями, причем в каждой из соединительных частей соединительный проводник электрически соединяет основное межсоединение с соответствующим одним из ответвительных межсоединений, соединительный проводник, выполненный из третьего металлического материала, соединительные части, каждая из которых имеет сквозное отверстие ответвительного межсоединения, через которое соответствующее одно из ответвительных межсоединений, которое закрыто соединительным проводником, подвергается воздействию, по меньшей мере, одну из соединительных частей, которая является такой, что, по меньшей мере, часть сквозного отверстия ответвительного межсоединения перекрывается основным межсоединением при виде сверху.

Кроме того, для того чтобы решить эту задачу, подложка матрицы ТПТ согласно настоящему изобретению представляет собой подложку матрицы ТПТ, в которой элементы ТПТ и пиксельные электроды, соответственно соединенные с элементами ТПТ, расположены в виде матрицы на изолирующей подложке, причем подложка матрицы ТПТ включает в себя: линии шины затворов на изолирующей подложке, причем линии шины затворов, соответственно, соединены с элементами ТПТ и выполнены из первого металлического материала; и линии шины истоков на изолирующей подложке, причем линии шины истоков, соответственно, соединены с элементами ТПТ и выполнены из второго металлического материала, пиксельные электроды, изготовленные из третьего металлического материала, изолирующую подложку, имеющую область отображения, в которой пиксельные электроды расположены в виде матрицы, и периферийную область вокруг области отображения, периферийную область, выполненную с периферийными элементами ТПТ для возбуждения элементов ТПТ, соответствующих ей, периферийную область, выполненную с (i) ответвительными межсоединениями, соответственно, соединенными с периферийными элементами ТПТ, и (ii) основным межсоединением, соединенным с ответвительными межсоединениями, ответвительные межсоединения, выполненные из одного из первого металлического материала и второго металлического материала, основное межсоединение, выполненное из другого одного из металлического материала и другого металлического материала, периферийную область, выполненную с соединительными частями, в которой основное межсоединение соединено с соответствующими ответвительными межсоединениями, причем в каждой из соединительных частей соединительный проводник электрически соединяет основное межсоединение с соответствующим одним из ответвительных межсоединений, соединительный проводник, выполненный из третьего металлического материала, соединительные части, каждая из которых имеет сквозное отверстие ответвительного межсоединения, через которое соответствующее одно из ответвительных межсоединений подвергается воздействию при условии, что соединительный проводник закрывает этот незащищенный участок соответствующего одного из ответвительных межсоединений, по меньшей мере, одну из соединительных частей, которая является такой, что, по меньшей мере, часть сквозного отверстия ответвительного межсоединения перекрывается основным межсоединением при виде сверху.

В этих конфигурациях, в соединительных частях, по меньшей мере, часть сквозного отверстия ответвительного межсоединения перекрывается основным межсоединением при виде сверху. В этих конфигурациях трудно иметь для соединительного проводника участок за пределами межсоединений, описанный выше, что, таким образом, служит причиной для того, чтобы слой межсоединений имел более равномерную толщину в направлении, в котором продолжаются основные межсоединения.

Это позволяет легко предотвратить неравномерную толщину ячейки, например, в случае, где изолирующий слой выполнен в периферийной области. Таким образом, становится легче предотвратить ухудшение качества отображения в подложке матрицы ТПТ с помощью любой из этих конфигураций.

Преимущественные эффекты изобретения

Как описано выше, подложка матрицы ТПТ, согласно настоящему изобретению, выполнена с возможностью включать в себя:

линии шины затворов на изолирующей подложке, причем линии шины затворов, соответственно, соединены с элементами ТПТ и выполнены из первого металлического материала; и

линии шины истоков на изолирующей подложке, причем линии шины истоков, соответственно, соединены с элементами ТПТ и выполнены из второго металлического материала,

пиксельные электроды, изготовленные из третьего металлического материла,

изолирующую подложку, имеющую область отображения, в которой пиксельные электроды размещены в виде матрицы, и периферийную область вокруг области отображения,

периферийную область, выполненную со схемами возбудителей для возбуждения элементов ТПТ, соответствующих им,

периферийную область, выполненную с (i) ответвительными межсоединениями, которые, соответственно, соединены со схемами возбудителей или периферийными элементами ТПТ, и (ii) основным межсоединением, которое соединено с ответвительными межсоединениями,

ответвительные межсоединения, выполненные из одного из первого металлического материала и второго металлического материала,

основное межсоединение, выполненное из другого одного из первого металлического материала и второго металлического материала,

периферийную область, выполненную с соединительными частями, в которой основное межсоединение соединено с соответствующими ответвительными межсоединениями,

причем в каждой из соединительных частей соединительный проводник соединяет основное межсоединение с соответствующим одним из ответвительных межсоединений,

соединительный проводник, выполненный из третьего металлического материала,

соединительные части, каждая из которых имеет сквозное отверстие ответвительного межсоединения, через которое соответствующее одно из ответвительных межсоединений, которое закрыто соединительным проводником, подвергается воздействию,

по меньшей мере, одну из соединительных частей, которая является такой, что, по меньшей мере, часть сквозного отверстия ответвительного межсоединения перекрывается основным межсоединением при виде сверху.

Это позволяет предотвратить ухудшение качества отображения, вызванное неравномерной толщиной ячейки.

Краткое описание чертежей

Фиг.1 - вид, схематично иллюстрирующий конфигурацию подложки матрицы ТПТ, согласно одному варианту осуществления настоящего изобретения.

Фиг.2 - вид, иллюстрирующий поперечное сечение, взятое вдоль линии А-А на фиг.1.

Фиг.3 - вид, схематично иллюстрирующий конфигурацию подложки матрицы ТПТ, согласно другому варианту осуществления настоящего изобретения.

Фиг.4 - вид, иллюстрирующий поперечное сечение, взятое вдоль линии В-В на фиг.3.

Фиг.5 - вид, схематично иллюстрирующий конфигурацию подложки матрицы ТПТ, согласно еще одному варианту осуществления настоящего изобретения.

Фиг.6 - вид, схематично иллюстрирующий конфигурацию подложки матрицы ТПТ, согласно другому варианту осуществления настоящего изобретения.

Фиг.7 - вид, схематично иллюстрирующий конфигурацию подложки матрицы ТПТ, согласно другому варианту осуществления настоящего изобретения.

Фиг.8 - вид, схематично иллюстрирующий конфигурацию подложки матрицы ТПТ, согласно еще одному варианту осуществления настоящего изобретения.

Фиг.9 - вид, схематично иллюстрирующий конфигурацию подложки матрицы ТПТ, согласно другому варианту осуществления настоящего изобретения.

Фиг.10 - вид, схематично иллюстрирующий конфигурацию подложки матрицы ТПТ, согласно другому варианту осуществления настоящего изобретения.

Фиг.11 - вид, схематично иллюстрирующий конфигурацию подложки матрицы ТПТ, согласно еще одному варианту осуществления настоящего изобретения.

Фиг.12 - вид сверху, схематично иллюстрирующий конфигурацию подложки матрицы ТПТ.

Фиг.13 - вид сверху, схематично иллюстрирующий конфигурацию периферийной области подложки матрицы ТПТ.

Фиг.14 - вид в поперечном сечении, схематично иллюстрирующий конфигурацию подложки матрицы ТПТ.

Фиг.15 - вид, иллюстрирующий жидкокристаллическую панель отображения, использующую тонкопленочные транзисторы на основе аморфного кремния, как описано в патентной литературе 1.

Фиг.16 - вид, иллюстрирующий известный уровень техники и схематично иллюстрирующий конфигурацию соединительного участка.

Фиг.17 - вид в поперечном сечении, взятом вдоль линии С-С на фиг.16.

Подробное описание изобретения

Ниже представлено подробное описание вариантов осуществления настоящего изобретения.

[Вариант осуществления 1]

Один вариант осуществления настоящего изобретения описан ниже со ссылкой на фиг.1 и 2. Фиг.1 изображает вид, схематично иллюстрирующий конфигурацию подложки 20 матрицы ТПТ настоящего варианта осуществления.

Схематичная конфигурация подложки 20 матрицы ТПТ настоящего варианта осуществления по существу подобна конфигурации подложки 20 матрицы ТПТ, объясненной выше со ссылкой на фиг.16.

То есть различные межсоединения (слой межсоединений) и схемы возбудителей выполнены в периферийной области 24 подложки 20 матрицы ТПТ.

Более конкретно, различные межсоединения охватывают межсоединение 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом (сигнальное межсоединение для схем возбудителей линий сканирования) и межсоединения 72 синхронизации (сигнальные межсоединение для схем возбудителей линии сканирования) вдоль направления Y подложки 20 матрицы ТПТ. Каждое из межсоединения 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом и межсоединений 70 синхронизации представляют собой основные межсоединения. Более конкретно, одно межсоединение 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом и три межсоединения 72 синхронизации расположены в этом порядке в направлении от одного края 26 подложки до области 22 отображения.

Кроме того, схемы 60 возбудителей (такие как, схемы возбудителей затворов) выполнены между этими межсоединениями и областью 22 отображения.

В этом случае область 22 отображения представляет собой область, в которой элементы ТПТ (не изображены) и пиксельные электроды (не изображены), соединенные соответственно с элементами ТПТ, расположены в виде матрицы.

Кроме того, ответвительные межсоединения 74 выполнены для соединения этих межсоединений, соответственно, со схемами 60 возбудителей. Ответвительные межсоединения 74 продолжаются в направлении X.

Контактное отверстие 100 выполнено в каждой из частей 80 пересечений, в которых ответвительные межсоединения 74 соединены с межсоединением 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом или любым из межсоединений 72 синхронизации, соответственно.

