Способ модуляции оптического излучения



Способ модуляции оптического излучения
Способ модуляции оптического излучения
Способ модуляции оптического излучения

 

G02F1/00 - Устройства или приспособления для управления интенсивностью, цветом, фазой, поляризацией или направлением света, исходящего от независимого источника, например для переключения, стробирования или модуляции; нелинейная оптика (термометры с использованием изменения цвета или прозрачности G01K 11/12; с использованием изменения параметров флуоресценцией G01K 11/32; световоды G02B 6/00; оптические устройства или приспособления с использованием подвижных или деформируемых элементов для управления светом от независимого источника G02B 26/00; управление светом вообще G05D 25/00; системы визуальной сигнализации G08B 5/00; устройства для индикации меняющейся информации путем выбора или комбинации отдельных элементов G09F 9/00; схемы и устройства управления для приборов

Владельцы патента RU 2497166:

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Ордена Трудового Красного Знамени Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук (ИФМ УрО РАН) (RU)

Изобретение относится к области оптоэлектроники, в частности к модуляции интенсивности оптического излучения. Способ модуляции оптического излучения предусматривает подачу видимого естественного света в диапазоне длин волн от 350 до 850 нанометров под углом от 5 град. до 75 град. между направлением света и перпендикуляром к поверхности рабочего оптического элемента, выполненного из n слоев манганита A1-xBxMnO3 (где n≥1), в котором трехвалентный редкоземельный металл А частично замещен одно- или двухвалентным металлом В со степенью замещения х. Под действием управляющего внешнего магнитного поля, в которое помещен рабочий оптический элемент, обладающий гигантскими эффектами магнитопропускания и магнитоотражения видимого света, происходит модуляция прошедшего и отраженного от рабочего элемента видимого света. Технические результаты - расширение арсенала способов модуляции оптического излучения за счет модуляции видимого света, упрощение конструкции. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

 

Изобретение относится к области оптоэлектроники, в частности к модуляции интенсивности оптического излучения.

Бурное развитие техники высокоскоростного управления интенсивностью света для передачи и обработки информации, топографии, оптических компьютеров, бесконтактных датчиков и др. выдвигает высокие требования к оптически активным материалам. Наиболее высоким быстродействием обладают оптически активнье магнитные материалы, для которых намагничивание может осуществляться за период времени меньший наносекундного диапазона. Эффективность быстродействующего управления направлением распространения и модуляцией света с помощью магнитного поля и магнитооптических эффектов, в том числе с использованием магнитофотонных кристаллов, подтверждена экспериментально (М. Inoue, A. Granovsky, О. Aktsipetrov et al., Magnetophotonic Crystals in Magnetic Nanosctructures, Eds. B. Aktas, L. Tagirov, F. Mikailov, Springer Series in Materials Science (2007), Vol. 94, P. 29).

Известны различные способы модуляции оптического излучения, основанные на различных физических явлениях (Е.Р. Мустель и В.Н. Парыгин, Методы модуляции и сканирования света, М., Наука, 1970; Рандощкин В.В., Червоненкис А.Я. Прикладная магнитооптика. М.: Энергоатомиздат, 1990; А.Н. Георгобиани. Модуляционная спектроскопия. Соросовский образовательный журнал. 2001, Т.7, №6, С.75-81). Характеристики оптической среды могут меняться под влиянием электрического поля (эффекты Поккельса и Керра), магнитного поля (эффект Фарадея), под действием упругих напряжений (фотоупругость) и т.п.

Использование магнитного поля для управления интенсивностью оптического излучения, реализуется в магнитооптических модуляторах излучения, на основе магнитных диэлектриков и полупроводников. Модуляция света основана на сдвиге края основной полосы оптического поглощения под действием магнитного поля или на эффекте магнитопоглощения. Магнитопоглощение - это изменение под действием магнитного поля коэффициента поглощения неполяризованного (естественного) оптического излучения α в магнетике, например, в магнитном полупроводнике:

Δα/α=(αH-α)/α,

где αH - коэффициент поглощения излучения в магнитном поле, α - коэффициент поглощения излучения без магнитного поля.

