Жидкокристаллическое устройство отображения

В жидкокристаллическом устройстве отображения первая вспомогательная линия 430 образована узкой, а вторая вспомогательная линия 440 вспомогательной расположена в самом ближнем положении к периферии подложки. Первая вспомогательная линия расположена между схемой формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования и областью отображения. Вторая вспомогательная линия расположена между схемой формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования и краем первой подложки, который противоположен области отображения в отношении схемы формирователя сигналов. Технический результат - повышение надежности, уменьшение габаритов устройства. 16 з.п. ф-лы, 15 ил.

 

Область техники, к которой относится изобретение

Настоящее изобретение относится к жидкокристаллическим устройствам отображения с активной матрицей, в частности к топологии регистра сдвига, который включен в схему формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования, и различным линиям разводки, обеспеченным в жидкокристаллическом устройстве отображения.

Уровень техники

Обычно имеются известные устройства отображения с активной матрицей, в которых множество линий затворной шины (линий сигнала сканирования) и множество линий истоковой шины (линий видеосигнала) размещены в сетчатой структуре, и множество участков формирования пикселя размещены в матрице, чтобы соответствовать их соответственным пересечениям линий затворной шины и линий истоковой шины. Каждый из участков формирования пикселя включает в себя тонкопленочный транзистор (TFT), который представляет собой переключающий элемент, имеющий вывод затвора, соединенный с линией затворной шины, проходящей через его соответствующее пересечение, и вывод истока, соединенный с линией истоковой шины, проходящей через пересечение, а также включает в себя емкость пикселя для удержания значения пикселя. Такое устройство отображения с активной матрицей также обеспечивается формирователем сигналов управления затвором (схемой формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования) для возбуждения линий затворной шины и формирователем сигналов управления истоком (схемой формирователя сигналов управления линии видеосигнала) для возбуждения линий истоковой шины.

Видеосигналы, каждый, указывающий значение пикселя, передаются линиями истоковой шины, но невозможно для линий истоковой шины параллельно (одновременно) передавать видеосигналы, которые указывают значения пикселей для множества строк. Следовательно, видеосигналы последовательно записываются в емкости пикселя в участки формирования пикселя, размещенные в матрице, на построчной основе. Поэтому формирователь сигналов управления затвором включает в себя многокаскадный регистр сдвига, так что каждая линия затворной шины последовательно выбирается в течение заданного периода. Эта схема регистра сдвига интегрально формируется на подложке (где сформированы TFT), и такая конфигурация называется единым формирователем сигналов управления затвором.

В данной панели отображения с единым формирователем сигналов управления затвором тактовые сигналы, необходимые для работы регистра сдвига, подаются на каскады регистра сдвига по линиям разводки, размещенным вне периферии панели с целью подачи сигналов на схему формирователя сигналов управления. Тактовые сигналы должны нормально подаваться на TFT, включенные в регистр сдвига, и поэтому область для формирования топологии регистра сдвига необходимо вытягивать от того положения, где размещены линии разводки для подачи сигналов на схему формирователя сигналов управления, до того положения, где размещены участки формирования пикселя. Это представляет собой один из факторов, который увеличивает протяженность области топологии регистра сдвига, и, в частности, любое устройство отображения с регистром сдвига, работающим на основе некоторого количества тактовых сигналов, стремится иметь большую область топологии регистра сдвига.

Кроме того, в обычных жидкокристаллических устройствах отображения с активной матрицей обеспечиваются линии вспомогательной емкости параллельно линиям затворной шины, формируя вспомогательные емкости посредством емкостной связи с пиксельными электродами. Кроме того, соединительная линия вспомогательной емкости обеспечивается в области рамки с целью подачи общего потенциала на линии вспомогательной емкости. Соединительная линия вспомогательной емкости имеет линии вспомогательной емкости, обычно соединенные с ней, и поэтому, как правило, часто бывает такой случай, что соединительная линия вспомогательной емкости обеспечивается в области рамки между формирователем сигналов управления затвором и областью отображения.

В этом отношении японская выложенная патентная публикация №2007-10900 описывает конфигурацию, в которой линии вспомогательной емкости соединены с линией сигнала истока схемы формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования через совместно используемую линию, эквивалентную соединительной линии вспомогательной емкости. Кроме того, японская выложенная патентная публикация №10-48663 описывает конфигурацию, в которой первая и вторая линии вспомогательной емкости соединены с линией напряжения истока и линией напряжения земли, соответственно, схемы формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования. С такой конфигурацией уменьшается сопротивление вспомогательной емкости, и стабилизируется работа схемы формирователя сигналов управления.

Список ссылок

Патентный документ

Патентный документ 1: японская выложенная патентная публикация № 2007-10900

Патентный документ 2: японская выложенная патентная публикация № 10-48663

Сущность изобретения

Проблемы, решаемые изобретением

Между прочим, область рамки покрывается (перекрывается), но не полностью, герметизирующим материалом для жидкокристаллической панели, и в случае, когда обеспечивается регистр сдвига с большой областью топологии, регистр сдвига часто перекрывается частично, причем остальное не перекрывается. В таком случае, если ширина герметизирующего материала является нестабильной, зона, перекрываемая герметизирующим материалом, изменяется между бистабильными схемами, включенными в каскады регистра сдвига (и соединенными с линиями сигнала сканирования), так что также изменяется зона, перекрываемая жидким кристаллом, герметизируемым в пределах (внутри) зоны, не перекрываемой герметизирующим материалом. Следовательно, на схемы оказывают влияние значения емкости, которые изменяются от одной схемы к другой, и схемы изменяются с точки зрения их выходных сигналов, что может приводить к разным яркостям пикселей и мерцанию.

Кроме того, соединительную линию и ответвленные линии для подачи тактовых сигналов и т.д. на схемы регистра сдвига необходимо обеспечивать в области между краем жидкокристаллической панели и регистром сдвига. В данном случае в том случае, когда оксид индия и олова (ITO) или т.п., из которого составлены пиксельные электроды, используется для соединения соединительной линии и ответвленных линий, ITO оставляется незащищенным в контактных окнах, которые представляют собой соединительные точки. Когда материал распорки (например, стекловолокно или т.п.), смешанный с герметизирующим материалом, соприкасается с ITO, могут иметь место частичные разрывы или обрывы, приводя к повышенному сопротивлению, обрыву и т.д. в соединительных точках.

Поэтому предпочтительно, чтобы схемы регистра сдвига совсем не перекрывались герметизирующим материалом, и контактные окна совсем не перекрывались герметизирующим материалом, или количество перекрываемых контактных окон было по возможности минимальным.

В этом отношении вышеупомянутые проблемы могут быть полностью решены посредством обеспечения области (используемой в качестве поля прикрепления) для герметизирующего материала вне области, где образованы линии разводки и схемы. Однако такая конфигурация увеличивает область рамки, делая невозможным достижение жидкокристаллической панели с узкой рамкой.

Поэтому задачей настоящего изобретения является обеспечение жидкокристаллического устройства отображения, в котором протяженность области, перекрываемой герметизирующим материалом в пределах области разводки для подачи сигналов на регистр сдвига, может быть уменьшена без увеличения области рамки и перекрытия регистра сдвига герметизирующим материалом.

Решение проблем

Первый аспект настоящего изобретения относится к жидкокристаллическому устройству отображения с активной матрицей, содержащему первую подложку, включающую в себя область отображения, на которой множество участков формирования пикселя для формирования изображения, подлежащего отображению, размещено в матрице, вторую подложку, противоположную первой подложке, и жидкокристаллический слой, герметизированный между первой и второй подложками посредством заданного герметизирующего материала, в котором

первая подложка включает в себя:

множество линий видеосигнала для передачи сигналов для представления изображения, подлежащего отображению;

множество линий сигнала сканирования, пересекающих линии видеосигнала;

множество вспомогательных линий, обеспечиваемых так, что они проходят параллельно линиям сигнала сканирования;

вспомогательную соединительную линию, обеспеченную так, что она проходит в направлении размещения вспомогательных линий и электрически соединяется с вспомогательными линиями; и

схему формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования, включающую в себя группу схем для селективного возбуждения линий сигнала сканирования, и

по меньшей мере часть вспомогательной соединительной линии включает в себя соединительные линии, обеспеченные между схемой формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования и краем первой подложки, который противоположен области отображения в отношении схемы формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования.

