Способ получения тонкослойного, основанного на эффектах термически и/или оптически стимулированной люминесценции детектора заряженных частиц ядерных излучений на основе оксида алюминия



Способ получения тонкослойного, основанного на эффектах термически и/или оптически стимулированной люминесценции детектора заряженных частиц ядерных излучений на основе оксида алюминия
Способ получения тонкослойного, основанного на эффектах термически и/или оптически стимулированной люминесценции детектора заряженных частиц ядерных излучений на основе оксида алюминия
Способ получения тонкослойного, основанного на эффектах термически и/или оптически стимулированной люминесценции детектора заряженных частиц ядерных излучений на основе оксида алюминия
Способ получения тонкослойного, основанного на эффектах термически и/или оптически стимулированной люминесценции детектора заряженных частиц ядерных излучений на основе оксида алюминия
Способ получения тонкослойного, основанного на эффектах термически и/или оптически стимулированной люминесценции детектора заряженных частиц ядерных излучений на основе оксида алюминия
Способ получения тонкослойного, основанного на эффектах термически и/или оптически стимулированной люминесценции детектора заряженных частиц ядерных излучений на основе оксида алюминия
Способ получения тонкослойного, основанного на эффектах термически и/или оптически стимулированной люминесценции детектора заряженных частиц ядерных излучений на основе оксида алюминия

 

H01L21/00 - Способы и устройства для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей (способы и устройства, специально предназначенные для изготовления и обработки приборов, относящихся к группам H01L 31/00- H01L 49/00, или их частей, см. эти группы; одноступенчатые способы изготовления, содержащиеся в других подклассах, см. соответствующие подклассы, например C23C,C30B; фотомеханическое изготовление текстурированных поверхностей или поверхностей с рисунком, материалы или оригиналы для этой цели; устройства, специально предназначенные для этой цели вообще G03F)[2]

Владельцы патента RU 2507629:

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт электрофизики Уральского отделения Российской академии наук (ИЭФ УрО РАН) (RU)
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт промышленной экологии Уральского отделения Российской академии наук (ИПЭ УрО РАН) (RU)

Изобретение относится к способам получения тонкослойных детекторов заряженных частиц, основанных на явлениях термостимулированной и/или оптически стимулированной люминесценции. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает испарение мишени исходного материала импульсным электронным пучком с энергией не более 100 кэВ, длительностью импульсов от 20 до 300 мкс, плотностью энергии не менее 1 МДж/см2, пучок электронов на пути к мишени проводят через систему создания перепада давления газа, с помощью которой в камере испарения обеспечивают давление в диапазоне 1-20 Па для охлаждения частиц, при этом осаждение частиц производят на охлаждаемые подложки, выполненные из металла, температура плавления которого превышает 900°C, а коэффициент линейного теплового расширения близок к коэффициенту линейного теплового расширения осажденного слоя оксида алюминия, толщину которого от 5 до 40 мкм регулируют временем осаждения от 5 до 20 минут, а чувствительность к излучению - финишной термообработкой в диапазоне 550-900°C в течение 10-20 минут. Технический результат - повышение точности, надежности и достоверности регистрации доз короткопробежных заряженных частиц ядерных излучений, включая смешанные поля методами ТЛ и/или ОСЛ. 7 ил., 1 табл.

 

Изобретение относится к способам получения тонкослойных детекторов заряженных частиц, основанных на явлениях термостимулированной и/или оптически стимулированной люминесценции. В качестве чувствительного вещества тонкослойных детекторов предложен оксид алюминия. Изобретение может быть использовано для повышения надежности, точности и достоверности измерений доз тяжелых заряженных частиц, ядерных бета-, альфа- и позитронных излучателей методами люминесцентной твердотельной дозиметрии.

В настоящее время в отечественной и зарубежной практике получили широкое распространение разработанные в России термолюминесцентные детекторы на основе анион-дефектных монокристаллов α-Al2O3, имеющие обозначение ТЛД-500К, TLD-500 или α-Al2O3:С в зарубежной литературе (ТУ 2655-006-02069208-95; Дозиметрический контроль внешнего профессионального облучения. Общие требования. Методические указания МУ 2.6.1.25-2000. Москва, 2000, с.50; Dosimeter Materials, Harshow TLD Model 8800, Bicron Ne, рекламный проспект). В последние годы этот же материал интенсивно используется в качестве детектора ионизирующих излучений, люминесценцию которого, пропорциональную накопленной дозе, возбуждают (стимулируют) не нагревом, как в термолюминесцентной дозиметрии, а освещением светом (Boons, R. et al. External and Environmental Radiation Dosimetry with Optically Stimulated Luminescent Detection Device Developed at the SCK-CEN. World Journal of Nuclear Science and Technology, 2012, 2, 6-15).

