Способ изготовления микроэлектромеханических реле



Способ изготовления микроэлектромеханических реле
Способ изготовления микроэлектромеханических реле
Способ изготовления микроэлектромеханических реле
Способ изготовления микроэлектромеханических реле
Способ изготовления микроэлектромеханических реле
Способ изготовления микроэлектромеханических реле
Способ изготовления микроэлектромеханических реле
Способ изготовления микроэлектромеханических реле
Способ изготовления микроэлектромеханических реле

 


Владельцы патента RU 2511272:

Открытое акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (ОАО "Российские космические системы") (RU)

Изобретение относится к микросистемной технике и может быть использовано при изготовлении микроэлектромеханических реле. Способ изготовления микроэлектромеханических реле включает последовательное формирование на подложке контактной металлизации, состоящей из управляющего электрода, двух нижних коммутируемых контактов, расположенных с двух сторон от управляющего электрода на определенном расстоянии, «жертвенного» слоя, верхнего подвижного контакта, расположенного над управляющим электродом и нижними коммутируемыми контактами, опор для подвеса подвижного верхнего контакта. «Жертвенный» слой формируют из не менее трех «жертвенных» подслоев в несколько стадий с использованием двух позитивных фоторезистов с различной величиной вязкости, формируют отверстия для нижних коммутируемых контактов и опор для подвеса подвижного верхнего контакта методом фотолитографии, на конечной стадии проводится термообработка «жертвенного» слоя. Техническим результатом заявленного изобретения является получение высокого уровня планарности «жертвенного» слоя, что повышает воспроизводимость технологического процесса изготовления микроэлектромеханических реле. 4 з.п. ф-лы, 9 ил.

 

Область техники

Изобретение относится к микросистемной технике (МСТ), в частности к технологии формирования «жертвенных» слоев, и может быть использовано при изготовлении микроэлектромеханических (МЭМС) реле.

Уровень техники

В микромеханике в настоящее время преобладает технология поверхностной микрообработки с применением «жертвенных» слоев. В ее основе лежат два основных процесса нанесения «жертвенного», а затем и рабочих слоев и удаление через отверстия в рабочем слое «жертвенного» для формирования объемных полостей между рабочим слоем и подложкой [1]. Такие параметры «жертвенного» слоя, как шероховатость, планарность, высота, механическое напряжение, влияют на рабочие характеристики исполнительного элемента, который формируется на нем, а соответственно и всего прибора в целом [2].

Из уровня техники известно, что в качестве «жертвенного» слоя распространение получили:

- диоксид кремния, получаемый термическим окислением или пиролитическим осаждением из газовой фазы и растворяемый в плавиковой кислоте;

- алюминий, растворяемый кислотными реагентами;

- поликремний, осаждаемый из газовой фазы при низком давлении и растворяемый в гидроксиде калия [3].

В качестве материала «жертвенного» слоя широкое распространение получил полиимид. Преимуществами этого материала являются: возможность формирования тонких слоев, хорошая адгезия поверхности и селективность травления, травление полиимида возможно сухим методом в плазме кислорода [4].

Также в качестве «жертвенного» слоя используют фоторезисты. Использование фоторезистов в качестве «жертвенных» слоев в отличие от часто применяемых полиимидных позволяет значительно снизить температуру и время проведения процессов формирования и удаления «жертвенного» слоя. Фоторезисты хорошо вписываются в существующую планарную технологию [5].

Наиболее близким по сущности и достигаемому эффекту техническим решением является способ изготовления МЭМС коммутатора, представленный в патенте RU 2417941 «Способ изготовления МЭМС коммутатора». Сущность изобретения: в способе изготовления МЭМС коммутатора на подложку поэтапно наносят электродный слой, в котором формируют нижний управляющий электрод и нижний контакт. Поверх электродного слоя наносят первый «жертвенный» слой, толщина которого - сумма высот верхнего и нижнего контактов, вытравливают в «жертвенном» слое рельеф с образованием отверстия до поверхности нижнего контакта. Затем выполняют второй «жертвенный» слой, толщина которого равна расчетному значению межконтактного зазора. Далее формируют верхний контакт, подвижную часть необходимой конструкции, верхний управляющий электрод и вытравливают весь «жертвенный» слой [6]. Недостатком известного технического решения является низкая воспроизводимость технологического процесса из-за невысокого уровня планарности рельефа «жертвенного» слоя.