Во втором аспекте настоящего изобретения, основанном на первом аспекте изобретения, вспомогательная соединительная линия включает в себя/первую вспомогательную соединительную линию, обеспеченную между схемой формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования и областью отображения; и

вторую вспомогательную соединительную линию, обеспеченную между схемой формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования и краем первой подложки, который противоположен области отображения в отношении схемы формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования.

В третьем аспекте настоящего изобретения, основанном на втором аспекте изобретения, дополнительно содержится соединительная линия подачи сигнала возбуждения для передачи сигнала возбуждения для возбуждения схемы формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования, причем соединительная линия подачи сигнала возбуждения обеспечивается так, что она проходит в направлении размещения между второй вспомогательной соединительной линией и схемой формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования, в котором

герметизирующий материал располагается вытянувшись от положения около края первой подложки до заданного положения на соединительной линии подачи сигнала возбуждения.

В четвертом аспекте настоящего изобретения, основанном на третьем аспекте изобретения, дополнительно содержится множество ответвленных линий подачи сигнала возбуждения, соединенных с соединительной линией подачи сигнала возбуждения через контактные окна, таким образом, соединяя соединительную линию подачи сигнала возбуждения с группой схем, в котором

герметизирующий материал располагается вытянувшись от положения около края первой подложки до заданного положения над частью контактных окон.

В пятом аспекте настоящего изобретения, основанном на четвертом аспекте изобретения, контактные окна соединяют соединительную линию подачи сигнала возбуждения и ответвленные линии подачи сигнала возбуждения посредством одного и того же материала, что и пиксельные электроды, обеспеченные в участках формирования пикселя.

В шестом аспекте настоящего изобретения, основанном на любом из второго-пятого аспектов изобретения, вторая вспомогательная соединительная линия является более широкой, чем первая вспомогательная соединительная линия.

В седьмом аспекте настоящего изобретения, основанном на втором аспекте изобретения, первая вспомогательная соединительная линия выполнена из того же материала, что и вторая вспомогательная соединительная линия.

В восьмом аспекте настоящего изобретения, основанном на втором аспекте изобретения, дополнительно содержится множество вспомогательных ответвленных линий между первой и второй

вспомогательными соединительными линиями, причем вспомогательные ответвленные линии соединяют первую и вторую вспомогательные соединительные линии, в котором

вспомогательные ответвленные линии расположены с приблизительно равными интервалами в направлении размещения, так что каждая вспомогательная ответвленная линия проходит между двумя схемами, соседними в направлении размещения внутри группы схем.

В девятом аспекте настоящего изобретения, основанном на восьмом аспекте изобретения, вспомогательные ответвленные линии расположены так, что проходят между всеми схемами, рядом спаренными в направлении размещения внутри группы схем.

В десятом аспекте настоящего изобретения, основанном на втором аспекте изобретения, дополнительно содержится:

множество вспомогательных ответвленных линий между первой и второй вспомогательными соединительными линиями, причем вспомогательные ответвленные линии соединяют первую и вторую вспомогательные соединительные линии; и

межсхемные линии, причем каждая соединяет две разные схемы, расположенные в направлении размещения внутри группы схем, в котором

межсхемные линии формируются так, чтобы сужаться около их пересечений с вспомогательными ответвленными линиями.

В одиннадцатом аспекте настоящего изобретения, основанном на десятом аспекте изобретения, вспомогательные ответвленные линии сформированы так, чтобы сужаться около их пересечений с межсхемными линиями.

В двенадцатом аспекте настоящего изобретения, основанном на втором аспекте изобретения, дополнительно содержится концевая вспомогательная линия для соединения первой и второй вспомогательных соединительных линий, причем концевая вспомогательная линия располагается вокруг схемы формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования или между одним концом первой вспомогательной соединительной линии и одним концом второй вспомогательной соединительной линии, или между другим концом первой вспомогательной соединительной линии и другим концом второй вспомогательной соединительной линии, или обоими.

В тринадцатом аспекте настоящего изобретения, основанном на втором аспекте изобретения, схема формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования включает в себя первую группу схем для селективного возбуждения линий сигнала сканирования с одной стороны, и вторую группу схем для селективного возбуждения линий сигнала сканирования с другой стороны, при этом первая вспомогательная соединительная линия располагается между первой или второй группой схем и областью отображения, и вторая вспомогательная соединительная линия располагается между первой или второй группой схем и краем первой подложки, который противоположен области отображения в отношении первой или второй группы схем.

В четырнадцатом аспекте настоящего изобретения, основанном на тринадцатом аспекте изобретения, дополнительно содержится множество вспомогательных ответвленных линий между первой и

второй вспомогательными соединительными линиями, расположенными на упомянутой одной или другой стороне, причем вспомогательные ответвленные линии соединяют первую и вторую вспомогательные соединительные линии, причем

каждая из вспомогательных ответвленных линий проходит между двумя схемами, соседними в направлении размещения внутри группы схем, так что вспомогательные ответвленные линии на упомянутой одной стороне и вспомогательные ответвленные линии на другой стороне располагаются так, что чередуются в направлении размещения.

В пятнадцатом аспекте настоящего изобретения, основанном на тринадцатом аспекте изобретения, дополнительно содержится концевая вспомогательная линия для соединения вторых вспомогательных соединительных линий, расположенных на упомянутых одной и другой сторонах, причем концевая вспомогательная линия располагается или между одним концом второй вспомогательной соединительной линии на упомянутой одной стороне и одним концом второй вспомогательной соединительной линии на другой стороне, или между другим концом второй вспомогательной соединительной линии на упомянутой одной стороне и другим концом второй вспомогательной соединительной линии на другой стороне, или обоих.

В шестнадцатом аспекте настоящего изобретения, основанном на втором аспекте изобретения, вторая вспомогательная соединительная линия имеет множество отверстий.

В семнадцатом аспекте настоящего изобретения, основанном на третьем аспекте изобретения, соединительная линия подачи сигнала возбуждения включает в себя множество линий разводки, и наиболее широкая из линий разводки, на которой располагается герметизирующий материал, имеет множество отверстий.

В восемнадцатом аспекте настоящего изобретения, основанном на втором аспекте изобретения, вспомогательные линии принадлежат к множеству типов, возбуждаемых так, чтобы быть установленными с разными потенциалами, при этом первая вспомогательная соединительная линия обеспечивается во множестве в соответствии с типами, и вторая вспомогательная соединительная линия обеспечивается во множестве в соответствии с типами.

Эффект изобретения

Согласно первому аспекту настоящего изобретения вспомогательная соединительная линия располагается между краем первой подложки и схемой формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования, так что может достигаться соответствующее поле от края первой подложки без увеличения области рамки, делая возможным уменьшить протяженность области, перекрываемой герметизирующим материалом, в разводке для подачи сигналов на схему формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования без перекрытия схемы формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования герметизирующим материалом. Кроме того, большая емкость (образованная вспомогательной соединительной линией) может располагаться между схемой формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования и краем подложки, и поэтому схема может быть

защищена от электростатического разряда, который происходит вне подложки.

Согласно второму аспекту настоящего изобретения вторая вспомогательная соединительная линия обеспечивается между краем первой подложки и схемой формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования, независимо от первой вспомогательной соединительной линии, так что первая вспомогательная соединительная линия может быть сформирована узкой. Следовательно, соответствующее поле от края первой подложки может достигаться без увеличения нагрузки на вспомогательную соединительную линию или увеличения области рамки, делая возможным уменьшить протяженность области, перекрываемой герметизирующим материалом, в разводке для подачи сигналов на схему формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования без перекрытия схемы формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования герметизирующим материалом. Кроме того, большая емкость (образованная второй вспомогательной соединительной линией) может располагаться между схемой формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования и краем подложки, и поэтому схема может быть защищена от электростатического разряда, который происходит вне подложки.

Согласно третьему аспекту настоящего изобретения соединительная линия подачи сигнала возбуждения дополнительно обеспечивается между вспомогательной соединительной линией и схемой формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования, и герметизирующий материал располагается вытянувшись от положения около края первой подложки до заданного положения на соединительной линии подачи сигнала возбуждения,

что делает возможным уменьшить протяженность области, перекрываемой герметизирующим материалом, в разводке для подачи сигналов на схему формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования без перекрытия схемы формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования герметизирующим материалом.