Физические и аппаратурные аспекты твердотельной дозиметрии, основанной на явлениях оптически и термически стимулированной люминесценции (ОСЛ и ТЛ), активно развиваются в ведущих дозиметрических лабораториях мира (L. Botter-Jensen et.al. Optically Stimulated Luminescence Dosimetry. Elsevier Science B.V. 355- P, (2003); S.W.S. McKeever. Optically stimulated luminescence: A brief overview. Radiation Measurements 46 (2011)1336-1341; US PATENT #6,936,830, Gaza, R. et al. Optically stimulated luminescence radiation dosimetry method to determine dose rates during radiotherapy procedures. (August 30, 2005); US PATENT #7,141,804, Akselrod, M.S. et al. Detection of neutrons and heavy charged particles. (November 28, 2006); Sawakuchi, G.O. et al. Relative optically stimulated luminescence and thermoluminescence efficiencies of Al2O3:C dosimeters to heavy charged particles with energies relevant to space and radiotherapy dosimetry. J.Appl. Phys. 104(2008) 124903; N.J.M. Le Masson. Development of Optically Stimulated Luminescent Materials for Personal Fast Neutron Dosimetry. Delft University Press. 168 -P, (2003); Т. Hashimoto, Т. Nakagawa, D-G. Hong. Et al. An Automated Sistem for Red/Blue Thermoluminescence and Optically Stimulated Luminescence Measurement. Journ. of Nuclear Science and Tecnology, Vol.39, No 1. pp.108-109 (2002); Патент РФ №2399928 И.И. Мильман и др. Способ возбуждения дозиметрического сигнала оптически стимулированной люминесценции детекторов ионизирующих излучений на основе оксида алюминия (2010. 09 20); Патент РФ №2310889 И.И. Мильман и др. Устройство для измерения дозиметрического сигнала оптически стимулированной люминесценции (2007.11.20)).

ТЛ-ОСЛ-детекторы на основе анион-дефектных монокристаллов α-Al2O3, предназначены для регистрации рентгеновского и гамма-излучений. Они имеют цилиндрическую форму высотой 1 мм и диаметром 5 мм. Накопленная доза в них определяется люминесценцией всего объема детектора, и поэтому они становятся не эффективными для определения доз корпускулярных излучений с большими линейными потерями энергии (ЛПЭ), пробеги которых в веществе детектора составляют несколько десятков микрометров. Так по имеющимся оценкам пробег бета-частиц с энергией 90 кэВ в α-Al2O3 при нормальном падении составляет величину 38 мкм, с энергией 250 кэВ - 200 мкм, с энергией 800 кэВ - 1 мм. При падении частиц на поверхность детектора под углом их пробеги становятся еще меньше. Для тонкого детектора, в отличие от объемного, следует ожидать также значительно меньшую энергетическую зависимость чувствительности детектора. Таким образом, становится очевидным, что для регистрации корпускулярных излучений с большими ЛПЭ особенно в смешанных, например бета-гамма-полях, для разделения вкладов доз, создаваемых разными типами излучений, необходимо использовать детекторы с тонкими чувствительными слоями. Для тканеэквивалентной глубины проникновения бета-частиц рекомендованная международными нормами толщина чувствительного слоя детектора должна составлять 20 мкм, то есть иметь массовую толщину, равную 7 мг/см2. Здесь следует отметить, что массовая толщина, часто используемая в дозиметрии и измеряемая в мг/см2, определяется как произведение толщины поглотителя на плотность. Для решения комплекса задач, связанных с регистрацией заряженных частиц на фоне фотонного ионизирующего излучения, необходимо создание тонкослойных детекторов, толщина которых должна быть существенно меньше длины пробега в них частиц. Более того, например для кожной дозиметрии, согласно требованиям норм радиационной безопасности НРБ-99/2009 тонкослойные детекторы должны быть по толщине эквивалентны толщине базального слоя кожного покрова 5 мг/см2 (~12 мкм для корунда при ρ=3920 мг/см3), находящегося под эпидермисом на глубине 5 мг/см2. Как видно из вышеприведенного, требуемая толщина детектора должна быть мала и ее крайне сложно достичь утончением известных термолюминесцентных детекторов, например лучшего из них ТЛД-500К, созданного на основе монокристалла анион-дефектного корунда.

Проблемы кожной (skin) дозиметрии становятся все более актуальными по мере расширения областей применения ядерной медицины, использующей бета- и позитрон-эмитирующие радиофармпрепараты для диагностики и лечения онкологических заболеваний. В таблице 1 приведены энергетические характеристики некоторых распространенных в ядерной медицине радионуклидов.

Таблица 1
Энергетические характеристики β-излучающих радионуклидов
Радионуклид Виды излучений
β γ
Eср, кэВ Eмакс, кэВ Выход, % Eср, кэВ Выход, %
99Тс 101 294 100
177Lu 61 177 11,2 113 6,4
134 385 9,1 208 11,0
178 498 100
90Sr 196 547 100
90Y 935 2280 100
147Pm 60 224 100
85Kr 140 687,4 100

Данные таблицы 1 показывают необходимость создания тонкослойных детекторов для регистрации низкоэнергетичных бета-излучений, в том числе и в смешанных бета-фотонных полях. При создании таких детекторов для применения их в ТЛ- и/или ОСЛ-дозиметрии естественно использовать один самых чувствительных материалов на основе анион-дефектного корунда.