Раскрытие изобретения

Техническим результатом заявленного изобретения является получение высокого уровня планарности «жертвенного» слоя, что повышает воспроизводимость технологического процесса изготовления микроэлектромеханических реле.

Технический результат достигается тем, что способ изготовления микроэлектромеханических реле, включающий последовательное формирование на подложке контактной металлизации, состоящей из управляющего электрода, двух нижних коммутируемых контактов, расположенных с двух сторон от управляющего электрода на определенном расстоянии, «жертвенного» слоя, верхнего подвижного контакта, расположенного над управляющим электродом и нижними коммутируемыми контактами, опор для подвеса подвижного верхнего контакта, отличается тем, что «жертвенный» слой формируют из не менее трех «жертвенных» подслоев в несколько стадий с использованием двух позитивных фоторезистов с различной величиной вязкости, формируют отверстия для нижних коммутируемых контактов и опор для подвеса подвижного верхнего контакта методом фотолитографии, на конечной стадии проводится термообработка «жертвенного» слоя, толщина нижнего первого «жертвенного» подслоя равна высоте нижних коммутируемых контактов. Нижний первый «жертвенный» подслой подвергается термообработке, при которой происходит усадка краев, формируемых методом фотолитографии отверстий для нижних коммутируемых контактов. Толщина второго и третьего «жертвенного» подслоя равна 2/3 величины зазора между верхним подвижным и нижними коммутируемыми контактами. На конечной стадии проводится двухстадийная термообработка «жертвенного» слоя: первая стадия термообработки проводится при +105±10°С в течение 8-12 минут, вторая стадия - при+160±20°С в течение 9-11 минут.

Двухстадийная термообработка приводит к испарению остаточного растворителя, поглощенной воды, проявителя и ополаскивателя, усадке и оплавлению позитивного фоторезиста, что улучшает степень планаризации рельефа «жертвенного» слоя. Степень планаризации «жертвенного» слоя рассчитывается по следующей формуле [7]:

Степень планаризации,

где da - высота ступеньки рельефа, сформированного на подложке,

ds - высота «жертвенного» слоя над ступенькой.

Краткое описание чертежей

Признаки и сущность заявленного изобретения поясняются в последующем детальном описании, иллюстрируемом чертежами, где показано следующее:

На фиг.1 представлена подложка со сформированными нижним слоем контактной металлизации и первым «жертвенным» подслоем.

На фиг.2 представлена подложка со сформированными в первом «жертвенном» подслое отверстиями, открывающими нижние коммутируемые контакты.

На фиг.3 представлена подложка со сформированными в первом «жертвенном» подслое отверстиями, края которого осели в результате термической обработки.

На фиг.4 представлена подложка со сформированными первым и вторым «жертвенными» подслоями.

На фиг.5 представлена подложка со сформированными первым, вторым и третьим «жертвенными» подслоями.

На фиг.6 представлена подложка со сформированными в «жертвенном» слое отверстиями, открывающими опоры для подвеса верхнего подвижного контакта.

На фиг.7 представлена подложка со сформированным верхним подвижным контактом.

На фиг.8 представлена подложка с вытравленным «жертвенным» слоем.

На фигурах 1 - 8 обозначено следующее:

1 - первый «жертвенный» подслой;

2 - нижние коммутируемые контакты;

3 - управляющий электрод;

4 - подложка;

5 - опоры для подвеса верхнего подвижного контакта;

6 - отверстия в «жертвенном» слое, открывающие нижние коммутируемые контакты;

7 - второй «жертвенный» подслой;

8 - третий «жертвенный» подслой;

9 - отверстия в «жертвенном» слое, открывающие опоры для подвеса верхнего подвижного контакта;

10 - верхний подвижный контакт.

На фиг.9 - процент выхода годных кристаллов.