Согласно четвертому аспекту настоящего изобретения герметизирующий материал располагается вытянувшись до заданного положения над частью контактных окон, делая возможным уменьшить вероятность, где происходит частичный разрыв и обрыв, утечка тока и т.д. в других контактных окнах, таким образом предотвращая изменчивость выходных сигналов (обычно от каскадов) схемы формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования из-за изменяющихся емкостей. Кроме того, вторая вспомогательная соединительная линия располагается около края подложки, и поэтому контактные окна могут располагаться на значительных расстояниях от края подложки. Таким образом, можно предотвратить или уменьшить коррозию разводки из-за влажности.

Согласно пятому аспекту настоящего изобретения контактные окна соединяют линии разводки тем же материалом, что пиксельные электроды, делая возможным предотвращение увеличения количества фотомасок, используемых при производстве подложек.

Согласно шестому аспекту настоящего изобретения вторая вспомогательная соединительная линия является более широкой, чем первая вспомогательная соединительная линия, что делает возможным достижение соответствующего поля от края первой подложки, таким образом уменьшая протяженность области, перекрываемой герметизирующим материалом, в разводке для подачи сигналов на схему формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования без перекрытия схемы формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования герметизирующим материалом.

Согласно седьмому аспекту настоящего изобретения первая вспомогательная соединительная линия выполнена из того же материала, что и вторая вспомогательная соединительная линия, и поэтому можно распределить, например, соединительные точки, такие как контактные окна, для соединения первой вспомогательной соединительной линии и второй вспомогательной соединительной линии, тем самым устраняя необходимость касаться связанных с соединением вопросов, таких как частичный разрыв и обрыв.

Согласно восьмому аспекту настоящего изобретения вспомогательные ответвленные линии располагаются с приблизительно равными интервалами в направлении размещения, так что каждая вспомогательная ответвленная линия проходит между двумя схемами, соседними в направлении размещения внутри группы схем, делая возможным уменьшить изменчивость выходных сигналов в группе схем вследствие влияния (изменений потенциала из-за паразитных емкостей) посредством вспомогательных ответвленных линий.

Согласно девятому аспекту настоящего изобретения вспомогательные ответвленные линии располагаются так, чтобы проходить между всеми схемами, рядом спаренными в направлении размещения внутри группы схем, делая возможным устранение или существенное уменьшение изменчивости выходных сигналов в группе

схем вследствие влияния посредством вспомогательных ответвленных линии.

Согласно десятому аспекту настоящего изобретения межсхемные линии сформированы так, что они сужаются около их пересечения с вспомогательными ответвленными линиями, делая возможным уменьшить переходную емкость между межсхемными линиями и вспомогательными ответвленными линиями, таким образом уменьшая изменчивость выходных сигналов в группе схем вследствие влияния посредством вспомогательных ответвленных линий.

Согласно седьмому аспекту настоящего изобретения вспомогательные ответвленные линии сформированы аналогичным образом, чтобы сужаться около их пересечений с межсхемными линиями, делая возможным дополнительное снижение переходной емкости между межсхемными линиями и вспомогательными ответвленными линиями, таким образом дополнительно снижая изменчивость выходных сигналов в группе схем вследствие влияния посредством вспомогательных ответвленных линий.

Согласно двенадцатому аспекту настоящего изобретения концевая вспомогательная линия позволяет располагать очень большую емкость (образованную вспомогательной соединительной линией, включающей в себя концевую вспомогательную линию) между схемой формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования и краем подложки, делая возможным более надежно защищать схему от электростатического разряда, который происходит вне подложки.

Согласно тринадцатому аспекту настоящего изобретения первая и вторая группы схем возбуждают каждую единственную линию сигнала сканирования с противоположных концов, делая возможным устранение или уменьшение скругления волны сигналов. Кроме того, может быть уменьшен размер схемных элементов (обычно TFT), включенных в группы схем, тем самым уменьшая протяженность области, перекрываемой герметизирующим материалом, в разводке для подачи сигналов на схему формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования без перекрытия схемы формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования герметизирующим материалом.

Кроме того, даже когда каждая единственная линия сигнала сканирования возбуждается с одного конца, линии сигнала сканирования могут быть разделены на группу, возбуждаемую первой группой схем, и группу, возбуждаемую второй группой схем, делая возможным уменьшить размер бистабильных схем в направлении размещения, тем самым уменьшая протяженность области, перекрываемой герметизирующим материалом, в разводке для подачи сигналов на схему формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования без перекрытия схемы формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования герметизирующим материалом.

Согласно четырнадцатому аспекту настоящего изобретения вспомогательные ответвленные линии на одной стороне и вспомогательные ответвленные линии на другой стороне располагаются так, чтобы чередоваться в направлении размещения, делая возможным исключить или уменьшить возможность, когда любая схема, на которую оказывает существенное влияние конкретная линия сигнала сканирования, соединенная с ней, приводит к

изменчивости выходных сигналов между схемой, соединенной с линией сигнала сканирования, и не подверженными влиянию схемами.

Согласно пятнадцатому аспекту настоящего изобретения концевая вспомогательная линия для соединения вторых вспомогательных соединительных линий по меньшей мере на одном конце позволяет располагать очень большую емкость (образованную вспомогательными соединительными линиями, включающими в себя концевую вспомогательную линию) между схемой формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования и краем подложки, делая возможным более надежную защиту схемы от электростатического разряда, который происходит вне подложки.

Согласно шестнадцатому аспекту настоящего изобретения вторая вспомогательная соединительная линия имеет множество отверстий, и поэтому, например, когда используется светоотверждающийся герметизирующий материал, герметизирующий материал может надежно отверждаться светом, проходящим через отверстия, и рабочие условия герметизирующего материала на непрозрачной разводке можно легко исследовать через отверстия.

Согласно семнадцатому аспекту настоящего изобретения самая широкая часть соединительной линии подачи сигнала возбуждения, на которой располагается герметизирующий материал, имеет множество отверстий, так что герметизирующий материал, который является светоотверждающим, может надежно отверждаться, и легко могут исследоваться рабочие условия герметизирующего материала на разводке.

Согласно восемнадцатому аспекту настоящего изобретения каждая из вспомогательных линий, первых вспомогательных соединительных линий и вторых вспомогательных соединительных линий обеспечивается во множестве типов, так что может вызываться разное изменение потенциалов, удерживаемых на множестве участков формирования субпикселя, обычно включенных в каждый единственный участок формирования пикселя, делая возможным увеличение угла наблюдения жидкокристаллических панелей.

Краткое описание чертежей

Фиг.1 представляет собой схему топологии формирователя сигналов управления затвором, включенного в жидкокристаллическое устройство отображения с активной матрицей, согласно первому варианту осуществления настоящего изобретения.

Фиг.2 представляет собой схему, иллюстрирующую эквивалентную схему участка формирования пикселя в первом варианте осуществления.

Фиг.3 представляет собой блок-схему, описывающую конфигурацию формирователя сигналов управления затвором в варианте осуществления.

Фиг.4 представляет собой схему, иллюстрирующую проект топологии регистра сдвига и различных линий разводки в варианте осуществления.

Фиг.5 представляет собой вид сверху, иллюстрирующий примерные формы ответвленной линии вспомогательной емкости и межсхемной линии в варианте осуществления.

Фиг.6 представляет собой вид сверху, иллюстрирующий примерные формы ответвленной линии вспомогательной емкости и межсхемной линии разновидности варианта осуществления.

Фиг.7 представляет собой вид в разрезе, иллюстрирующий конструкцию контактного окна в варианте осуществления.

Фиг.8 представляет собой схему, иллюстрирующую проект топологии регистра сдвига и различных линий разводки, где, как предполагается, не обеспечивается дополнительно вторая соединительная линия вспомогательной емкости в варианте осуществления.

Фиг.9 представляет собой схему, иллюстрирующую проект топологии регистра сдвига и различных линий разводки во втором варианте осуществления настоящего изобретения.

Фиг.10 представляет собой схему, иллюстрирующую проект топологии регистра сдвига и различных линий разводки в третьем варианте осуществления настоящего изобретения.