Подложка 20 матрицы ТПТ, согласно настоящему варианту осуществления, выполнена так, что соединительный проводник 102 не имеет участка 104 за пределами межсоединений, который описан выше. Ниже приведено описание конфигурации настоящего варианта осуществления со ссылкой, например, на соединительный участок 80 для соединения между межсоединением 72 синхронизации и ответвительным межсоединением 74.

В соединительном участке 80 межсоединение 72 синхронизации и ответвительное межсоединение 74 электрически соединены друг с другом через контактное отверстие 100.

Эта конфигурация более подробно описана со ссылкой на фиг.2. Фиг.2 изображает вид в поперечном сечении, взятом вдоль линии А-А на фиг.1.

Как изображено на фиг.2, контактное отверстие 100 имеет два сквозных отверстия, а именно, сквозное отверстие 110 основного межсоединения и сквозное отверстие 112 ответвительного межсоединения. Через сквозное отверстие 110 основного межсоединения соединительный проводник 102 и межсоединение 72 синхронизации соединены друг с другом. Другими словами, через сквозное отверстие 110 основного межсоединения межсоединение 72 синхронизации (которое служит в качестве основного межсоединения), которое закрыто соединительным проводником 102, подвергается воздействию.

Кроме того, через сквозное отверстие 112 ответвительного межсоединения соединительный проводник 102 и ответвительное межсоединение 74 соединены друг с другом. Другими словами, через сквозное отверстие 112 ответвительного межсоединения ответвительное межсоединение 74 подвергается воздействию при условии, что соединительный проводник 102 закрывает этот незащищенный участок ответвительного межсоединения 74.

Межсоединение 72 синхронизации выполнено из первого металлического материала M1, из которого выполнены линии 42 шин затворов. Между тем, ответвительное межсоединение 74 выполнено из второго металлического материала М2, из которого выполнены линии 44 шины истоков. Кроме того, соединительный проводник 102 выполнен из третьего металлического материала М3, из которого выполнены пиксельные электроды 48.

Эти металлические материалы ламинируют на изолирующей подложке 116, изготовленной из стекла в следующей последовательности: первый металлический материал M1, второй металлический материал М2 и третий металлический материал M3. Между первым металлическим материалом M1 и вторым металлическим материалом М2 предусмотрена пленка 50 для изоляции затворов. Пленка 50 для изоляции затворов выполнена из первого изолирующего материала I1. Кроме того, между вторым металлическим материалом М2 и третьим металлическим материалом M3 выполнена межслойная изолирующая пленка 52. Межслойная изолирующая пленка 52 выполнена из второго изолирующего материала 12. Кроме того, первый металлический материал M1 и второй металлический материал могут быть, но не ограничиваться, алюминием, молибденом, танталом или т.п. Кроме того, третий металлический материал M3 может быть, например, оксидом индия и олова (ИТО) или т.п.

С помощью этой конфигурации, в сквозном отверстии 110 основного межсоединения соединительный проводник 102 проходит сквозь пленку 50 для изоляции затворов и межслойную изолирующую пленку 52 и соединяется с межсоединением 72 синхронизации.

Кроме того, в сквозном отверстии 112 ответвительного межсоединения соединительный проводник 102 проходит насквозь межслойную изолирующую пленку 52 и соединяется с ответвительным межсоединением 74.

Кроме того, подложка 20 матрицы ТПТ настоящего варианта осуществления выполнена так, что в соединительном участке 80 межсоединение 72 синхронизации и ответвительное межсоединение 74 перекрывают друг друга при виде сверху.

Поэтому соединительный проводник 102 не имеет участка, под которым выполнено межсоединение 72 синхронизации или ответвительное межсоединение 74. Другими словами, межсоединение 72 синхронизации или ответвительное межсоединение 74 выполнено под соединительным проводником 120 без исключения. Формулировка "под" соединительным проводником 102 или его участком означает то, что находится под ними, но выше изолирующей подложки 16.

В конфигурации, объясненной выше, соединительный проводник 102 не имеет участка за пределами межсоединений, в котором, при виде сверху, соединительный проводник 102 не перекрывает какой-либо из межсоединений, к которым подсоединяется соединительный проводник 102. Другими словами, в соединительном участке 80 соединительный проводник 102 выполнен только на межсоединениях, к которым подсоединяется соединительный проводник 102.

Более конкретно, подложка 20 матрицы ТПТ, показанная в качестве примера в настоящем варианте осуществления, выполнена так, что соединительный проводник 102 перекрывает межсоединение 72 синхронизации при виде сверху таким способом, что обе стороны соединительного проводника 102 совпадают со сторонами межсоединения 72 синхронизации. Поэтому соединительный проводник 102 не имеет участка, который находится за пределами межсоединения 72 синхронизации при виде сверху.

Как описано выше, соединительный проводник 102 настоящего варианта осуществления перекрывает межсоединение 72 синхронизации при виде сверху таким способом, что обе стороны соединительного проводника 102 совпадают со сторонами межсоединения 72 синхронизации, в котором межсоединение 72 синхронизации представляет собой самое нижнее межсоединение, расположенное между двумя межсоединениями, к которому подсоединяется соединительный проводник 102, другими словами, межсоединение, которое расположено ближе всего к изолирующей подложке 16, расположенной между двумя межсоединениями, к которому подсоединяется соединительный проводник 102.

С другой стороны, ответвительное межсоединение 74, соединенное с межсоединением 72 синхронизации, подвергается воздействию для того, чтобы перекрыть межсоединение 72 синхронизации при виде сверху, в отличие от известной подложки 20 матрицы ТПТ, изображенной на фиг.16.

С помощью этой конфигурации, сквозное отверстие 110 основного межсоединения и сквозное отверстие 112 ответвительного межсоединения можно выполнить выше межсоединения 72 синхронизации при виде сверху, как изображено на фиг.2. Кроме того, с помощью этой конфигурации, соединительный проводник 102 для закрытия и соединения сквозного отверстия основного межсоединения и сквозного отверстия 112 ответвительного межсоединения можно выполнить без выхода за пределы межсоединения 72 синхронизации при виде сверху.

(Качество отображения)

Как описано выше, соединительный проводник 102 выполнен без выхода за пределы межсоединения 72 синхронизации при виде сверху, таким образом, делая возможным устранение неравномерности толщины ячейки.

Более конкретно, для соединительного проводника 102 можно легко добиться стабильной конфигурации поверхности, так как соединительный проводник выполнен поверх равномерного проводящего слоя.

В настоящем варианте осуществления проводящий слой, расположенный под всем соединительным проводником 102, представляет собой межсоединение 72 синхронизации, выполненное на изолирующей подложке 16. Вследствие этого, с помощью соединительного проводника 102 можно легко добиться стабильной конфигурации поверхности.

Кроме того, соединительный проводник 102 не имеет участка 104 за пределами межсоединений. Поэтому легче получить более равномерную плотность межсоединений под изолирующим слоем 90 даже в случае, если контактное отверстие выполнено на сигнальном межсоединении для схемы возбудителя линии сканирования.

В результате, легче достигается равномерная толщина ячейки в подложке 20 матрицы ТПТ настоящего варианта осуществления.

Кроме того, так как неравномерная толщина ячейки, таким образом, "запрещена", то "запрещено" ухудшение качества отображения в подложке 20 матрицы ТПТ настоящего варианта осуществления.

Этот эффект запрета ухудшения качества отображения, вызванный неравномерностью межсоединений или т.п. под изолирующим слоем 90, является особенно эффективным в конфигурации, в которой межслойная изолирующая пленка 52 не является выравнивающей пленкой, такой как органическая пленка.

(Отверждение изолирующего слоя)

Кроме того, подложка 20 матрицы ТПТ, согласно настоящему варианту осуществления, позволяет упростить отверждение изолирующего слоя 90 надежным способом.

Как описано выше со ссылкой на фиг.12 и т.п., изолирующий слой 90 для соединения подложки 20 матрицы ТПТ и противоподложки (не изображена) выполнены в периферийной области 24 подложки 20 матрицы ТПТ. В результате, контактные отверстия 100 и их окрестности закрыты изолирующим слоем 90.

Во многих случаях, изолирующий слой 90 является отверждаемым под действием ультрафиолетового (УФ) излучения. Кроме того, в таком случае, изолирующий слой 90 облучается ультрафиолетовым излучением снизу изолирующей подложки 16. В этом случае, фраза "снизу изолирующей подложки 16" означает "с той стороны изолирующей подложки 16, на которой не выполнено межсоединение 72 синхронизации".

Кроме того, межсоединение 72 синхронизации, ответвительное межсоединение 74 и т.д. обычно не являются проницаемыми для УФ, так как эти межсоединения и т.д. выполнены из проводника(ов), то есть, из металла.

Поэтому предпочтительно, чтобы периферийная область 24, в которой выполнен изолирующий слой 90, не имела слишком больших межсоединений и т.д. И если периферийная область 24 имеет в ней межсоединения и т.д., то предпочтительно, чтобы межсоединения имели одинаковую плотность поверх периферийной области 24.

В этом смысле, подложка 20 матрицы ТПТ, согласно настоящему варианту осуществления, выполнена так, что соединительный проводник 102 не имеет участка 104, расположенного за пределами межсоединений. Более конкретно, соединительный проводник 102 не имеет участка, который расположен за пределами межсоединения 72 синхронизации при виде сверху.

Поэтому периферийная область 24 имеет меньший участок, который выполнен из металла.

Таким образом, легче достигнуть более равномерную плотность на участке, который выполнен из металла. Это относится к отсутствию участка 104 за пределами межсоединений, который является металлическим выступом.

По этим причинам, подложка 20 матрицы ТПТ, согласно настоящему варианту осуществления, облегчает равномерное облучение светом изолирующего слоя 90. В результате, отверждение изолирующего слоя 90 можно выполнить надежным способом.

