Усилитель на составном транзисторе

 

, г, >

>.. >

"> ° .> ->

О П И С А Н И Е 25З150

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К ABTOP CKOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства М>—

Заявлено 27 т1!.1968 (№ 1251108/26-9) с присоединением заявки М—

Приоритет—

Опубликовано 30.1Х.1969 r. Бюллетень № 30

Дата опубликования аписа(шя 19.XI.1970

Кл. 21а-, 18/02

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

>(!ПК Н 033

УДК 621.375.024:

: 621.375.4 (988.8) Автор изобретения

В. Ф. Кукушкин

Заявитель

УСИЛИТЕЛЬ HA СОСТАВНОМ ТРАНЗИСТОРЕ

Для известных усилителей на составном транзисторе при наличии сильноточного выхода необходима подача на базу первого транзистора большого управляющего тока, что приводит к увеличению необходимой мощности управляющего устройства, его габаритов и веса.

Предлагаемый усилитель отличается от известных тем, что между эмиттерами транзисторов включен диод, а базы транзисторов соединены с источником запирающего напряжения через резисторы.

При такой схеме усилителя необходимая величина управляющего тока уменьшается за счет обратного тока выходного, более мощного транзистора.

На чертеже приведена схема предлагаемого устройства.

Источник 1 запирающего напряжения соединен через резисторы 2 и 8 с базами транзисторов 4 и 5 соответственно. Между эмиттерами транзисторов 4 и 5 включен диод 6. При использовании транзисторов 4 и 5 типа р-и-р— диод 6 подключен к эмиттеру транзистора 5 катодом, а при использовании транзисторов

4 и 5 типа и-р-и — анодом. (нл птс 11> I I» со(Г а н пох(T f) rr 1 ra! ICT() p0 р» 00т I с (, I (,>I >> I(II! II I >r o(r P rl:1(r. >I.

f1 prr О! с>> т (-"l !II!!r x ï ран 1 «>III(r(> 1 Он<1 тpa ггзисторы 4 If 5 закрыты. Запирающее напряженне па транз1!стор 5 подается от источника 1 через сопротивление 8 и огр»пичивается пo величине диодом 6. Запирающее напряжение на транзистор 4 подается от того же источника 1

5 через сопротивление 2. Сопротивления 2 и 8 выбираются такой величины (ограничение сверху), чтобы протекание через них обратных токов транзисторов 4 и 5 соответственно не приводило к прямому смещению эмиттерных

10 переходов этик транзисторов. При подаче управляющего тока достаточной величины в базу транзистора 4 эмиттерные переходы транзисторов 4 и 5 смещаются в прямом направлении. Необходимая величина управляю15 щего тока может быть представлена в впдс суммы токов: тока нагрузки составного транзистора, пересчитанного через его коэффициент усиления по току. и тока, компенсирующего ток от источника запирающего папряже20 !и!я, протекающий !ерсз сопротивление 2; последняя составляющая управляющего тока

oбуслов:lсна только всл1!>!!!н011 максимального обратного тока транзистора 4.

По сравнению с известными устройствами

25 необход1!х!ая величина управляющего тока здесь уменьшается за счет обратного тока вьтхо,(ного, более мощного транзистор» 5.

Уч(T пест;!бил(п«гст1! пст(тчппк» з»ппр»юн!(1 0 н(1пря>кеп1(я и rIa410II0IIIIf1 поте!(цн»;1» баз!>1

30 составного транзистора прп под»че управляющего тока (не говоря уже о необходимости создания запаса по допустимому значению обратных токов для повышения надежности работы составного транзистора) приводит к увеличению влияния составляющей управляющего тока, обусловленной обратными токами транзисторов, и выигрыш в уменьшении управляющего тока (мощности) получается еще больше.

Предельный выигрыш в уменьшении управляющего тока (мощностп) при использовании предлагаемого устройства по сравнению с прототипом определяется отношением суммы максимальных обратных токов транзисторов, входящих в составной транзистор, к максимальному обратному току первого из них.

Предмет изобретения

Усилитель на составном транзисторе с сильноточным выходом, содер>кащий источник запирающего напряжения, отлачаюшийся тем, что, с целью уменьшения управляющего тока, 10 между эмиттерами транзисторов включен диод, а базы транзисторов соединены с источником запирающего напряжения через резисторы.

Редактор В, Кузнецов Техред A. А. Камышникова Коврек оры Л. В. Анисимова и О. Б. Тюрина

Заказ 6642 — С9/4 Тира>к 480 I1îäïèñí<ï

ЦНИИПИ Комитета но делам изобрстений и открытий при Совете Министров СССР

Москва Центр, Рауиюкая паб., д, 4/5

ЦТ МО СССР