Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой заданной чувствительности и датчик вакуума на его основе



Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой заданной чувствительности и датчик вакуума на его основе
Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой заданной чувствительности и датчик вакуума на его основе
Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой заданной чувствительности и датчик вакуума на его основе
Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой заданной чувствительности и датчик вакуума на его основе
Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой заданной чувствительности и датчик вакуума на его основе
Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой заданной чувствительности и датчик вакуума на его основе
Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой заданной чувствительности и датчик вакуума на его основе
Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой заданной чувствительности и датчик вакуума на его основе
Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой заданной чувствительности и датчик вакуума на его основе
Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой заданной чувствительности и датчик вакуума на его основе
Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой заданной чувствительности и датчик вакуума на его основе
Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой заданной чувствительности и датчик вакуума на его основе
Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой заданной чувствительности и датчик вакуума на его основе

 


Владельцы патента RU 2505885:

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пензенский государственный университет" (ПГУ) (RU)

Изобретение относится к измерительной технике. В способе изготовления датчика вакуума с наноструктурой получают гетероструктуру из различных материалов, в которой формируют тонкопленочный полупроводниковый резистор, после чего ее закрепляют в корпусе датчика, а контактные площадки соединяют с выводами корпуса при помощи контактных проводников. Тонкопленочный полупроводниковый резистор формируют в виде сетчатой наноструктуры (SiO2)100%-x(SnO2)x. Массовую долю компонента х определяют (задают) в интервале 50%≤х≤90% путем нанесения золя ортокремниевой кислоты, содержащего гидроксид олова, на подложку из кремния с помощью центрифуги и последующим отжигом. Золь приготавливают в два этапа, на первом этапе смешивают тетраэтоксисилан и этиловый спирт, затем на втором этапе в полученный раствор вводят дистиллированную воду, соляную кислоту (HCl) и двухводный хлорид олова (SnCl2·2H2O). Изобретение обеспечивает повышение чувствительности датчика вакуума. 2 н.п. ф-лы, 10 ил.

 

Предлагаемое изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении датчиков вакуума для измерения давления разреженного газа в вакуумных установках различного назначения.

Известны датчики вакуума, содержащие проволочный резистор, выполняющий функции чувствительного элемента, и способы их изготовления [1, 2].

Известны датчики давления на основе нано- и микроэлектромеханических систем, содержащие тонкопленочный резистор, и способы их изготовления [3, 4]. Их общим недостатком является недостаточно высокая чувствительность в области низкого вакуума.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому решению является способ изготовления датчика вакуума с применением полупроводниковой пленки и датчик вакуума на его основе [5]. Он заключается в том, что образуют гетероструктуру из различных материалов, в которой формируют тонкопленочный полупроводниковый резистор (который может быть наноструктурой), после чего ее закрепляют в корпусе датчика, а контактные площадки соединяют с выводами корпуса при помощи контактных проводников. Датчик вакуума, изготовленный таким способом, содержит корпус, тонкопленочный полупроводниковый резистор (который может быть наноструктурой), контактные площадки, контактные проводники, выводы корпуса.

Недостатком такого способа и датчика вакуума на его основе является относительно низкая чувствительность при измерении давлений в области низкого вакуума. Кроме того, недостатком является отсутствие возможности изготавливать датчик с заданной чувствительностью и максимально возможной чувствительностью.

Техническим результатом изобретения является повышение чувствительности датчика вакуума, получение возможности изготавливать датчик вакуума с заданной и максимально возможной чувствительностью.

