Устройство для ионного распыления мишени и/или обработки поверхности объекта и способ его применения

Изобретение относится к области обработки поверхности объекта. Устройство для ионного распыления мишени и/или обработки поверхности объекта содержит кольцевой источник ионов, формирующий ионный пучок, распространяющийся в промежутке между двумя условными вложенными друг в друга сходящимися - в направлении от источника ионов к держателю объекта (мишени) - коническими поверхностями, образующие которых составляют с общей осью конусов разные углы и общее основание которых совпадает с окружностью, ограниченной круговой выходной щелью кольцевого источника ионов. Устройство содержит также держатель объекта или мишени, который может вращаться, наклоняться, терморегулироваться. Расстояние между источником ионов и держателем мишени может меняться по заданной программе, при этом благодаря описанной выше форме ионного пучка меняются область и размеры облучаемой ионами поверхности. Технический результат - повышение равномерности обработки поверхности. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

 

Изобретение относится к области устройств и способов для воздействия потоками ионов на поверхность объекта, а именно для ионного распыления мишеней, для ионной обработки поверхности объектов. Понимается при этом, что при ионном распылении цель состоит в получении нейтрального и/или ионизированного потока частиц материала мишени для дальнейшего использования этого потока, а при ионной обработке поверхности объекта целью является изменение свойств этой поверхности и приповерхностных слоев объекта для дальнейшего использования данного объекта, хотя распыление при этом тоже может иметь место.

Известны и широко используются многочисленные устройства и способы для ионного распыления мишеней, содержащие источник ионов и средства для ускорения ионов до нужной энергии [например, патенты США №№5080455, 5492605, 6063244, заявка США №2009/0236217].

Известны также устройства и способы для обработки поверхности ионным лучом с различными целями [например, патенты США №№4132614, 4620898, 4855026, 4957771, 5427638, Габович Н.Д. и др. «Пучки ионов и атомов для управляемого термоядерного синтеза и технологических целей. - М.: Энергоатомиздат, 1985], например для:

- модификации поверхности (изменения ее структуры, состава, свойств и т.п.);

- очистки;

- ионного травления (ионного фрезерования);

- полимеризации приповерхностного слоя;

- легирования приповерхностного слоя;

- полировки;

- отжига приповерхностного слоя и др.

Недостатком этих устройств и способов является недостаточная равномерность распыления или обработки.

Для обеспечения равномерного распыления мишени по ее поверхности и для получения равномерных покрытий с помощью ионного распыления принимаются специальные меры: используют сканирование ионным пучком, вращают облучаемый объект и др. [например, патенты США №№4871433, 5373164].

Недостатком их является сложность устройств, трудности в реальном обеспечении равномерности обработки или распыления.

Ближайшим к предлагаемому изобретению аналогом является устройство, содержащее несколько кольцевых ионных источников [патент США №6236163].

Недостатком его является сложность источника ионов и ограниченность его применения (по размерам обрабатываемого объекта).

Задачей предлагаемого изобретения является повышение равномерности обработки или распыления поверхности объекта, повышение равномерности наносимых слоев и расширение возможностей применения.

Указанная задача решается тем, что устройство для ионной обработки и/или ионного распыления содержит держатель мишени или другого объекта (далее - держатель), выполненный с возможностью поворота и/или вращения вокруг одной или нескольких осей, и содержит кольцевой ионный источник, выполненный с возможностью формирования ионного пучка, распространяющегося в промежутке между условными вложенными друг в друга сходящимися по направлению от источника к держателю коническими поверхностями с общим основанием, ограниченным круговой выходной щелью кольцевого источника ионов, и боковыми поверхностями, образующие которого составляют с общей осью конусов разные углы, причем устройство выполнено с возможностью изменения расстояния между держателем и источником ионов.

При этом сечение ионного пучка плоскостью, перпендикулярной оси конусов, будет представлять собой кольцо. Радиус и ширина кольца зависят от расстояния L между секущей плоскостью и плоскостью источника ионов:

- при L=0 радиус кольца совпадает с радиусом выходной щели источника, а ширина примерно равна ширине выходной щели;

- при увеличении L в пределах от нуля до высоты меньшего конуса h2 (0<L<h2) радиус кольца убывает, а ширина его возрастает;

- в пределах h2<L<h1, где h1 - высота большего конуса, кольцо вырождается в окружность;

- при L>h1 радиус кольца и его ширина растут с увеличением L.

Очевидно, что зона обработки ионным пучком зависит от L таким же образом.

Способ использования предложенного устройства основан на следующем.

Изменение расстояния L приводит к изменению области обработки объекта (зоны распыления мишени). С увеличением расстояния L уменьшается плотность тока ионного пучка. Учитывая теоретически или на основе опыта эти два фактора, определяют программу, по которой меняют расстояние L в процессе ионной обработки или ионного распыления, т.е. расстояние между держателем объекта и ионным источником (вдоль оси ионного источника) меняют по заданному закону.

