Способ консервации поверхности подложек из арсенида галлия



Способ консервации поверхности подложек из арсенида галлия
Способ консервации поверхности подложек из арсенида галлия
Способ консервации поверхности подложек из арсенида галлия
Способ консервации поверхности подложек из арсенида галлия

 


Владельцы патента RU 2494493:

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Воронежский государственный университет инженерных технологий (ФГБОУ ВПО ВГУИТ) (RU)

Изобретение относится к технологии полупроводников, в частности к способам консервации поверхности полупроводниковых подложек. Изобретение позволяет сохранять «epiready» свойства подложек на воздухе без использования инертной среды при комнатной температуре и затем использовать для эпитаксиального выращивания полупроводниковых гетеро-и наноструктур. В способе консервации поверхности подложек из арсенида галлия, включающем химико-динамическое полирование поверхности полупроводника в полирующем травителе, содержащем концентрированную серную кислоту, перекись водорода и воду в соотношении H2SO4:H2O2:H2O=5:1:1, отмывку в деионизованной воде, стравливание слоя остаточного оксида в водном растворе концентрированной соляной кислоты H2O:HCl=10:1 до проявления гидрофобных свойств чистой поверхности подложки из арсенида галлия, отмывку в деионизованной воде, сушку в центрифуге, обработку в парах селена, стравливание образовавшегося слоя селенида галлия в водном растворе концентрированной соляной кислоты H2O:HCl=10:1, отмывку в деионизованной воде, сушку в центрифуге, после сушки подложку повторно обрабатывают в парах селена в камере квазизамкнутого объема с образованием эпитаксиального слоя селенида галлия (Ga2Se3) при температуре подложки - Tn=(310÷350)°С, температуре стенок камеры - Тс=(280-300)°С, температуре селена - TSe=(230÷250)°C в течение 3÷10 минут и затем осуществляют упаковку без использования инертной среды. 4 ил.

 

Изобретение относится к технологии полупроводников, в частности к способам консервации поверхности полупроводниковых подложек.

Для получения эпитаксиальных слоев в современной полупроводниковой технологии материалов AIIIBV (в частности, арсенид галлия (GaAs)) требуются подложки с высококачественной поверхностью. Для выращивания полупроводниковых гетероструктур высокого качества методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) или газофазной эпитаксией из металлорганических соединений (МОСГФЭ) используют так называемые подложки epiready (готовые для эпитаксии). Поверхность таких подложек, например GaAs, является атомно-гладкой (шероховатость 0,5 нм) и содержит только аморфный слой оксида мышьяка As2O3 толщиной до 1-2 нм, который мгновенно образуется на воздухе. Непосредственно перед проведением эпитаксии (методом МЛЭ или МОСГФЭ) в реакторе в условиях сверхвысокого вакуума или потоке водорода «epiready» подложки нагревают для удаления аморфного слоя оксида мышьяка As2O3, а затем выращивают необходимые слои полупроводников.

Наиболее близкой по технической сущности и достигаемому эффекту к предлагаемому способу является способ получения атомно-гладкой поверхности подложки GaAs, включающий химико-динамическое полирование (ХДП), обработку в парах селена, стравливание образовавшегося слоя селенида галлия, отмывку в деионизованной воде и сушку в центрифуге. [Патент №2319798 «Способ получения атомно-гладкой поверхности подложки арсенида галлия» / Н.Н. Безрядин, Г.И. Котов, И.Н. Арсентьев, А.А. Стародубцев, В.Д. Стрыгин // опубл. 20.03.2008 Бюл. №8] Для предотвращения образования собственных оксидов «epiready» подложки хранят в специальных полиэтиленовых контейнерах, запечатанных в инертной среде.

