Способ определения теплового импеданса цифровых кмоп интегральных микросхем



Способ определения теплового импеданса цифровых кмоп интегральных микросхем
Способ определения теплового импеданса цифровых кмоп интегральных микросхем

Владельцы патента RU 2504793:

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет" (RU)

Изобретение предназначено для использования на выходном и входном контроле качества цифровых КМОП интегральных микросхем и оценки их температурных запасов. Сущность: на входы одного или нескольких логических элементов контролируемой микросхемы подают последовательность высокочастотных переключающих греющих импульсов частотой Fгр, модулированных последовательностью прямоугольных видеоимпульсов с постоянным периодом следования Тсл, длительность τр которых изменяется по гармоническому закону с частотой ΩМ. На частоте модуляции ΩМ выделяют и измеряют амплитуду первой гармоники тока, потребляемого контролируемой микросхемой, амплитуду первой гармоники температурочувствительного параметра - выходного напряжения логической единицы того логического элемента, состояние которого не изменяется, и сдвиг фазы φ(ΩМ) между первой гармоникой тока, потребляемого контролируемой микросхемой, и первой гармоникой температурочувствительного параметра. По измеренным величинам определяют модуль и фазу теплового импеданса контролируемой микросхемы на частоте ΩМ. Технический результат: повышение точности измерения. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

 

Изобретение относится к технике измерения параметров интегральных микросхем и может быть использовано для контроля качества цифровых интегральных микросхем на основе КМОП логических элементов (ЛЭ).

Известен способ определения теплового сопротивления цифровых КМОП интегральных микросхем, заключающийся в том, что логическое состояние одного или нескольких ЛЭ контролируемой микросхемы изменяют путем подачи на их входы последовательности переключающих импульсов, частота следования которых увеличивается по линейному закону, измеряют скорость изменения температурочувствительного параметра (ТЧП) того ЛЭ, состояние которого не изменяется, и по скорости изменения ТЧП определяют искомое тепловое сопротивление (см. Патент 2172493 РФ, G01R 31/28, 31/26 / Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус цифровых интегральных микросхем / В.А. Сергеев. - Опубл. 20.08.2001. Бюл. №23, ч.2.). В качестве ТЧП в данном способе используется выходное напряжение логической единицы.

Недостатком известного способа является большая погрешность измерения, обусловленная относительно небольшой модуляцией греющей мощности и малым полезным изменением ТЧП на уровне большого квазистатического значения этого параметра.

Наиболее близким к заявленному изобретению и принятым за прототип является способ определения теплового сопротивления переход-корпус цифровых интегральных микросхем, заключающийся в том, что логическое состояние одного или нескольких ЛЭ контролируемой цифровой КМОП интегральной микросхемы изменяют путем подачи на их входы последовательности переключающих импульсов и измеряют изменение ТЧП того ЛЭ, логическое состояние которого не изменяется, при этом частоту следования переключающих импульсов изменяют (модулируют) по гармоническому закону с периодом на порядок большим тепловой постоянной времени переход-корпус данного типа микросхем, переменную составляющую ТЧП измеряют на частоте модуляции и искомое тепловое сопротивление определяют как отношение амплитуды переменной составляющей ТЧП на частоте модуляции к амплитуде переменной составляющей мощности нагрева на частоте модуляции и температурному коэффициенту ТЧП (см. А.С. 1310754 СССР, МКИ4 G01R 31/28. / Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус цифровых интегральных микросхем / В.А. Сергеев, Г.Ф. Афанасьев, Б.Н. Романов и др. - Опубл. 15.05.87. Бюл. №18). В качестве ТЧП в указанном способе также предлагается использовать выходное напряжение логической единицы.

Недостатком известного способа, принятого за прототип, является большая погрешность измерения, обусловленная малой глубиной модуляции частоты следования переключающих импульсов, достижимой в современных генераторах качающейся частоты, и, соответственно, малой амплитудой переменной составляющей ТЧП.

Технический результат - повышение точности измерения теплового импеданса цифровых КМОП интегральных микросхем.