Для расширения возможностей предлагаемого устройства держатель снабжен средствами терморегулирования и приводом вращения и наклона. Терморегулированием добиваются оптимальных режимов ионной обработки объекта (распыления мишени), заданием углов - оптимальных условий для целей конкретного применения взаимодействия ионов с поверхностью, вращением - дополнительной равномерности обработки объекта (распыления мишени).

Управление углами наклона, углами поворота и скоростью вращения держателя также производят по рассчитанной теоретически и/или экспериментально найденной программе.

Возможным вариантом исполнения может быть устройство, рассчитанное на определенный предел размеров обрабатываемого объекта. Для этого устройство выполнено так, что площадь окружности, ограниченной круговой выходной щелью кольцевого источника ионов имеет площадь не меньше площади обрабатываемого объекта (мишени) или, точнее, площади описанной (в геометрическом смысле) окружности контуров объекта (мишени). Такое соотношение размеров позволяет не увеличивать расстояние L за пределы значения L=h1, что позволяет не увеличивать габаритов объема обработки объекта и не устанавливать объект на больших расстояниях, где плотность тока пучка мала, т.к. она обратно пропорциональна L2.

На фигуре изображена схема устройства (без второстепенных и общеизвестных деталей). Цифрами на фигуре обозначены:

1 - ионный источник;

2 - анод ионного источника;

3 - катод ионного источника;

4 - держатель объекта с объектом (мишенью);

5 - границы ионного пучка в сечении;

6 - держатель объекта с объектом (мишенью) в другом положении.

Примером конкретного исполнения может служить устройство для распыления мишени титана, содержащее ионный источник с круговой выходной щелью источника ионов диаметром 300 мм, способный создавать пучок ионов с энергией от 100 эВ до 1 кэВ с полным током от 1,0 мА до 300,0 мА, направленный под углами от 20° до 40° по отношению к плоскости источника. Примером режима является режим при средней энергии ионов 1кэВ, полном токе ионного пучка 1,0 мА, угол наклона рабочей поверхности держателя мишени и самой мишени диаметром 200 мм по отношению к плоскости ионного источника составляет 20°, расстояние L меняют от 10 мм до 90 мм и обратно с переменной скоростью с частотой 0,1 Гц, а мишень вращают вокруг своей оси с частотой 11 Гц.

1. Устройство для ионного распыления мишени или ионной обработки поверхности объекта, содержащее кольцевой источник ионов и держатель мишени или объекта, отличающееся тем, что источник ионов выполнен с возможностью формирования ионного пучка, распространяющегося в промежутке между двумя условными вложенными друг в друга сходящимися - в направлении от источника ионов к держателю объекта (мишени) - коническими поверхностями, образующие которых составляют с общей осью конусов разные углы и общее основание которых совпадает с окружностью, ограниченной круговой выходной щелью кольцевого источника ионов, и с возможностью изменения расстояния между источником ионов и держателем объекта (мишени).

2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что держатель объекта (мишени) выполнен с возможностью поворота и/или вращения вокруг одной или нескольких осей и снабжен средствами терморегулирования и приводом вращения и наклона.

3. Устройство по п.1, отличающееся тем, что площадь окружности, ограниченной круговой выходной щелью кольцевого источника ионов, не меньше площади описанной окружности контуров обрабатываемого объекта (мишени).

4. Способ использования устройства по любому из пунктов 1-3, отличающийся тем, что расстояние между держателем объекта (мишени) и ионным источником вдоль оси последнего меняют по заданному закону.

5. Способ по п.4, отличающийся тем, что держатель с объектом (мишенью) вращают по заданному закону и/или изменяют угол его оси с осью источника ионов по заданному закону.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к устройствам для ввода энергии ионизации в ионный или электронный источник с индуктивным или индуктивно-емкостным возбуждением. .

Изобретение относится к технике получения низкотемпературной плазмы и может быть использовано в источниках электронных и ионных пучков в качестве эмиттера. .

Изобретение относится к клапанам и предназначено преимущественно для быстрого и точного регулирования газовой среды накопительных камер инжекторов холодной плазмы, в реакторах для синтеза легких ядер, при давлении газа на входе клапана не более 10 мм ртутного столба.

Изобретение относится к плазменной технике и может использоваться для генерации потоков заряженных частиц, например ионов, в технологических целях и в космических двигательных установках.

Изобретение относится к методам получения нейтрализованных пучков заряженных частиц, их формирования, транспортировки и сепарации и может быть использовано в ионно-пучковых технологиях для ионной имплантации, обработки и модификации поверхностей, нанесения покрытий, для разделения изотопов, нагрева плазмы в ловушках для управляемого термоядерного синтеза и др.

Изобретение относится к генерации пучков нейтральных частиц (ПНЧ), в частности к системам нейтрализации заряженных пучков, и может быть использовано в космической технике, термоядерном синтезе и т.д.

Изобретение относится к ускорительной технике, а более конкретно к методам формирования пучков заряженных частиц с заданными параметрами. .