Этот гарантированный эффект изолирующего слоя 90 является особенно эффективным в жидкокристаллической панели отображения, которая изготовляется способом однокапельного заполнения для введения жидкого кристалла.

(Более узкая рамка)

Кроме того, с помощью этой конфигурации, в которой соединительный проводник 102 не имеет участка 104 за пределами межсоединений, можно уменьшить область, которую занимает контактное отверстие 100. Поэтому область межсоединений может быть меньше, таким образом, обеспечивая более узкий участок рамки жидкокристаллической панели отображения.

Следует отметить, что настоящее изобретение не ограничено шириной межсоединений, которая показана в качестве примера на фиг.1, на котором межсоединения 72 синхронизации имеют одинаковую ширину межсоединений.

Кроме того, предпочтительно, чтобы периферийная область 24 имела по существу равномерную плотность межсоединений на краях (на краях затворов) в направлении Х (фиг.1) и на краях (на краях истоков) в направлении Y (фиг.1). В этом случае плотность межсоединений = ширина межсоединения/площадь.

Кроме того, межсоединения 72 синхронизации и межсоединение 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом (внешнее межсоединение) могут или не могут быть выполнены из одинакового металлического материала. Например, межсоединение 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом можно выполнить из второго металлического материала. В такой конфигурации, межсоединение 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом и ответвительное межсоединение 74 можно электрически соединить без использования контактного отверстия 100.

Кроме того, настоящее изобретение не ограничено тем, сколько выполнено межсоединений 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом, хотя настоящее изобретение изображает в качестве примера конфигурацию, в которой выполнено одно межсоединение 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом. То есть, можно выполнить множество межсоединений 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом.

[Вариант осуществления 2]

Другой вариант осуществления настоящего изобретения описан ниже со ссылкой на фиг.3 и 4. Фиг.3 изображает вид, схематично иллюстрирующий конфигурацию подложки 20 матрицы ТПТ, согласно настоящему варианту осуществления. Кроме того, фиг.4 изображает вид в поперечном сечении, взятом вдоль линии В-В на фиг.3.

Для упрощения объяснения, одинаковыми позициями обозначены элементы, которые имеют одинаковые функции, подобные тем, которые объяснены в варианте осуществления 1, и их объяснение здесь будет опущено.

Подложка 20 матрицы ТПТ настоящего варианта осуществления отличается от подложки 20 матрицы ТПТ варианта осуществления 1, в зависимости от конфигурации контактного отверстия 100.

Более конкретно, контактное отверстие 100 настоящего варианта осуществления отличается от контактного отверстия варианта осуществления 1, в зависимости от того, сколько сквозных отверстий выполнено в одном контактном отверстии 100.

То есть, контактное отверстие 100 варианта осуществления 1 имеет два сквозных отверстия: сквозное отверстие 110 основного межсоединения и сквозное отверстие 112 ответвительного межсоединения.

С другой стороны контактное отверстие 100 настоящего варианта осуществления имеет только одно сквозное отверстие, а именно, одно сквозное отверстие 114, которое служит в качестве сквозного отверстия 112 ответвительного межсоединения. Ниже приводится более подробное описание этой конфигурации.

Как изображено на фиг.4, контактное отверстие 100 настоящего варианта осуществления также выполнено так, что ответвительное межсоединение 74 перекрывает межсоединение 72 синхронизации при виде сверху. Кроме того, соединительный проводник 102 перекрывает межсоединение 72 синхронизации при виде сверху. Кроме того, соединительный проводник 102 имеет участок 104 за пределами межсоединений, который находится за пределами межсоединений 72 синхронизации.

В отличие от контактного отверстия 100 в варианте осуществления 1, контактное отверстие 100 настоящего варианта осуществления выполнено так, что ответвительное межсоединение 74 выполнено в непосредственной близости от сквозного отверстия, через который соединительный проводник 102 соединяется с межсоединением 72 синхронизации.

Кроме того, ответвительное межсоединение 74 электрически соединено с боковой стенкой 116 сквозного отверстия, через которое соединительный проводник 102 и межсоединение 72 синхронизации соединены друг с другом.

С помощью этой конфигурации контактное отверстие 100 настоящего варианта осуществления имеет только одно сквозное отверстие, а именно, одно сквозное отверстие 114 для соединения между межсоединением 72 синхронизации и ответвительным межсоединением 74.

Кроме того, подложка 20 матрицы ТПТ настоящего варианта осуществления выполнена с полупроводниковым слоем 86. Полупроводниковый слой 86 выполнен между пленкой 50 для изоляции затворов и ответвительным межсоединением 74. Более конкретно, полупроводниковый слой 86 включает в себя нижний полупроводниковый слой 86а, выполненный на пленке 50 для изоляции затворов, и верхний полупроводниковый слой 86b, выполненный на нижнем полупроводниковом слое 86а.

Нижний полупроводниковый слой 86а представляет собой основной полупроводниковый слой. Кроме того, верхний полупроводниковый слой 86b является омическим контактным слоем.

Подложка 20 матрицы ТПТ настоящего варианта осуществления выполнена с полупроводниковым слоем 86, таким образом, имея сужающийся участок омического контактного слоя. Сужающийся участок омического контактного слоя позволяет предотвратить разъединение соединительного проводника из-за неравномерности.

Кроме того, подложка 20 матрицы ТПТ настоящего варианта осуществления выполнена так, что ответвительное межсоединение 74 включает в себя два металлических слоя. Более конкретно, ответвительное межсоединение 74 включает в себя нижнее ответвительное межсоединение 74а и верхнее ответвительное межсоединение 74b, в котором изолирующая подложка 16 находится ближе к нижнему ответвительному межсоединению 74а, чем к верхнему ответвительному межсоединению 74b. Нижнее ответвительное межсоединение 74а выполнено из титана (Ti), который является металлическим материалом М2а. Между тем, нижнее ответвительное межсоединение 74b выполнено из алюминия (Al), которое является металлическим материалом M2b.

(Модификация)

Ниже со ссылкой на фиг.5 приводится описание модификации подложки 20 матрицы ТПТ настоящего варианта осуществления. Фиг.5 изображает вид, схематично иллюстрирующий конфигурацию подложки 20 матрицы ТПТ, согласно модификации настоящего варианта осуществления.

Модифицированная подложка 20 матрицы ТПТ, изображенная на фиг.5, имеет два контактных отверстия 100 для одного соединительного участка 80.

Более конкретно, два контактных отверстия 100 расположены вдоль направления Y, в котором продолжается межсоединение 72 синхронизации. Соединительный проводник 102 в одном из двух контактных отверстий 100 соединен с соединительным проводником в другом одном из двух контактных отверстий 100.

Аналогично подложке 20 матрицы ТПТ, описанной выше, соединительный проводник 102 также перекрывает межсоединение 72 синхронизации и не имеет участка за пределами межсоединений, который находится за пределами межсоединений 72 синхронизации.

Количество контактных отверстий 100, выполненных на одном соединительном участке 80, не ограничено двумя и может равняться трем или более.

На подложке 20 матрицы ТПТ, согласно этой модификации, множество контактных отверстий 100 выполнено на одном соединительном участке 80. Таким образом, можно уменьшить сопротивление контакта.

[Вариант осуществления 3]

Ниже со ссылкой на фиг.6 и 7 описан другой вариант осуществления настоящего изобретения. Фиг.6 и 7 изображают виды, схематично иллюстрирующие конфигурацию подложки 20 матрицы ТПТ, согласно настоящему варианту осуществления.

Для упрощения объяснения, одинаковыми позициями обозначены элементы, которые имеют одинаковые функции, подобные тем, которые объяснены в каждом из вышеупомянутых вариантов осуществления, и их объяснение здесь не будет повторяться.

Подложка 20 матрицы ТПТ настоящего варианта осуществления отличается от каждой подложки 20 матрицы ТПТ вышеупомянутых вариантов осуществления в зависимости от формы межсоединений. Более конкретно, межсоединение, продолжающееся в направлении Y, имеет лестницеобразный вид.

В примерах, изображенных, соответственно, на фиг.6 и 7, межсоединение 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом, выполненное на внешнем местоположении по направлению к краю 26 подложки, имеет лестницеобразный вид.

Более конкретно, межсоединение 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом имеет прямоугольные свободные участки 76. В примерах, изображенных на фиг.6 и 7, свободные участки 76 выполнены в двух рядах вдоль направления Y.

Каждый участок между свободными участками 76, расположенными рядом в направлении Y, является соединительным участком 78. Соединительный участок 78 соответствует "ступеням" лестницы.

Примеры, изображенные на фиг.6 и 7, показывают конфигурации, в которых две лестницы расположены в направлении X. Однако настоящее изобретение не ограничено числом "ступеней", расположенных в направлении X, и число "ступеней", расположенных в направлении X, может быть равно только одному или может быть равно трем или более.

Как показано выше, подложка 20 матрицы ТПТ настоящего варианта осуществления выполнена так, что межсоединение имеет свободные участки 76.

УФ свет проходит через свободные участки 76. Поэтому площадь, доступная УФ свету увеличивается, таким образом, обеспечивая отверждение изолирующего слоя 90, как объяснено выше.

[Вариант осуществления 4]

Еще один вариант осуществления настоящего изобретения описан ниже со ссылкой на фиг.8. Фиг.8 изображает вид, схематично иллюстрирующий подложку 20 матрицы ТПТ настоящего варианта осуществления.

Для упрощения объяснения, одинаковыми позициями обозначены элементы, которые имеют одинаковые функции, подобные тем, которые были объяснены в каждом из вышеупомянутых вариантов осуществления, и их объяснение здесь не будет повторяться.