Недостаток способа - готовые под эпитаксию «epiready» подложки из GaAs, запакованные в герметичный полиэтиленовый контейнер в инертной среде, гарантированно сохраняют требуемые качества в течение 3 месяцев при комнатной температуре. По истечении этого срока качество выращиваемых на таких подложках эпитаксиальных слоев ухудшается из-за того, что происходит деградация топологии поверхности «epiready» подложек. [Allwood D.A. Monitoring epiready semiconductor wafers / D.A. Allwood, S. Cox, N.J. Mason, R. Palmer, R. Young, P.J. Walker // Thin Solid Films. 2002, vol. 412, p.76-83]. Исследование системы дефектов и соответствующих электронных состояний свежеприготовленных «epiready» подложек из GaAs методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней (НСГУ) показывает, что в спектре НСГУ структур на основе GaAs присутствуют пики EL2, EL6 и полоса распределенных по энергии поверхностных электронных состояний (ПЭС) в температурном интервале от 200 К до 280 К (фиг.1). При хранении «epiready» подложек GaAs в течение одного года наблюдаются изменения в спектре НСГУ, свидетельствующие о перераспределении ПЭС по энергии в температурном интервале от 200 К до 320 К (фиг.2), то есть происходит деградация поверхности подложек. Основной причиной этого является медленно протекающая твердофазная реакция:

As2O3+2GaAs=Ga2O3+4As,

результатом которой является образование нелетучего аморфного оксида галлия Ga2O3 и мышьяка. Следствием этого и является изменение концентрациии точечных и протяженных дефектов и соответствующих ПЭС на поверхности арсенида галлия (фиг.2). Только понижение температуры хранения до -20°С (253 К) замедляет скорость твердофазной реакции, что позволяет продлить срок хранения «epiready» подложек арсенида галлия. [Allwood D.A. Monitoring epiready semiconductor wafers / D.A. Allwood, S. Cox, N.J. Mason, R. Palmer, R. Young, P.J. Walker // Thin Solid Films. 2002, vol. 412, p.76-83]

Технической задачей изобретения является разработка способа консервации поверхности подложек из арсенида галлия, позволяющего сохранять «epiready» свойства подложек на воздухе без использования инертной среды при комнатной температуре и затем использовать их для эпитаксиального выращивания качественных полупроводниковых гетеро- и наноструктур.

Для решения технической задачи изобретения предложен способ консервации поверхности подложек из арсенида галлия, включающий химико-динамическое полирование поверхности полупроводника в полирующем травителе, содержащем концентрированную серную кислоту, перекись водорода и воду в соотношении H2SO4:H2O2:H2O=5:1:1, отмывку в деионизованной воде, стравливание слоя остаточного оксида в водном растворе концентрированной соляной кислоты H2O:HCl=10:1 до проявления гидрофобных свойств чистой поверхности подложки из арсенида галлия, отмывку ее в деионизованной воде, сушку подложки в центрифуге, обработку ее в парах селена, стравливание образовавшегося слоя селенида галлия в водном растворе концентрированной соляной кислоты H2O:HCl=10:1, отмывку в деионизованной воде, сушку в центрифуге, упаковку и хранение, новым является то, что после последней сушки подложку повторно обрабатывают в парах селена в камере квазизамкнутого объема с образованием эпитаксиального слоя селенида галлия (Ga2Se3) при температуре подложки - Tn=(310÷350)°С, температуре стенок камеры - Tc=(280÷300)°С, температуре селена - TSe=(230÷250)°С в течение 3÷10 мин и затем осуществляют упаковку без использования инертной среды.

Технический результат изобретения заключается в повышении длительности хранения до 12 месяцев подложек из арсенида галлия на воздухе при комнатной температуре без использования инертной среды без изменения их качества за счет предотвращения образования собственных оксидов и протекания последующих твердофазных реакций.

На фиг.1 представлен спектр НСГУ структуры Au/GaAs(100), сформированной на свежеприготовленной «epiready» подложке из GaAs. Режимы измерения: заполняющее прямое смещение Vпр=+1 В; опустошающее обратное смещение Vобр=-1 В.

На фиг.2 представлен спектр НСГУ структуры Au/GaAs(100), сформированной на выдержанной в течение одного года на воздухе «epiready» подложке из GaAs. Режимы измерения: заполняющее прямое смещение Vпр=+1 В; опустошающее обратное смещение Vобр=-1 В.

На фиг.3 представлен спектр НСГУ структуры Au/Ga2Se3/GaAs(100), на сформированной предложенным способом свежеприготовленной «epiready» подложке из GaAs. Режимы измерения: заполняющее прямое смещение Vпр=+1 В; опустошающее обратное смещение Vобр=-1 В.