В технических приложениях обычно используется величина магнитопропускания естественного света:

Δt/t=(tH-t)/t,

где tH - пропускание излучения веществом в магнитном поле, t - пропускание излучения веществом без магнитного поля.

Известен способ модуляции оптического излучения, осуществляемый в модуляторе инфракрасного (ИК) излучения, работающем на эффекте магнитопропускания в магнитном полупроводнике HgCr2Se4 (Н.Н. Лошкарева, Ю.П. Сухоруков, Б.А. Гижевский, А.А. Самохвалов. Модулятор ИК-излучения на магнитном полупроводнике. // Письма в ЖТФ, 1989, Т. 15, вып.17, С.83-86). Недостатками способа являются низкая рабочая температура (Т=120 К), необходимость применения оптических криостатов и особые требования к качеству рабочего элемента из монокристалла. С помощью этого способа модулируется только излучение, прошедшее через оптический элемент, поскольку способ основан на эффекте магнитопропускания ИК-излучения.

Известен также способ модуляции оптического излучения, осуществляемый в модуляторе инфракрасного излучения, работающем на эффекте магнитопропускания, в котором в качестве рабочего оптического элемента используется материал, относящийся к классу манганитов с перовскитной структурой - эпитаксиальная пленка La0.82Na0.12MnO3 на подложке LaAlO3 (Ю.П. Сухоруков, Н.Н. Лошкарева, А.В. Телегин, Е.В. Мостовщикова, В.Л. Кузнецов, А.Р. Кауль, О.Ю. Горбенко, Е.А. Ганьшина, А.Н. Виноградов. Модулятор ИК-излучения на эффекте магнитопропускания в манганите лантана, работающий вблизи комнатной температуры. // Письма в ЖТФ. 2003, Т.29, вып.21, С.55). Недостатками этого способа является узкий температурный диапазон модуляции света ΔТ=TC±(10-15) К, для обеспечения которого необходима система термостабилизации. Этот способ также позволяет модулировать только оптическое излучение, прошедшее через оптический элемент, т.к. способ основан на эффекте магнитопропускания в ИК-диапазоне спектра.

Расширение температурной области модулирования ИК-излучения было предложено в способе модуляции инфракрасного излучения, осуществляемом в модуляторе инфракрасного излучения [патент РФ №2346315]. Способ основан на изменении интенсивности пропускаемого излучения под действием управляющего магнитного поля в рабочем оптическом элементе модулятора, расположенном перпендикулярно направлению падающего на его поверхность излучения. Оптический элемент выполнен из n - слоев, где n≥1, манганита A1-xBxMnO3, в котором трехвалентный редкоземельный металл А частично замещен одно- или двухвалентным металлом В со степенью замещения х, обладающем эффектом магнитопропускания света. Этот способ обеспечивает существенное расширение температурной области модулирования ИК-излучения.

Однако в способе управляющее магнитное поле модулирует только инфракрасное излучение, прошедшее через рабочий оптический элемент. При этом, свет подается только перпендикулярно поверхности рабочего оптического элемента, исходя из условий минимальный оптических потерь.

Наиболее близким к заявляемому является способ модуляции инфракрасного излучения [патент РФ №2439637], в котором оптическое излучение подают на рабочий оптический элемент, выполненный из n - слоев, где n≥1, манганита А1-xBxMnO3, в котором трехвалентный редкоземельный металл А частично замещен одно- или двухвалентным металлом В со степенью замещения х под углом от 5 град. до 75 град. между направлением света и перпендикуляром к поверхности рабочего оптического элемента и модулируют магнитным полем, в которое помещен рабочий элемент. Одновременно оба выходных излучения - промодулированное излучение на выходе рабочего оптического элемента и промодулированное оптическое излучение, отраженное от поверхности рабочего оптического элемента, регистрируются детекторами инфракрасного излучения.

Следовательно, подача излучения к поверхности рабочего элемента под углом от 5 град. до 75 град. позволило модулировать как излучение, прошедшее через рабочий оптический элемент, так и излучение, отраженное от поверхности рабочего оптического элемента.

Таким образом, тонкопленочные манганиты, приготовленные разными способами, например, состава La0.7Ca0.3MnO3 различной толщиной, с максимумом колоссальное магнитосопротивления вблизи температуры Кюри, обладают гигантским магниторефрактивным эффектом на пропускании и отражении оптического излучения ИК-диапазона.