Изобретение относится к устройствам для синтеза износостойких нанокомпозитных покрытий на изделиях в вакуумной камере. Устройство для синтеза покрытий, содержащее рабочую вакуумную камеру, соединенный с камерой анод, полый катод, эмиссионную сетку, перекрывающую полый катод, мишень, установленную на дне полого катода напротив эмиссионной сетки, источник питания разряда, положительным полюсом соединенный с камерой и анодом, а отрицательным полюсом - с полым катодом и мишенью, и генератор импульсов высокого напряжения, положительным полюсом соединенный с камерой и анодом, а отрицательным полюсом - с эмиссионной сеткой, дополнительно содержит вторую сетку и полый электрод, охватывающий пространство между сетками и соединенный с ними электрически, кроме того, устройство дополнительно содержит магнитную систему с арочной конфигурацией силовых линий, установленную за мишенью на дне полого катода. Технический результат - расширение технологических возможностей устройства за счет синтеза как проводящих, так и диэлектрических наноструктурных покрытий при одновременном повышении качества покрытий путем обеспечения более высокой адгезии, износостойкости и трещиностойкости. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к области ионно-плазменного распыления, в частности к ионно-лучевому распылению мишеней для получения тонкопленочных проводящих, полупроводниковых и диэлектрических покрытий на движущихся или вращающихся подложках большой площади. Устройство ионного распыления содержит размещенные в вакуумной камере протяженный вдоль продольной оси О источник ионов с замкнутым дрейфом электронов с вертикальной осью Z, систему подачи газа, протяженную мишень, подложкодержатель и источник постоянного напряжения. Источник ионов имеет электрически соединенные верхний и нижний магнитопроводы замкнутой формы с соответственно верхним и нижним полюсными наконечниками катода, которыми ограничена выходная щель О-образной формы с протяженными участками, параллельными продольной оси О, а также размещенные в ограниченном внутренними поверхностями верхнего и нижнего магнитопроводов объеме анод замкнутой формы и магнитную систему в виде группы равномерно размещенных на протяжении источника ионов постоянных магнитов, причем анод расположен напротив выходной щели. Источник постоянного напряжения выводом с положительным потенциалом соединен с анодом, а заземленным выводом с отрицательным потенциалом - с магнитопроводами и мишенью. Мишень и подложкодержатель противолежат друг другу и размещены со стороны нижнего и верхнего полюсных наконечников катода соответственно, причем подложкодержатель закреплен с возможностью движения. Мишень выполнена в виде цилиндра и закреплена с возможностью вращения вокруг своей оси, которая параллельна продольной оси источника ионов О и пересекает его вертикальную ось Z. Поверхности верхнего и нижнего полюсных наконечников катода и обращенная к ним поверхность анода выполнены параллельными друг другу с наклоном к мишени, либо поверхности верхнего и нижнего полюсных наконечников катода и обращенная к ним поверхность анода выполнены параллельными вертикальной оси Z, причем верхний полюсный наконечник катода выступает в сторону вертикальной оси Z относительно нижнего полюсного наконечника катода, при этом угол α между лежащими в одной плоскости и пересекающими поверхность мишени в общей точке средней линией выходной щели на ее протяженном участке и нормалью к поверхности мишени выбран из интервала 50÷70°. Технический результат - снижение расхода материала мишени при ее равномерном эффективном распылении. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к способам ионно-лучевой обработки изделий с большой площадью поверхности. Обрабатываемые изделия перемещают поперек большой оси пучка, формируемого с помощью ионно-оптической системы, содержащей плазменный и ускоряющий электроды, каждый из которых содержит большое число щелевых апертур. Многощелевая структура ионно-оптической системы обуславливает существование локальных неоднородностей распределения плотности ионного тока, приводящих к неравномерности ионно-лучевой обработки. Изделия перемещают под углом αmin относительно оси параллельных щелевых апертур, в результате все участки поверхности изделий получают одинаковый флюенс ионного облучения. Минимальный угол αmin=arctg(h/l) определяют из условия пересечения области пучка по диагонали единичной апертуры. Максимальный угол αmax=arccos(H/l) определяют из условия сохранения оптимальной длины апертуры. Здесь l, h - длина и ширина апертур, Н - длина короткой оси сечения пучка. Технический результат - достижение равномерной ионно-лучевой обработки изделий при их перемещении в области ионного пучка. 4 ил.

Изобретение относится к газоразрядным электронным приборам с ионным пучком и может использоваться при обработке материалов, в частности при ионной полировке оптических деталей до дифракционного качества поверхности. Ионный источник содержит магнитную систему под потенциалом катода с кольцевым зазором между внутренним и внешним полюсами системы, постоянный магнит в качестве источника магнитодвижущей силы, анод, установленный симметрично кольцевому зазору, систему подачи рабочего газа со стороны анода. Кольцевой зазор выполнен в виде конусообразной щели. Перед внутренним полюсом установлен дополнительный полюс в виде диска диаметром меньшим внутреннего конусного раскрытия кольцевого зазора, а внешний и внутренний полюса выполнены в виде конуса, ориентированного своим основанием в сторону дополнительного полюса. В пространстве между внутренним конусным раскрытием кольцевого зазора и дополнительным полюсом установлена кольцевая вставка из немагнитного материала. Технический результат - создание ионного источника со сходящимся пучком ионов для ионной полировки оптических деталей и повышение ресурса его работы. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
Наверх