На фиг.4 представлен спектр НСГУ структуры Au/Ga2Se3/GaAs(100), на сформированной предложенным способом и выдержанной в течение одного года на воздухе «epiready» подложке из GaAs. Режимы измерения: заполняющее прямое смещение Vпр=+1 В; опустошающее обратное смещение Voбp=-1 В.

Способ консервации поверхности подложек из арсенида галлия осуществляют следующим образом.

Для стравливания нарушенного слоя, который образуется на поверхности подложки после химико-механического полирования, используют метод химико-динамического полирования поверхности GaAs в сернокислом травителе H2SO4:H2O2:H2O=5:1:1. Средняя скорость травления составляла 5 мкм/мин, время травления 8÷10 мин. После травления подложку промывают в проточной деионизованной воде. Остаточный оксид удаляют химическим способом в водном растворе концентрированной соляной кислоты Н2O:НСl=10:1. Затем подложку промывают в проточной деионизованной воде и сушат в центрифуге. Далее проводят обработку поверхности подложки в парах селена в камере квазизамкнутого объема с образованием слоя селенида галлия при температуре подложки - Тn=(310÷350)°С, температуре стенок камеры - Тc=(280÷300)°С, температуре селена - TSe=(230÷250)°С в течение 3÷10 мин. Температуру измеряли с помощью хромель - алюмелевых термопар, установленных в соответствующих зонах камеры. Затем образовавшийся слой Ga2Se3 стравливают в растворе H2O:HCl=10:1, промывают в проточной деионизованной воде и сушат в центрифуге. Стравливание эпитаксиального слоя Ga2Se3 позволяет получить атомно-гладкую поверхность подложки из GaAs с неоднородностью до 0,3 нм. [Патент №2319798 «Способ получения атомно-гладкой поверхности положки арсенида галлия» / Н.Н. Безрядин, Г.И. Котов, И.Н. Арсентьев, А.А. Стародубцев, В.Д. Стрыгин // опубл. 20.03.2008 Бюл. №8]. После чего процесс обработки в парах селена проводят повторно при тех же режимах, и тогда поверхность подложки из GaAs оказывается законсервированной и не изменяет своих электрофизических характеристик после хранения на воздухе без использования инертной среды и при комнатной температуре в течение одного года.

Способ поясняется примером.

Пример 1 (прототип)

Для эксперимента выбрали арсенид галлия электронного типа проводимости n-GaAs(100) марки АГЧ-25а с концентрацией донорной примеси Nd ~1016 см-3, поверхность которого химико-динамически полировали в растворе H2SO4:H2O2:H2O=5:1:1 в течение 10 мин, а затем промывали в деионизованной воде, выдерживали в растворе H2O:HCl=10:1 в течение 5 мин для удаления остаточных оксидов, после чего подложку промывали в деионизованной воде и высушивали в центрифуге. После сушки подложку обрабатывали в парах селена в камере квазизамкнутого объема для образования эпитаксиального слоя селенида галлия при температуре подложки - Тn=330°С, температуре стенок камеры - Тс=280°С, температуре селена - ТSe=240°С в течение 5 мин. После чего подложку снова выдерживали в растворе H2O:HCl=10:1 в течение 5 мин для стравливания образовавшегося слоя селенида галлия, а затем подложку промывали в деионизованной воде и высушивали в центрифуге.

Диоды Шоттки Au/GaAs(100) для исследования формировались термическим напылением в вакууме через маску контактов из золота (Au) площадью 2,5*10-3 см-2. Исследовались спектры НСГУ диодов Шоттки в диапазоне температур от 100 К до 360 К при следующих режимах: время инжекции 10 мс, заполняющее прямое смещение Vпр=+1 В, опустошающее обратное смещение Vобр=-1 В.

В спектре НСГУ свежеприготовленных «epiready» подложек из GaAs присутствуют пики EL2, EL6 и полоса поверхностных электронных состояний (ПЭС), распределенных по энергии, в температурном интервале от 200 К до 280 К (фиг.1).

После хранения на воздухе при комнатной температуре приготовленных методом ХДП «epiready» подложек из GaAs в течение одного года наблюдаются изменения в спектре НСГУ, связанные с перераспределением ПЭС по энергии, что проявляется в уширении полосы распределенных ПЭС в интервале температур от 200 К до 320 К (фиг.2).