Эффект связан как с изменением пропускания (магнитопропускание - Δt/t) на выходе рабочего оптического элемента, так и отражения (магнитоотражение - ΔR/R) неполяризованного оптического излучения от поверхности рабочего оптического элемента под действием магнитного поля, что характеризуется выражениями 1 и 2:

Δ t t 1 2 Δ ρ ρ t , ( 1 )

Δ R R = R H R R ( 1 R ) Δ ρ ρ , ( 2 )

где RH и R - коэффициенты отражения оптического излучения в магнитном поле и без магнитного поля, Δρ/ρ - магнитосопротивление.

Способ модуляции основан на изменении величины магнитопропускания и магнитоотражения, достигающей десятков процентов, в широкой области только ИК-диапазона.

В основу изобретения положена задача расширения арсенала способов модуляции оптического излучения за счет возможности модулирования видимого света прошедшего через оптический элемент и отраженного от рабочего оптического элемента.

Решение поставленной задачи стало возможно, так как авторами впервые было обнаружено, что при подаче естественного (неполяризованного) видимого света в диапазоне длин волн от 350 до 850 нанометров под углом от 5 до 75 град. между направлением света и перпендикуляром к поверхности рабочего оптического элемента, обладающего эффектом колоссального магнитосопротивления и выполненным из n - слоев (где n≥1) манганита A1-xBxMnO3, в котором трехвалентный редкоземельный металл А частично замещен одно- или двухвалентным металлом В со степенью замещения х, в данном рабочем оптическом элементе возникает как эффект магнитопропускания, так и эффект магнитоотражения видимого света.

Поставленная задача решается тем, что видимое излучение в диапазоне длин волн от 350 до 850 нанометров под углом β от 5 до 75 град. между направлением излучения и перпендикуляром к поверхности рабочего оптического элемента подают на рабочий оптический элемент, выполненный из n - слоев, где n≥1, манганита A1-xBxMnO3, в котором трехвалентный редкоземельный металл А частично замещен одно- или двухвалентным металлом В со степенью замещения х, и помещенный во внешнее магнитное поле. Изменением управляющего магнитного поля, в которое помещен рабочий оптический элемент, модулируют отраженное от поверхности рабочего оптического элемента видимое излучение и прошедшее видимое излучение на выходе рабочего оптического элемента.

При этом подложку рабочего оптического элемента выполняют из материала, прозрачного для видимого излучения.

Кроме того, вектор напряженности магнитного поля, в которое помещен рабочий оптический элемент, может быть направлен под углом от 0 до 360 град. к поверхности рабочего оптического элемента.

Как было установлено авторами изобретения, тонкопленочные манганиты, приготовленные разными способами, например, состава La0.7Са0.3MnO3 различной толщиной с максимумом колоссального магнитосопротивления вблизи температуры Кюри, обладают гигантскими эффектами магнитопропускания и магнитоотражения неполяризованного видимого света в широкой области температур. Эффект связан как с изменением пропускания (магнитопропускание - Δt/t) на выходе рабочего оптического элемента, так и отражения (магнитоотражение - ΔR/R) естественного видимого света от поверхности рабочего оптического элемента под действием внешнего магнитного поля. При этом если в ИК-области спектра МРЭ определяется высокочастотным откликом на магнитосопротивление, то в видимой области спектра магнитопропускание и магнитоотражение связаны с изменением электронной структуры манганитов под действием магнитного поля, приводящем к изменению вероятности межзонных оптических переходов, интенсивности полос поглощения и смещению полос поглощения света. В конечном итоге, спектральные зависимости магнитопропускания и магнитоотражения света в видимой области спектра указывают на то, что изменяется не только плотность электронных состояний, но происходит и смещение резонансно-подобных полос поглощения света. Таким образом, эффекты на отражении и пропускании видимого неполяризованного света в манганитах имеет иную физическую природу го сравнению с магниторефрактивным эффектом на отражении и пропускании ИК-излучения в манганитах. Величины магнитопропускания и магнитоотражения видимого света меньше, чем в ИК-области спектра, но в несколько раз превышают линейные магнитооптические эффекты в поляризованном свете в видимом диапазоне спектра. Кроме того, гигантские величины эффектов в неполяризованном свете позволяют исключить анализаторы и поляризаторы света из оптической схемы, что является дополнительным преимуществом данного способа модуляции видимого света.