Фиг.11 представляет собой блок-схему, описывающую конфигурацию формирователя сигналов управления затвором в четвертом варианте осуществления настоящего изобретения.

Фиг.12 представляет собой схему, иллюстрирующую проект топологии регистров сдвига и различных линий разводки в варианте осуществления.

Фиг.13 представляет собой схему, иллюстрирующую проект топологии регистра сдвига и различных линий разводки в пятом варианте осуществления настоящего изобретения.

Фиг.14 представляет собой схему, иллюстрирующую эквивалентную схему участка формирования пикселя в шестом варианте осуществления настоящего изобретения.

Фиг.15 представляет собой схему, иллюстрирующую проект топологии регистра сдвига и различных линий разводки в варианте осуществления.

Варианты осуществления изобретения

Ниже в данном документе описываются варианты осуществления настоящего изобретения со ссылкой на прилагаемые чертежи.

<1. Первый вариант осуществления>

<1.1 Общая конфигурация и работа>

Фиг.1 представляет собой блок-схему, иллюстрирующую общую конфигурацию жидкокристаллического устройства отображения с активной матрицей согласно первому варианту осуществления настоящего изобретения. Как показано на фиг.1, жидкокристаллическое устройство отображения обеспечивается с источником 100 питания, преобразователем 110 постоянного тока в постоянный ток (DC/DC), схемой 200 управления отображением, формирователем 300 сигналов управления (схемой формирователя сигналов управления линии видеосигнала) истоком, формирователем 400 сигналов управления (схемой формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования) затвора, схемой 500 формирователя сигналов управления общего электрода и участком 600 отображения. Обычно формирователь 400 сигналов управления затвором и участок 600 отображения формируются на одной и той же подложке, т.е. они формируются монолитно.

Участок 600 отображения включает в себя множество (j) линий SL1-SLj истоковой шины (линий видеосигнала), множество (i) линий GL1-GLi затворной шины (линий сигнала сканирования) и множество (i×j) участков формирования пикселя, обеспечиваемых так, чтобы соответствовать их соответствующим пересечениям линий SL1-SLj истоковой шины и линий GL1-GLi затворной шины.

Фиг.2 иллюстрирует эквивалентную схему участков P(n,m) формирования пикселя в участке 600 отображения в настоящем варианте осуществления. Как показано на фиг.2, каждый участок P(n,m) формирования пикселя включает в себя TFT 10, который представляет собой переключающий элемент, имеющий вывод затвора, соединенный с линией GLn затворной шины, и вывод истока, соединенный с линией SLm истоковой шины, проходящей через пересечение, пиксельный электрод Epix, соединенный с выводом стока TFT 10, общий электрод Ecom, обычно обеспечиваемый для участков P(i,j) формирования пикселя, и жидкокристаллический слой, обычно обеспечиваемый для участков P(i,j) формирования пикселя и расположенный между пиксельным электродов Epix и общим электродом Ecom в качестве электрооптического элемента.

Жидкокристаллический слой (герметично) уплотняется между подложкой, на которой образован пиксельный электрод Epix (ниже в данном документе упоминаемый как «подложка TFT»), и подложкой, на которой образован общий электрод Ecom (вместе с цветными фильтрами и т.д.) (ниже в данном документе упоминаемой как «противолежащая подложка»). Конкретно, жидкокристаллический слой герметизируется внутри (на стороне участка 600 отображения) посредством герметизирующего материала, обеспечиваемого в области рамки подложки TFT (и области рамки противолежащей подложки). Отметьте, что общий электрод Ecom необязательно формируется на противолежащей подложке, и в случае, например, жидкокристаллического устройства отображения, использующего электрическое поле, горизонтальное поверхности подложки, общий электрод Ecom может обеспечиваться на стороне подложки TFT.

Каждый из участков P(n,m) формирования пикселя имеет емкость C1c жидкого кристалла (также упоминаемую как «емкость пикселя»), образованную пиксельным электродом Epix и общим электродом Ecom, противоположным ему в отношении жидкокристаллического слоя. Каждый пиксельный электрод Epix имеет две линии SLm и SLm+1 истоковой шины, обеспеченные на противоположных сторонах, и соединен с линией SLm истоковой шины через TFT 10. Кроме того, линии CsLn вспомогательной емкости обеспечиваются параллельно линиям GLn затворной шины, и каждый из участков P(n,m) формирования пикселя имеет вспомогательную емкость Ccs, образованную между пиксельным электродом Epix и линией CsLn вспомогательной емкости. В данном случае линии GL1-GLi затворной шины и линии CsL1-CsLi вспомогательной емкости выполнены из одинакового материала, и линия разводки, обычно соединяющая линии CsL1-CsLi вспомогательной емкости вне области отображения, выполнена из того же материала, что и линии SL1-SLi истоковой шины.

Источник 100 питания подает заданное напряжение истока на преобразователь 110 DC/DC, схему 200 управления отображением и схему 500 формирователя сигналов управления общего электрода. На основе напряжения истока преобразователь 110 DC/DC генерирует заданное напряжение постоянного тока для работы формирователя 300 сигналов управления истока и формирователя 400 сигналов управления затвором и подает напряжение на формирователь 300 сигналов управления истоком и формирователь 400 сигналов управления затвором. Схема 500 формирователя сигналов управления общего электрода обеспечивает заданный потенциал Vcom для общего электрода Ecom и линий CsL1-CsLi вспомогательной емкости. Отметьте, что на линии CsL1-CsLi вспомогательной емкости может подаваться потенциал, отличный от заданного потенциала Vcom (например, посредством схемы формирователя сигналов управления линии вспомогательной емкости).

Схема 200 управления отображением принимает передаваемый извне сигнал DAT изображения вместе с группой TG синхронизирующих сигналов, включающей в себя горизонтальный синхронизирующий сигнал, вертикальный синхронизирующий сигнал и т.д., и выводит цифровой видеосигнал DV вместе с сигналом SSP импульса запуска истока, тактовым сигналом SCK истока, сигналом LS стробирования защелки, сигналом GSP импульса запуска затвора и тактовым сигналом GCK затвора для использования при управлении отображением изображения на участке 600 отображения. Отметьте, что в настоящем варианте осуществления тактовый сигнал GCK затвора состоит из четырех фаз, тактовых сигналов CK1-CK4.

Формирователь 300 сигналов управления истоком принимает цифровой видеосигнал DV, сигнал SSP импульса запуска истока, тактовый сигнал SCK истока и сигнал LS стробирования защелки, выводимых схемой 200 управления отображением, и подает видеосигналы S(1)-S(j) возбуждения на линии SL1-SLj истоковой шины соответственно.

На основе сигнала GSP импульса запуска затвора, выводимого схемой 200 управления отображением, формирователь 400 сигналов управления затвором повторяет приложение активных сигналов Gout(1)-Gout(i) сканирования к линиям GL1-GLi затворной шины в циклах одного периода вертикального сканирования. Отметьте, что подробное описание формирователя 400 сигналов управления затвором приведено ниже.

Видеосигналы S(1)-S(j) возбуждения прикладываются к линиям SL1-SLj истоковой шины, и сигналы Gout(1)-Gout(i) сканирования прикладываются к линиям GL1-GLi затворной шины, как описано выше, так что участок 600 отображения отображает изображение, основываясь на передаваемом извне сигнале DAT изображения.

<1.2 Проект топологии формирователя сигналов управления затвором и разводки>

Ниже описывается конфигурация формирователя 400 сигналов управления затвором в настоящем варианте осуществления. Как показано на фиг.3, формирователь 400 сигналов управления затвором включает в себя многокаскадный регистр 410 сдвига. Участок 600 отображения имеет пиксели, формирующие матрицу из i строк × j столбцов, и регистр 410 сдвига имеет каскады, обеспеченные во взаимно однозначном соответствии со строками матрицы пикселей. Кроме того, каскады регистра 410 сдвига являются бистабильными схемами, которые находятся в одном из двух состояний (первом и втором состояниях) в каждый момент времени, и выводят сигналы, указывающие их соответствующие состояния (ниже в данном документе упоминаемые как «сигналы состояния»). Таким образом, регистр 410 сдвига включает в себя i бистабильных схем. Отметьте, что схемная конфигурация этих бистабильных схем хорошо известна, и поэтому опускается их какое-либо подробное описание.