Это достигается тем, что в известном способе изготовления датчика вакуума с наноструктурой, заключающемся в том, что образуют гетероструктуру из различных материалов, в которой формируют тонкопленочный полупроводниковый резистор, после чего ее закрепляют в корпусе датчика, а контактные площадки соединяют с выводами корпуса при помощи контактных проводников, в соответствии с предлагаемым изобретением тонкопленочный полупроводниковый резистор формируют в виде сетчатой наноструктуры (SiO2)100%-x(SnO2)x, массовую долю компонента x которой перед этим определяют (задают) в интервале 50%≤х≤90%, путем нанесения золя ортокремниевой кислоты, содержащего гидроксид олова, на подложку из кремния с помощью центрифуги и последующим отжигом, который приготавливают в два этапа, на первом этапе смешивают тетраэтоксисилан и этиловый спирт, затем на втором этапе в полученный раствор вводят дистиллированную воду, соляную кислоту (HCl) и двухводный хлорид олова (SnCl2·2H2O).

В данном способе изготовления датчика вакуума с наноструктурой, в соответствии с предлагаемым изобретением, массовую долю компонента x в интервале 50%≤х≤90% определяют (выбирают) исходя из зависимости концентрации диоксида олова (SnO2) от чувствительности S по соотношению:

где S - чувствительность в %, которая задается в пределах от 16,74% до 35,70%; x - массовая доля SnO2 в %, а необходимые объем VТЭОС тетраэтоксисилана, объем этанола (Vэтанола), объем дистиллированной воды (Vводы) и массу двухводного хлорида олова (SnCl2·2H2O) для приготовления золя ортокремниевой кислоты, содержащего гидроксид олова, определяют по соотношениям:

где - масса диоксида олова (SnO2) в мг; x - массовая доля SnO2 в %.

В этом способе изготовления датчика вакуума с наноструктурой в соответствии с предлагаемым изобретением на первом этапе приготовления золя смешивают тетраэтоксисилан (ТЭОС) и этиловый спирт (95%) в соотношении 1:1,047 при комнатной температуре и выдерживают определенное время, а на втором этапе в полученный раствор вводят дистиллированную воду в соотношении 1:0,323,соляную кислоту (HCl) в соотношении 1:0,05, двухводный хлорид олова (SnCl2·2H2O) в соотношении 1:2,262 и перемешивают определенное время, где за единицу принят объем ТЭОС.

В таком способе изготовления датчика вакуума с наноструктурой в соответствии с предлагаемым изобретением на первом этапе приготовления золя после смешивания тетраэтоксисилана и этилового спирта смесь выдерживают в течение 30 минут до перехода ко второму этапу, а на втором этапе после введения дистиллированной воды, соляной кислоты (HCl) и двухводного хлорида олова (SnCl2·2H2O) смесь перемешивают в течение 60 минут.

В таком способе изготовления датчика вакуума с наноструктурой в соответствии с предлагаемым изобретением золь ортокремневой кислоты, содержащий гидрооксид олова, наносят на подложку из кремния (Si) с помощью центрифуги с использованием дозатора при скорости вращения центрифуги 3000 об/мин в течение 2 минут, а отжиг осуществляют при температуре 600°С в течение 30 минут в воздушной среде.

При этом датчик вакуума с наноструктурой, изготовленный по предлагаемому способу, содержит корпус, установленную в нем гетерогенную структуру из тонких пленок материалов, образованную на подложке из полупроводника, тонкопленочный полупроводниковый резистор и контактные площадки к нему, сформированные в гетерогенной структуре, выводы корпуса и контактные проводники, соединяющие контактные площадки с выводами корпуса, в соответствии с предлагаемым изобретением полупроводниковый резистор изготовлен в виде сетчатой наноструктуры на основе золя ортокремниевой кислоты, содержащего гидроксид олова, на подложке из кремния с помощью центрифуги и последующим отжигом, который приготовлен в два этапа, на первом этапе смешивался тетраэтоксисилан и этиловый спирт, а на втором этапе в полученный раствор вводились дистиллированная вода, соляная кислота (HCl) и двухводный хлорид олова (SnCl2·2H2O), причем массовая доля компонента x в интервале 50%≤х≤90% определена (задана) исходя из зависимости концентрации диоксида олова (SnO2) от чувствительности S по соотношению (1):

,

где S - чувствительность в %, которая задается в пределах от 16,74% до 35,70%; x - массовая доля SnO2 в %, а необходимые объем VТЭОС тетраэтоксисилана, объем этанола (Vэтанола), объем дистиллированной воды (Vводы) и массу двухводного хлорида олова (SnCl2·2H2O) для приготовления золяортокремниевой кислоты, содержащего гидроксид олова, определяют соотношениям (2-5):

,

,

,

,

где - масса диоксида олова (SnO2) в мг; x - массовая доля SnO2 в %.