Осуществление изобретения и пример реализации

Заявленный способ изготовления микроэлектромеханического реле осуществляется следующим образом: на подложке (4) формируется нижний слой контактной металлизации, состоящий из управляющего электрода (3), нижних коммутируемых контактов (2) и опор для подвеса (5) верхнего подвижного контакта (8). Далее на подложку (4) наносится первый «жертвенный» подслой - фоторезист позитивный ФП2550 (1), толщиной, равной высоте нижних коммутируемых контактов (2) (фиг.1); посредством метода фотолитографии в первом «жертвенном» подслое (1) формируются отверстия, открывающие нижние коммутируемые контакты (2) (фиг.2); проводится термическая обработка первого «жертвенного» подслоя в термошкафу, в процессе термической обработки происходит усадка краев формируемых методом фотолитографии отверстий (6) (фиг.3). Далее на подложку (4) наносится второй «жертвенный» подслой - фоторезист позитивный ФП9120-1 (7), толщиной, равной 2/3 величины зазора между верхним (10) и нижним (2) коммутируемым контактом, и сушится в установке ИК-термообработки (фиг.4). Поверх второго «жертвенного» подслоя (7) наносится третий «жертвенный» подслой - фоторезист позитивный ФП9120-1 (8), толщиной, равной 2/3 величины зазора между подвижным верхним (10) и нижним коммутируемым контактом (2), и также сушится в установке ИК-термообработки (фиг.5). Далее посредством метода фотолитографии в слое, состоящем из первого (1) и второго «жертвенных» подслоев (7), формируются отверстия, открывающие опоры для подвеса верхнего подвижного контакта (9) (фиг.6). Далее проводится двухстадийная термообработка сформированных «жертвенных» подслоев (1, 7, 8) в термошкафу: первая стадия термообработки проводится при +105±10°С в течение 9-11 минут, вторая стадия - при+160±20 С в течение 9-11 минут. На первой стадии термообработки происходит испарение остаточного растворителя, поглощенной воды, проявителя и ополаскивателя. На второй стадии термообработки происходит усадка и оплавление позитивного фоторезиста, что увеличивает степень планаризации рельефа «жертвенного» слоя с 75% до 90% (рассчитанной по формуле 1). Далее формируется верхний подвижный контакт (10) (фиг.7) и вытравливаются «жертвенные» подслои (1, 7, 8) (фиг.8).

Заявленный способ применен при изготовлении высокочастотного микроэлектромеханического реле. Изготовление осуществляли следующим образом: на подложке (4) формируется нижний слой контактной металлизации, состоящий из управляющего электрода (3), нижних коммутируемых контактов (2) и опор для подвеса (5) верхнего подвижного контакта (8) (фиг.1); далее на подложку (4) наносятся «жертвенные» подслои (1, 7, 8) толщиной, равной заданному расстоянию между управляющим электродом и подвижным контактом (фиг.2-7); далее проводится двухстадийная термообработка сформированных «жертвенных» слоев (1, 7, 8); далее формируется верхний подвижный контакт (10) (фиг.7) и вытравливаются «жертвенные» подслои (1, 7, 8) (фиг.8).

Применение заявленного способа при изготовлении высокочастотного микромеханического реле позволило увеличить процент выхода годных кристаллов на 25% (фиг.9).

Таким образом, использование предложенного способа позволяет обеспечить решение задачи улучшения планаризации «жертвенного» слоя с достижением ожидаемого технического результата.

Список литературы

1. Пятнышев Е.Н., Лурье М.С., Попова И.В. Специфика технологии микромеханических устройств. - Микросистемная техника, 2001, №6, стр.32-34.

2. Соловьев Ю.В., Волков В.В., Александров С.Е., Спешилов А.Б. МЭМС-переключатель резистивно-емкостного типа. - Нано- и микросистемная техника. 2007, №7, стр.65-68.

3. Варадан В., Виной К., Джозе К. ВЧ МЭМС и их применение.-Москва. Техносфера, 2004. - 528 с.

4. Жуков А.А., Здобников А.Е., Тарасов В.В. Микромашинная технология формирования мостиковых структур микроболометрической матрицы формата 64x64. - Прикладная физика, 2003. с.48-51.

5. Takacs Т., Pulskamp J., Polcawich R. UV baked/cured photoresist used as a sacrificial layer in MEMS fabrication. - Army Research Laboratory notes, 2005.http://www.dtic.mil.

6. Патент RU 2417941 «Способ изготовления МЭМС коммутатора».

7. Моро У. Микролитография: В 2-х ч. Ч. 2: Пер.с англ. - М.: Мир, 1990. - 632 с.