Подложка 20 матрицы ТПТ настоящего варианта осуществления отличается от подложки 20 матрицы ТПТ вышеупомянутых вариантов осуществления в зависимости от конфигурации межсоединений, которые продолжаются в направлении Y. Более конкретно, на каждом участке 82 пересечения, межсоединение, продолжающееся в направлении Y, имеет зауженный участок 84. Части 82 пересечения являются пересечениями, в каждом из которых межсоединение, продолжающееся в направлении Y, и межсоединение, продолжающееся в направлении X, пересекают друг друга без электрического соединения друг с другом.

Как изображено на фиг.8, подложка 20 матрицы ТПТ настоящего варианта осуществления выполнена так, что каждое межсоединение 72 синхронизации заужено по ширине в каждом пересечении, в котором межсоединение 72 синхронизации пересекает ответвительное межсоединение 74. Этот участок, на котором межсоединение 72 синхронизации (межсоединение, продолжающееся в направлении Y) заужено по ширине, представляет собой зауженный участок 84. Другими словами, зауженный участок 84 является ограниченной частью межсоединения 72 синхронизации.

В подложке 20 матрицы ТПТ настоящего варианта осуществления, область, в которой межсоединение 72 синхронизации и ответвительное межсоединение 74 перекрываются в частях 82 пересечений, уменьшается за счет обеспечения зауженных частей 84 в межсоединениях 72 синхронизации.

То есть межсоединения, продолжающиеся в направлении Y, и межсоединения, продолжающиеся в направлении X, перекрывают друг друга в наименьшей области.

С помощью этой конфигурации, в частях 82 пересечений можно уменьшить емкость, которая образуется между межсоединениями, продолжающимися в направлении Y, и межсоединениями, продолжающимися в направлении X.

Уменьшение такой емкости позволяет привести к улучшению выходных характеристик схемы, такому как запрет задержки сигналов.

В отношении способа заужения ширины межсоединения, настоящее изобретение особенно не ограничено. То есть, межсоединение может быть заужено с обеих сторон или может быть заужено с одной стороны. Кроме того, межсоединение может быть по существу заужено за счет наличия свободного участка, расположенного в непосредственной близости посередине своей ширины. Другими словами, область перекрытия с межсоединением, продолжающимся в направлении X, можно уменьшить путем обеспечения свободного участка до межсоединения, перекрывающего межсоединение, продолжающееся в направлении X.

(Полупроводниковый слой)

Кроме того, можно выполнить полупроводниковый слой 86, с помощью которого перекрываются зауженные части 84. За счет выполнения полупроводникового слоя 86 можно избежать разъединения с ответвительным межсоединением и утечку в сигнальном межсоединении.

[Вариант осуществления 5]

Еще один вариант осуществления описан ниже со ссылкой на фиг.9 и 10. Фиг.9 и 10 изображают виды, схематично иллюстрирующие подложки 20 матрицы ТПТ, согласно еще одному варианту осуществления настоящего изобретения.

Для упрощения объяснения, одинаковыми позициями обозначены элементы, которые имеют одинаковые функции, подобные тем, которые объяснены в каждом из вышеупомянутых вариантов осуществления, их объяснение здесь не будет повторяться.

Подложка 20 матрицы ТПТ, согласно настоящему варианту осуществления, отличается от каждой подложки 20 матрицы ТПТ, согласно вышеупомянутому варианту осуществления, в зависимости от конфигурации схемы 60 возбудителя и конфигурации изолирующего слоя 90.

(Схема возбудителя)

Сначала ниже будет описана схема 60 возбудителя.

В каждом из вышеупомянутых вариантов осуществления, только один ряд схем 60 возбудителя выполнен в направлении X, и схема возбудителя отсутствует между межсоединениями, продолжающимися в направлении Y в периферийной области 24. То есть, схема 60 возбудителя выполнена в граничной области между периферийной областью 24 и областью 22 отображения.

С другой стороны, подложка 20 матрицы ТПТ настоящего варианта осуществления выполнена так, что она имеет два ряда схем 60 возбудителей в направлении X. Соответственно, первый ряд схем 60а возбудителей и второй ряд схем 60b возбудителей расположены в направлении X. Более конкретно, первый ряд схем 60а возбудителей выполнен между межсоединением 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом (внешнее межсоединение) и межсоединением 72 синхронизации. Второй ряд схем 60b возбудителей выполнен в граничной области между областью 22 отображения и периферийной областью 24.

Другими словами, сигнальное межсоединение для схемы возбудителя линии сканирования выполнено между рядами схем 60 возбудителей в области, которая не закрыта изолирующим слоем 90, то есть, между изолирующим слоем 90 и областью 22 отображения, которая служит в качестве активной области.

(Изолирующий слой)

Ниже приведено описание изолирующего слоя 90.

В каждом из вышеупомянутых вариантов осуществления, в периферийной области 24, изолирующий слой 90 закрывает все межсоединения, продолжающиеся в направлении Y. Более конкретно, межсоединение 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом и все межсоединения 72 синхронизации закрыты изолирующим слоем 90.

Поэтому контактные отверстия 100, выполненные, соответственно, на соединительных частях 80, полностью закрыты изолирующим слоем 90.

С другой стороны, подложка 20 матрицы ТПТ, согласно настоящему варианту осуществления, выполнена так, что изолирующий слой 90 закрывает межсоединение для подачи питания на стороне с низким потенциалом и часть первого ряда схем 60а возбудителей. Межсоединения 72 синхронизации и второй ряд схемы 60b возбудителя не закрыты изолирующим слоем 90.

Поэтому контактные отверстия, выполненные выше межсоединений 72 синхронизации, не закрыты изолирующим слоем 90.

С помощью этой конфигурации можно дополнительно избежать неравномерной толщины ячеек в подложке 20 матрицы ТПТ настоящего варианта осуществления, так как можно уменьшить число контактных отверстий 100, которые закрывают изолирующий слой 90.

Кроме того, с помощью этой конфигурации можно уменьшить ширину межсоединения у сигнального межсоединения для схемы возбудителя линии сканирования, которое выполнено между первым рядом схемы 60а возбудителя и вторым рядом схемы 60b возбудителя, таким образом, делая более простым сужение участка рамки жидкокристаллической панели отображения.

Эффект запрета неравномерной толщины ячейки можно достигнуть путем выполнения одного или более межсоединений, продолжающихся в направлении Y (например, межсоединения 72 синхронизации) между первым рядом схем 60а возбудителей и вторым рядом схем 60b возбудителей в направлении X.

[Вариант осуществления 6]

Еще один вариант осуществления настоящего изобретения описан ниже со ссылкой на фиг.11. Фиг.11 изображает вид, схематично иллюстрирующий конфигурацию подложки 20 матрицы ТПТ, согласно настоящему варианту осуществления.

Для упрощения объяснения, одинаковыми позициями обозначены элементы, которые имеют одинаковые функции, подобные тем, которые объяснены в каждом из вышеупомянутых вариантов осуществления, и их объяснение здесь не будет повторяться.

Подложка 20 матрицы ТПТ настоящего варианта осуществления отличается от каждой подложки 20 матрицы ТПТ в вышеупомянутом варианте осуществления тем, что межсоединение 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом перекрывается некоторыми ответвительными межсоединениями 74. Более конкретно, ответвительное межсоединение 74, продолжающееся в направлении Х для того, чтобы перекрыть межсоединение 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом, дополнительно продолжается в направлении Y выше межсоединения 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом. Тот участок ответвительного межсоединения 74, который продолжается в направлении Y выше межсоединения 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом, называется участком 88 для удлинения ответвительного межсоединения.

Другими словами, подложка 20 матрицы ТПТ, согласно настоящему варианту осуществления, выполнена так, что область, в которой выполнено межсоединение 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом (внешнее межсоединение) включает в себя многочисленные слои металлических межсоединений за счет ламинирования первого металлического материала, второго металлического материала и третьего металлического материала в ней.

Выполнив участок 88 для удлинения ответвительного межсоединения так, как описано выше, можно уменьшить число контактных отверстий 100 по сравнению с числом схем 60 возбудителей. Другими словами, число контактных отверстий, выполненное для межсоединений 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом (внешнее межсоединение), может быть меньше, чем число межсоединений (ответвительные межсоединения, такое как ответвительные межсоединения 74), которые ответвляются от межсоединения 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом.

То есть без участка 88 для удлинения ответвительного межсоединения, необходимо, чтобы каждая схема 60 возбудителя (такая как схема 601 возбудителя первого каскада, схема 602 возбудителя второго каскада, схема 603 возбудителя третьего каскада, схема 604 возбудителя четвертого каскада) была выполнена с контактным отверстием 100 для того, чтобы обеспечить соединение друг с другом ответвительного межсоединения 74 и межсоединения 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом.

С другой стороны, с помощью участка 88 для удлинения ответвительного межсоединения, ответвительные межсоединения 74, соответственно, соответствующие схемам 60 возбудителей, электрически соединены с межсоединением 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом через участок 88 для удлинения ответвительного межсоединения, выполненного на межсоединении 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом. С помощью этой конфигурации, соединив межсоединение 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом с одним ответвительным межсоединением 74, соответствующим любой одной из схем 60 возбудителей, через контактное отверстие 100, ответвительное(ые) межсоединение(я) 74, соответствующее(ие) другой(им) одной (нескольким) из схем 60 возбудителей, соединено с межсоединением 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом. С помощью этого, можно уменьшить число контактных отверстий 100.