Пример 2

Для эксперимента выбрали арсенид галлия электронного типа проводимости (n-GaAs(100)) марки АГЧ-25а с концентрацией донорной примеси Nd ~1016 см-3, поверхность которого химико-динамически полировали в растворе H2SO4:H2O2:H2O=5:1:1 в течение 10 мин, а затем промывали в деионизованной воде, выдерживали в растворе H2O:HCl=10:1 в течение 5 мин для стравливания остаточных оксидов, после чего подложку промывали в деионизованной воде и высушивали в центрифуге. После сушки подложку обрабатывали в парах селена в камере квазизамкнутого объема для образования эпитаксиального слоя селенида галлия при температуре подложки - Тn=330°С, температуре стенок камеры - Тc=280°С, температуре селена - TSe=240°С в течение 5 мин. После чего подложку снова выдерживали в растворе H2O:HCl=10:1 в течение 5 мин для стравливания образовавшегося слоя селенида галлия, а затем подложку промывали в деионизованной воде и высушивали в центрифуге. После последней сушки процесс обработки в парах селена проводили повторно при температуре подложки - Тn=330°С, температуре стенок камеры - Тc=280°С, температуре селена - TSe=240°С в течение 5 мин.

Диоды Шоттки Au/Ga2Se3/GaAs(100) для исследования формировались термическим напылением в вакууме через маску контактов из золота (Au) площадью 2,5*10-3 см-2. В спектре НСГУ диодов Шоттки на сформированной предложенным способом свежеприготовленной «epiready» подложке из GaAs присутствуют пики EL2, EL3 и EL6, соответствующие только глубоким уровням в объеме GaAs (фиг.3).

После хранения в течение одного года законсервированных предложенным способом «epiready» подложек из GaAs на воздухе при комнатной температуре спектр НСГУ практически не изменился (фиг.4).

Таким образом, как видно из примеров и спектров НСГУ, полученные результаты свидетельствует о том, что в течение всего срока хранения на поверхности, законсервированной эпитаксиальным слоем Ga2Se3, «epiready» подложек из GaAs образование собственных оксидов и последующих твердофазных реакций, которые могли бы ухудшить состояние поверхности, не протекает.

Ухудшить условия хранения законсервированных «epiready» подложек из GaAs может использование для химико-динамического полирования некачественной перекиси водорода (H2O2), так как данный реактив в процессе хранения разлагается и в связи с этим имеет определенный срок годности. Кроме того, отклонение температуры подложки и длительности процесса обработки в парах селена от заявленных в формуле изобретения может также уменьшить срок хранения.

Предложенный способ консервации поверхности подложек из арсенида галлия позволяет законсервировать поверхность «epiready» подложек из GaAs для хранения на воздухе при комнатной температуре, продлить до 12 месяцев срок годности подложек для последующего формирования качественных гетеро- и наноструктур, упростить процесс упаковки и хранения.

Способ консервации поверхности подложек из арсенида галлия, характеризующийся тем, что он предусматривает химико-динамическое полирование поверхности полупроводника в полирующем травителе, содержащем серную кислоту, перекись водорода и воду в соотношении H2SO4:H2O2:H2O=5:1:1, отмывку в деионизованной воде, стравливание слоя остаточного оксида в водном растворе соляной кислоты H2O:HCl=10:1 до проявления гидрофобных свойств чистой поверхности подложки из арсенида галлия, отмывку в деионизованной воде, сушку в центрифуге, обработку в парах селена, стравливание образовавшегося эпитаксиального слоя селенида галлия в водном растворе соляной кислоты H2O:HCl=10:1, отмывку в деионизованной воде и сушку в центрифуге, после последней сушки подложку повторно обрабатывают в парах селена в камере квазизамкнутого объема с образованием эпитаксиальпого слоя селенида галлия (Ga2Se3) при температуре подложки Tn=(310÷350)°С, температуре стенок камеры Тс=(280÷300)°С, температуре селена TSe(230÷250)°С в течение 3÷10 мин и затем осуществляют упаковку без использования инертной среды.



 

Похожие патенты:
Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть использовано, в частности, в технологии изготовления полупроводниковых СВЧ приборов. .

Изобретение относится к созданию высокоэффективных солнечных элементов на основе полупроводниковых многослойных наногетероструктур для прямого преобразования энергии солнечного излучения в электрическую энергию с использованием солнечных батарей.