Из литературы известны способы создания тонкослойных ТЛ- и/или ОСЛ-детекторов бета-излучений на основе α-Al2O3:С, принятые за аналоги решения в предлагаемом изобретении.

Пример 1.

В способе, описанном в работе M.S. Akselrod et al. A thin-layer AL2O3:C beta TL detector. Radiation Protection Dosimetry. Vol.66, Nos.1-4, pp.105-110 (1996), объемный монокристаллический детектор Al2O3:С механически размалывался в порошок в железной мельнице. Время размалывания варьировалось от 2 до 6 часов. Порошок обрабатывался соляной кислотой для удаления из него железных включений, промывался водой и сушился горячим воздухом. Описанный способ позволял получать порошок с размерами зерен от 1 до 160 мкм. ТЛ чувствительность детектора в форме порошка зависела от размеров зерна и существенно снижалась, когда размеры зерна были меньше 40 мкм. Следующей стадией развития этой технологии было закрепление порошка на подложки, выполненные из разных материалов, включая термостойкие полимерные пленки и металлические фольги. Наилучшие результаты (линейность дозовой зависимости 10-5 - 15 Гр и минимальная зависимость выхода ТЛ от энергии бета частиц (147Pm, 204Tl, 90Sr/90Y), 1,5 раза, были достигнуты для порошкообразного детектора на основе α-Al2O3:C с размером зерна 20-40 мкм, нанесенного на алюминиевую подложку толщиной 0,2 мм и удерживаемого на ней силами адгезионной связи. Рассмотренный в примере способ положен в основу промышленного изготовления на основе α-Al2O3:С тонкослойных ТЛ-ОСЛ-детекторов фирмой Landauer, Inc. (USA), используемых в настоящее время (T.N.O. Pinto et al. Measuring TL and OSL of Beta Radioisotops inside a Glove Box at a Radiopharmacy Laboratory. Radiation Measurements, v.46, N12 (2011)1847-1850). Описанный способ получения тонкослойных α-Al2O3:С детекторов характеризуется большой трудоемкостью и материальными затратами, связанными с получением объемного материала, с его механическим измельчением и закреплением полученного порошка на металлическую подложку для регистрации ТЛ и ОСЛ или между оптически прозрачными органическим пленками для измерения только ОСЛ. Кроме того, получаемые по вышеописанной технологии детекторы имеют значительную толщину активного слоя (~130 мкм), что не позволяет корректно (согласно нормам НРБ-99-2009) оценивать дозу от бета-излучения в базальном слое кожи толщиной 5 мг/см2 под покровным слоем толщиной 5 мг/см2.

Пример 2.

В способе, описанном в работе M.W. Blair et al. Nanophosphor aluminum oxide: Luminescence response of a potential dosimetric material. J.of Luminescence 130(2010) 825-831, для создания тонкослойного детектора использовались нанопорошки α-Al2O3. Промышленные нанопорошки Al(ОН)3 (18 г) были растворены в азотной кислоте (40 мл, HNO3, 65 wt%). После того, как экзотермическая реакция остановилась, в жидкость было добавлено определенное количество топлива катализатора (глицин, мочевина и гексаметилентетрамин). Перед финишной термообработкой смесь высушивалась в вакуумной печи при 115°С в течение 18 часов. Термообработка проводилась на воздухе в муфельной печи при 620°С.Дополнительный отжиг на воздухе при 1000°С в течение 1 часа был сделан для избавления от остатков катализатора, нитрата и для образования стабильной а - фазы Al2O3. Порошок с размером зерен 2 нм фиксировался на стальной подложке силиконовым клеем и облучался излучением источника 90Sr/90Y с мощностью дозы 0,129Гр/с и 0,014Гр/с. ТЛ и ОСЛ измерялись по стандартной методике. Результаты сравнивались с объемными детекторами на основе α-Al2O3:С. Кривые затухания ОСЛ во времени и глов-кривые ТЛ тонких детекторов, синтезированных с использованием разных катализаторов, имели близкий по форме вид. Однако он сильно отличался от подобного для объемных детекторов на основе α-Al2O3:С. Параметры ТЛ и ОСЛ у детекторов, активная часть которых была выполнена по нанотехнологии, сильнейшим образом зависели от типа катализатора режимов термообработок. Более того, при нормировке откликов сравниваемых детекторов на их массу чувствительность объемного детектора была более чем на два порядка выше чувствительности наилучшего из полученных по нанотехнологии. Близкие результаты с описанными выше были получены в результате применения другой разновидности технологии получения наноразмерных частиц α-Al2O3 для создания тонкопленочного детектора (V.S. Kortov et al. Luminescence properties of nanostructured alumina ceramic. Radiation Measurements 43(2008) 341-344). Недостатками описанных способов получения тонкослойных детекторов на основе α-Al2O3 является сложная химическая технология получения. ТЛ- и ОСЛ-свойства материала детектора оказываются трудновоспроизводимыми из-за зависимости их от многих параметров режима получения, типа и чистоты реактивов. Кроме того, в рассмотренных способах разделены этапы получения чувствительного вещества детектора и его закрепления на металлическую подложку.