Технический результат достигается тем, что один из логических элементов контролируемой цифровой КМОП интегральной микросхемы устанавливают в состояние логической единицы, логическое состояния остальных логических элементов контролируемой цифровой КМОП интегральной микросхемы изменяют путем подачи на их входы последовательности переключающих греющих импульсов частотой повторения Fгр, последовательность переключающих греющих импульсов модулируют последовательностью видеоимпульсов с постоянным периодом следования Тсл, длительность τP которых изменяют по гармоническому закону:

с частотой модуляции ΩМ, глубиной модуляции m и средним значеним длительности видеоимпульсов τP0; на частоте модуляции ΩM измеряют амплитуду переменной составляющей тока, потребляемого контролируемой микросхемой, и амплитуду переменной составляющей температурочувствительного параметра - напряжения логической единицы на выходе того логического элемента, логическое состояние которого поддерживается неизменным, измеряют сдвиг фазы между первой гармоникой тока, потребляемого контролируемой микросхемой, и первой гармоникой температурочувствительного параметра на частоте модуляции, а модуль теплового импеданса контролируемой микросхемы на частоте ΩM определяют по формуле:

где KT - известный отрицательный температурный коэффициент температурочувствительного параметра, Unum - напряжение питания контролируемой микросхемы; а фаза теплового импеданса контролируемой микросхемы будет равна сдвинутой на 180° разности фаз между первой гармоникой температурочувствительного параметра и первой гармоникой тока, потребляемого микросхемой.

Отличие предлагаемого технического решения от известного способа состоит в том, что последовательность переключающих греющих импульсов модулируют последовательностью видеоимпульсов с постоянным периодом следования Тсл, длительность τР которых изменяют по гармоническому закону. Технический результат - повышение точности измерения теплового импеданса - достигается за счет увеличения полезного сигнала в результате увеличения глубины модуляции греющей мощности по сравнению с достижимой в известных способах; в предлагаемом способе глубина модуляции греющей мощности может быть сделана близкой к 1.

Сущность предлагаемого изобретения поясняется чертежами, где на фиг.1 показаны эпюры измерительных воздействий и сигналов, а на фиг.2 - структурная схема варианта устройства, реализующего способ.

Периодическую последовательность переключающих импульсов частотой повторения Fгр (фиг.1,а), подаваемых на входы разогреваемых ЛЭ цифровой КМОП интегральной микросхемы, модулируют видеоимпульсами с постоянным периодом следования Тсл, длительность τР которых изменяют по гармоническому закону (1) с частотой ΩM и глубиной модуляции m (фиг.1,б). Период следования видеоимпульсов выбирается из условия . В результате на вход разогреваемых ЛЭ цифровой КМОП интегральной микросхемы подаются пачки переключающих греющих импульсов (фиг.1,б).

За время переключения ЛЭ микросхемы из одного логического состояния в другое через полевые транзисторы ЛЭ протекают токи заряда и разряда емкости нагрузки СH, которые вызывают их нагрев (см. Тилл, У. Интегральные схемы. Материалы, приборы, изготовление; пер. с англ. / У. Тилл, Дж. Лаксон. - М.: Мир, 1985. - С.474-475). Средняя греющая мощность Ргр, выделяемая в КМОП ЛЭ при их переключении с частотой Fгр, будет равна:

где k - число переключаемых ЛЭ, Unum - напряжение питания микросхемы. Определить величину Ргр можно, зная напряжение питания и измерив средний ток, потребляемый микросхемой из источника питания за время действия переключающих импульсов:

Таким образом, во время действия пачки переключающих греющих импульсов средняя за период Тгр мощность Ргр, выделяющаяся в микросхеме, будет постоянной (фиг.1,в), то есть микросхема будет разогреваться последовательностью импульсов мощности постоянной амплитуды Ргр, длительность τР которых изменяется по гармоническому закону (1). Ряд Фурье последовательности импульсов амплитудой Ргр, широтно-импульсно модулированной по гармоническому закону (1), имеет вид

где Pm1=2mРгрτP0/Тсл - амплитуда первой гармоники изменения греющей мощности на частоте модуляции ΩM, Р0=PгрτP0/Тсл - постоянная составляющая греющей мощности; Вi(t) - огибающая гармоники на частоте i·Fгр; Δφi=i·FгрΔτP - индекс модуляции ШИМ, ΔτР=2mτР0 - девиация фронта импульса (см., например, Системы передачи информации с временным разделением каналов. Лабораторная работа №11 [Электронный ресурс] /www.mpei.ru/Exp/getparm_AU.asp?parmvalueid:=4000070000889)