Изобретение относится к технологии производства электронных компонентов для микро- и наносистемной техники. .

Изобретение относится к устройствам локального травления тонких пленок микроэлектроники. .

Изобретение относится к технологии полупроводникового производства, в частности к формированию затворов в КМОП технологии. .

Изобретение относится к изготовлению средств выявления примеси газов в воздушной среде и определения уровня концентрации газов в среде. .

Изобретение относится к способам общего назначения для обработки материалов с помощью электрической энергии и может быть использовано в технологии полупроводниковых приборов.

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники, в частности к технологии полупроводниковых приборов. .
Изобретение относится к устройствам, предназначенным для удержания полупроводниковых пластин во время жидкостной обработки. .

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к очистке поверхности полупроводниковых пластин кремния от механических и органических загрязнений, и может найти применение в микроэлектронике, радиотехнической, электротехнической и других отраслях промышленности. Сущность изобретения: очистку поверхности полупроводниковых пластин осуществляют в ванне с моющим бифторидным раствором, активированным концентрированным озоном и ультразвуком при комнатной температуре с последующей промывкой в деионизованной воде. Изобретение обеспечивает создание высокоэффективного, ресурсо- и энергосберегающего, экологически чистого и безопасного способа очистки поверхности полупроводниковых пластин от органических и металлических загрязнений и сокращение времени обработки пластин. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к очистке поверхности полупроводниковых пластин от органических загрязнений и получению пористой поверхности кремния при изготовлении различных структур. Очистку от органических загрязнений и получение пористой поверхности полупроводниковых пластин осуществляют совместно в одну стадию в растворах HBF4 или NH4HF2, активированных озоном высокой концентрации 17% и выше. Травление полупроводниковых пластин осуществляют в концентрированных, более 10%, растворах HBF4 или NH4HF2. Применение предложенного способа очистки и получения пористой поверхности полупроводниковых пластин в растворах HBF4 или NH4HF2, активированных озоном высокой концентрации, позволит упростить технологию, понизить температуру процесса очистки, снизить энергоемкость, сократить число стадий и время обработки пластин, повысить экологическую безопасность очистки и получения пористой поверхности полупроводниковых пластин. 1 з.п. ф-лы, 1 табл., 2 ил.

Изобретение относится к технике индивидуальной обработки подложек и может быть использовано при производстве изделий электронной техники. Сущность изобретения заключается в том, что в способе отмывки и сушки подложек каждую подложку устанавливают на носитель, опускают в ванну отмывки с деионизованной водой до полного погружения подложки, затем медленно поднимают из воды в камеру сушки, отмывая ее с помощью мегазвукового излучения, а в момент выхода подложки из воды подают пары органического растворителя на границу раздела ванны и воздушной среды камеры и сушат. Новым в способе является то, что на носителе подложек создают зоны точечных контактов двух торцов подложки с носителем, устанавливают подложку на носитель таким образом, что нижний торец подложки расположен под определенным углом к горизонтали, опускают подложку в ванну отмывки непрерывно, а при подъеме подложки мегазвуковое излучение направляют на всю ширину подложки. Изобретение позволяет повысить качество отмывки и сушки подложек, расширить технологические возможности устройства, упростить аппаратурную реализацию процесса обработки, а также повысить надежность и производительность обработки. 2 н.п. ф-лы, 9 ил.

Изобретение предназначено для использования в мембранных нанотехнологиях для производства управляемых микро- и нанофлюидных фильтров, биосенсорных устройств, приборов медицинской диагностики. Сущность изобретения: в канальной матрице помимо пластины монокристаллического кремния дырочного типа с вскрытыми каналами и осажденного материала на фронтальной поверхности этой пластины создан промежуточный диэлектрический слой двуокиси кремния и нанесена металлическая пленка на фронтальную поверхность пластины с вскрытыми каналами, имеющими заданный поперечный размер. Техническим результатом изобретения является улучшение эксплуатационных характеристик за счет введения электродов и применение электрокинетического и электрофизического контроля, что позволяет расширить номенклатуру изделий мембранной техники на основе биосовместимого и высокотехнологичного кремния. 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 8 ил.