Пример 3

В способах, близких по существу, описанных в работах S. Green et al. Optical properties of nanoporous перемешивающейся obtained by aluminium anodization. Phys. Stat. Sol. (c) 4, No.2, 618-621(2007) и H. Efeoglu et al. Anodisation of aluminium thin films on p++ Si and annihilation of strong luminescence from Al2O3. J. of luminescence 130(2010)157-162, тонкие пленки оксида алюминия получены электрохимическим анодированием алюминиевых фольг. Разработанная технология включает две стадии. На первой, высокочистая (>99,5%) алюминиевая фольга, предварительно подвергнутая ультразвуковой очистке и механической и электрополировке, травится в перемешивающейся щавелевой кислоте. Продолжительность анодирования на первой стадии составляет не менее 2 часов. За это время толщина пленки достигает величины около 8 мкм. Вторая стадия анодирования длилатся от 6 до 8 часов. Потенциал ионизации на обеих стадиях поддерживался равным 40 В. Анодирование проводилось при постоянной температуре T1=20°C и Т2=2°C со средней плотностью тока i1=8,0 мА/см2 и i2=1,9 мА/см2. Толщины пленок, полученных в указанных режимах, составляли d1=90 мкм и d2=29 мкм соответственно. Люминесцентные свойства пленок были хорошо выражены и коррелировали с известными для объемных дозиметрических кристаллов Al2O3:C, в обоих случаях ответственными за люминесценцию являлись центры F-типа. Недостатками способа получения тонкослойных оптически активных Al2O3-покрытий является длительность и сложность процесса, сильная зависимость получаемых люминесцентных свойств (изменение интенсивности и спектра люминесценции) от температуры проведения анодирования.

Из приведенных выше примеров следует, что известные способы получения тонкослойного детектора заряженных частиц на основе оксида алюминия включают несколько технологических этапов и имеют большую продолжительность во времени. Они требуют высокого качества исходного сырья. Люминесцентные свойства материалов, полученных в результате применения способов, принятых за аналоги предлагаемого изобретения, обладают низкой чувствительностью и невоспроизводимостью. Данные обстоятельства не позволяют повысить надежность, точность и достоверность регистрации тяжелых заряженных частиц, ядерных бета-, альфа- и позитронных излучаений ТЛ- и/или ОСЛ-методами твердотельной дозиметрии.

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к предлагаемому изобретению следует считать способ получения нанопорошков и устройство для его реализации, защищенные патентом РФ №2353573, который опубликован 27.04.2009. Его авторами являются Ю.А. Котов, С.Ю. Соковнин, В.Г. Ильвес, Чанг Ку Ри. Указанный патент выбран в качестве прототипа.

Данный способ включает испарение мишени электронным пучком, конденсацию паров материала в камере испарения и осаждение нанопорошка. Испарение мишени осуществляют импульсным электронным пучком с энергией не более 100 кэВ, длительностью импульсов от 20 до 300 мкс, плотностью энергии не менее 1 МДж/см2. Электронный пучок проводят через систему создания перепада давления газа, с помощью которой в камере испарения создают давление газа в диапазоне 1-20 Па для охлаждения частиц, осаждение которых производят на охлаждаемый вращающийся диск.

Обоснованием выбора способа получения нанопорошков, принятого за прототип, является то, что в его основе лежит плавление исходного материала в восстановительной среде вакуума. Как показали наши исследования в этом случае в анионной подрешетке кристаллов α-Al2O3 создается дефицит кислорода, на базе которых формируются высокая концентрация активных люминесцирующих F- и F+-центров. Именно такая технология положена в основу создания термолюминесцентных детекторов ТЛД-500К (α-Al2O3:С), чувствительный материал которых позднее нашел широкое применение в ОСЛ-дозиметрии (А.С. №993728. Способ термической обработки вещества твердотельного детектора ионизирующих излучений на основе оксида алюминия. Авторы: Аксельрод М.С., Зацепин А.Ф., Кортов B.C., Мильман И.И. Зарегистрировано в Гос. реестре изобр. 01.10.1982; А.С. №1347729. Способ обработки вещества твердотельного детектора ионизирующих излучений на основе оксида алюминия. Авторы: Кортов B.C., Мильман И.И., Сюрдо А.И., Аксельрод М.С., Афонин Ю.Д. Зарегистрировано в Гос. реестре изобр. 22.06.1987). Таким образом, имелись основания ожидать высокую чувствительность вещества тонкопленочного детектора, полученного по способу, принятому за прототип, при использовании в качестве исходного материала порошка α-Al2O3. Кроме того, в известном способе (прототипе) в отличие от аналогов существенно сокращено время получения конечного продукта.