В примере, изображенном на фиг.11, ответвительное межсоединение 74, соответствующее схеме 602 возбудителя второго каскада, и ответвительное межсоединение 74, соответствующее схеме 604 возбудителя четвертого каскада, электрически соединены с межсоединением 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом через контактные отверстия 100, соответственно. Между тем, ответвительное межсоединение 74, соответствующее схеме 601 возбудителя первого каскада, и ответвительное межсоединение 74, соответствующее схеме 603 возбудителя третьего каскада, соединены с участком 88 для удлинения ответвительного межсоединения, таким образом соединяясь с межсоединением 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом, но не соединяясь с ними непосредственно через контактные отверстия 100.

С помощью этой конфигурации, можно уменьшить число контактных отверстий, выполненных под изолирующим слоем 90. Таким образом, можно дополнительно избежать ухудшения качества отображения, вызванного неравномерной толщиной ячейки.

Подложку 20 матрицы ТПТ, согласно настоящему варианту осуществления, можно выполнить так, чтобы межсоединение 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом, которое является внешним межсоединением, расположенным ближе к краю 26 подложки, имело лестницеобразный вид, как изображено на фиг.6 или 7.

Кроме того, в дополнение к вышеупомянутой конфигурации, участок для удлинения соединительного проводника 102 можно выполнить на и вдоль межсоединения 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом (которое служит в качестве основного межсоединения), то есть, в верхнем слое на межсоединении 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом, подобно участку 88 для удлинения ответвительного межсоединения.

В этой конфигурации, ответвительные межсоединения 74 можно выполнить из материала, идентичного материалу основного межсоединения, такого как межсоединение 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом, таким образом делая возможным электрическое соединение ответвительных межсоединений 74 с основным межсоединением без необходимости контактных отверстий 100.

Таким образом, из описания настоящего изобретения видно, что одинаковый способ можно изменить различными способами. Такие изменения не рассматриваются как отклонение от сущности и объема изобретения, и все такие изменения, которые будут очевидны специалистам в данной области техники, предназначены для того, чтобы быть включенными в масштаб формулы изобретения, приведенной ниже.

Подобная конфигурация может быть выполнена в периферийной области, в которой выполнено сигнальное межсоединение для схемы возбудителя сигналов (истоков), даже если в вышеприведенном объяснении обсужден пример, в котором конфигурация применима к периферийной области, в которой выполнено межсоединение сканирования для схемы возбудителя сигналов (затвора).

Кроме того, в вышеприведенном объяснении представлено обсуждение образцовой конфигурации, в которой свободные участки 76 выполнены в межсоединении 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом. Там, где выполнение свободных участков 76 не ограничено межсоединением 70 для подачи питания на стороне с низким потенциалом, то, например, межсоединение 72 синхронизации может иметь свободные участки 76. Кроме того, в стороне от межсоединений, продолжающихся в направлении Y, межсоединение, продолжающееся в направлении X, такое как ответвительное межсоединение 74, может иметь такие свободные участки 76.

В вышеописанном объяснении обсуждена образцовая конфигурация, в которой межсоединение 72 синхронизации имеет зауженные части 84. Там, где выполняют зауженный участок 84, не ограничиваются межсоединением 72 синхронизации. В стороне от межсоединений, продолжающихся в направлении Y, межсоединение, продолжающееся в направлении X, такое как ответвительное межсоединение 74, может иметь такие зауженные части 84.

Кроме того, в вышеприведенном объяснении обсуждена образцовая конфигурация, в которой основные межсоединения выполнены из первого металлического материала M1, из которых выполнены линии 42 шин затворов, и ответвительные межсоединения выполнены из второго металлического материала М2, из которого выполнены линии 44 шин истоков. Настоящее изобретение не ограничено этой комбинацией межсоединений, и может быть так, что первый металлический материал M1 и второй металлический материал М2 являются, например, взаимозаменяемыми для выполнения этих межсоединений.

Кроме того, в вышеприведенном объяснении схемы возбудителей служат примером схем, которые в периферийной области изолирующей подложки соединены с основными межсоединениями через ответвительные межсоединения. Настоящее изобретение не ограничено схемами возбудителей с точки зрения схем или элементов, которые в дальнейшем соединяются с основными межсоединениями через ответвительные межсоединения и могут быть выполнены так, например, что схемы или элементы, которые будут соединяться с основными межсоединениями через ответвительные межсоединения, являются периферийными элементами ТПТ, которые выполнены в периферийной области для того, чтобы возбуждать элементы ТПТ, выполненные в области отображения.

Кроме того, подложка матрицы ТПТ, согласно настоящему изобретению, может быть выполнена так, что основное межсоединение выполнено из первого металлического материала; ответвительные межсоединения выполнены из второго металлического материала; и, по меньшей мере, одна из соединительных частей является такой, что сквозное отверстие ответвительного межсоединения полностью перекрывается основным межсоединением при виде сверху.

Кроме того, подложка матрицы ТПТ, согласно настоящему изобретению, может быть выполнена так, что периферийная область выполнена с множеством основных межсоединений; и основные межсоединения, за исключением одного, расположенного ближе всего к краю подложки изолирующей подложки, идентичны по ширине межсоединения.

Кроме того, подложка матрицы ТПТ, согласно настоящему изобретению, может быть выполнена так, что периферийная область выполнена с множеством основных межсоединений; и множество основных межсоединений идентично по ширине межсоединения.

В этих конфигурациях, основные межсоединения, за исключением одного, расположенного ближе всего к краю подложки изолирующей подложки, или все основные межсоединения идентичны по ширине межсоединения.

Это позволяет упростить достижение одинаковой плотности межсоединений в периферийной области. Поэтому проще избежать неравномерной толщины ячеек, например, в случае, где изолирующий слой выполнен в периферийной области. Поэтому проще предотвратить ухудшение качества отображения в подложке матрицы ТПТ с помощью любой из этих конфигураций.

Кроме того, подложка матрицы ТПТ, согласно настоящему изобретению, может быть выполнена так, что основное межсоединение, расположенное ближе всего к краю подложки изолирующей подложки, больше по ширине межсоединения, чем основные межсоединения, за исключением одного, расположенного ближе всего к краю подложки изолирующей подложки.

Кроме того, подложка матрицы ТПТ, согласно настоящему изобретению, может быть выполнена так, что основное межсоединение, расположенное ближе всего к краю подложки изолирующей подложки, представляет собой межсоединение для подачи питания на стороне с низким потенциалом.

Кроме того, подложка матрицы ТПТ, согласно настоящему изобретению, может быть выполнена так, что основное межсоединение, которое расположено ближе всего к краю подложки изолирующей подложки, имеет свободные участки.

Кроме того, подложка матрицы ТПТ, согласно настоящему изобретению, может быть выполнена так, что на соединительных частях при виде сверху, соединительный проводник выполнен на основном межсоединении или основных межсоединениях, не выходя за пределы основного межсоединения или основных межсоединений.

С помощью этой конфигурации, соединительный проводник выполнен только на основном межсоединении на соединительной части при виде сверху. То есть, существует основное межсоединение под соединительным проводником.

Следовательно, подложка матрицы ТПТ с этой конфигурацией является такой, что слой из особого металлического материала присутствует под всем соединительным проводником. Это позволяет более эффективно предотвратить неравномерную толщину ячейки.

Кроме того, подложка матрицы ТПТ, согласно настоящему изобретению, может быть выполнена так, что соединительная часть каждой из соединительных частей имеет сквозное отверстие в основном межсоединении, через которое подвергается воздействию основное межсоединение или соответствующее одно из основных межсоединений, которое закрыто соединительным проводником; сквозное отверстие ответвительного межсоединения позволяет соответствующему одному из ответвительных межсоединений быть электрически соединенным с соединительным проводником; и сквозное отверстие основного межсоединения позволяет основному межсоединению или соответствующему одному из основных межсоединений быть электрически соединенным с соединительным проводником.

В этой конфигурации соединительная часть имеет два сквозных отверстия, таким образом, позволяя основному межсоединению и ответвительному межсоединению быть соединенными друг с другом. Поэтому легко соединить основное межсоединение с ответвительным межсоединением надежным способом.

Кроме того, подложка матрицы ТПТ, согласно настоящему изобретению, может быть выполнена так, что в дополнение к соответствующему одному из ответвительных межсоединений, сквозное отверстие ответвительного межсоединения также оставляет незащищенным основное межсоединение или соответствующее одно из основных межсоединений, которое закрыто соединительным проводником; и, в сквозном отверстии ответвительного межсоединения, соответствующее одно из ответвительных соединений электрически соединено с основным межсоединением или соответствующим одним из основных межсоединений.

В этой конфигурации, соединительная часть имеет только одно сквозное отверстие. В результате, можно уменьшить число контактных отверстий, выполненных в сквозных отверстиях.

Кроме того, становится легче предотвратить неравномерную толщину ячеек соединительной части.

Кроме того, подложка матрицы ТПТ, согласно настоящему изобретению, может быть выполнена так, что в периферийной области, по меньшей мере, любое из основного(ых) межсоединения(ий) или ответвительных межсоединений имеет(имеют) свободные участки, в которых отсутствует металлический материал.

Эта конфигурация позволяет изменить эффективную ширину межсоединений, таким образом, легко обеспечивая межсоединение с требуемым сопротивлением или т.п.

Кроме того, в случае, где светоотверждаемая смола или т.п. выполнена в периферийной области, эта конфигурация позволяет упростить выполнение равномерного облучения светом смолы. Соответственно, упрощается отверждение смолы надежным способом.

Кроме того, подложка матрицы ТПТ, согласно настоящему изобретению, может быть выполнена так, что периферийная область выполнена с частями пересечений, в которых основное межсоединение (основные межсоединения), соответственно, пересекает ответвительные межсоединения без электрического соединения с ответвительными межсоединениями; и, в части пересечений, по меньшей мере, любое из основного межсоединения (основных межсоединений) или ответвительных межсоединений имеет(имеют) зауженную часть, в которой ширина его межсоединения сужается.