Известно, что в приближении одномерного теплового потока тепловая эквивалентная схема интегральной микросхемы может быть представлена линейной электрической цепью, представляющей n последовательно соединенных RС-цепочек (Сергеев В.А. Методы и средства измерения тепловых параметров полупроводниковых приборов и интегральных схем // Электронная промышленность. - 2004. - №1. - С.45-48). При разогреве интегральной микросхемы переменной мощностью спектр температуры активной области микросхемы может быть представлен в виде

где - тепловой импеданс интегральной микросхемы, P(Ω) - спектр греющей интегральную микросхему мощности, RTi, τTi - тепловое сопротивление и тепловая постоянная времени соответствующего слоя конструкции интегральной микросхемы, φ(Ω) - фаза теплового импеданса, равная разности фаз между переменной составляющей температуры и переменной составляющей греющей мощности на частоте изменения мощности.

В приближении одномерной линейной тепловой модели интегральной микросхемы через некоторое время, превышающее три тепловых постоянных времени τTn-к переход-корпус интегральной микросхемы (t>3τTn-к), после начала модуляции последовательности переключающих греющих импульсов последовательностью видеоимпульсов с периодом следования Тсл и длительностью, изменяющейся по гармоническому закону с частотой ΩM, в интегральной микросхеме установится регулярный режим и температура Θ(t) активной области интегральной микросхемы будет пульсировать относительно некоторого значения , изменяющегося по гармоническому закону с частотой ΩM модуляции греющей мощности (фиг.1,г):

где φ - сдвиг фаз между переменной составляющей греющей мощности и переменной составляющей температуры активной области интегральной микросхемы, - среднее значение температуры, θm(ΩM) - амплитуда гармонической составляющей температуры на частоте ΩM модуляции греющей мощности. При выполнении условия τТп-к>>Tсл величина пульсаций δΘ(t) температуры активной области интегральной микросхемы будет во много раз меньше Θm: δΘ(t)<<Θm (см., например, Давидов П.Д. Анализ и расчет тепловых режимов полупроводниковых приборов. - М.: Энергия, 1967. - С.100÷116).

Поскольку выходное напряжение логической единицы ЛЭ, выбранного в качестве датчика температуры цифровой КМОП интегральной микросхемы, линейно зависит от температуры с отрицательным температурным коэффициентом КТ, то это напряжение будет повторять (с обратным знаком) изменение температуры активной области цифровой КМОП интегральной микросхемы (фиг.1,д), а амплитуда первой гармоники этого напряжения с учетом (6) будет равна:

Откуда и получаем выражение для модуля теплового импеданса:

Для увеличения полезного сигнала и повышения точности измерения теплового импеданса частоту следования Fгр переключающих греющих импульсов рекомендуется выбирать вблизи предельной частоты для конкретного типа микросхем. При этом, очевидно, амплитуда греющей мощности и тока, потребляемого микросхемой от источника питания, во время действия пачки переключающих греющих импульсов будет различной для разных образцов микросхем одного типа и их необходимо измерять.

С целью упрощения измерительной процедуры амплитуду переменной составляющей тока, потребляемого микросхемой от источника, на частоте модуляции можно изменять путем изменения частоты переключающих импульсов и устанавливать на одном для всех контролируемых образцов микросхем уровне. Если этот уровень выбрать из условия , то есть , где ν - целое число, то значение амплитуды ТЧП на частоте модуляции будет равно модулю теплового импеданса в выбранной системе единиц с точностью до десятичного множителя.