Фиг.4 представляет собой схему, иллюстрирующую проект топологии регистра 410 сдвига в формирователе 400 сигналов управления затвором и различных линий разводки. Как описано выше, регистр 410 сдвига включает в себя i бистабильных схем. Каждая из бистабильных схем снабжена выводом для приема любого из четырех тактовых сигналов CK1-CK4 затвора в их соответствующих фазах, входной вывод для приема сигнала очистки, входной вывод для приема напряжения VSS постоянного тока с низким потенциалом и выходной вывод для вывода сигналов Gout(1)-Gout(i) сканирования.

Каждая из бистабильных схем дополнительно снабжена выходными и входными выводами для последовательной подачи сигнала GSP импульса запуска затвора и сигнала сброса от предыдущего к последующему каскаду (чтобы пропустить один каскад). Отметьте, что эти сигналы могут подаваться для пропуска двух или более каскадов. Такие входные и выходные выводы для подключения бистабильных схем, обеспечиваемых в разных каскадах, соединяются межсхемными линиями 411 и 412. Кроме того, также обеспечиваются межсхемные линии для соединения соседних бистабильных схем, как показано на фиг.10.

На фиг.4 линия GL1-GLi затворной шины для приема сигналов Gout(1)-Gout(i) сканирования от выходных выводов бистабильных схем образована справа от области, где сформирован регистр 410 сдвига, включающий в себя i бистабильных схем, линии CsL1-CsLi вспомогательной емкости сформированы параллельно им, и, кроме того, первая соединительная линия 430 вспомогательной емкости обеспечивается для электрического соединения всех линий CsL1-CsLi вспомогательной емкости. Отметьте, что линии GL1-GLi затворной шины и линии CsL1-CsLi вспомогательной емкости обеспечиваются на участке 600 отображения, как описано ранее со ссылкой на фиг.1 и 2.

В данном случае первая соединительная линия 430 вспомогательной емкости является предпочтительно достаточно широкой, чтобы сохранять свое сопротивление низким и, таким образом, поддерживать линии CsL1-CsLi вспомогательной емкости на одном и том же потенциале, но в настоящем варианте осуществления первая соединительная линия 430 вспомогательной емкости сама по себе не является достаточно широкой, чтобы поддерживать свое сопротивление низким до такой степени, чтобы поддерживать линии CsL1-CsLi вспомогательной емкости на одинаковом потенциале.

Кроме того, слева от области, где сформирован регистр 410 сдвига, обеспечиваются вторая соединительная линия 440 вспомогательной емкости и группа 420 соединительных линий подачи сигнала возбуждения, состоящая из множества соединительных линий, обе из которых проходят в направлении, в котором размещены бистабильные схемы (в направлении сверху-вниз на чертеже). Группа 420 соединительных линий подачи сигнала возбуждения включает в себя слева на чертеже соединительную линию для напряжения VSS постоянного тока с низким потенциалом, четыре соединительные линии для четырех тактовых сигналов CK1-CK4 затвора в их соответствующих фазах и четыре соединительные линии для сигналов очистки. В данном случае группа 420 соединительных линий подачи сигнала возбуждения выполнена из того же материала, что и линии SL1-SLi истоковой шины. Эти соединительные линии обеспечиваются в области, противоположной участку 600 отображения в отношении регистра 410 сдвига.

В данном случае вторая соединительная линия 440 вспомогательной емкости является более широкой, чем первая соединительная линия 430 вспомогательной емкости, и ширина является достаточно большой, чтобы поддерживать ее сопротивление низким до такой степени, чтобы поддерживать линии CsL1-CsLi вспомогательной емкости на одинаковом потенциале, когда вторая соединительная линия 440 вспомогательной емкости электрически соединена с первой соединительной линией 430 вспомогательной емкости. Отметьте, что, чтобы соединить соединительную линию вспомогательной емкости и общий электрод, в настоящем варианте осуществления обеспечивается общеизвестная соединительная точка (называемая общим передающим электродом), который не показан, так что линия вспомогательной емкости находится при том же потенциале, что и общий электрод. Общий передающий электрод может располагаться на соединительной линии вспомогательной емкости или может обеспечиваться вблизи угла подложки и электрически соединяться с соединительной линией вспомогательной емкости.

Кроме того, как показано на фиг.4, множество ответвленных линий 421 подачи сигнала возбуждения (которые проходят в направлении слева-направо на чертеже) обеспечиваются для приложения сигналов из группы 420 соединительных линий подачи сигнала возбуждения к бистабильным схемам регистра 410 сдвига. Ответвленные линии 421 подачи сигнала возбуждения соединяют соединительные линии для напряжения VSS постоянного тока и сигналы очистки с их соответствующими входными выводами всех бистабильных схем и также соединяют любую одну из соединительных линий для четырех тактовых сигналов CK1-CK4 затвора в соответствующих фазах с их соответствующими входными выводами каждой бистабильной схемы. Эти ответвленные и соединительные линии соединяются посредством контактных окон CT.

Кроме того, между второй соединительной линией 440 вспомогательной емкости и первой соединительной линией 430 вспомогательной емкости обеспечиваются ответвленные линии 441 вспомогательной емкости для их соединения. Ответвленные линии 441 вспомогательной емкости не располагаются между каждой бистабильной схемой и следующей, но они равномерно разнесены, чтобы располагать между собой три бистабильные схемы, как показано на фиг.4. Однако имеют место паразитные емкости между ответвленными линиями 441 вспомогательной емкости и бистабильными схемами или межсхемными линиями 411 и 412 для их соединения (и другими межсхемными линиями), и поэтому выходные сигналы от бистабильных схем могут изменяться в зависимости от присутствия или отсутствия таких паразитных емкостей. Поэтому предпочтительно формировать линии по форме, которая показана на фиг.5 или 6, с целью уменьшения паразитных емкостей.

Фиг.5 представляет собой вид сверху, иллюстрирующий примерные формы ответвленной линии вспомогательной емкости и межсхемной линии в настоящем варианте осуществления, и фиг.6 представляет собой вид сверху, иллюстрирующий примерные формы ответвленной линии вспомогательной емкости и межсхемной линии в разновидности настоящего варианта осуществления.

Межсхемные линии 411 и 412 образованы так, чтобы сужаться вблизи их пересечений с ответвленными линиями 441 вспомогательной емкости, ниже (или выше) которых они проходят, как показано на фиг.5. Таким образом, могут быть уменьшены паразитные емкости, создаваемые с ответвленными линиями 441 вспомогательной емкости.

Альтернативно, как показано на фиг.6, межсхемные линии 411 и 412 сформированы так, чтобы сужаться вблизи их пересечений с ответвленными линиями 441 вспомогательной емкости, ниже (или выше) которых они проходят, и ответвленные линии 441 вспомогательной емкости сформированы так, чтобы сужаться также вблизи их соответствующих пересечений. Таким образом, могут дополнительно уменьшаться паразитные емкости, создаваемые с ответвленными линиями 441 вспомогательной емкости, по сравнению с конфигурацией настоящего варианта осуществления, показанного на фиг.5. Однако конфигурация настоящего варианта осуществления предпочтительна в том, что сопротивление ответвленных линий 441 вспомогательной емкости не уменьшается, так как ответвленные линии 441 вспомогательной емкости сформированы так, чтобы не сужаться ни на каком участке.

Отметьте, что межсхемные линии, кроме межсхемных линий 411 и 412, показанных на фиг.4, сформированы так, чтобы сужаться на участках, соответствующих пересечениям, даже если они не пересекают ответвленные линии 441 вспомогательной емкости на таких участках. Причиной этого является выравнивание этих других межсхемных линий с точки зрения сопротивления между соседними бистабильными схемами, но межсхемные линии, которые не пересекают ответвленные линии 441 вспомогательной емкости, могут не иметь более узкие участки, как в случае межсхемных линий 411 и 412. Кроме того, межсхемные линии 411 и 412 могут быть сформированы так, чтобы сужаться в положениях, которые соответствуют пересечениям, но не пересекают ответвленные линии 441 вспомогательной емкости, как показано на фиг.4.