1. Способ изготовления микроэлектромеханических реле, включающий последовательное формирование на подложке контактной металлизации, состоящей из управляющего электрода, двух нижних коммутируемых контактов, расположенных с двух сторон от управляющего электрода на определенном расстоянии, «жертвенного» слоя, верхнего подвижного контакта, расположенного над управляющим электродом и нижними коммутируемыми контактами, опор для подвеса подвижного верхнего контакта, отличающийся тем, что «жертвенный» слой формируют из не менее трех «жертвенных» подслоев в несколько стадий с использованием двух позитивных фоторезистов с различной величиной вязкости, формируют отверстия для нижних коммутируемых контактов и опор для подвеса подвижного верхнего контакта методом фотолитографии, на конечной стадии проводится термообработка «жертвенного» слоя.

2. Способ изготовления по п.1, отличающийся тем, что толщина нижнего первого «жертвенного» подслоя равна высоте нижних коммутируемых контактов.

3. Способ изготовления по п.2, отличающийся тем, что нижний первый «жертвенный» подслой подвергается термообработке, при которой происходит усадка краев формируемых методом фотолитографии отверстий для нижних коммутируемых контактов.

4. Способ изготовления по п.3, отличающийся тем, что толщина второго и третьего «жертвенного» подслоя равна 2/3 величины зазора между верхним подвижным и нижними коммутируемыми контактами.

5. Способ изготовления по любому из пп.1-4, отличающийся тем, что на конечной стадии проводится двухстадийная термообработка «жертвенного» слоя: первая стадия термообработки проводится при +105 ±10°С в течение 8-12 минут, вторая стадия - при +160±20°С в течение 9-11 минут.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области космического приборостроения и микроэлектроники и может быть использовано для систем защиты информационно-телекоммуникационной аппаратуры ИТА беспилотных малых космических аппаратов от высоких стартовых перегрузок на заданных пороговых значениях.

Изобретение относится к области часовой промышленности, а именно к системе шестерен, которая включает в себя крепежное устройство, предотвращающее возникновение напряжения сдвига, что обеспечивается за счет того, что система шестерен включает в себя шестерню и зубчатое колесо, соосно установленные относительно поворотной оси, и крепежное устройство между вышеуказанной шестерней и вышеуказанным колесом для предотвращения относительного перемещения одного из них относительно другого.

Изобретение относится к способу получения оптических планарных волноводов в ниобате лития для интегральной и нелинейной оптики. .

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к средствам измерения линейных ускорений, угловых скоростей и тепловых полей малой интенсивности в инфракрасной и терагерцовой области.

Изобретение относится к вакуумной технике и представляет собой способ получения газопоглощающей структуры для поддержания вакуума в различных приборах, в том числе микроэлектромеханических системах.

Изобретение относится к способу изготовления составного микромеханического компонента, сочетающему процессы глубокого реактивного ионного травления и литографии, гальванопластики и формования.

Изобретение относится к области микросистемной техники и может быть использовано при создании и изготовлении микромеханических устройств, содержащих упругие гибкие деформируемые исполнительные элементы, обеспечивающие преобразование «электрический сигнал - перемещение» и/или «изменение температуры - перемещение» для микроробототехнических систем.

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано, например, в микрогирометрах, микроакселерометрах, микродатчиках давления. .

Изобретение относится к приборостроению и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых микроэлектромеханических устройств, а именно малогабаритных датчиков физических величин. Изобретение обеспечивает увеличение количества годных микроэлектромеханических структур за счет совершенствования способа электростатической анодной посадки. В способе изготовления микроэлектромеханических структур путем анодного соединения (анодной сварки) двухслойной структуры из пластины кремния с предварительно очищенной стеклянной подложкой при нагревании их в вакууме и приложении напряжения, предварительно пластину из кремния разделяют на кристаллы, формируют пары структур кремний - стекло, размещают их в кассету вертикально, прижимая друг к другу, кассету помещают в графитовый нагреватель и нагревают их при температуре от 370°С до 400°С, после чего подают анодное напряжение на стекло в интервале от 200 до 500 вольт для формирования слоя объемного заряда в стекле, прилегающем к поверхности кремния. В устройстве для изготовления микроэлектромеханических структур графитовый столик выполняют с боковыми стенками, в которых, как и в основании графитового столика, установлено не менее двух нагревательных элементов в каждом, на торцах двух противоположных стенок установлены токовводы для подачи анодного напряжения, на основании столика расположена кассета, в которой размещены пары структур кремний - стекло. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 4 ил.