На фиг.2 представлена структурная схема одного из вариантов устройства, реализующего способ. Устройство содержит генератор 1 высокочастотных переключающих импульсов; генератор 2 прямоугольных видеоимпульсов с длительностью, изменяющейся по гармоническому закону; временной селектор 3; источник 4 питания; контролируемую микросхему 5, размещенную на теплоотводе; токосъемный резистор 6 с сопротивлением RI·, конденсаторы нагрузки 7 емкостью Сн, переключатель 8, резистор нагрузки 9 с сопротивлением RH; два селективных вольтметра 10 и 11 и измеритель 12 разности фаз. При этом выход генератора 1 высокочастотных переключающих импульсов соединен с первым входом временного селектора 3, второй вход которого соединен с выходом генератора 2 прямоугольных видеоимпульсов с длительностью, изменяющейся по гармоническому закону, положительный полюс источника 4 питания соединен с соответствующим контактным выводом контролируемой микросхемы 5, а отрицательный полюс источника питания соединен с общей шиной устройства через токосъемный резистор 6 с сопротивлением RI, выход временного селектора 3 соединен со входами нескольких ЛЭ контролируемой микросхемы 5; к выходам этих ЛЭ подключены конденсаторы 7 нагрузки емкостью Сн, вход одного из ЛЭ контролируемой микросхемы в зависимости от его типа подключается с помощью переключателя 8 либо к общей шине устройства, либо к положительному полюсу источника питания, а к выходу этого ЛЭ подключены резистор нагрузки 9 и первый селективный вольтметр 10, а вход второго селективного вольтметра 11 соединен с контактным выводом контролируемой микросхемы, предназначенным для подключения отрицательного полюса источника питания, при этом линейные выходы селективных вольтметров соединены со входами измерителя 12 разности фаз.

Устройство работает следующим образом. На контролируемую микросхему подается напряжение питания Unum. По сигналу «Пуск» запускаются генератор 1 высокочастотных переключающих импульсов и генератор 2 прямоугольных видеоимпульсов с длительностью, изменяющейся по гармоническому закону, импульсы с выхода генератора 1 высокочастотных переключающих импульсов подаются на один из входов временного селектора 3, на второй вход которого подаются импульсы с выхода генератора 2 прямоугольных видеоимпульсов с длительностью, изменяющейся по гармоническому закону; с выхода временного селектора 3 пачки высокочастотных переключающих импульсов поступают на входы нескольких ЛЭ контролируемой микросхемы 5; один из ЛЭ контролируемой микросхемы устанавливают в состояние логической единицы на выходе путем подключения с помощью переключателя 8 в зависимости от типа ЛЭ либо к общей шине, либо к положительному полюсу источника питания, напряжение логической единицы с выхода этого ЛЭ подается на вход первого селективного вольтметра 10, настроенного на частоту модуляции; напряжение с токосъемного резистора 6, пропорциональное току, потребляемому контролируемой микросхемой, подается на вход второго селективного вольтметра 11, также настроенного на частоту модуляции; сигналы с линейных выходов первого селективного вольтметра 10 и второго селективного вольтметра 11 подаются на первый и второй входы измерителя 12 разности фаз соответственно; через некоторое время после начала модуляции высокочастотных переключающих импульсов регистрируются показание UCB1 первого селективного вольтметра 10, которое равно амплитуде первой гармоники температурочувствительного параметра , и показание UCB2 второго селективного вольтметра 11, которое пропорционально первой гармонике тока, потребляемого контролируемой микросхемой и по показаниям селективных вольтметров вычисляют модуль теплового импеданса:

а показания измерителя разности фаз Δφ после вычитания 180° равны фазе теплового импеданса:

Для исключения влияния сопротивления токосъемного резистора на результат измерения температурочувствительного параметра это сопротивление необходимо выбирать как можно меньше, исходя из порога чувствительности селективного вольтметра, либо проводить измерение ТЧП при закороченном токосъемном резисторе.

1. Способ определения теплового импеданса цифровых КМОП интегральных микросхем, состоящий в том, что логическое состояние одного или нескольких логических элементов контролируемой микросхемы изменяют путем подачи на их входы последовательности переключающих греющих импульсов, параметры последовательности модулируют по гармоническому закону, на частоте модуляции измеряют амплитуду переменной составляющей температурочувствительного параметра - напряжения логической единицы на выходе того логического элемента, логическое состояние которого поддерживается неизменным, отличающийся тем, что последовательность переключающих греющих импульсов напряжения модулируют последовательностью видеоимпульсов с постоянным периодом следования, длительность τP которых изменяют по гармоническому закону
τP=τP0(1+msinΩMt),
с частотой модуляции ΩМ, глубиной модуляции m и средним значением τP0; на частоте модуляции ΩМ выделяют и измеряют амплитуду переменной составляющей тока, потребляемого контролируемой микросхемой, и амплитуду переменной составляющей температурочувствительного параметра, а также разность фаз φ(ΩМ) между первой гармоникой тока, потребляемого контролируемой микросхемой, и первой гармоникой температурочувствительного параметра; модуль теплового импеданса контролируемой микросхемы на частоте Ω определяют по формуле

где KТ - известный отрицательный температурный коэффициент электрического температурочувствительного параметра, Unum - напряжение питания контролируемой микросхемы; а фаза φТ(ΩМ) теплового импеданса контролируемой микросхемы равна сдвинутой на 180° разности фаз между первой гармоникой температурочувствительного параметра и первой гармоникой тока, потребляемого микросхемой.

