Полупроводникового прибора

Авторы патента:

H01L23/367 - охлаждение, обусловленное формой прибора

25393!

ОПИСАНИЕ

ИЗО6РЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советскик

Социалистическиа

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 17.IV.1968 (№ 1233890/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 19.1.1972. Бюллетень ¹ 4

Дата опубликования описания 17.111.19.2

М. Кл. H О11 I j00

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Мииистров

СССР

УДК 621.314,632 (088.8) .iдпо "! I:,I

Д. П, Ловцов, Э. К. Белебашев, Е. В. Кук, В. M. Рюмш цв,1.,,:",,",,3 . " " и А. H. Думаневич ,1

:д Ф М

Авторы изобретения

Заявитель

КОРПУС СИЛОВОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА

Изобретение относится к изготовлению силовых полупроводниковых приборов, а именно к способу присоединения термокомпенсатора к основанию прибора.

В силовых полупроводниковых приборах нижний вольфрамовый термокомпенсатор соединяется с медным основанием плоским швом из мягкого припоя. Однако в материале припоя обнару>киваются многочисленные несплошпости усадочного и газового происхо>кдения.

Отношение площади, занятой пустотами, к общей площади контакта обычно составляет

30 вЂ” 70%. При значительном количестве пор тепловое сопротивление прибора оказывается завышенным, температура внутри прибора так>ке повышается, что создает более жесткие условия для его работы. При таком паяном соединении невозможно избежать усадочных раковин, поскольку при пайке кристаллизация припоя идет от периферии к центру шва. Прп этом затрудняется и выход газов наружу.

При циклической работе прибора в режиме включено-выключено в материале шва накапливаются структурные изменения, обусловленные переменными напряжениями, что приводит к усталостному разрушению паяного соединения после определенного числа циклов.

Микроскопический анализ начальной, стадии разрушения и внешний внд разрушенных контактов свидетельствуют о том, что разрушение припоя начинается на периферии шва и развивается к его центру, постепенно сокращая площадь, через которую отводится тепло. Кон5 такт полностью нарушается при оплавлении участка в середине шва, когда температура внутри прибора резко возрастает. Развитие процесса термической усталости можно затормозить, снизив напря>кения среза на псрифе10 рни паяного соед1шения, что возможно, если увеличить здесь толщ ну припоя.

С целью снижения теплового сопротивления прибора, улучшения качества пайки и повыше15 ния циклоустойчивости прибора предлагается кристаллодержатель выполнять в месте установки тсрмокомпенсирующсго диска в ьиде усе,!енного конуса, а по Осн снабдить каналом для подвода охлаждающей жидкости.

20 На чертеже дано одно из конкретных выполнений крпсталлодержателя, 137 1 вЂ” крнсталлодержатель, 2 вЂ” термокомненсilðóI01öllé диск, > вЂ” I

25 середины шва к его периферии, что приводит к сосредоточению пустот в массе припоя вне площади контакта. Увеличение толщины шва на его периферии приводит к увеличению сро1(3 с. l >I á I приоора 1>pll токовы . цнк lичсс1 11х

30 и агрузках.

253931

Предмет изобретения

Составитель Г. Корнилова

Рсдактор A. Калашникова Техред 3. Тараненко

Корректор Т, Миронова

Заказ 634/2 Изд. Мв 254 Тираж 448 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Корпус силового полупроводникового прибора, содержащий кристаллодержатель и установленный на нем термокомпенсирующий диск, отличающийся тем, что, с целью снижения теплового сопротивления прибора и повышения его циклоустойчивости, в месте установки термо компенсирующего диска кристаллодержатель выполнен в виде усеченного конуса и снабжен по оси каналом для подвода охлаждающей жидкости.

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для охлаждения полупроводниковых приборов, в том числе приборов большой мощности, имеющих большой диаметр оснований, при естественном охлаждении, и может быть использовано в преобразовательных устройствах

Устройство для охлаждения тепловыделяющей // 389363

Устройство для охлаждения // 405144

// 414657

Вращающееся выпрямительное устройство для бесщеточных генераторов // 420056

Устройство для испарительного охлаждения // 429565

Радиатор // 436408

Многоэлементный полупроводниковый свч-прибор // 1118242

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к полупроводниковым СВЧ-приборам, таким, например, как лавинно-пролетные диоды, применяемым для генерации, усиления, преобразования и умножения сигналов сверхвысоких частот

Теплоотвод (варианты) // 2589942

Изобретение относится к твердотельной электронике, в частности к теплоотводам полупроводниковых приборов повышенной мощности, и может быть использовано в различных теплотехнических устройствах, работающих с большими удельными тепловыми нагрузками. Теплоотвод для охлаждения по крайней мере одного локального источника тепла содержит основание в виде алмазной пластины. На указанном основании закреплена слоистая структура из теплопроводящих пластин. Пластины слоистой структуры расположены параллельно основанию. При этом часть смежных поверхностей указанных пластин имеет тепловой контакт, а в областях между остальными частями этих поверхностей расположено теплоемкое вещество. Технический результат - повышение мощности отводимой от локального источника тепла (полупроводникового прибора) при увеличении времени работы последнего. 8 з.п. ф-лы, 1 ил.

Сборный корпус микросхемы и способ его использования // 2617559

Использование: для монтажа и демонтажа, по крайней мере, одной полупроводниковой микросхемы. Сущность изобретения заключается в том, что корпус микросхемы состоит из фланца и подложки с размещением, по крайней мере, одной микросхемы и подложки на одной стороне фланца, фланец изготавливается из электро- и теплопроводного материала, при этом сборный корпус микросхемы содержит, по крайней мере, одно охлаждающее устройство, а также электрическую изоляцию между выводами, по крайней мере, одной микросхемы и, по крайней мере, одним охлаждающим устройством. Технический результат: обеспечение возможности высокоэффективного отвода тепла. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 2 ил.