Предлагаемое изобретение иллюстрируется чертежами.

На фиг.1 представлена блок-схема способа магнитной модуляции видимого света, отраженного и прошедшего через рабочий оптический элемент;

на фиг.2 представлена спектральная зависимость магнитопропускания и магнитоотражения света при температурах максимальных значений эффектов:

a) магнитоотражение видимого света в магнитном поле величиной 11 кЭ перпендикулярном поверхности пленок состава La0.7Са0.3MnO3, толщиной 50 и 320 нм, пленки La0.9Ag0.1MnO3 толщиной 450 нм;

b) магнитопропускание видимого света в магнитном поле величиной 2,8 кЭ параллельном поверхности пленок состава La0.7Са0.3MnO3 толщиной 150 нм;

на фиг.3 представлена температурная зависимость магнитоотражения видимого света при длинах волн максимального значения эффекта в магнитном поле перпендикулярном поверхности пленок состава La0.7Са0.3MnO3 толщиной 320 нм.

Величины магнитопропускания и магнитоотражения достигают 2-4 процентов в спектральной области от 350 до 850 нанометров. Например, как видно из фиг.2, магнитоотражение рабочего оптического элемента из пленки La0.7Са0.3MnO3 толщиной 50 нм и 320 нм на прозрачной в видимом диапазоне света подложке LaAlO3 достигает 1-2 процента, а для пленки La0.9Ag0.1MnO3 толщиной 450 нм на прозрачной в видимом диапазоне света подложке SrTiO3 магнитоотражение достигает рекордной величины 3 5 процента в диапазоне длин волн от 350 до 850 нм. Магнитопропускание при этом для пленки La0.7Са0.3MnO3 толщиной 150 нм достигает 2 процентов в диапазоне длин волн от 400 до 850 нм, что в итоге существенно расширяет рабочую спектральную область Эффекты магнитопропускания и магнитоотражения практически не зависят от температуры (фиг.3), являются четными по полю, слабо изменяются по величине в зависимости от геометрии приложения магнитного поля, не имеют гистерезиса и насыщения в магнитных полях до 11 кЭ.

Слабая зависимость магнитоотражения видимого света от температуры и слабое изменение величины эффекта от геометрии приложения магнитного поля дополнительно расширяет функциональные возможности предложенного способа модуляции за счет упрощения системы термостабилизации и упрощения конструкции источника магнитного поля. В то же время использование n=1 слоев манганита дает выигрыш в интенсивности прошедшего излучения и упрощает задачу получения оптических элементов на основе тонкопленочных манганитов.

Диапазон угла подачи света от 5 до 75 град. между направлением света и перпендикуляром к поверхности рабочего элемента был выбран исходя из условия минимального угла падения света 5 град, при котором можно регистрировать как отраженный, так и максимальную интенсивность прошедшего через рабочий оптический элемент света, и максимального угла падения света 75 град. близкого углу "Брюстера", при котором можно регистрировать как максимальную интенсивность отраженного света, так и слабый, прошедший через рабочий оптический элемент видимый свет.

Таким образом, заявляемый способ обеспечивает модулирование управляющим магнитным полем как отраженного от рабочего оптического элемента видимого света, так и прошедшего через него видимого света, тем самым расширяет арсенал способов модуляции оптического излучения.

Способ осуществляют следующим образом.