2. Способ определения теплового импеданса цифровых КМОП интегральных микросхем по п.1, отличающийся тем, что амплитуду переменной составляющей тока, потребляемого микросхемой от источника питания, на частоте модуляции путем изменения частоты переключающих греющих импульсов устанавливают равной , где ν - целое число, при этом значение амплитуды температурочувствительного параметра на частоте модуляции будет равно модулю теплового импеданса в выбранной системе единиц с точностью до десятичного множителя 10-ν.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к способам испытаний полупроводниковых приборов на стойкость к воздействию тяжелых заряженных частиц различных энергий космического пространства.
Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и может быть использовано при создании и многократном регулировании сопротивления металлических перемычек, соединяющих электроды твердотельных приборов, работа которых основана на полярнозависимом электромассопереносе в кремнии (ПЭМП).

Изобретение относится к технике измерения параметров интегральных микросхем и может быть использовано для контроля качества цифровых интегральных микросхем на основе КМОП логических элементов (ЛЭ).

Изобретение относится к области приборостроения и может быть использовано в контрольно-поверочной аппаратуре, для измерения технических параметров аварийных радиомаяков и радиобуев.

Изобретение относится к области электронной техники, в частности предназначено для разбраковки КМОП микросхем, изготовленных на КНД ("кремний на диэлектрике") структурах, по радиационной стойкости.

Изобретение относится к испытательной технике и может быть использовано для диагностики функционирования микросхем оперативной памяти во всех отраслях микроэлектроники и радиотехники.

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике. .

Изобретение относится к области электротехники и может использоваться в источниках питания для исключения в них коротких замыканий при «пробое» тиристоров и сохранения выходного напряжения.

Изобретение относится к области электронной техники, в частности предназначено для отбраковки КМОП микросхем, изготовленных на КНД (кремний на диэлектрике) структурах, по радиационной стойкости.

Изобретение относится к измерительной технике и может применяться для исследования измерительных характеристик и контроля точности работы измерительного устройства многоточечных измерительных систем с входной коммутацией датчиков. Предлагается способ контроля работоспособности многоточечной измерительной системы с входной коммутацией датчиков, заключающийся в том, что к входу коммутатора датчиков подключают формирователь ступеней имитатора сигналов датчиков, соответствующий типу подключаемых датчиков, и измеряют сигналы этого формирователя, по измеренным сигналам формирователя и их известным физическим значениям вычисляют функцию преобразования системы, затем к коммутатору датчиков подсоединяют соответствующий типу подключаемых датчиков второй формирователь ступеней имитатора сигналов датчиков, физические значения сигналов которого заранее известны, измеряют сигналы этого формирователя, по результатам этих измерений и вычисленной функции преобразования системы вычисляют значения сигналов второго формирователя ступеней имитатора и определяют разности с известными их значениями, по величине этих разностей оценивают степень работоспособности системы. Применение изобретения позволит упростить способ контроля, повысить надежность контроля работоспособности измерительного устройства для обеспечения измерения сигналов датчиков с заданной точностью и сократить время подготовки к проведению измерений многоточечной измерительной системы с входной коммутацией датчиков. 1 ил.