Кроме того, первая и вторая соединительные линии 430 и 440 вспомогательной емкости сформированы с такой же разводкой, что и ответвленные линии 441 вспомогательной емкости и линии CsL1-CsLi вспомогательной емкости, как показано на фиг.4, и эти линии выполнены из того же материала, что и линии GL1-GLi затворной шины. Следовательно, не требуется, чтобы соединительные линии и ответвленные линии соединялись с использованием контактных окон CT. Отметьте, что линии GL1-GLi затворной шины соединяются с выходными выводами бистабильных схем, которые выполнены из того же материала, что и линии SL1-SLj истоковой шины вне участка отображения, и группа соединительных линий подачи сигнала возбуждения выполнена из того же материала, что и линии SL1-SLj истоковой шины. В данном случае в случае, когда группа соединительных линий подачи сигнала возбуждения выполнена из того же материала, что линии GL1-GLi затворной шины, если первая и вторая соединительные линии 430 и 440 вспомогательной емкости и ответвленные линии 441 вспомогательной емкости выполнены из того же материала, что и линии SL1-SLj истоковой шины, не требуется, чтобы соединительные линии и ответвленные линии соединялись с использованием контактных окон CT. Ниже в данном документе конструкция контактных окон CT для соединения группы 420 соединительных линий подачи сигнала возбуждения с ответвленными линиями описывается со ссылкой на фиг.7.

Фиг.7 представляет собой поперечный разрез, иллюстрирующий конструкцию контактного окна. Фиг.7 изображает материал 40 истока как часть группы 420 соединительных линий подачи сигнала возбуждения, материал 41 затвора как часть ответвленной линии 421 подачи сигнала возбуждения, межслойную изолирующую пленку 45 и материал 46 пиксельного электрода, обеспеченные над контактным окном CT для электрического соединения материала 40 истока и материала 41 затвора.

В данном случае межслойная изолирующая пленка 45 представляет собой органическую пленку, неорганическую пленку или их слоистую структуру, и, так как ее конфигурация такая же, что и у известной конфигурации, опускается какое-либо ее подробное описание. Кроме того, материал 46 пиксельного электрода формируется в этом же производственном процессе и из этого же материала (например, ITO), что и у пиксельных электродов вышеупомянутых участков формирования пикселя. Отметьте, что такой процесс формирования разводки и процесс соединения разводки, использующие контактные окна, являются общеизвестными, и поэтому опускается какое-либо их подробное описание, но, вкратце, материал 40 истока, материал 41 затвора и межслойная изолирующая пленка 45 сформированы на стеклянной подложке в общеизвестном производственном процессе, перед тем как обеспечивается контактное окно, чтобы оставить незащищенным материал 41 затвора. Пленка ITO формируется поверх контактного окна в качестве материала 46 пиксельного электрода, чтобы контактировать с незащищенным материалом 41 затвора. Пленка ITO соединяет материал 40 истока и материал 41 затвора.

Отметьте, что процесс соединения разводки, использующий контактные окна, позволяет применять различные общеизвестные конфигурации, и, например, контактные окна, чтобы оставлять незащищенным материал 41 затвора, и контактные окна, чтобы оставлять незащищенным материал 40 истока, могут формироваться рядом и обычно соединяться материалом 46 пиксельного электрода, таким образом, соединяя материал 40 истока и материал 41 затвора.

В данном случае материал пиксельного электрода остается незащищенным на контактных окнах CT, как показано на фиг.7 (и как в вышеупомянутой общеизвестной конфигурации), и поэтому герметизирующий материал может повредить материал пиксельного электрода, состоящий из ITO. Конкретно, как описано ранее, герметизирующий материал в некоторых случаях смешивается с материалом распорки (например, стекловолокно) или т.п. с целью размещения между ними зазора ячейки, и материал распорки, соприкасающийся с материалом пиксельного электрода, может приводить к частичному разрыву, обрыву и т.д. Следовательно, любое повышение сопротивления и обрыв могут иметь место в соединительных точках. Отметьте, что такой разрыв и обрыв аналогично имеют место даже тогда, когда общеизвестный материал, такой как оксид индия и цинка (IZO), используется в материале пиксельного электрода.

Кроме того, чтобы электрически соединить общий электрод Ecom, образованный на противолежащей подложке и соответствующий разводке (например, вторая соединительная линия 440 вспомогательной емкости) на подложке TFT, известно, что герметизирующий материал смешивается с общеизвестными проводящими частицами (упругие вещества, покрытые золотом, серебром или т.п.). Эта конфигурация может вызывать утечку тока с материала пиксельного электрода, оставленного незащищенным над контактными окнами, посредством смешанных проводящих частиц.

Следовательно, контактные окна, показанные на фиг.4, предпочтительно не перекрываются, насколько возможно, герметизирующим материалом. На фиг.4 область, которая перекрывается герметизирующим материалом, показана как Asm, и область, которая не перекрывается герметизирующим материалом и, таким образом, имеет жидкий кристалл, герметизированный в ней, показана как A1C. Как понятно из фиг.4, из числа контактных окон CT, обеспечиваемых в группе 420 соединительных линий подачи сигнала возбуждения, те, которые образованы на двух соединительных линиях на правой стороне чертежа, не перекрываются герметизирующим материалом. Поэтому эти контактные окна являются стойкими к частичному разрыву и обрыву или утечке тока, так что может, в основном, подавляться появление ненормальной работы.

Кроме того, бистабильные схемы, включенные в регистр сдвига, совсем не перекрываются герметизирующим материалом. Поэтому нет изменения в зоне, перекрываемой жидким кристаллом, так что нет изменчивости выходных сигналов среди схем.

Причина, почему настоящий вариант осуществления может устранять или уменьшать воздействие герметизирующего материала таким образом, заключается в том, что вторая соединительная линия 440 вспомогательной емкости дополнительно обеспечивается и располагается в самом близком положении к периферии подложки. Предполагая, что вторая соединительная линия 440 вспомогательной емкости не обеспечивается совсем, область, которая перекрывалась бы герметизирующим материалом, располагается так, как показано на фиг.8.

Фиг.8 представляет собой схему, иллюстрирующую проект топологии регистра сдвига в формирователе сигналов управления затвором и различных линий разводки, где предполагается, что не обеспечивается дополнительно вторая соединительная линия вспомогательной емкости. Как показано на фиг.8, область Asm, перекрываемая герметизирующим материалом, распространяется поверх участков бистабильных схем в регистре 410 сдвига, и перекрываемая область не является постоянной среди бистабильных схем. Более конкретно, герметизирующий материал наносится между подложкой TFT и противолежащей подложкой и после этого отверждается нагреванием, ультрафиолетовым излучением или обоими. В этот момент герметизирующий материал не распространяется равномерно, но в пределах зоны от десятков до сотен микрометров в зависимости от различных условий. Следовательно, вследствие такой неравномерности область Asm, перекрываемая герметизирующим материалом, становится неравномерной над бистабильными схемами в регистре 410 сдвига.

Кроме того, как показано на фиг.8, все количество контактных окон CT, обеспечиваемых в группе 420 соединительных линий подачи сигнала возбуждения, располагается в области Asm, перекрываемой герметизирующим материалом, и поэтому все контактные окна CT могут иметь частичный разрыв и обрыв, утечку тока и т.д., упомянутые ранее.

С другой стороны, при сравнении с гипотетической конфигурацией, показанной на фиг.8, конфигурация настоящего варианта осуществления, показанная на фиг.4, позволяет уменьшить количество контактных окон CT (обеспечиваемых в группе 420 соединительных линий подачи сигнала возбуждения) в области Asm, перекрываемой герметизирующим материалом, таким образом уменьшая возможность частичного разрыва и обрыва, утечки тока и т.д., упомянутых ранее.

Кроме того, в конфигурации настоящего варианта осуществления, показанной на фиг.8, в отличие от гипотетической конфигурации, показанной на фиг.8, бистабильные схемы, включенные в регистр 410 сдвига, не располагаются в области Asm, перекрываемой герметизирующим материалом, и поэтому они равномерно перекрываются жидким кристаллом (т.е. перекрываемая зона не изменяется), приводя к отсутствию изменчивости выходных сигналов среди схем.

<1.3 Эффект>

Как описано выше, в настоящем варианте осуществления вторая соединительная линия 440 вспомогательной емкости дополнительно обеспечивается и располагается в самом близком положении к периферии подложки, так что протяженность области, перекрываемой герметизирующим материалом в области разводки для подачи сигналов на регистр сдвига, может быть уменьшена без увеличения области рамки и перекрытия регистра сдвига герметизирующим материалом. Следовательно, можно уменьшить возможность, когда частичный разрыв и обрыв, ток утечки и т.д., упомянутые ранее, происходят в контактных окнах CT, таким образом предотвращая изменчивость выходных сигналов бистабильных схем в регистре сдвига вследствие изменяющихся емкостей.