Использование: для соединения герметичных корпусов устройств на базе микроэлектромеханических систем (МЭМС). Сущность изобретения заключается в том, что формирование на поверхности как первой пластины, так и второй пластины стопы из первого металла, подверженного окислению на воздухе; формирование на верхней поверхности каждой стопы из первого металла слоя второго металла, температура плавления у которого ниже, чем у первого металла (причем толщину слоя второго металла выбирают достаточной для предотвращения окисления верхней поверхности первого металла); приведение слоя второго металла на первой пластине в контакт со слоем второго металла на второй пластине, чтобы образовать зону соединения, и приложение к первой и второй пластинам давления соединения при температуре зоны соединения, которая ниже температуры плавления второго металла, чтобы инициировать соединение, причем давление соединения выбирают достаточным для деформирования слоев второго металла в зоне соединения. Технический результат: обеспечение возможности создания герметичного корпуса. 12 з.п. Ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к области радиоэлектроники и касается способа формирования канала для передачи оптического сигнала между электронными модулями на одной печатной плате. Способ заключается в том, что берут заготовку, в состав которой входит прозрачный полимер, над соответствующим местом заготовки располагают фоторезист и воздействуют на него штампом. Через прозрачную маску штампа осуществляют экспозицию УФ-излучением и покрывают внешнюю поверхность оптического тракта из отвердевшего фоторезиста светоотражающим металлическим слоем путем напыления. Технический результат заключается в упрощении способа формировании канала и улучшении эксплуатационных характеристик изделий. 5 ил.

Изобретение относится к области инерциальных микроэлектромеханических систем, используемых в качестве датчиков перегрузок, таких как, например, акселерометры или гироскопы. Способ устранения залипания электродов в инерциальном микроэлектромеханическом устройстве, содержащем: подвижную массу (150), подвешенную на каркасе с помощью пружинного устройства (115) и содержащую по меньшей мере один подвижный электрод; неподвижный электрод, жестко прикрепленный к каркасу, причем неподвижный электрод взаимодействует с подвижным электродом, в результате чего формируется пара электродов. Причем способ включает обнаружение пары залипших электродов, для которых слипание характеризуется силой прилипания (Fs), и стадию разделения, включающую подачу в течение заданного интервала времени заданного напряжения между электродами пары электродов для создания электростатической силы, которая обеспечивает смещение подвижной массы в направлении действия силы прилипания. 3 н. и 2 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к измерительной технике. С его помощью представляется возможным расширить температурный диапазон работы датчика на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы, повысить воспроизводимость таких параметров тензорезисторов, как электрическое сопротивление и температурный коэффициент сопротивления, снизить температурную чувствительность датчиков. В способе изготовления термоустойчивой нано- и микроэлектромеханической системы высокотемпературного датчика механических величин на планарной стороне упругого элемента методами вакуумного распыления образуют гетерогенную структуру из нано- и микроразмерных пленок материалов, содержащую тонкопленочные диэлектрические, тензорезистивные и контактные слои. Формируют тензоэлементы - тензорезисторы, контактные проводники и контактные площадки к ним. Тензорезистивный слой формируют методом магнетронного распыления в вакуумной камере с одновременным использованием двух мишеней из никеля и титана. Упругий элемент со сформированным на нем диэлектрическим слоем устанавливают на карусель, нагревают, создают давление аргона, а затем вращают карусель с упругим элементом при определенном соотношении плотности токов в зонах распыления первой и второй мишеней. После этого упругий элемент с нанесенным на него тензорезистивным слоем выдерживают в вакууме при повышенной температуре. 6 ил., 1 табл.

Изобретение относится к изготовлению герметичных конструкций, образующих микроэлектромеханические системы. Способ создания герметичного уплотнения внутри первой композитной пластины типа кремний-изолятор, используемой для изготовления герметичной конструкции, включает следующие операции: структурирование первой кремниевой пластины для формирования одного или более углублений, проходящих по меньшей мере на часть толщины первой кремниевой пластины, заполнение единственного или каждого углубления материалом-изолятором, пригодным для прикрепления к кремнию посредством анодного соединения с формированием первой композитной пластины, имеющей множество интерфейсов кремний-изолятор и первую контактную поверхность, состоящую из материала-изолятора, и применение к первой и второй контактным поверхностям технологии анодного соединения для создания герметичного уплотнения в интерфейсах кремний-изолятор первой композитной пластины, причем вторая контактная поверхность состоит из кремния. Изобретение позволяет упростить создание герметичного уплотнения. 3 н. и 17 з.п. ф-лы, 11 ил.