Однако в известном способе, принятом за прототип, не учитывается тот факт, что материал нанопорошков Al2O3, независимо от способа получения, является многофазной системой, в то время как наибольшей люминесцентной активностью обладает кристаллическая α-фаза Al2O3. Для создания доминирующей концентрации α-фазы Al2O3 в получаемом соединении и, следовательно, достижения максимальной чувствительности материала тонкопленочного детектора необходима термообработка при достаточно высоких температурах, до 900°C и выше, не предусмотренная в способе, принятом за прототип. Помимо изменения фазового состава вещества детектора, термообработка необходима для преобразования сложных неактивных центров F2-типа, возникающих из-за быстрого охлаждения паров исходного материала на охлаждаемой подложке, в простые активные F- и F+-центры.

В способе, принятом за прототип, не предъявляются особые требования к материалу охлаждаемого диска, на поверхность которого производят осаждение нанопорошка. Более того, выход нанопорошка становится тем большим, чем менее прочно распыляемый материал связан с материалом вращающегося диска.

Напротив, для тонкослойного детектора, являющегося конечным продуктом и представляющего собой нанесенный на подложку чувствительный слой, материал подложки имеет принципиальное значение. Такой материал должен иметь коэффициент линейного теплового расширения, близкий к коэффициенту линейного теплового расширения осажденного чувствительного слоя оксида алюминия, чтобы обеспечить механически прочное и термостойкое соединение, а также должен обладать хорошей теплопроводностью. Термостойкость подложки следует из необходимости прогрева детектора до 900°C в течение 15 минут для опустошения глубоких ловушек, как это предписывается для детекторов ТЛД-500К на основе объемного соединения α-Al2O3 (ТУ 2655-006-02069208-95). Таким образом, известный способ не позволяет получать в едином технологическом цикле законченный продукт - тонкослойный детектор заряженных частиц ядерных излучений на основе оксида алюминия.

Способ, выделенный за прототип, не позволяет решить поставленную в изобретении задачу, то есть создать тонкослойный детектор заряженных частиц на основе оксида алюминия, основанный на эффектах термически и/или оптически стимулированной люминесценции и, тем более, обеспечить повышение надежности, точности и достоверности измерений доз указанных излучений методами люминесцентной твердотельной дозиметрии.

Решение поставленной технической задачи достигается тем, что исходный материал в форме порошка оксида алюминия испаряют импульсным электронным пучком с энергией не более 100 кэВ, длительностью импульсов от 20 до 300 мкс, плотностью энергии не менее 1 МДж/см2, пучок электронов на пути к мишени проводят через систему создания перепада давления газа, с помощью которой в камере испарения обеспечивают давление в диапазоне 1-20 Па для охлаждения частиц, а продукт конденсации паров материалы осаждают на охлаждаемые подложки, являющиеся основанием детектора. Для обеспечения прочности сцепления пленки с подложками при изменении температуры финишной термообработки, они выполняются из материалов, температура плавления которых превышает 900°C, а коэффициент линейного термического расширения близок к коэффициенту линейного термического расширения осажденного слоя, толщину которого от 5 до 40 мкм регулируют временем осаждения от 5 до 20 минут, а чувствительность к излучению - финишной термообработкой в диапазоне 550-900°C в течение 10-20 минут.

Нижний предел толщины 5 мкм обусловлен малостью объема чувствительного слоя и ее недостаточностью для эффективной передачи энергии заряженных частиц и, как следствие, низкой чувствительностью предлагаемого тонкослойного детектора. Толщина, равная 40 мкм и соответствующая верхнему указанному пределу, удовлетворяет требованиям по величине пробега заряженных частиц в чувствительном слое, однако при этом с ростом его массы возрастает вероятность взаимодействия с фотонным ионизирующим излучением, что затрудняет разделение их вкладов в общую дозу.

Таким образом, предлагаемый в изобретении оптимальный диапазон толщин одновременно соответствует требованиям норм радиационной безопасности НРБ-99/2009, согласно которым тонкослойные детекторы должны быть по толщине эквивалентны толщине кожного покрова 5 мг/см2 (~12 мкм для корунда).

Вышеуказанный диапазон толщин 5-40 мкм достигается соответствующим временем осаждения 5-20 минут. Выход из указанного временного интервала приводит к формированию чувствительного слоя неоптимальной толщины.

Необходимость финишной термообработки в диапазоне 550-900°C в течение 10-20 минут вызвана требованиями опустошения глубоких ловушек, сильно влияющих на чувствительность детекторов, стабилизации дефектной анионной структуры чувствительного слоя и к росту его механической прочности.

Результаты экспериментальной проверки предлагаемого способа получения тонкослойного детектора заряженных частиц ядерных излучений на основе оксида алюминия обобщены и иллюстрируются представленными ниже рисунками.