Неполяризованный видимый свет 1 подают на поверхность рабочего оптического элемента 2, например, под углом β=7 град. между направлением света и перпендикуляром к поверхности рабочего оптического элемента 2, состоящего из немагнитной прозрачной подложки 3 LaAlO3 толщиной 460 мкм и слоя 4 манганита, например, La0.7Са0.3MnO3 толщиной 320 нм или 50 нм, обладающего температурой Кюри 265 К. Рабочий оптический элемент 2 помещают в источник переменного магнитного поля 5, например, катушку с магнитным сердечником (N=300 А/витков). Магнитное поле Н прикладывается перпендикулярно, параллельно или под углом относительно поверхности рабочего оптического элемента 2 (фиг.1). Видимый свет модулируется в рабочем оптическом элементе 2 под действием магнитного поля с частотой ω. Модуляция осуществляется как за счет изменения соотношения объемов ферромагнитной высокопроводящей и неферромагнитной слабопроводящей фаз в слоях манганита, так и за счет изменения плотности электронных состояний, изменения ширины зоны, смещения зон относительно друг друга под действием переменного магнитного поля, приводящего к возникновению в манганите эффектов магнитопропускания и магнитоотражения видимого света. Часть модулированного света проходит через рабочий оптический элемент 2 - выходное модулированное прошедшее видимое оптическое излучение 6, другая часть модулированного света отражается от его поверхности - выходное модулированное отраженное видимое оптическое излучение 7. Соотношение прошедшей и отраженной от рабочего оптического элемента 2 частей света регулируется толщиной рабочего оптического элемента 2 и величиной угла подачи света на его поверхность. Частота модулированного света равна удвоенной частоте 2 си магнитного поля. Величина рабочего температурного диапазона модулирования света определяется температурным интервалом существования эффектов. Например, для пленок состава La0.7Са0.3MnO3 с количеством слоев n=1 эффект магнитоотражения видимого света наблюдается в широком интервале 10 К<Т<310 К, что снижает требования к термостабилизации устройства, дает выигрыш в интенсивности прошедшего излучения и упрощает задачу получения оптических элементов на основе тонкопленочных манганитов.

Интенсивности света прошедшего через рабочий оптический элемент и отраженного от него пропорциональны величине приложенного магнитного поля и регистрируются фотоприемными элементами, например, такими как ФЭУ-52, PbS или Si-фотоприемники. Спектральный диапазон в длинах волн модулированного видимого света, прошедшего через рабочий оптический элемент, составляет 400-850 нм. Спектральные диапазоны модулированного видимого света, отраженного от поверхности рабочего оптического элемента, составляют 350-850 нм для пленки La0.7Са0.3MnO3 толщиной 320 нм фиг.2).

Проведенные лабораторные испытания предлагаемого способа подтвердили его работоспособность и достижение технического результата - модуляции переменным магнитным полем интенсивности видимого света проходящего через рабочий оптический элемент и отраженного от поверхности рабочего оптического элемента.

Заявляемый способ обеспечивает расширение арсенала способов модуляции оптического излучения за счет модуляции видимого света.

1. Способ модуляции оптического излучения, характеризирующийся тем, что оптическое излучение подают под углом от 5° до 75° между направлением света и перпендикуляром к поверхности рабочего оптического элемента, выполненного из n-слоев манганита A1-xBxMnO3 (где n≥1), в котором трехвалентный редкоземельный металл A частично замещен одно- или двухвалентным металлом В со степенью замещения х, создают магнитное поле вокруг рабочего оптического элемента, изменением магнитного поля модулируют отраженное и прошедшее оптическое излучение, отличающийся тем, что оптическое излучение выбирают в диапазоне длин волн видимого излучения от 350 до 850 нм, используя при этом подложку рабочего оптического элемента из немагнитного материала, прозрачного для видимого диапазона излучения.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что вектор напряженности магнитного поля, в которое помещен рабочий оптический элемент, может быть направлен под углом от 0° до 360° к поверхности подложки рабочего оптического элемента.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области светотехники и может быть использовано для устройств отображения в телевизионных приемниках. Техническим результатом является достижение практически равномерного распределения яркости освещения без частично образующихся темных частей.

Изобретение относится к области светотехники и может быть использовано в дисплеях и телевизионных приемниках. Техническим результатом является обеспечение равномерной яркости.

Изобретение относится к области светотехники и использовано для задней подсветки жидкокристаллических устройств. .

Изобретение относится к области светотехники и может быть использовано для создания устройств отображения для телевизионных приемников. .

Изобретение относится к области светотехники и может быть использовано при изготовлении устройств отображения и телевизионных приемников. .

Изобретение относится к способу монтажа микроэлектронных компонентов, в частности способу монтажа микроэлектронных компонентов для одномоментного монтажа на основной плате множества микроэлектронных компонентов, обладающих разной высотой.

Изобретение относится к области электротехники. .