Кроме того, в датчике вакуума с наноструктурой, изготовленной по предлагаемому способу, содержащем корпус, установленную в нем гетерогенную структуру из тонких пленок материалов, образованную на подложке из полупроводника, тонкопленочный полупроводниковый резистор и контактные площадки к нему, сформированные в гетерогенной структуре, выводы корпуса и контактные проводники, соединяющие контактные площадки с выводами корпуса, в соответствии с предлагаемым изобретением полупроводниковый резистор изготовлен в виде сетчатой наноструктуры на основе золя ортокремниевой кислоты, содержащего гидроксид олова, на подложке из кремния с помощью центрифуги и последующим отжигом, который приготовлен в два этапа, на первом этапе смешивался тетраэтоксисилан и этиловый спирт, а на втором этапе в полученный раствор вводились дистиллированная вода, соляная кислота (HCl) и двухводный хлорид олова (SnCl2·2H2O), причем тетраэтоксисилан и этиловый спирт в соотношении 1:1,047, дистиллированная вода в соотношении 1:0,323,соляная кислота (HCl) в соотношении 1:0,05, двухводный хлорид олова (SnCl2·2H2O) в соотношении 1:2,262.

На фиг.1 показана конструкция датчика вакуума, который изготавливается по предлагаемым способам. Датчик вакуума содержит корпус 1 (фиг.1), гетерогенную структуру 2 (из тонких пленок материалов), в которой сформирован тонкопленочный полупроводниковый резистор 3 (наноструктура), контактные площадки 4, контактные проводники 5, выводы корпуса 6, штуцер 7, изоляторы 8, подложку 9 (из кремния).

Согласно предлагаемого способа золь ортокремниевой кислоты, содержащий гидроксид олова, приготавливают в два этапа для нанесения на подложку 9 из кремния (фиг.1). На первом этапе смешивают тетраэтоксисилан и этиловый спирт, смесь выдерживают в течение 30 минут до перехода ко второму этапу. Время выдержки установлено исходя из времени протекания реакции обменного взаимодействия между тетраэтоксисиланом и этиловым спиртом, в результате которой образуется этиловый эфир ортокремневой кислоты. На втором этапе после введения дистиллированной воды, соляной кислоты (HCl) и двухводного хлорида олова (SnCl2·2H2O) смесь перемешивают в течение 60 минут. Время процесса установлено исходя из времени протекания реакции гидролиза эфира, в результате которой образуется ортокремневая кислота. А также, исходя из того, что за это же время на этом этапе происходит образование гидроксида олова (Sn(OH)2) и протекает реакция поликонденсации ортокремневой кислоты.

Золь ортокремневой кислоты, содержащий гидрооксид олова, наносят на подложку 9 (фиг.1) из кремния (Si) с помощью центрифуги с использованием дозатора при скорости вращения центрифуги 3000 об/мин в течение 2 минут. Использование таких режимов центрифуги позволяет достичь необходимой толщины, равномерности и сетчатой наноструктуры пленки (SiO2)100%-x(SnO2)x (тонкопленочного полупроводникового резистора 3), а также частично удалить растворитель из этой пленки.

В качестве подложки из кремния (Si) могут быть использованы пластины кремния КЭФ (111) толщиной 200-300 мкм не окисленные и окисленные промышленным способом в кислороде. Последние имеют окисный слой SiO2, толщина которого около 800 нм.

