Стекло для защиты полупроводниковых приборов
ОПИСАНИ Е
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
258544
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”
Заявлено 21.XI.1966 (¹ 978495/29-33) с присоединением заявки №вЂ”
Приоритет—
Опубликовано ОЗ.XI1.1969. Бюллетень № 1
Дата опубликования описания 29Х1.1970
Кл. 32Ь, 3/10
МПК С 03с
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
УДК 666.112.4(088.8) Авторы изобретения
Т. П. Маркова и Л. С. Смарышева
Заявитель
СТЕКЛО ДЛЯ ЗАЩИТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
Предмет изобретения
Изобретение может быть использовано для защиты активной части полупроводниковых приборов, например кремниевых плана рных транзисторов, от внешних воздействий.
Известно стекло для защиты полупроводниковых приборов, включающее PbO, SiO, В20з, СиО, Т10, А120з
Цель изобретения — повысить химическую устойчивость во влажной атмосфере при повышенных температурах.
Это достигается тем, что оно содержит указанные компоненты в следующих соотношениях (в вес. %): PbO 65 — 72; SiO 14 — 15;
ВвОз 5 — 6; СиО 1 — 13; Ti02 до 0,5; А120з до 0,3 и, кроме того, ZnO 1 — 3; CdO 1 — 4; МпО 1 — 5.
Порошок стекла с размером зерен порядка
0,2 мк сплавляют в стеклянную пленку толщиной 1,5 — 3,0 мк при температуре 500 — 540 С.
При этой температуре за время оплавления покрытия алюминий не проплавляет окисный слой кремния.
Стекло, содержащее (в Bec. %): PbO 72;
SiO 15; В Оз б; ZnO 2; СиО 3; CdO 2; А10з до 0,3; TiO до 0,5; Fe O> до 0,2, имеет температуру оплавления порошка 510 — 520 С, удельное сопротивление при температуре 200 С
10» ол слт, что гарантирует надежную работу прибора при повышенных температурах, коэффициент линейного расширения при температурах 20 — 200 С 74. 10 град 1.
Стекло для защиты полупроводниковых приборов, включающее PbO, SiO>, ВзОз, СиО, 15 TiO>, А1.0,, отличающееся тем, что, с целью повышения химической устойчивости, оно содержит указанные компоненты в следующих соотношениях (в вес. %): PbO 65 — 72; SiO>
14 — 15; ВвОз 5 — 6; СиО 1 — 13; Т10з до 0 5;
20 А1 О. до 0,3 и, кроме того, ZnO 1 — 3; CdO
1 — 4; МпО 1 — 5.