На фиг.1 показано влияние финишной термообработки и типа материала подложки на интенсивность ТЛ образцов тонкослойных детекторов с толщиной активного слоя 20 мкм, полученного за время осаждения, равное 5 минутам. В качестве материала подложки выбирались фольги из алюминия (кривая 1), меди (кривая 2), железа (сталь) (кривая 3), тантала (кривая 4) и графита (кривая 5). Финишная термообработка проводилась после осаждения пленки. После нее образцы облучались низкоэнергетическим рентгеновским излучением (40 кВ, 40 мкА, Rh-анод) и измерялись ТЛ или ОСЛ по стандартной методике. Выбор мягкого рентгеновского излучения в качестве имитатора короткопробежных бета частиц для тестирования люминесцентной активности получаемых тонкослойных детекторов обусловлен его практическим полным поглощением в активном слое детектора, сокращением времени выбора оптимальной технологии и экспериментальной проверки предлагаемого способа.

Данные фиг.1 демонстрируют высокую ТЛ-чувствительность получаемых детекторов, ее зависимость от типа материала подложки и температуры финишной термообработки.

Подложки, температуры плавления которых не превышают 700°С (алюминий, медь), не позволяют производить высокотемпературный финишный отжиг. Пленки на графитовых подложках разрушались при 800°С из-за существенного различия в коэффициентах линейного теплового расширения корунда (α=8,5·10-6 °C-1) и графита (α=54,4·10-6 °C-1). Подложки из тантала имеют коэффициент линейного теплового расширения близкий к корунду α=5,3·10-6 °C-1, но интенсивность ТЛ при его использовании ниже, чем детекторов с подложкой из железа. Как видно из фиг.1 оптимальным материалом для подложки тонкопленочного детектора является железо, его коэффициент линейного теплового расширения α=11·10-6 °C-1 не сильно отличается от коэффициента линейного теплового расширения чувствительного вещества детектора. Материал такой подложки позволяет проводить финишную термообработку до 1100°С для увеличения чувствительности после напыления пленки и до 900°С в процессе эксплуатации детектора.

Данные фиг.1 являлись основанием для выбора материала подложки и режимов финишной термообработки тонкослойных детекторов в предполагаемом изобретении. Температурный диапазон финишной термообработки тонкослойных детекторов с подложкой, выполненной из железа, выбран в пределах 550-800°C, временной - в пределах 10-20 минут. При этом, как следует из фиг.1, изменение интенсивности ТЛ не превышает 10%.

На фиг.2 приведены кривые термовысвечивания образца тонкопленочного детектора с толщиной активной части 20 мкм, напыленной на стальную подложку, в зависимости от дозы облучения бета-излучением источника 90Sr/90Y в диапазоне 20-4400 мГр (кривые 1-6). Данные фиг.2 использованы для построения дозовой зависимости выхода ТЛ, показанной на фиг.3. Из фиг.3 видна линейность выхода ТЛ, называемого также светосуммой, в диапазоне доз 20-4400 мГр, удовлетворяющем требованиям кожной дозиметрии (НРБ-99-2009, J.S. Durham et al. Design of a finger ring extremity dosemeter based on OSL readout of α-Al2O3:C. Radiation Protection Dosimetry, 2002, Vol.101, Nos. 1-4, pp.65-68). Указанные требования устанавливают годовой предел, равный 500 мГр.

Выбор толщины активного слоя детектора производился на основании зависимости люминесцентного выхода от толщины активного слоя при облучении излучением источника 90Sr/90Y (T.N.O. Pinto, L.V.E. Caldas. Determination of transmission factors for beta radiation using Al2O3:C commercial OSL dosimeters. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A 619 (2010) 353-355). Анализ результатов наших исследований и литературных источников показал, что толщины активного слоя тонкослойного детектора в диапазоне 5-40 мкм обеспечат регистрацию бета-излучения со средними энергиями от 60 до 800кэВ методами ТЛ и ОСЛ. Влияние толщины активного слоя детектора на выход ТЛ иллюстрируется фиг.4. Видно, что с ростом толщины покрытия 20 мкм →32 мкм →40 мкм выход ТЛ возрастает. Дальнейший рост толщины приводил к насыщению выхода ТЛ. Аналогичные закономерности наблюдались при измерении ОСЛ детекторов с толщинами покрытий 20, 32 и 40 мкм (фиг.5). Данные фиг.4 и фиг.5, литературных источников явились основанием для выбора диапазона толщин активного слоя тонкослойных детекторов заряженных частиц ядерных излучений на основе оксида алюминия, равного 5-40 мкм. В соответствии с выбранным в предлагаемом изобретении способе время достижения толщин активного слоя детекторов 5-40 мкм составляет от 5 до 10 минут.