Отжиг осуществляют при температуре 600°С в течение 30 минут в воздушной среде. Использование таких параметров процесса позволяет окончательно удалить растворитель из пор на поверхности и в объеме пленки, а также осуществить реакции по разложению ортокремневой кислоты (Si(OH)4) до диоксида кремния (SiO2) и гидроксида олова (Sn(OH)4) до диоксида олова (SnO2).

Наличие окисного слоя SiO2 на поверхности подложки из Si не препятствует электрическому соединению тонкопленочного полупроводникового резистора 3 (фиг.1), выполненного в виде сетчатой наноструктуры (SiO2)100%-x(SnO2)x, с полупроводниковой подложкой 9. При изготовлении контактных площадок 4 к такому резистору из Ag путем вжигания при температуре 600°С обеспечивается электрическое соединение тонкопленочного полупроводникового резистора 3 и подложки 9 в местах контактных площадок 4. То есть тонкопленочный полупроводниковый резистор 3 оказывается параллельно включенным полупроводниковому резистору, в качестве которого выступает полупроводниковая подложка 9. При этом тонкий окисный слой SiO2 является одной из пленок материалов гетерогенной структуры 2 (фиг.1).

Датчик вакуума работает следующим образом. Тонкопленочный полупроводниковый резистор 3 при помощи выводов корпуса 6 включают в мостовую измерительную цепь (мост) в качестве одного из ее плеч, с помощью подстроечного резистора (не показан) мост балансируют (показания измерительного прибора устанавливают на нуль при начальном давлении, выбранном за точку отсчета).

При увеличении или уменьшении давления в корпусе датчика вакуума увеличивается или уменьшается (соответственно) количество молекул газа, которые участвуют в теплообмене. Если количество молекул газа уменьшается (вследствие уменьшения давления), уменьшается теплоотдача от гетерогенной структуры 2 и тонкопленочного полупроводникового резистора 3 (сформированного в ней). Их температура нагрева увеличивается, следовательно, уменьшается сопротивление тонкопленочного полупроводникового резистора 3 (сопротивление полупроводников уменьшается с повышением температуры).

Так как тонкопленочный полупроводниковый резистор 3 включают в мостовую измерительную цепь, то с изменением давления происходит ее разбаланс, который является функцией давления.

Поскольку тонкопленочный полупроводниковый резистор 3 изготовлен по предлагаемому способу в виде сетчатой наноструктуры (SiO2)100%-x(SnO2)x на основе золя ортокремниевой кислоты, содержащего гидроксид олова, на подложке из кремния, то с уменьшением давления в сетчатой наноструктуре (SiO2)100%-x(SnO2)x (с массовой долей компонента х интервале 50%≤x≤90%) происходит процесс десорбции газов, в частности кислорода, приводящий к уменьшению сопротивления тонкопленочного полупроводникового резистора 3. Дополнительное приращение к изменению сопротивления резистора повышает чувствительность в диапазоне низкого вакуума.

Сетчатая наноструктура (SiO2)100%-x(SnO2)x (сетка) в указанном интервале 50%≤х≤90% представляет собой зерна диоксида олова (SnO2), заключенные в диэлектрическую матрицу диоксида кремния (SiO2), размер которых соизмерим с размерами области пространственного заряда (длиной экранирования Дебая). Наличие в такой сетке захваченных из окружающей среды атомов газа, в частности кислорода, уменьшает размер областей пространственного заряда, зоны их перекрытия и тем самым препятствует перемещению электрических зарядов по сетке. При десорбции препятствие для перемещения электрических зарядов по сетке устраняется и проводимость растет (сопротивление уменьшается).

С изменением массовой доли компонента x сетчатой наноструктуры (SiO2)100%-x(SnO2)x в интервале 50%≤x≤90% меняется чувствительность к давлению. Соответственно изменяется и морфология поверхности тонкопленочного полупроводникового резистора 3.