Способ предназначен для использования на выходном и входном контроле качества сверхбольших интегральных схем (СБИС) - микропроцессоров и микроконтроллеров - и оценки их температурных запасов. В контролируемую СБИС, установленную на теплоотводе и подключенную к источнику питания, загружают специальный «разогревающий» тест и программу управления и включают в режим периодического нагрева путем переключения контролируемой СБИС из режима выполнения специального теста в режим паузы с частотой Ω и скважностью 2. На частоте модуляции Ω выделяют и измеряют амплитуду I m 1 п о т ( Ω ) первой гармоники тока, потребляемого контролируемой СБИС, амплитуду U m 1 Т П ( Ω ) первой гармоники температурочувствительного параметра с известным отрицательным температурным коэффициентом KT, например, напряжения на встроенном в ядро СБИС р-n переходе или напряжения логической единицы на одном из нагруженных резистивной нагрузкой выводов СБИС, логическое состояние которого не изменяется при переключении СБИС из одного режима в другой, и сдвиг фазы φ(Ω) между первой гармоникой тока, потребляемого контролируемой СБИС, и первой гармоникой температурочувствительного параметра. Модуль теплового импеданса контролируемой СБИС на частоте Ω определяют по формуле: | Z T ( Ω ) | = U m 1 Т П ( Ω ) K T U п и т I m 1 п о т ( Ω ) , где Uпит - напряжение питания контролируемой БИС, а фазу φT(Ω) теплового импеданса контролируемой СБИС определяют как уменьшенную на 180° разность фаз между первой гармоникой температурочувствительного параметра и первой гармоникой тока, потребляемого контролируемой СБИС. 2 ил.

Изобретение относится к области приборостроения и может быть использовано для измерения температуры активной области светоизлучающих диодов. Заявлен cпособ измерения переходных тепловых характеристик светоизлучающих диодов (СИД), при котором инжекционный ток подают в виде последовательности импульсов нарастающей длительности с периодом между импульсами, достаточными для остывания активной области и не менее времени считывания сигнала с выхода фотоприемной линейки. Далее на СИД подают постоянный инжекционный ток и измеряют спектр излучения в заданные моменты времени в течение цикла измерения вплоть до полного разогрева СИД. В устройстве для реализации способа последовательно соединены генератор инжекционного тока, светоизлучающий диод, электрооптический затвор, монохроматор и приемно-преобразовательный блок, включающий в качестве фотоприемного устройства многоэлементную фотоприемную линейку, первый и второй генераторы импульсов, АЦП и микроконтроллер. Управляющие выходы микроконтроллера соединены с входом генератора инжекционного тока и с входом первого генератора импульсов, выход которого соединен с управляющими входами электрооптического затвора и второго генератора импульсов, выходы которого соединены с управляющими входами фотоприемного устройства и АЦП. Технический результат - повышение точности определения переходных тепловых характеристик светоизлучающих диодов. 2 н.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам испытаний интегральных схем (ИС) на коррозионную стойкость. Сущность: перед испытанием ИС проводят проверку внешнего вида, электрических параметров и проверку герметичности, нагревают до температуры плюс 125°С со скоростью не более 100°С/мин, выдерживают при этой температуре 1 ч, резко охлаждают до минус 55°С со скоростью не более 100°С/мин, выдерживают при данной температуре 0,5 ч, плавно нагревают до плюс 2°С в течение 1 ч. и выдерживают в течение 0,5 ч. Проводят не менее 16 непрерывно следующих друг за другом циклов по 3 ч каждый. Технический результат: повышение объективности оценки наличия влаги внутри корпуса ИС. 1 ил.

Изобретение относится к технике испытаний и может быть использовано при наземной экспериментальной отработке радиоэлектронной аппаратуры космических аппаратов в диапазоне давлений окружающей среды от атмосферного до соответствующего глубокому вакууму. Технический результат - повышение достоверности испытаний элементов радиоэлектронной аппаратуры на стойкость к дугообразованию при выходе из строя электрорадиотехнического изделия внутри радиоэлектронной аппаратуры, приводящего к инициированию первичного дугового разряда и способного приводить к вторичным самоподдерживающимся дугам при недостаточной стойкости испытываемого элемента аппаратуры. Питание первичного дугового разряда, горящего в промежутке между электродами, осуществляется с использованием напряжения, равного напряжению бортовой кабельной сети космического аппарата, а инициирование разряда осуществляется путем электрического пробоя промежутка высоковольтным импульсом напряжения, длительность которого не превышает времени прохождения плазменным фронтом расстояния от места инициирования разряда до крайней точки электродов, обращенной в сторону испытываемого элемента. 2 ил.

Изобретение относится к области тестирования дискретных объектов большой размерности. Техническим результатом является повышение глубины локализации неисправностей. Устройство содержит m n-разрядных многовходовых сигнатурных анализаторов (СА строк), входы которых соединены со всеми mn выходами одновыходных блоков проверяемого объекта, n m-разрядных многовходовых сигнатурных анализаторов (СА столбцов), входы которых соединены со входами СА строк так, что j-e входы (j=1,…, n) всех m СА строк соединены со всеми m входами j-го СА столбцов. 1 ил.