Для испытаний в реальных условиях использовался образцовый альфа-источник 239Pu с энергией частиц 5,15, 5,13 и 5,1 МэВ. Выход альфа-частиц сопровождается гамма-излучением, неспособным существенно возбудить тонкий слой детектора, в то время как альфа-частицы теряют всю свою энергию в чувствительном слое. На фиг.6 приведены кривые термовысвечивания образцов тонкослойных детекторов, полученных по предлагаемому способу и облученных смешанным альфа-гамма-излучением источника 239Pu непосредственно (кривая 1), через бумагу с плотностью 80 мг/см2 (кривая 2) и со стороны подложки (кривая 3). Из этого примера видна высокая эффективность регистрации альфа- излучения на фоне сопровождающего его гамма-излучения, незначительный вклад которого в общую накопленную светосумму (кривая 1) можно оценить по кривым 2 и 3.

Дополнительным преимуществом предлагаемого изобретения является то, что, как показали наши измерения, для регистрации электронов в смешанном бета-гамма-поле, например 90Sr/90Y-источника, полученные тонкослойные детекторы позволяют определить вклад только бета- компонента в поглощенную дозу. Результаты экспериментальной проверки такой возможности с использованием тонкослойных детекторов, полученных по предлагаемому в изобретении способу, приведены на фиг.7. Кривая 1 соответствует ТЛ тонкослойного детектора, облученного со стороны активного слоя смешанным гамма-бета- излучением источника 90Sr/90Y. В другом случае (кривая 2) для выделения гамма-составляющей смешанного излучения между источником и детектором помещался алюминиевый фильтр толщиной 1 мм. Видно (кривая 2), что вклад фотонного ионизирующего излучения источника 90Sr/90Y в накопленную светосумму предлагаемым детектором незначителен. Тем не менее, для точного определения дозы от бета-составляющей смешанного излучения указанный вклад можно учесть вычитанием ([кривая 1] - [кривая 2]), даже в том случае, если он значителен.

Способ получения тонкослойного, основанного на эффектах термически и/или оптически стимулированной люминесценции детектора заряженных частиц ядерных излучений на основе оксида алюминия, включающий испарение мишени исходного материала импульсным электронным пучком с энергией не более 100 кэВ, длительностью импульсов от 20 до 300 мкс, плотностью энергии не менее 1 МДж/см2, пучок электронов на пути к мишени проводят через систему создания перепада давления газа, с помощью которой в камере испарения обеспечивают давление в диапазоне 1-20 Па для охлаждения частиц, отличающийся тем, что осаждение частиц производят на охлаждаемые подложки, выполненные из металла, температура плавления которого превышает 900°C, а коэффициент линейного теплового расширения близок к коэффициенту линейного теплового расширения осажденного слоя оксида алюминия, толщину которого от 5 до 40 мкм регулируют временем осаждения от 5 до 20 мин, а чувствительность к излучению - финишной термообработкой в диапазоне 550-900°C в течение 10-20 мин.



 

Похожие патенты:
Изобретение относится к области нанесения на подложки металлических покрытий, а именно к нанесению электропроводящего слоя на полимерную или бумажную подложку при изготовлении антенн, работающих в диапазоне ультравысокой частоты.

Изобретение относится к области нанотехнологии и может быть использовано для получения атомно-тонких монокристаллических пленок различных слоистых материалов. Технический результат - упрощение технологии изготовления атомно-тонких монокристаллических пленок.

Изобретение относится к области релаксационной электрохимии и может быть использовано в различных областях техники. Сущность изобретения заключается в том, что осуществляют воздействие на полупроводниковую или диэлектрическую конденсированную среду электромагнитным импульсом с образованием круговой или эллиптически поляризованной электромагнитной волны, отличающийся тем, что частоту круговой поляризации электрической компоненты поля совмещают с частотой электрострикции звуковой стоячей волны, образующейся на поверхности кластера вещества, создающей на поверхности кластера круговой токовый пробой, приводящий к изменению свойств полупроводниковых и диэлектрических конденсированных веществ, релаксирующих во времени после прекращения электромагнитного воздействия (эхо-сигнал).

Изобретение относится к способу монтажа микроэлектронных компонентов, в частности способу монтажа микроэлектронных компонентов для одномоментного монтажа на основной плате множества микроэлектронных компонентов, обладающих разной высотой.

Изобретение относится к способу производства пластины держателя для электростатического держателя приемлемой продуктивности, который лишен неудовлетворительного высвобождения полупроводниковой пластины, которая является подложкой, которая должна быть обработана, с начального момента предоставления электростатического держателя для нового использования.
Изобретение относится к устройствам для удержания полупроводниковых пластин во время транспортировки в процессе изготовления. .
Изобретение относится к устройствам для удержания полупроводниковых пластин во время транспортировки в процессе изготовления. .

Изобретение относится к транспортной и операционной таре изделий микроэлектроники, в частности к кассетам для технологических спутников фотопреобразователей (ФП), и может быть использовано в испытательном и сборочном оборудовании при изготовлении солнечных батарей.