На фиг.2 представлена зависимость относительного изменения сопротивления (R/R0) тонкопленочного полупроводникового резистора 3 от давления (Р), при различной массовой доле диоксида олова (компонента x). Кривая 1 - кремний (Si), кривая 2 - 90% SnO2; кривая 3 - 50% SnO2; кривая 4 - 60% SnO2; кривая 5 - 70% SnO2; кривая 6 - 80% SnO2; кривая 7 - 85% - SnO2. Максимальная чувствительность к давлению достигается при х=85%.

На фиг.3 представлена зависимость (кружки - эксперимент, сплошная линия - аппроксимация) относительного изменения сопротивления (R/R0) тонкопленочного полупроводникового резистора 3 от давления (Р) при массовой доле диоксида олова 85% (компонента х).

На фиг.4 (а-д) представлена морфология поверхности тонкопленочного полупроводникового резистора 3, полученная с помощью атомно-силового микроскопа (АСМ), при различной массовой доле диоксида олова (компонента x): а) 50% SnO2; б) 60% SnO2; в) 70% SnO2; г) 80% SnO2; д) 85% SnO2. Сетчатая наноструктура ((SiO2)100%-x(SnO2)x образуется при x=50% в форме мезапористой структуры (фиг.4а, б). До достижения x=70% в ней интенсивно растут нуклеофильные зародыши, достигая некоторого максимума (фиг.4в), после чего они распадаются. При x=80% сетчатая наноструктура (SiO2)100%-x(SnO2)x переходит в форму сетки спинодального распада (фиг.4г, д). Максимум чувствительности к давлению получен при х=85% (фиг.4д).

На фиг.5 представлена зависимость (кружки - эксперимент, сплошная линия - аппроксимация) чувствительности (S) тонкопленочного полупроводникового резистора в виде сетчатой наноструктуры (SiO2)100%-x(SnO2)x от массовой доли (х) диоксида олова (SnO2). Данная зависимость имеет вид:

где S - чувствительность в %; x - массовая доля SnO2 в %.

Зависимость концентрации диоксида олова от чувствительности имеет вид (1):

.

На фиг.6 представлена зависимость объема (VТЭОС) тетраэтоксисилана (ТЭОС) от массовой доли (х) диоксида олова (SnO2). Данная зависимость получена на основе экспериментальных данных и имеет вид (2):

,

где - масса диоксида олова (SnO2) в мг; x - массовая доля SnO2 в %.

На фиг.7 представлена зависимость объема этанола (Vэтанола) от массовой доли (x) диоксида олова (SnO2). Данная зависимость получена на основе экспериментальных данных и имеет вид (3):

.

На фиг.8 представлена зависимость объема воды (Vводы) от массовой доли (х) диоксида олова (SnO2). Данная зависимость получена на основе экспериментальных данных экспериментальных данных и имеет вид (4):

.

Дополнительное приращение к изменению сопротивления тонкопленочного полупроводникового резистора 3 (фиг.1), повышающее чувствительность в диапазоне низкого вакуума, подтверждается результатами экспериментальных исследований сетчатой наноструктуры (SiO2)100%-x(SnO2)x, которые представлены на фиг.2.

Кроме того, исследовалось влияние непроницаемого покрытия, наносимого на тонкопленочный полупроводниковый резистор. На фиг.9 представлены зависимости относительного изменения сопротивления (R/R0) тонкопленочного полупроводникового резистора в виде сетчатой наноструктуры (SiO2)100%-x(SnO2)x от давления (Р) при массовой доле диоксида олова х=85%: кривая 1 - тонкопленочный полупроводниковый резистор закрыт непроницаемым покрытием (тонким слоем парафина), кривая 2 - открыт. Видно, что когда сетчатая наноструктура (SiO2)100%-x(SnO2)x открыта, резко возрастает чувствительность к изменению давления. Это свидетельствует о включении дополнительного механизма - десорбции, увеличивающего чувствительность датчика вакуума. На фиг.10 в трехмерном пространстве показана морфология поверхности тонкопленочного полупроводникового резистора 3, полученная с помощью атомно-силового микроскопа (АСМ), при массовой доле диоксида олова х=85%, где отчетливо видна сетчатая наноструктура (SiO2)100%-x(SnO2)x.