Изобретение относится к области электротехники. .

Изобретение относится к области электротехники и предназначено для создания плоского жидкокристаллического дисплея. .

Жидкокристаллическое устройство отображения включает в себя первый поляризатор, второй поляризатор, обращенный к первому поляризатору, жидкокристаллическую панель отображения, обеспеченную между первым поляризатором и вторым поляризатором, и первую фазовую пластину и вторую фазовую пластину, обеспеченные между первым или вторым поляризаторами и жидкокристаллической панелью отображения. Панель отображения имеет пару подложек и жидкокристаллический слой, размещенный между парой подложек, включающий гомогенно выровненные молекулы жидкого кристалла. Фазовая пластина включает в себя жидкокристаллическую пленку, установленную в положение, в котором нематический жидкий кристалл является гибридно-выровненным. Разность фаз в перпендикулярном направлении элемента, который находится между первыми и вторыми поляризаторами, исключая жидкокристаллический слой и первую фазовую пластину, составляет 120 нм или больше. Технический результат - улучшение характеристик инверсии шкалы градации серого в положении, в котором отображается цвет, близкий к черному. 2 н. и 17 з.п. ф-лы, 7 табл., 116 ил.

Изобретение относится к области светотехники. Техническим результатом является достижение однородности коэффициента отражения. Блок (49) задней подсветки для устройства (69) отображения, снабженного жидкокристаллической панелью (59) отображения, содержит основание (41), рассеивающую пластину (43), поддерживаемую посредством основания, и точечные источники света, поддерживаемые посредством монтажных подложек (21), обеспеченных на основании. Точечные источники света содержат модули (MJ) излучения света. Монтажные подложки размещены в прямоугольной области (41а), приспособленной для расположения в ней монтажных подложек и расположенной на основании. Промежутки на границах между монтажными подложками не продолжаются в каком-либо направлении вдоль длинных сторон и/или в направлении вдоль коротких сторон прямоугольной области, чтобы дать возможность видеть прямоугольную область от края до края. 3 н. и 13 з.п. ф-лы, 18 ил.

Изобретение относится к области светотехники и может быть использовано в дисплеях и телевизионных приемниках. Техническим результатом является обеспечение равномерной яркости рассеивающей пластины. Блок (49) задней подсветки для устройства (69) отображения, снабженного жидкокристаллической панелью (59) отображения, содержит каркас (41), рассеивающую пластину (43), поддерживаемую каркасом, и точечные источники света, поддерживаемые монтажными подложками (21), обеспеченными на каркасе. Точечные источники света содержат СИД (22), установленные на монтажных подложках. Монтажные подложки (21) соединены друг с другом соединителями (25) с образованием рядов (26) монтажных подложек (21). Множество рядов (26) монтажных подложек (21) расположены параллельно, ряд (26) монтажных подложек (21) образован длинной и короткой монтажной подложкой (21), и расположение длинной и короткой монтажных подложек (21) меняется на противоположное ряд за рядом. Положения соединителей (25) не выровнены по прямой линии в направлении, в котором размещены ряды (26) монтажных подложек (21). 4 н. и 19 з.п. ф-лы, 10 ил.

Изобретение относится к осветительным устройствам, устройствам отображения и телевизионным приемникам. Устройство содержит держатель (11), который крепит монтажную плату (21) на основании (41) задней подсветки, в то же время покрывая по меньшей мере край (21S) монтажной платы (21) на основании (41) задней подсветки, причем упомянутый край находится по направлению короткой стороны монтажной платы. На поверхности монтажной платы, прикрываемой держателем, установлен участок неравномерного отражения, который может быть выполнен в виде соединителя или клеммы. Техническим результатом является улучшение равномерности количества света от блока задней подсветки. 3 н. и 18 з.п. ф-лы, 40 ил.

Изобретение относится к области светотехники. Техническим результатом является увеличение яркости отраженного света. Осветительное устройство включает в себя множество LED 16, плату 17S LED, шасси 14, соединительный компонент 60 и отражающий лист 21. LED 16 установлены на плате 17S LED. Обе платы 17S и 17С LED прикреплены к шасси 14. Соединительный компонент 60 электрически соединяет платы 17S и 17С LED друг с другом. Отражающий лист 21 наложен на поверхности 17А установки источников света. В осветительном устройстве соединительный компонент 60 расположен на поверхности 17 В крепления соединительного компонента платы 17S LED. Поверхность 17 В крепления соединительного компонента является противоположной поверхности, на которую наложен отражающий лист 21. 3 н. и 20 з.п. ф-лы, 22 ил.