Кроме того, расположение второй соединительной линии 440 вспомогательной емкости в самом близком положении к периферии (краю) подложки делает возможным расположить контактные окна CT в положениях, размещенных на значительном расстоянии от края подложки. Таким образом, можно предотвратить или уменьшить коррозию разводки вследствие влажности. Конкретно, ITO - материал пиксельного электрода, оставленный незащищенным над контактными окнами CT, подвержен коррозии вследствие влажности, и в случае, когда алюминий используется в качестве материала затвора или истока, также легко может происходить коррозия вследствие влажности. Следовательно, конфигурация настоящего варианта осуществления, которая позволяет контактным окнам CT располагаться на значительном расстоянии от края подложки, куда легко поступает влага в воздухе, может предотвратить или уменьшить коррозию разводки из-за влажности.

Кроме того, расположение второй соединительной линии 440 вспомогательной емкости в самом близком положении к периферии (краю) подложки позволяет располагать большую емкость (образуемую второй соединительной линией 440 вспомогательной емкости) между бистабильными схемами регистра сдвига и краем подложки. Таким образом, бистабильные схемы могут быть защищены от электростатического разряда (ESD), который происходит вне подложки. Кроме того, в случае, когда другая разводка для коррекции и исследования обрыва не располагается между краем подложки и второй соединительной линией 440 вспомогательной емкости, разводка может быть защищена от электростатического разряда. Отметьте, что посредством использования потенциала второй соединительной линии 440 вспомогательной емкости в качестве общего потенциала может быть дополнительно повышен эффект защиты от электростатического разряда.

<2. Второй вариант осуществления>

<2.1 Общая конфигурация и работа>

Общая конфигурация жидкокристаллического устройства отображения в настоящем варианте осуществления такая же, что и в первом варианте осуществления, показанном на фиг.1, конфигурации участка P формирования пикселя и формирователя 400 сигналов управления затвором такие же, что и те, которые показаны на фиг.2 и 3, соответственно в первом варианте осуществления, одинаковые элементы обозначаются одинаковыми позициями, и опускается любое их описание.

В настоящем варианте осуществления в дополнение к первой и второй соединительным линиям 430 и 440 вспомогательной емкости в первом варианте осуществления, показанным на фиг.4, обеспечиваются концевые линии вспомогательной емкости для соединения концов этих соединительных линий. Этот отличительный признак описывается со ссылкой на фиг.9.

<2.2 Проект топологии формирователя сигналов управления затвором и разводки>

Фиг.9 представляет собой схему, иллюстрирующую проект топологии регистра 410 сдвига в формирователе 400 сигналов управления затвором и различных линий разводки в настоящем варианте осуществления. На фиг.9 обеспечивается регистр 410 сдвига, состоящий из i бистабильных схем, первой соединительной линии 430 вспомогательной емкости для электрического соединения всех линий CsL1-CsLi вспомогательной емкости, второй соединительной линии 440 вспомогательной емкости, группы 420 соединительных линий подачи сигнала возбуждения и различных линий разводки, таких как ответвленные линии вспомогательной емкости, как на фиг.4, и в отличие от конфигурации, показанной на фиг.4, дополнительно обеспечивается концевая линия 450 вспомогательной емкости.

Концевая линия 450 вспомогательной емкости располагается так, чтобы соединять один конец (верхняя сторона чертежа) первой соединительной линии 430 вспомогательной емкости с одним концом (верхняя сторона чертежа) второй соединительной линии 440 вспомогательной емкости, как показано на фиг.9. Кроме того, хотя здесь не показано, подобная концевая линия вспомогательной емкости располагается так, что соединяет другой конец (располагаемый на нижней стороне чертежа) первой соединительной линии 430 вспомогательной емкости с другим концом (располагаемым на нижней стороне чертежа) второй соединительной линии 440 вспомогательной емкости.

Таким образом, концевая линия 450 вспомогательной емкости, непоказанная концевая линия вспомогательной емкости и первая и вторая соединительные линии 430 и 440 вспомогательной емкости размещаются в таком расположении, что окружают бистабильные схемы регистра 410 сдвига. Таким образом, бистабильные схемы могут быть более эффективно защищены от электростатического разряда (ESD), который происходит вне подложки.

Отметьте, что даже если расположена только одна из концевой линии 450 вспомогательной емкости и непоказанной концевой линии вспомогательной емкости, бистабильные схемы могут быть защищены от электростатического разряда на краю подложки, где обеспечивается концевая линия вспомогательной емкости, и поэтому может увеличиваться эффект электростатической защиты по сравнению с первым вариантом осуществления.

<2.3 Эффект>

Как описано выше, в дополнение к достижению каждого из вышеупомянутых эффектов первого варианта осуществления, настоящий вариант осуществления делает возможным повысить эффект электростатической защиты посредством дополнительного обеспечения второй соединительной линии 440 вспомогательной емкости (вместе с непоказанной концевой линией вспомогательной емкости), так что бистабильные схемы могут быть защищены от электростатического разряда на краю подложки, где обеспечивается концевая линия вспомогательной емкости.

<3. Третий вариант осуществления>

<3.1 Общая конфигурация и работа>

Общая конфигурация жидкокристаллического устройства отображения в настоящем варианте осуществления такая же, что и в первом варианте осуществления, показанном на фиг.1, конфигурации участка P формирования пикселя и формирователя 400 сигналов управления затвором такие же, что и в первом варианте осуществления, показанные соответственно на фиг.2 и 3, одинаковые элементы обозначаются одинаковыми позициями, и опускаются любые их описания.

В настоящем варианте осуществления, как в первом варианте осуществления, показанном на фиг.4, ответвленные линии 441 вспомогательной емкости обеспечиваются между второй соединительной линией 440 вспомогательной емкости и первой соединительной линией 430 вспомогательной емкости, чтобы их соединять, но в отличие от случая, показанного на фиг.4, ответвленные линии 441 вспомогательной емкости обеспечиваются между каждой бистабильной схемой и следующей. Этот отличительный признак описывается со ссылкой на фиг.10.

<3.2 Проект топологии формирователя сигналов управления затвором и разводки>

Фиг.10 представляет собой схему, иллюстрирующую проект топологии регистра 410 сдвига в формирователе 400 сигналов управления затвором и различных линий разводки в настоящем варианте осуществления. На фиг.10 обеспечивается регистр 410 сдвига, состоящий из i бистабильных схем, первой соединительной линии 430 вспомогательной емкости для электрического соединения всех линий CsL1-CsLi вспомогательной емкости, второй соединительной линии 440 вспомогательной емкости, группы 420 соединительных линий подачи сигнала возбуждения и различных линий разводки, таких как ответвленные линии вспомогательной емкости, как на фиг.4, и в отличие от конфигурации, показанной на фиг.4, ответвленные линии 441 вспомогательной емкости обеспечиваются между бистабильными схемами регистра 410 сдвига.

Отметьте, что паразитные емкости имеют место между ответвленными линиями 441 вспомогательной емкости и бистабильными схемами или межсхемными линиями 411 и 412 для соединения их (и других межсхемных линий), и поэтому предпочтительно формировать линии в форме, показанной на фиг.5 и 6, как описано ранее, с целью уменьшения таких паразитных емкостей.

<3.3 Эффект>

Как описано выше, в дополнение к достижению каждого из вышеупомянутых эффектов первого варианта осуществления, настоящий вариант осуществления делает возможным выровнять эффект паразитных емкостей между ответвленными линиями 441 вспомогательной емкости и бистабильными схемами (и их межсхемными линиями) посредством обеспечения ответвленных линий 441 вспомогательной емкости между бистабильными схемами регистра 410 сдвига. Таким образом, можно подавить изменчивость выходных сигналов среди схем.

<4. Четвертый вариант осуществления>

<4.1 Общая конфигурация и работа>

Общая конфигурация жидкокристаллического устройства отображения в настоящем варианте осуществления почти такая же, что и в первом варианте осуществления, показанном на фиг.1, конфигурация участка P формирования пикселя такая же, что и в первом варианте осуществления, показанная на фиг.2, одинаковые элементы обозначаются одинаковыми позициями, и опускается какое-либо их описание. В настоящем варианте осуществления, в отличие от первого варианта осуществления, формирователь 400 сигналов управления затвором включает в себя регистр 410 сдвига левой стороны и регистр 413 сдвига правой стороны.