Благодаря отличительным признакам изобретения повышается чувствительность. Кроме того, обеспечивается получение возможности изготавливать датчик вакуума с заданной и максимально возможной чувствительностью. Чувствительность S может задаваться в пределах от 16,74% до 35,70%.

Так, если задать максимально возможную чувствительность 35,70%, то с помощью выражения (1) можно определить необходимую массовую долю диоксида кремния:

x(S)=18,117·ln(4,82·35,70-65,06)=85%.

Необходимые при этом объем VТЭОС тетраэтоксисилана, объем этанола (Vэтанола), объем дистиллированной воды (Vводы) и масса двухводного хлорида олова (SnCl2·2H2O) для приготовления золя ортокремниевой кислоты, содержащего гидроксид олова, определяются по соотношениям (2), (3), (4), (5) соответственно. Если массу диоксида олова взять равной 100 мг, то из формул (2)-(5) получим:

,

,

,

.

Из приведенного расчета следует, что соотношения для тетраэтоксисилана, этанола, воды и массы диоксида олова будут следующие.

,

,

.

В результате испытаний экспериментальных образцов датчиков вакуума, изготовленных в соответствии с формулой изобретения, установлено, что датчики позволяют значительно повысить чувствительность.

Предлагаемый способ изготовления датчика вакуума и датчик вакуума на его основе выгодно отличаются от известных и могут найти широкое применение при изготовлении датчиков вакуума.

Источники информации

1. А.с. СССР №1285327, МПК G01L 21/12 Теплоэлектрический вакуумметр / Тихонов А.И., Васильев В.А., Тельпов С.Е. // Бюл. №3 от 23.01.1987 г.

2. А.с. СССР №1420407, МПК G01L 21/12. Теплоэлектрический преобразователь давления / Васильев В.А., Тельпов С.Е., Тихонов А.И., Горбачева А.В. // Бюл. №32 от 30.08.1988 г.

3. Патент РФ№2398195, МПК G01L 9/04, В82В 3/00. Способ изготовления нано- и микроэлектромеханической системы датчика давления и датчик давления на его основе / Белозубов Е.М., Васильев В.А., Чернов П.С. // Бюл. №24 от 27.08.2010 г.

4. Патент РФ№2430342, МПК G 01 L9/00. Полупроводниковый датчик давления с частотным выходным сигналом / Васильев В.А., Громков Н.В., Москалев С.А. // Бюл. №27 от 27.09.2011 г.

5. Булыга А.В. Полупроводниковые теплоэлектрические вакуумметры. (Библиотека по автоматике, выпуск 177). М.-Л.: Изд-во Энергия, 1966. - С.115-116.

1. Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой, заключающийся в том, что образуют гетероструктуру из различных материалов, в которой формируют тонкопленочный полупроводниковый резистор, после чего ее закрепляют в корпусе датчика, а контактные площадки соединяют с выводами корпуса при помощи контактных проводников, отличающийся тем, что тонкопленочный полупроводниковый резистор формируют в виде сетчатой наноструктуры (SiO2)100%-x(SnO2)x, массовую долю компонента х которой перед этим определяют (задают) в интервале 50%≤x≤90%, путем нанесения золя ортокремниевой кислоты, содержащего гидроксид олова, на подложку из кремния с помощью центрифуги и последующим отжигом, который приготавливают в два этапа, на первом этапе смешивают тетраэтоксисилан и этиловый спирт, затем на втором этапе в полученный раствор вводят дистиллированную воду, соляную кислоту (HCl) и двухводный хлорид олова (SnCl2·2H2O), причем массовую долю компонента х в интервале 50%≤x≤90% определяют (задают) исходя из зависимости концентрации диоксида олова (SnO2) от чувствительности S по соотношению:

где S - чувствительность в %, которая задается в пределах от 16,74% до 35,70%; х - массовая доля SnO2 в %, а необходимые объем VТЭОС тетраэтоксисилана, объем этанола (Vэтанола), объем дистиллированной воды (Vводы) и массу двухводного хлорида олова (SnCl2·2H2O) для приготовления золя ортокремниевой кислоты, содержащего гидроксид олова, определяют по соотношениям:


где - масса диоксида олова (SnO2) в мг; х - массовая доля SnO2 в %.