Изобретение относится к измерительной технике, представляет собой устройство для определения исправности полупроводниковых диодов и может быть использовано для автоматического бесконтактного контроля технического состояния мостовых диодных выпрямителей. Устройство содержит два датчика напряженности внешнего магнитного поля, размещенных на токопроводе первичной обмотки трансформатора выпрямителя и на токопроводе нагрузки выпрямителя соответственно, два узкополосных фильтра, настроенные на частоты 2ω и ω соответственно, три компаратора, настроенные на разные уровни срабатывания, логические элементы И-НЕ и И, индикаторы «обрыв» и «пробой». Техническим результатом является повышение надежности работы устройства за счет исключения влияния положения оси чувствительности датчика напряженности внешнего магнитного поля и исключения возможности ложных срабатываний устройства. 1 ил., 1 табл.

Изобретение относится к технике измерения параметров элементов электрических цепей и может быть использовано для измерения параметров элементов многоэлементных двухполюсников, в том числе параметров элементов эквивалентных схем замещения полупроводниковых приборов. На контролируемый n-элементный двухполюсник подают напряжение в виде случайного сигнала, имеющего равномерный амплитудный спектр в диапазоне частот, перекрывающем диапазон частот, за пределами которого модуль импеданса двухполюсника можно считать не зависящим от частоты с заданной погрешностью. На образцовом резисторе, включенном последовательно с двухполюсником, измеряют напряжение, пропорциональное току двухполюсника. По двум параллельным каналам записывают в память ЭВМ временные реализации сигналов, подаваемого на двухполюсник и снимаемого с образцового резистора, после чего рассчитывают спектральные плотности напряжения и тока, рассчитывают частотные зависимости модуля и фазы импеданса двухполюсника, определяют характерные частоты. Составляют и решают систему из n уравнений относительно параметров эквивалентной схемы замещения n-элементного линейного двухполюсника. Технический результат заключается в сокращении времени измерения параметров эквивалентных схем замещения многоэлементных линейных двухполюсников. 2 ил.

Использование: для контроля качества цифровых интегральных микросхем КМОП логическими элементами и оценки их температурных запасов. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает подачу напряжения на контролируемую микросхему, переключение логического состояния греющего логического элемента последовательностью периодических импульсов, измерение изменения температурочувствительного параметра, определение теплового сопротивления, при этом греющий логический элемент переключается высокочувствительными импульсами, а в качестве температурочувствительного параметра используют длительность периода следования низкочастотных импульсов, генерируемых мультивибратором, и мультивибратор состоит из логического элемента контролируемой микросхемы и логического элемента образцовой микросхемы, работающей вместе с пассивными элементами мультивибратора при неизменной температуре. Технический результат: обеспечение возможности уменьшения времени измерения и погрешности измерения температурочувствительного параметра. 2 ил.

Изобретение относится к технике измерения тепловых параметров полупроводниковых приборов и интегральных микросхем и может быть использовано для контроля качества и оценки температурных запасов цифровых интегральных микросхем на выходном и входном контроле. Сущность: нечетное число (n>1) логических элементов контролируемой микросхемы соединяют по схеме кольцевого генератора. Замыкая цепь обратной связи кольцевого генератора на некоторое время цикла измерения, включают режим генерации высокочастотных импульсов, что приводит к нагреву микросхемы. В качестве температурочувствительного параметра измеряют частоту следования импульсов кольцевого генератора в начале fнач и в конце fкон цикла измерения. Измеряют средний ток, потребляемый микросхемой от источника питания. Определяют тепловое сопротивление переход-корпус по формуле: , где Δf=fнач-fкон - изменение частоты следования импульсов кольцевого генератора; - средний ток, потребляемый контролируемой микросхемой за время цикла измерения; Епит - напряжение питания микросхемы, Кf - температурный коэффициент частоты следования импульсов кольцевого генератора. Технический результат: уменьшение погрешности измерения. 2 ил.
© Патентный поиск, поиск патентов на изобретения - FindPatent.RU 2012-2024
Политика конфиденциальности 2014-01-20 2014-01-17T17:35:11
Наверх