Институт ан ссср

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОААУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

251ОИ октз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. Оьч1детсльст1111 М

Кл. 21а-, 18/08

Заявлено 25.Ч.1967 (№ 1159701,126-9) с присоединением заявки М

Приоритет

Опубликовано 26.Ч111.1969. Ьюллстсиь М 27

Дата опубликоваштл описаштл 5.11.1970

МПК Н 03f

Котлитет па делатл изобретений и открытий при Совете ййинистрав

ОССР х ДК 621.375.132.3 (088.8) Авторы изобретения

Ю. Ф. Струтынский и Ь . С. Зненштейн

Геологический институт АН СССР

Заявитель

ЭМИТ! ЕРНЫЙ ПОВТОРИТЕЛЬ

Известные устройства с применением частотно-зависимых обратных связей для получения большого входного сопротивления не обеспечивают желаемого эффекта для сигналов низкой входной частоты.

Описываемое устройство отличается от известных тем, что к составному триоду его подключен эмиттер дополнительного триода противоположного типа проводимости, коллектор которого заземлен, а к базе его подключен источник входного сигнала. Это позволяет увеличить входное сопротивление устройства.

На чертеже изображена принципиальнал схема устройства.

Оно представляет собой двухзвенный эмиттерный повторитель, выполненный на транзисторах 1 и 2 прямой (р — n — р) проводимости в комбинации с дополнительным транзистором 8 обратной (n — р — n) проводимости.

Известно, что входное сопротивление двухзвенного эмиттерного повторителя в первую очередь зависит от коэффициента статического усиления тока транзистора, но реализовать на практике это условие можно лишь для сравнительно небольшой величины требуемого входного сопротивления, так как для питания базы транзистора 1 с большим статическим усилением требуется значительный ток, для обеспечения и стабилизации которого в цепь базы должен быть установлен относительно изкоомный делитель напряжения, что приводит к шунтированию входного сопротивления.

5 Согласно изобретению предлагается питать базу транзистора 1 повторителя через управляемый делитель — кремниевый транзистор 3. Его база, в свою очередь, для обеспе:1еиил работы транзистора потребляет мил10 лимикроамперный ток через внутреннее сопроTèâëå11èå генератора 4 или через резистор

5, величина которого во избежание шунтироваштл входа выбирается больше последнего.

Применение кремниевого транзистора для

15 питания базы транзистора 1 существенно повышает также стабильность устройства, пос1 .Ольку 311ачение Обратного т01 .а 1 ремниевого транзистора в 1000 раз меньше, чем у гер»a»»enoro. Наиболее подходят для этой цели

20 кремниевые транзисторы обратной (n — р — n) проводимости типа МП-103, П-505, а также полевые транзисторы.

Таким образом, питание базы высокоусилительного германиевого транзистора 1, осуще25 ствляемое управляемым током, приводит к положительному эффекту, т. е. резкому увеличению входного сопротивления устройства на 2 — 3 порядка.

Предлагаемое устройство прп коэффициен30 те передачи, близком единице, стабильно в

Институт ан ссср Институт ан ссср 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электротехнике и может использоваться в качестве буферного усилителя напряжения, а также элемента дифференциального каскада

Изобретение относится к радиотехнике и связи для использования в аналоговых микросхемах различного применения

Изобретение относится к электронике, а именно к повторителям напряжения для усиления тока и преобразования импеданса в цепях электронных устройств, выполненным по интегральной технологии

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве входных, выходных и промежуточных каскадов аналоговых микросхем различного функционального назначения (высокочастотных и сверхвысокочастотных усилителей, широкополосных операционных усилителей, быстродействующих непрерывных стабилизаторов напряжения, перемножителей сигналов и т.д.)

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве выходного устройства для усиления быстроизменяющихся аналоговых сигналов по мощности (буферного усилителя - БУ), в структуре входных каскадов аналоговых микросхем различного функционального назначения, например, операционных усилителях, драйверов линий связи

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве буферного усилителя аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, повторителях сигналов с высоким кпд и повышенным петлевым усилением, драйверов линий связи и т.п.)

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве буферного усилителя аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, прецизионных повторителях сигналов, драйверов линий связи и т.п.)

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве выходного устройства для усиления быстроизменяющихся аналоговых сигналов по мощности (буферного усилителя), в структуре входных каскадов аналоговых микросхем различного функционального назначения, например, операционных усилителях

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве выходного устройства для усиления быстроизменяющихся аналоговых сигналов по мощности, в структуре входных каскадов аналоговых микросхем различного функционального назначения

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, широкополосных и избирательных усилителях ВЧ и СВЧ диапазонов)
Наверх