2. Датчик вакуума с наноструктурой, изготовленный по п.1, содержащий корпус, установленную в нем гетерогенную структуру из тонких пленок материалов, образованную на подложке из полупроводника, тонкопленочный полупроводниковый резистор и контактные площадки к нему, сформированные в гетерогенной структуре, выводы корпуса и контактные проводники, соединяющие контактные площадки с выводами корпуса, отличающийся тем, что полупроводниковый резистор изготовлен в виде сетчатой наноструктуры на основе золя ортокремниевой кислоты, содержащего гидроксид олова, на подложке из кремния с помощью центрифуги и последующим отжигом, который приготовлен в два этапа, на первом этапе смешивался тетраэтоксисилан и этиловый спирт, а на втором этапе в полученный раствор вводились дистиллированная вода, соляная кислота (HCl) и двухводный хлорид олова (SnCl2·2H2O), причем тетраэтоксисилан и этиловый спирт в соотношении 1:1,047, дистиллированная вода в соотношении 1:0,323, соляная кислота (HCl) в соотношении 1:0,05, двухводный хлорид олова (SnCl2·2H2O) в соотношении 1:2,262.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к сфере производства гетероэпитаксиальных структур, которые могут быть использованы в технологии изготовления элементов полупроводниковой электроники, способных работать в условиях повышенных уровней радиации и высоких температур.

Изобретение относится к технологии получения массивов наноколец различных материалов, используемых в микро- и наноэлектронике. Сущность изобретения: в способе получения массивов наноколец, включающем подложку с нанесенными полистирольными сферами, с нанесенным затем слоем металла и последующим травлением, в качестве подложки используют упорядоченные пористые пленки, а расположение наноколец задается расположением пор в пленочном материале с использованием подходов самоорганизации.

Изобретение относится к области силовой микроэлектронной техники, а более конкретно, к способам изготовления полупроводниковых p-i-n структур из соединений A3B5 методами жидкостной эпитаксии.

Изобретение относится к устройству для каталитического химического осаждения из паровой фазы и может быть использовано для формирования пленки на подложке. .

Изобретение относится к способу изготовления высококачественных пластин нитрида галлия эпитаксиальным выращиванием с низкой плотностью дислокации на подложке и отделением от исходной подложки, а также к полупроводниковым пластинам, имеющим кристалл GaN.

Изобретение относится к базовой плате и способу ее производства. .
Изобретение относится к материаловедению, а именно к технологии получения тонких пленок. .

Изобретение относится к технике получения пленок молекулярно-лучевым осаждением и использованием резистивных источников напыляемого материала. .

Изобретение относится к датчикам вакуума для измерения давления разреженного газа в вакуумных установках различного назначения. .

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в устройствах измерения давления газов в широком диапазоне давлений. .

Изобретение относится к измерительной технике, в частности, к теплоэлектрическим датчикам давления, и может быть использовано для измерения малого избыточного давления с повышенной точностью.

Изобретение относится к измерительной технике. .

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения вакуума. .

Изобретение относится к вакуумной технике и позволяет снизить погрешность градуировки теплового вакуумметра путем проведения индивидуальной калибровки типовой градуировочной зависимости в трех точках диапазона измеряемых давлений: в крайних при нулевом и атмосферном давлениях и в середине диапазона.

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к устройствам контроля вакуума п отпаянных электровакуумных приборах (ЭВП). .

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к тензорезисторным датчикам давления на основе тонкопленочных нано- и микроэлектромеханических систем (НиМЭМС) с мостовой измерительной цепью, предназначенных для использования в системах управления, контроля и диагностики объектов длительного функционирования.
Наверх