С помощью этой конфигурации, можно уменьшить область, в которой основное межсоединение и ответвительные межсоединения перекрывают друг друга.

В результате можно уменьшить емкость, возникающую между основным межсоединением и ответвительным межсоединением. Следовательно, становится проще предотвратить задержку сигнала и т.п. в межсоединениях, таким образом, делая более простым улучшение выходных характеристик схемы.

Кроме того, подложка матрицы ТПТ согласно настоящему изобретению может быть выполнена так, что периферийная область выполнена с множеством ответвительных межсоединений; причем ответвительные межсоединения имеют и электрически соединены с частью для удлинения ответвительного межсоединения, продолжающегося на и вдоль основного межсоединения, или соответствующим одним из межсоединений.

Кроме того, подложка матрицы ТПТ согласно настоящему изобретению может быть выполнена так, что периферийная область выполнена с множественными ответвительными межсоединениями; причем ответвительные межсоединения имеют и электрически соединены с частью для удлинения ответвительного межсоединения, продолжающегося на и вдоль первого основного межсоединения, причем первое основное межсоединение является основным межсоединением или соответствующим одному из основных межсоединений, посредством чего число соединительных частей, предусмотренных на первом основном межсоединении, становится меньше, чем число ответвительных межсоединений.

Кроме того, подложка матрицы ТПТ согласно настоящему изобретению может быть выполнена так, что соединительный проводник имеет часть для удлинения соединительного проводника на и вдоль первого основного межсоединения.

В этих конфигурациях основные межсоединения и множество ответвительных межсоединений соединены друг с другом через часть удлинения ответвительного межсоединения или часть удлинения соединительного проводника, в котором часть для удлинения ответвительного межсоединения представляет собой участок ответвительных межсоединений, участок которого продолжается вдоль основного межсоединения, и часть для удлинения соединительного проводника представляет собой участок соединительной части, участок которой продолжается вдоль основного межсоединения.

Эти конфигурации позволяют уменьшить число соединительных частей, в которых основное межсоединение и ответвительные межсоединения соединены друг с другом, соответственно. Таким образом, становится легче предотвратить неравномерную толщину ячеек в периферийной области.

Кроме того, подложка матрицы ТПТ согласно настоящему изобретению может быть выполнена так, что в периферийной области, по меньшей мере, некоторые схемы возбудителей выполнены между соединительными частями и краями подложки изолирующей подложки.

Кроме того, подложка матрицы ТПТ согласно настоящему изобретению может быть выполнена так, что в периферийной области, по меньшей мере, некоторые из периферийных элементов ТПТ выполнены между соединительными частями и краем подложки, изолирующей подложки.

В этих конфигурациях, по меньшей мере, некоторые схемы возбудителей или периферийных элементов ТПТ выполнены между соединительными частями и одним краем подложки изолирующей подложки.

В результате в случае, где смола, такая как изолирующий слой или т.п., выполнена в области с определенной шириной от края подложки, становится легче уменьшить число соединительных частей, которое закрывает смола.

Следовательно, становится легче предотвратить неравномерную толщину ячеек в периферийной области.

Кроме того, подложка матрицы ТПТ, согласно настоящему изобретению, может быть выполнена так, что в периферийной области, по, меньшей мере, некоторые из схем возбудителей выполнены между соединительными частями и краем подложки изолирующей подложки; и между, по меньшей мере, некоторыми из схем возбудителей и оставшейся частью схем возбудителей, причем основное межсоединение выполнено и это основное межсоединение представляет собой межсоединение синхронизации.

Кроме того, подложка матрицы ТПТ, согласно настоящему изобретению, может быть выполнена так, что в периферийной области, по меньшей мере, некоторые из периферийных элементов ТПТ выполнены между соединительными частями и краем подложки изолирующей подложки и между, по меньшей мере, некоторыми из периферийных элементов ТПТ и оставшейся частью периферийных элементов ТПТ и оставшейся частью периферийных элементов ТПТ, причем основное межсоединение выполнено, и это основное межсоединение представляет собой межсоединение синхронизации.

Кроме того, жидкокристаллическая панель отображения, согласно настоящему изобретению, представляет собой жидкокристаллическую панель отображения, содержащую подложку матрицы ТПТ, как упомянуто выше, и противоподложку, размещенную с подложкой матрицы ТПТ с помощью изолирующего слоя, причем изолирующий слой выполнен в периферийной области.

Кроме того, жидкокристаллическую панель отображения, согласно настоящему изобретению, можно выполнить так, что соединительные части находятся под изолирующим слоем.

С помощью этой конфигурации, становится легче добиться равномерной толщины в изолирующем слое, выполненном в периферийной области.

Это позволяет предотвратить ухудшение качества отображения, вызванное неравномерной толщиной ячеек.

Кроме того, жидкокристаллическую панель отображения, согласно настоящему изобретению, можно выполнить так, что соединительные части находятся под изолирующим слоем.

Промышленная применимость

Настоящее изобретение позволяет предотвратить ухудшение качества отображения и подходит для применения в жидкокристаллических устройствах отображения и т.д., в которых требуется отображение высокого качества.

Список ссылочных позиций

10 - Жидкокристаллическая панель отображения.

16 - Изолирующая подложка.

20 - Подложка матрицы ТПТ.

22 - Область отображения.

24 - Периферийная область.

26 - Края подложки.

42 - Линия шины затворов.

44 - Линия шины истоков.

48 - Пиксельные электроды.

60 - Схема возбудителей.

70 - Межсоединение для подачи питания на стороне с низким потенциалом (основное межсоединение).

72 - Межсоединение синхронизации (основное межсоединение).

74 - Ответвительные межсоединения (ответвительное межсоединение).

76 - Свободные участки.

80 - Соединительные части.

82 - Части пересечений.

84 - Зауженные части.

88 - Часть для удлинения ответвительного межсоединения.

90 - Изолирующий слой.

102 - Соединительный проводник.

110 - Сквозные отверстия основных межсоединений.

112 - Отверстия ответвительных межсоединений.

114 - Единственные сквозные отверстия.

1. Подложка матрицы тонкопленочных транзисторов (ТПТ), в которой элементы ТПТ и пиксельные электроды, соответственно соединенные с элементами ТПТ, расположены в виде матрицы на изолирующей подложке, причем подложка матрицы ТПТ содержит:
линии шины затворов на изолирующей подложке, причем линии шины затворов соответственно соединены с элементами ТПТ и выполнены из первого металлического материала; и
линии шины истоков на изолирующей подложке, причем линии шины истоков соответственно соединены с элементами ТПТ и выполнены из второго металлического материала,
пиксельные электроды, изготовленные из третьего металлического материла,
изолирующую подложку, имеющую область отображения, в которой пиксельные электроды размещены в виде матрицы, и периферийную область вокруг области отображения,
периферийную область, выполненную со схемами возбудителей для возбуждения элементов ТПТ, соответствующих им,
периферийную область, выполненную с (i) ответвительными межсоединениями, которые соответственно соединены со схемами возбудителей, и (ii) основным межсоединением, которое соединено с ответвительными межсоединениями,
ответвительные межсоединения, выполненные из одного из первого металлического материала и второго металлического материала,
основное межсоединение, выполненное из другого одного из первого металлического материала и второго металлического материала,
периферийную область, выполненную с соединительными частями, в которой основное межсоединение соединено с соответствующими ответвительными межсоединениями,
причем в каждой из соединительных частей соединительный проводник электрически соединяет основное межсоединение с соответствующим одним из ответвительных межсоединений,
соединительный проводник, выполненный из третьего металлического материала,
соединительные части, каждая из которых имеет сквозное отверстие ответвительного межсоединения, через которое соответствующее одно из ответвительных межсоединений, которое закрыто соединительным проводником, подвергается воздействию,
по меньшей мере, одну из соединительных частей, которая является такой, что, по меньшей мере, часть сквозного отверстия ответвительного межсоединения перекрывается основным межсоединением при виде сверху.

2. Подложка матрицы ТПТ по п.1, в которой:
основное межсоединение выполнено из первого металлического материала;
ответвительные межсоединения выполнены из второго металлического материала; и
по меньшей мере, одна из соединительных частей является такой, что сквозное отверстие ответвительного межсоединения полностью перекрывается основным межсоединением при виде сверху.

3. Подложка матрицы ТПТ по любому одному из пп.1 и 2, в которой
периферийная область выполнена с множеством основных межсоединений; и
основные межсоединения, за исключением одного, расположенного ближе всего к краю подложки изолирующей подложки, идентичны по ширине межсоединения.

4. Подложка матрицы ТПТ по п.3, в которой
основное межсоединение, расположенное ближе всего к краю подложки изолирующей подложки, больше по ширине межсоединения, чем основные межсоединения, за исключением одного, расположенного ближе всего к краю подложки изолирующей подложки.

5. Подложка матрицы ТПТ по п.3, в которой
основное межсоединение, расположенное ближе всего к краю подложки изолирующей подложки, представляет собой межсоединение для подачи питания на стороне с низким потенциалом.

6. Подложка матрицы ТПТ по п.3, в которой
основное межсоединение, которое расположено ближе всего к краю подложки изолирующей подложки, имеет свободные части.

7. Подложка матрицы ТПТ по любому одному из пп.1 и 2, в которой
периферийная область выполнена с множеством основных межсоединений; и
множество основных межсоединений идентично по ширине межсоединения.

8. Подложка матрицы ТПТ по любому одному из пп.1, 2, 4-6, в которой
на соединительных частях при виде сверху выполнен соединительный проводник на основном межсоединении или основных межсоединениях, которые не выходят за пределы основного межсоединения или основных межсоединений.