Использование: для изготовления микроэлектромеханических структур. Сущность изобретения заключается в том, что способ защиты углов трехмерных микромеханических структур на кремниевой пластине с кристаллографической ориентацией (100) при глубинном анизотропном травлении в водном растворе гидрооксида калия КОН включает формирование масочного рисунка с элементами защиты углов, элементы защиты углов, имеющие диагональную форму на топологической маске, располагают под углом 45° к контурам жесткого центра, причем размеры изготовляемых трехмерных микромеханических структур определяются из определенных условий. Технический результат: обеспечение возможности повышения качества и увеличения процента выхода годных трехмерных микромеханических структур. 6 ил., 2 табл.
Группа изобретений относится к способу получения формованных изделий с покрытием с полностью или частично структурированными поверхностями, установке для осуществления этого способа и формованному изделию, изготовленному этим способом. Способ включает впрыск формовочной массы при температуре 220-330°С, в пресс-форме образуется промежуточное пространство. Образованное пространство заполняют реакционной смесью посредством жидкостного впрыскивания. Пресс-форму герметизируют и нагревают в заданных режимах, а затем охлаждают пресс-форму и извлекают отформованное изделие. Кроме того, в настоящем изобретении описывается установка для осуществления этого способа, содержащая пресс-форму. Посредством способа и установки по изобретениям получают формованное изделие с заданным покрытием. Технический результат, достигаемый при использовании способа и установки по изобретениям, заключается в получении формованных изделий с превосходными механическими свойствами, а именно обеспечении высокой устойчивости к царапанию и высокой жесткости. 3 н. и 11 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении приборов микроэлектромеханических систем, в частности интегральных микромеханических реле и устройств на их основе. Технический результат: повышение надежности и временной стабильности интегрального микромеханического реле. Сущность: способ изготовления интегрального микромеханического реле с подвижным электродом в виде структуры с пьезоэлектрическим слоем (7), осуществляется на поверхности кремниевых пластин в едином технологическом цикле при технологии изготовления, совместимой с технологией производства интегральных схем. Для этого формируют на поверхности кремниевой подложки (1) диэлектрический слой (2) из пленки SiO2 методом термического окисления; напыляют токопроводящий слой TiN (3) и формируют неподвижный электрод методом ионно-лучевого напыления и травления с использованием проекционной лазерной фотолитографии. Осаждают слой Si3N4 методом CVD с подготовкой его в качестве жертвенного слоя с последующим плазменным травлением. Напыляют первый токопроводящий слой TiN (4), осаждают диэлектрический слой SiC (5) с высокими упругими свойствами методом магнетронного напыления Напыляют второй токопроводящий слой TiN (6). Осаждают пьезоэлектрический слой ЦТС (7). Напыляют третий токопроводящий слой TiN (8). Затем проводят плазмохимическое травление слоев: третьего токопроводящего слоя TiN (8), пьезоэлектрического слоя ЦТС (7), второго токопроводящего слоя TiN (6), диэлектрического слоя SiC (5) с высокими упругими свойствами, первого токопроводящего слоя TiN (4) с формированием подвижного многослойного электрода и вскрытием жертвенного слоя Si3N4. Травление жертвенного слоя Si3N4 проводят с образованием воздушного зазора между неподвижным и подвижным электродами. 1 ил.

Изобретение относится к способу изготовления микромеханической детали (11, 31, 41) из цельного куска материала. Способ включает следующие этапы: a) формирование подложки, которая включает в себя негативную полость для упомянутой изготовляемой микромеханической детали; b) формирование временного слоя на одной из частей подложки; c) осаждение частиц на подложке, которые должны стать точками проращивания; d) удаление временного слоя таким образом, чтобы на одной из частей подложки были выборочно удалены все частицы; e) осаждение слоя материала при помощи химического парофазного осаждения таким образом, чтобы материал осаждался только в тех местах, где остались частицы; f) удаление подложки для освобождения микромеханической детали, образованной в упомянутой негативной полости. Предлагаемый способ позволяет получать микромеханическую деталь со сложной геометрией и проделанными отверстиями с минимальным количеством используемого материала и этапов. 9 з.п. ф-лы, 21 ил.
Наверх