Изобретение относится к области светотехники. Техническим результатом является воспроизведение света практически равномерного цвета. Осветительное устройство 12 включает в себя множество точечных источников 17 света и основание 14, на котором размещены точечные источники 17 света, классифицируемые на два или более цветовых диапазонов А, В и С, в соответствии с цветами света. Каждый цветовой диапазон определяется посредством квадрата, каждая сторона которого имеет длину, равную 0,01 в цветовом графике цветового пространства Международной Комиссии по Освещению 1931. 4 н. и 22 з.п. ф-лы, 15 ил.

Изобретение относится к области светотехники. Техническим результатом является уменьшение неравномерности яркости и оттенков. Блок (49) задней подсветки устройства отображения (69) отображения, включающего в себя жидкокристаллическую панель отображения (59), включает в себя основание (41), рассеивающую пластину (43), которая поддерживается посредством основания, и точечный источник света для облучения светом рассеивающей пластины. Точечный источник света включает в себя светодиод (22), установленный на монтажной подложке (21). Предоставляется множество светодиодов, и соответственно они покрываются рассеивающими линзами (24). Оптические оси (OA) рассеивающих линз наклонены относительно рассеивающей пластины, и рассеивающие линзы, имеющие различные наклоны оптических осей, располагаются на основании смешанным образом. Рассеивающие линзы, имеющие оптические оси, наклонные в противоположных направлениях, спариваются, и пары размещаются в матрице. 6 н. и 19 з.п. ф-лы, 12 ил.

Изобретение относится к области светотехники. Техническим результатом является устранение неравномерности яркости. Блок (49) задней подсветки устройства (69) отображения, в котором имеется жидкокристаллическая панель отображения (59), снабжен основанием (41), рассеивающей пластиной (43), закрепленной на основании, и источником света, который освещает рассеивающую пластину светом. В источнике света имеется множество светоизлучающих модулей (MJ), которые включают в себя светодиод (22), служащий в качестве светоизлучающего элемента, и рассеивающую линзу (24), которая покрывает светодиод. Светоизлучающие модули размещаются по сетке на основании, крепящем рассеивающую пластину. Опорные штифты (26) для закрепления рассеивающей пластины располагаются в точках на основании. Опорные штифты размещаются на отрезках прямых, соединяющих соседние пары светоизлучающих модулей. 3 н. и 7 з.п. ф-лы, 14 ил.

Изобретение относится к области светотехники. Техническим результатом является устранение неравномерности подсветки. В опорном штифте (11) для поддержки оптических элементов (43-45), через который проходит свет из светодиода (24), часть вершины (14), которая находится в контакте со светорассеивающей пластиной (43), формируется из светоотражательного материала, а часть стойки (12), которая поддерживает вершину (14), формируется из светопропускающего материала. 4 н. и 8 з.п. ф-лы, 13 ил.

Жидкокристаллическое устройство (100) отображения настоящего изобретения включает в себя жидкокристаллическую индикаторную панель (10) и блок (20) боковой подсветки, служащий для испускания света из позиции, которая является боковой по отношению к панели (10). Панель (10) включает в себя переднюю подложку (1), заднюю подложку (2) и светорассеивающий жидкокристаллический слой (3). Блок (20) включает в себя источник (7) света, находящийся в позиции, которая является боковой по отношению к панели (10), а также световод (6), имеющий световыводящую поверхность (6b), через которую свет, испускаемый из источника (7) света, а также попадающий на световод (6), испускается в направлении торцевой поверхности (1а) подложки (1). Поверхность (6b) наклоняется относительно направления, которое является вертикальным по отношению к передней поверхности (1b) подложки (1), таким образом, чтобы она была обращена к стороне задней поверхности панели (10). Соответственно, может быть предотвращено генерирование яркой линии(й) в панели (10). 2 з.п. ф-лы, 6 ил.
Наверх