9. Подложка матрицы ТПТ по любому одному из пп.1, 2, 4-6, в которой
каждая соединительная часть имеет сквозное отверстие основного межсоединения, через которое основное межсоединение или соответствующее одно из основных межсоединений подвергается воздействию, которое закрывает соединительный проводник;
сквозное отверстие ответвительного межсоединения позволяет соответствующему одному из основных межсоединений быть электрически соединенным с соединительным проводником; и
сквозное отверстие основного межсоединения позволяет электрически соединить с соединительным проводником основное межсоединение или соответствующее одно из основных межсоединений.

10. Подложка матрицы ТПТ по любому одному из пп.1, 2, 4-6, в которой
в дополнение к соответствующему одному из ответвительных соединений, сквозное отверстие ответвительного межсоединения также оставляет незащищенным основное межсоединение или соответствующее одно из основных межсоединений, которое закрыто соединительным проводником; и
на сквозном отверстии ответвительного межсоединения соответствующее одно из ответвительных межсоединений электрически соединено с основным межсоединением или соответствующим одним из основных межсоединений.

11. Подложка матрицы ТПТ по любому одному из пп.1, 2, 4-6, в которой
в периферийной области, по меньшей мере, любое из основного межсоединения (основных межсоединений) или ответвительных межсоединений имеет (имеют) свободные участки, в которых отсутствует металлический материал.

12. Подложка матрицы ТПТ по любому одному из пп.1, 2, 4-6, в которой
периферийная область выполнена с частями пересечения, в которых основное межсоединение (основные межсоединения) соответственно пересекает (пересекают) ответвительные межсоединения без электрического соединения с ответвительными межсоединениями; и
на частях пересечения, по меньшей мере, любое из основного межсоединения (основных межсоединений) или ответвительных межсоединений имеет (имеют) зауженную часть, в которой заужена ширина его межсоединения.

13. Подложка матрицы ТПТ по любому одному из пп.1, 2, 4-6, в которой
периферийная область выполнена с множеством ответвительных межсоединений;
ответвительные межсоединения имеют и электрически соединены с частью для удлинения ответвительного межсоединения, продолжающейся на и вдоль основного межсоединения или соответствующего одного из основных межсоединений.

14. Подложка матрицы ТПТ по любому из пп.1, 2, 4-6, в которой
периферийная область выполнена с множеством ответвительных межсоединений;
ответвительные межсоединения имеют и электрически связаны с частью для удлинения ответвительного межсоединения, продолжающейся на или вдоль первого основного межсоединения, причем первое основное межсоединение является основным межсоединением или соответствующим одним из основных межсоединений, посредством чего число соединительных частей, выполненных на первом основном межсоединении, меньше, чем число ответвительных межсоединений.

15. Подложка матрицы ТПТ по п.13, в которой соединительный проводник имеет часть для удлинения соединительного проводника на и вдоль первого основного межсоединения.

16. Подложка матрицы ТПТ по п.1, в которой
в периферийной области, по меньшей мере, некоторые из схем возбудителей выполнены между соединительными частями и краем подложки изолирующей подложки.

17. Подложка матрицы ТПТ по п.16, в которой
в периферийной области, по меньшей мере, некоторые из схем возбудителей выполнены между соединительными частями и краем подложки изолирующей подложки;
между, по меньшей мере, некоторых схем возбудителей и оставшейся частью схем возбудителей выполнено основное межсоединение, и это основное межсоединение представляет собой межсоединение синхронизации.

18. Жидкокристаллическая панель отображения, содержащая:
подложку матрицы ТПТ по любому одному из пп.1-17;
противоподложку, собранную с подложкой матрицы ТПТ с помощью изолирующего слоя,
причем изолирующий слой выполнен в периферийной области.

19. Жидкокристаллическая панель отображения по п.18, в которой соединительные части находятся под изолирующим слоем.

20. Жидкокристаллическая панель отображения по п.18 или 19, в которой изолирующий слой отверждается с использованием УФ-света.

21. Подложка матрицы ТПТ, в которой элементы ТПТ и пиксельные электроды, соответственно соединенные с элементами ТПТ, расположены в виде матрицы на изолирующей подложке, причем подложка матрицы ТПТ содержит:
линии шины затворов на изолирующей подложке, причем линии шины затворов соответственно соединены с элементами ТПТ и выполнены из первого металлического материала; и
линии шины истоков на изолирующей подложке, причем линии шины истоков соответственно соединены с элементами ТПТ и выполнены из второго металлического материала,
пиксельные электроды, изготовленные из третьего металлического материала,
изолирующую подложку, имеющую область отображения, в которой пиксельные электроды расположены в виде матрицы, и периферийную область вокруг области отображения,
периферийную область, выполненную с периферийными элементами ТПТ для возбуждения элементов ТПТ, соответствующих ей,
периферийную область, выполненную с (i) ответвительными межсоединениями, соответственно соединенными с периферийными элементами ТПТ, и (ii) основным межсоединением, соединенным с ответвительными межсоединениями,
ответвительные межсоединения, выполненные из одного из первого металлического материала и второго металлического материала,
основное межсоединение, выполненное из другого одного из металлического материала и другого металлического материала,
периферийную область, выполненную с соединительными частями, в которой основное межсоединение соединено с соответствующими ответвительными межсоединениями, причем в каждой из соединительных частей соединительный проводник электрически соединяет основное межсоединение с соответствующим одним из ответвительных межсоединений,
соединительный проводник, выполненный из третьего металлического материала,
соединительные части, каждая из которых имеет сквозное отверстие ответвительного межсоединения, через которое соответствующее одно из ответвительных межсоединений подвергается воздействию при условии, что соединительный проводник закрывает этот незащищенный участок соответствующего одного из ответвительных межсоединений,
по меньшей мере, одну из соединительных частей, которая является такой, что, по меньшей мере, часть сквозного отверстия ответвительного межсоединения перекрывается основным межсоединением при виде сверху.

22. Подложка матрицы ТПТ по п.21, в которой:
основное межсоединение выполнено из первого металлического материала;
ответвительные межсоединения выполнены из второго металлического материала; и
по меньшей мере, одна из соединительных частей является такой, что сквозное отверстие ответвительного межсоединения полностью перекрывается основным межсоединением при виде сверху.

23. Подложка матрицы ТПТ по любому одному из пп.21 и 22, в которой
периферийная область выполнена с множеством основных межсоединений; и
основные межсоединения, за исключением одного, расположенного ближе всего к краю подложки изолирующей подложки, идентичны по ширине межсоединения.

24. Подложка матрицы ТПТ по п.23, в которой
основное межсоединение, расположенное ближе всего к краю подложки изолирующей подложки, больше по ширине межсоединения, чем основные межсоединения, за исключением одного, расположенного ближе всего к краю подложки изолирующей подложки.

25. Подложка матрицы ТПТ по п.23, в которой
основное межсоединение, расположенное ближе всего к краю подложки изолирующей подложки, представляет собой межсоединение для подачи питания на стороне с низким потенциалом.

26. Подложка матрицы ТПТ по п.23, в которой
основное межсоединение, которое расположено ближе всего к краю подложки изолирующей подложки, имеет свободные части.

27. Подложка матрицы ТПТ по любому одному из пп.21 и 22, в которой
периферийная область выполнена с множеством основных межсоединений; и
множество основных межсоединений идентично по ширине межсоединения.

28. Подложка матрицы ТПТ по любому одному из пп.21, 22, 24-26, в которой
на соединительных частях при виде сверху выполнен соединительный
проводник на основном межсоединении или основных межсоединениях, которые не выходят за пределы основного межсоединения или основных межсоединений.

29. Подложка матрицы ТПТ по любому одному из пп.21, 22, 24-26, в которой
каждая соединительная часть имеет сквозное отверстие основного межсоединения, через которое основное межсоединение или соответствующее одно из основных межсоединений подвергается воздействию, которое закрывает соединительный проводник;
сквозное отверстие ответвительного межсоединения позволяет соответствующему одному из основных межсоединений быть электрически соединенным с соединительным проводником; и
сквозное отверстие основного межсоединения позволяет электрически соединить с соединительным проводником основное межсоединение или соответствующее одно из основных межсоединений.

30. Подложка матрицы ТПТ по любому одному из пп.21, 22, 24-26, в которой
в дополнение к соответствующему одному из ответвительных соединений сквозное отверстие ответвительного межсоединения также оставляет незащищенным основное межсоединение или соответствующее одно из основных межсоединений, которое закрыто соединительным проводником; и
на сквозном отверстии ответвительного межсоединения соответствующее одно из ответвительных межсоединений электрически соединено с основным межсоединением или соответствующим одним из основных межсоединений.

31. Подложка матрицы ТПТ по любому одному из пп.21, 22, 24-26, в которой
в периферийной области, по меньшей мере, любое из основного межсоединения (основных межсоединений) или ответвительных межсоединений имеет (имеют) свободные участки, в которых отсутствует металлический материал.

32. Подложка матрицы ТПТ по любому одному из пп.21, 22, 24-26, в которой
периферийная область выполнена с частями пересечения, в которых основное межсоединение (основные межсоединения) соответственно пересекает (пересекают) ответвительные межсоединения без электрического соединения с ответвительными межсоединениями; и
на частях пересечения, по меньшей мере, любое из основного межсоединения (основных межсоединений) или ответвительных межсоединений имеет (имеют) зауженную часть, в которой заужена ширина его межсоединения.

33. Подложка матрицы ТПТ по любому одному из пп.21, 22, 24-26, в которой
периферийная область выполнена с множеством ответвительных межсоединений;
ответвительные межсоединения имеют и электрически соединены с частью для удлинения ответвительного межсоединения, продолжающейся на и вдоль основного межсоединения или соответствующего одного из основных межсоединений.