Изобретение относится к области изготовления микросхем и может быть использовано для изготовления многоуровневых тонкопленочных гибридных интегральных схем и анизотропных магниторезистивных преобразователей.

Изобретение относится к электролитическим методам обработки поверхности металлических материалов и может быть использован в стоматологическом протезировании. Способ заключается в получении биосовместимого покрытия на стоматологических имплантатах, выполненных из титана и его сплавов, включающий помещение изделий в водный раствор электролита, содержащий гидроксид калия и наноструктурный гидроксиаиатит в виде водного коллоидного раствора, возбуждение на поверхности изделий микродуговых разрядов, при этом оксидирование обрабатываемых изделий осуществляют в химически стойкой непроводящей ванне; в раствор электролита помещают одновременно две партии обрабатываемых изделий, предварительно закрепив изделия одной партии к клеммам для обрабатываемых деталей, изделия другой партии - к клеммам вспомогательного электрода; а электролит дополнительно содержит гидроксид натрия, гидрофосфат натрия, натриевое жидкое стекло, метасиликат натрия, в следующих соотношениях, из расчета массы сухого вещества в граммах на литр состава: гидроксид калия КОН - 2, гидроксида натрия NaOH - 1, гидрофосфата натрия Na2HРО4×12H2О - 5, жидкое стекло nNa2O·mSiO2 (М=3,2) - 5, метасиликат натрия Na2SiO3×9H2O - 8, нанодисперсный гидроксиапатит - 0,5÷5, причем отклонения от указанных концентраций компонентов электролита не превышают ±10%.

Изобретение относится к области неорганической химии, а именно к композиции для получения сенсорных покрытий на основе водных суспензий наночастиц диоксида олова.

Изобретение может быть использовано в магнитной наноэлектронике для магнитных регистрирующих сред с высокой плотностью записи, для магнитных сенсоров, радиопоглощающих экранов, а также в медицине.

Изобретение относится к области катализа. Описан катализатор для переработки тяжелых фракций нефти, в котором активный компонент, выбираемый из соединений никеля, или кобальта, или молибдена, или вольфрама или любой их комбинации нанесен на неорганический пористый носитель, состоящий из оксида алюминия, диоксидов кремния, титана или циркония, алюмосиликатов или железосиликатов, или любой их комбинации, отличающийся тем, что указанный катализатор содержит макропоры, образующие регулярную пространственную структуру макропор, причем доля макропор размером более 50 нм составляет не менее 30% в общем удельном объеме пор указанного катализатора.
Изобретение относится к медицине, а именно к экспериментальным исследованиям в онкологии, и может быть использовано для оценки противоопухолевого действия наночастиц (НЧ) металлов.

Изобретение может быть использовано при создании эффективных устройств для отображения алфавитно-цифровой и графической информации. Актуальность создания алфавитно-цифровых дисплеев нового поколения обусловлена растущим потоком визуальной информации и прогрессом в компьютерной технике.
Изобретения относятся к производству органонаполненных полимерных композиций и могут быть использованы в производстве строительных материалов и других отраслях народного хозяйства.

Изобретение относится к способам изготовления датчиков давления и может быть использовано в микро- и наноэлектронике для изготовлении систем для измерения давления окружающей среды.
Изобретение относится к способу стабилизации наночастиц биогенных элементов ферментами. Способ включает в себя проведение синтеза наночастиц посредством окислительно-восстановительной реакции с введением стабилизатора-фермента, образующихся наночастиц непосредственно в реакцию.

Изобретение относится к способу получения водной суспензии кремниевых нанокристаллических частиц для биомедицинских применений. Заявленный способ характеризуется тем, что на поверхности кремниевых пластин формируют пленку пористого кремния толщиной от 1 до 100 мкм и пористостью от 50 до 80%.
Изобретение относится к травматологии и ортопедии и может быть применимо для хирургического лечения деформирующего артроза голеностопного сустава. Удаляют хрящи с суставных поверхностей берцовых и таранной костей. Выполняют разрез кожного покрова по наружной поверхности в области поврежденного голеностопного сустава по заднему краю наружной лодыжки. После обнажения малоберцовой кости от нижней трети до ее верхушки на уровне суставной щели голеностопного сустава выполняют косую остеотомию малоберцовой кости над передней и задней большеберцово-малоберцовыми и пяточно-малоберцовой связками под углом 40-50° к ее продольной оси. Переднюю и заднюю большеберцово-малоберцовые и пяточно-малоберцовую связки поперечно рассекают на 1/3-1/2 их ширины. Объем образовавшейся щели между суставными артродезируемыми поверхностями большеберцовой и таранной костей заполняют гелеобразным наноструктурированным композитным имплантатом, содержащим обогащенную тромбоцитами аутоплазму в соотношении 1:(1-2) с гранулами комплексного аллопластического препарата на основе гидроксиапатита, содержащего 50-60 масс.% коллагена. Способ позволяет улучшить возможности стимуляции костной регенерации. 3 з.п. ф-лы, 3 пр.
Наверх