Изобретение относится к электротехническому оборудованию и может быть использовано для химико-динамического утонения германиевых подложек. Технический результат заключается в повышении производительности и упрощении конструкции. В устройстве химико-динамического травления германиевых подложек, включающем платформу с реакционными сосудами, выполненную с возможностью совершения орбитального движения в горизонтальной плоскости, платформа выполнена в виде короба и снабжена цилиндрическими ванночками, при этом на дно ванночек установлены диски вкладышей, на которых горизонтально расположены пластины подложкой вверх, кроме того, крышки-втулки ванночек выполнены с возможностью ограничения толщины слоя травителя на поверхности пластин, а дно ванночек выполнено с возможностью его охлаждения проточной водой. 3 ил.

Изобретение относится к устройствам для генерирования плазмы высокой плотности и может быть использовано для травления изделий микроэлектроники. Устройство для плазмохимического травления содержит вакуумную камеру, генератор переменного напряжения высокой частоты и подложкодержатель с обрабатываемым изделием. Генератор соединен высокочастотным кабелем через согласующее устройство с генерирующей плазму спиральной антенной, размещенной в вакуумной камере. Подложкодержатель взаимодействует через дополнительное устройство с дополнительным генератором переменного напряжения высокой частоты. Согласующее устройство связано со спиральной антенной посредством полого вала, входящего в вакуумную камеру через вакуумный ввод вращения. На конце вала жестко закреплен полый рычаг. К полому рычагу прикреплен со смещением от оси вращения полого вала диэлектрический колпак с размещенной в нем спиральной антенной. Полый вал и подложкодержатель имеют автономные приводы вращения. Средство программного управления автоматически регулирует скорость вращения каждого привода, обеспечивая необходимую равномерность травления изделия. Изобретение обеспечивает уменьшение габаритов всей установки и снижение потребляемой мощности. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к способу и устройству получения кромки полупроводниковых устройств. В способе получения кромки полупроводникового устройства, включающем подготовку полупроводниковой подложки, которая имеет по меньшей мере две основные поверхности, каждая из которых имеет край, и по меньшей мере одну краевую область, которая прилегает по меньшей мере к одному из краев, нанесение химического травителя при одновременном вращении полупроводниковой подложки направленно по меньшей мере на одну краевую область полупроводниковой подложки так, что травление ограничено краевой областью, при этом начинают нанесение травителя на радиально внутреннюю часть, и зону обработки в процессе травления изменяют радиально наружу. Изобретение обеспечивает возможность получения кромки полупроводникового устройства при меньшем количестве этапов способа и с высокой точностью и воспроизводимостью. 3 н. и 4 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к микроэлектронике, методам и технологическим приемам контроля и анализа структуры интегральных схем, к процессам сухого плазменного травления. Сущность изобретения: слой TiN удаляется селективно к SiO2, вольфраму и поликремнию при реактивном ионном травлении его в плазме O2 с присутствующей в зоне разряда пластинкой фторопласта площадью 2-20% рабочей поверхности высокочастотного (ВЧ) электрода, травление проводят при плотности ВЧ мощности 1-3 Вт/см2, а рабочую поверхность ВЧ электрода покрывают кремнием, графитом или другим фторопоглощающим материалом. 1 табл.
Изготовление относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки карбид-кремниевой трубы, применяемой для высокотемпературных процессов в диффузионных печах. Изобретение обеспечивает уменьшение длительности и упрощение процесса, полное удаление загрязнений. В способе обработки карбид-кремниевой трубы очистку карбид-кремниевой трубы проводят в растворе, состоящем из бифторида аммония - NH4HF2, соляной кислоты - НС1 и деионизованной воды - H2O в соотношении 1:1,5:4, соответственно. Длительность обработки составляет 10±7 минут. По окончании обработки трубу промывают в деионизованной воде при комнатной температуре 30 минут.
Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки обратной стороны кремниевых пластин перед процессом напыления. Изобретение обеспечивает полное удаление остатков окисла с поверхности кремниевых пластин, уменьшение времени обработки и снижение стоимости процесса. В способе обработки кремниевых пластин перед напылением удаление окисла с поверхности кремниевых пластин проводят в растворе, содержащем бифторид аммония (NH4HF2) и деионизованную воду (H2O) в соотношении NH4HF2:Н2O=1:26, время обработки составляет не более 10 секунд при комнатной температуре.
Наверх