34. Подложка матрицы ТПТ по любому из пп.21, 22, 24-26, в которой
периферийная область выполнена с множеством ответвительных межсоединений;
ответвительные межсоединения имеют и электрически связаны с частью для удлинения ответвительного межсоединения, продолжающейся на или вдоль первого основного межсоединения, причем первое основное межсоединение является основным межсоединением или соответствующим одним из основных межсоединений, посредством чего число соединительных частей, выполненных на первом основном межсоединении, меньше, чем число ответвительных межсоединений.

35. Подложка матрицы ТПТ по п.33, в которой соединительный проводник имеет часть для удлинения соединительного проводника на и вдоль первого основного межсоединения.

36. Подложка матрицы ТПТ по п.21, в которой в периферийной области, по меньшей мере, некоторые из периферийных элементов ТПТ выполнены между соединительными частями и краем подложки изолирующей подложки.

37. Подложка матрицы ТПТ по п.36, в которой
в периферийной области, по меньшей мере, некоторые из периферийных элементов ТПТ выполнены между соединительными частями и краем подложки изолирующей подложки; и
между, по меньшей мере, некоторыми периферийными элементами ТПТ и оставшейся частью периферийных элементов ТПТ выполнено основное межсоединение, и это основное межсоединение представляет собой межсоединение синхронизации.

38. Жидкокристаллическая панель отображения, содержащая:
подложку матрицы ТПТ по любому одному из пп.21-37;
противоподложку, собранную с подложкой матрицы ТПТ с помощью изолирующего слоя,
причем изолирующий слой выполнен в периферийной области.

39. Жидкокристаллическая панель отображения по п.38, в которой соединительные части находятся под изолирующим слоем.

40. Жидкокристаллическая панель отображения по п.38 или 39, в которой изолирующий слой отверждается с использованием УФ-света.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к пиксельной схеме и устройству отображения, включающему в себя эту пиксельную схему, и более подробно к жидкокристаллическому устройству отображения типа активной матрицы.

Изобретение относится к схеме пикселя и к устройству отображения, включающему в себя эту схему пикселя, и, в частности, к устройству отображения активно-матричного типа.

Изобретение относится к устройствам отображения информации. .

Изобретение относится к подложке устройства отображения, способу изготовления подложки устройства отображения, устройству отображения, жидкокристаллическому устройству отображения, способу изготовления жидкокристаллического устройства отображения и органическому электролюминесцентному устройству отображения.

Жидкокристаллическое устройство отображения содержит множество пикселей, каждый из которых включает в себя по меньшей мере один первый электрод (21), который имеет первый угловой участок с первой кромкой, параллельной направлению строки, и второй кромкой, параллельной направлению столбца, а также первую подложку, которая включает в себя электродный слой (например, противоэлектрод (18а) запоминающего конденсатора), который перекрывает по меньшей мере часть первой кромки и по меньшей мере часть второй кромки первого углового участка. Технический результат - подавление ухудшения качества отображения, вызываемого нарушением выравнивания молекул жидкого кристалла вблизи кромки первого электрода. 15 з.п. ф-лы, 18 ил.

Жидкокристаллическое устройство отображения содержит элемент (31) для блокировки проводимости для предотвращения электрической проводимости между электродной пленкой (19) для создания проводимости между шиной (12) затворов и основной шиной (14c) в контактном отверстии (20) в активно-матричной подложке (1) и электродной пленкой (23) в качестве общего электрода противоположной подложки (2). Элемент (31) для блокировки проводимости обеспечен на, по меньшей мере, какой-то одной из активно-матричной подложки (1) и противоположной подложки (2) в положении, по меньшей мере, частично перекрывающем электродную пленку (19) в направлении нормали к подложке между электродной пленкой (19) активно-матричной подложки (1) и электродной пленкой (23) противоположной подложки (2). Технический результат - обеспечение препятствия для возникновения короткого замыкания между активно-матричной подложкой и противоположной подложкой. 2 н. и 14 з.п. ф-лы, 19 ил.

Дисплей (100) имеет пиксели, которые включают в себя пиксели (R, G, B и Y) m типов (где m - четное число и m>4), которые отображают различные цвета. Пиксели расположены так, что n из m типов пикселей (где n - четное число, n<m и n является делителем m) повторяющимся образом расположены в одном и том же порядке следования в направлении вдоль строки. Каждая строка пикселей, образованная этими пикселями, включает в себя группы пикселей, к каждой из которых относится n пикселей, расположенных последовательно в направлении вдоль строки. На электроды (11) пикселей в двух произвольных соседних пикселях в каждой группе пикселей подают напряжения уровней серого с противоположными полярностями по соответствующим сигнальным линиям (13). В двух произвольных группах пикселей, которые являются соседними в направлении вдоль строки, на электроды пикселей в пикселях, которые отображают один и тот же цвет, подают напряжения уровней серого с противоположными полярностями по соответствующим им сигнальным линиям. Сигнальные линии включают в себя, по меньшей мере, одну пару соседних сигнальных линий (13p) для подачи напряжений уровней серого одинаковой полярности. Емкость "исток-сток" в пикселях, расположенных между парой сигнальных линий, меньше, чем емкость "исток-сток" в других пикселях. Технический результат - улучшение качества отображения. 12 з.п. ф-лы, 28 ил.

Изобретение относится к жидкокристаллическим устройствам отображения. Техническим результатом является увеличение угла обзора, при котором отсутствуют искажения тонов отображаемого изображения (минимизация явления выбеливания). Результат достигается тем, жидкокристаллическое устройство (100) отображения согласно настоящему изобретению включает в себя: первый и второй транзисторы (130а, 130b) пикселя; затворный формирователь (210), который подает сигнал затвора на затворную линию (G); истоковый формирователь (220), который подает сигнал истока на первую и вторую линии (225а и 225b) ответвления; первый истоковый транзистор (180а), который включает в себя исток, который электрически присоединен к первой линии (225а) ответвления, и сток, который электрически присоединен к первой истоковой линии (Sa); и второй истоковый транзистор (180b), который включает в себя исток, который электрически присоединен к второй линии (225b) ответвления, и сток, который электрически присоединен к второй истоковой линии (Sb). 6 з.п. ф-лы, 10 ил.

Изобретение относится к устройству отображения с активной матрицей. Техническим результатом является предотвращение ухудшения жидкокристаллического отображения и снижения качества отображения при низком энергопотреблении без снижения светосилы. В схеме пикселя емкостной элемент Clc жидкого кристалла вставлен между пиксельным электродом 20 и противоположным электродом 80. Пиксельный электрод 20, один конец первой переключающей схемы 22, один конец второй переключающей схемы 23 и первый вывод второго транзистора T2 образуют внутренний узел N1. Другие выводы первой переключающей схемы 22 и второй переключающей схемы 23 присоединены к истоковой линии SL. Вторая переключающая схема 23 является последовательной цепью, состоящей из первого транзистора T1 и диода D1. Управляющий вывод первого транзистора T1, второй вывод второго транзистора T2 и один конец емкостного элемента Cbst вольтодобавки формируют выходной узел N2. Другой конец емкостного элемента Cbst вольтодобавки и управляющий вывод второго транзистора T2 присоединены к линии BST добавочного напряжения и опорной линии REF, соответственно. Диод D1 обладает функцией выпрямления из истоковой линии SL на внутренний узел N1. 2 н. и 34 з.п. ф-лы, 40 ил.

Жидкокристаллическое устройство отображения (1) из настоящего изобретения включает в себя: шины затвора (2); шины истока (4); шины CS (6); электроды затвора; электроды истока; первые транзисторы (TFT1); вторые транзисторы (TFT2); первые электроды пикселей; вторые электроды пикселей; области пикселя (8), включающие первый подпиксель (8a) и второй подпиксель (8b); области пикселя (10), включающие первый подпиксель (10a) и второй подпиксель (10b); области пикселя (12), включающие первый подпиксель (12a) и второй подпиксель (12b); электроды затвора; электроды стока; третьи транзисторы (TFT3); первые электроды буферного конденсатора; вторые электроды буферного конденсатора и конденсаторы (Cd). Емкости конденсаторов (Cd) в соответствующих областях пикселя меняются в зависимости от цветов, отображенных соответствующими областями пикселя. Это позволяет, чтобы уменьшалось появление изменения цвета у изображения, наблюдаемого из наклонного направления. 5 з.п. ф-лы, 13 ил.

В жидкокристаллическом устройстве отображения первая вспомогательная линия 430 образована узкой, а вторая вспомогательная линия 440 вспомогательной расположена в самом ближнем положении к периферии подложки. Первая вспомогательная линия расположена между схемой формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования и областью отображения. Вторая вспомогательная линия расположена между схемой формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования и краем первой подложки, который противоположен области отображения в отношении схемы формирователя сигналов. Технический результат - повышение надежности, уменьшение габаритов устройства. 16 з.п. ф-лы, 15 ил.

Подложка активной матрицы включает в себя множество пиксельных электродов, размещенных в матрице, и истоковое межсоединение, протянутое в направлении колонки. Истоковое межсоединение имеет первый боковой участок, протянутый вдоль одной стороны в направлении колонки по меньшей мере одного пиксельного электрода из множества пиксельных электродов, пересекающий участок, пересекающий пиксельный электрод, и второй боковой участок, протянутый вдоль другой стороны в направлении колонки пиксельного электрода. Первый боковой участок и второй боковой участок соединены друг с другом с помощью пересекающего участка, и по меньшей мере один пересекающий участок обеспечен на каждом из по меньшей мере двух пиксельных электродов, выровненных в направлении колонки, из множества пиксельных электродов. Технический результат - повышение качества изображения. 2 н. и 22 з.п. ф-лы, 27 ил.
Наверх