Конкретно, как показано на фиг.11, формирователь 400 сигналов управления затвором в настоящем варианте осуществления включает в себя многокаскадный регистр 410 сдвига, обеспечиваемый слева (на чертеже) от участка 600 отображения, и многокаскадный регистр 413 сдвига, обеспечиваемый справа (на чертеже) от участка 600 отображения. Эти регистры сдвига имеют одинаковую конфигурацию, состоящую из i бистабильных схем, принимают одинаковые сигналы, такие как тактовые сигналы, и затем выводят одинаковые сигналы сканирования на одинаковые линии затворной шины с противоположных сторон (слева или справа на чертеже). В результате, можно возбуждать линии затворной шины без скругления формы волны сигналов сканирования.

Таким образом, регистры 410 и 413 сдвига обеспечиваются на левой и правой сторонах, и поэтому, в отличие от случая, показанного на фиг.4, группа 420 соединительных линий подачи сигнала возбуждения для их возбуждения, первая и вторая соединительные линии 430 и 440 вспомогательной емкости, различные другие линии разводки и т.д. обеспечиваются на каждой стороне слева и справа от участка 600 отображения. Этот отличительный признак описывается со ссылкой на фиг.12.

<4.2 Проект топологии формирователя сигналов управления затвором и разводки>

Фиг.12 представляет собой схему, иллюстрирующую проект топологии регистров 410 и 413 сдвига в формирователе 400 сигналов управления затвором и различных линий разводки в настоящем варианте осуществления. На фиг.12 в области рамки слева от участка 600 отображения обеспечивается регистр 410 сдвига, состоящий из i бистабильных схем, первой соединительной линии 430 вспомогательной емкости для электрического соединения всех линий CsL1-CsLi вспомогательной емкости, второй соединительной линии 440 вспомогательной емкости, группы 420 соединительных линий подачи сигнала возбуждения и различных линий разводки, таких как ответвленные линии 441 вспомогательной емкости, как на фиг.4, а также в области рамки справа от участка 600 отображения обеспечивается регистр 413 сдвига и различные линии разводки, которые являются такими же, что и их аналоги, и отличаются только положениями.

В данном случае ответвленные линии 441 и 442 вспомогательной емкости, образованные в области рамки слева и справа соответственно от участка 600 отображения, располагаются так, что их соответствующие строки располагаются, отклоняясь друг от друга, как показано на фиг.12. Конкретно, ответвленная линия 441 вспомогательной емкости обеспечивается между первой и второй бистабильными схемами регистра 410 сдвига, тогда как ответвленная линия 442 вспомогательной емкости обеспечивается между второй и третьей бистабильными схемами регистра 413 сдвига.

Таким образом, ответвленные линии вспомогательной емкости обеспечиваются, отклоняясь друг от друга на сторонах слева и справа от участка 600 отображения, так что их положения соответствуют разным строкам. В результате, (две) бистабильные схемы, на которые оказывает влияние ответвленная линия 441 вспомогательной емкости, не могут быть одинаковыми (двумя) бистабильными схемами, на которые оказывает влияние ответвленная линия 442 вспомогательной емкости. Таким образом, можно избежать или уменьшить возможность, когда любая бистабильная схема, на которую оказывает существенное влияние конкретная линия затворной шины, связанная с ней, приводит к изменчивости выходных сигналов между бистабильной схемой, связанной с линией затворной шины, и не подвергающимися влиянию бистабильными схемами.

Отметьте, что в конфигурации, показанной на фиг.12, на обе вторые бистабильные схемы оказывают влияние ответвленные линии вспомогательной емкости, но на первую и третью бистабильные схемы оказывает влияние только одна из ответвленных линий 441 и 442 вспомогательной емкости, так что может быть уменьшена изменчивость выходных сигналов бистабильных схем. Однако в случае, когда желательно дополнительно уменьшить изменчивость, ответвленные линии 441 и 442 вспомогательной емкости могут быть расположены так, что на бистабильные схемы оказывает влияние только одна или ни одна из ответвленных линий 441 и 442 вспомогательной емкости.

Кроме того, в конфигурации, подобной третьему варианту осуществления, ответвленные линии 441 вспомогательной емкости могут обеспечиваться между каждой второй бистабильной схемой регистра 410 сдвига, и ответвленные линии 442 вспомогательной емкости могут обеспечиваться между каждой второй бистабильной схемой регистра 413 сдвига, но не в положениях, соответствующих этим же строкам, что ответвленные линии 441 вспомогательной емкости. В результате, можно сделать, в основном, равномерным влияние паразитных емкостей между ответвленными линиями 441 и 442 вспомогательной емкости и бистабильными схемами (и другими межсхемными линиями), (хотя разными между левой и правой сторонами). Таким образом, можно дополнительно подавить изменчивость выходных сигналов схем.

Кроме того, в настоящем варианте осуществления концевая линия 451 вспомогательной емкости, которая почти такая же, что и та, которая во втором варианте осуществления, показанном на фиг.9, обеспечивается (вместе с непоказанной другой концевой линией вспомогательной емкости), но в отличие от второго варианта осуществления концевая линия 451 вспомогательной емкости обеспечивается так, чтобы соединять один конец первой соединительной линии 430 вспомогательной емкости, сформированной на левой стороне в области рамки, с одним концом первой соединительной линии 430 вспомогательной емкости, сформированной на правой стороне в области рамки, т.е. чтобы окружать участок 600 отображения. В результате, можно дополнительно повысить эффект защиты от электростатического разряда на краю подложки, где обеспечиваются концевые линии вспомогательной емкости. Отметьте, что подобно второму варианту осуществления, может опускаться одна из двух концевых линий вспомогательной емкости.

В частности, посредством проектирования каждой линии истоковой шины так, чтобы она не пересекала концевую линию 451 вспомогательной емкости на конце, противоположном тому, где располагается формирователь сигналов управления истоком, представляется возможным сделать так, что линии истоковой шины и TFT на участке отображения будут иметь улучшенный эффект электростатической защиты.

<4.3 Эффект>

Как описано выше, в настоящем варианте осуществления, в дополнение к достижению каждого из вышеупомянутых эффектов первого варианта осуществления, ответвленные линии 441 и 442 вспомогательной емкости сформированы на левой и правой сторонах соответственно в пределах области рамки, чтобы не находиться в соответствующих положениях в одной и той же строке, так что можно избежать или уменьшить возможность, где любая бистабильная схема, на которую оказывает существенное влияние конкретная линия затворной шины, соединенная с ней, приводит к изменчивости выходных сигналов между бистабильной схемой, связанной с линией затворной шины, и не подверженными влиянию бистабильными схемами.

Отметьте, что в настоящем варианте осуществления каждая единственная линия сигнала сканирования возбуждается с противоположных концов, но даже в случае, когда единственная линия сигнала сканирования возбуждается с одного конца (обычно на стороне, определяемой поочередно в направлении размещения линии сигнала сканирования), линии сигнала сканирования разделяются на группу, возбуждаемую регистром 410 сдвига левой стороны, и группу, возбуждаемую регистром 413 сдвига правой стороны, что делает возможным уменьшить размер бистабильных схем в направлении размещения, так что протяженность области, перекрываемой герметизирующим материалом, в разводке для подачи сигналов на схему формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования, может быть уменьшена без перекрытия схемы формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования герметизирующим материалом.

<5. Пятый вариант осуществления>

<5.1 Общая конфигурация и работа>

Общая конфигурация жидкокристаллического устройства отображения в настоящем варианте осуществления является такой же, что и в первом варианте осуществления, показанном на фиг.1, конфигурации участка P формирования пикселя и формирователя 400 сигналов управления затвором являются такими же, что и в первом варианте осуществления, показанном на фиг.2 и 3, соответственно, одинаковые элементы обозначаются одинаковыми позициями, и опускается какое-либо их описание.

В настоящем варианте осуществления различные линии разводки обеспечиваются, как и в первом варианте осуществления, показанном на фиг.4, но в настоящем варианте осуществления отверстия обеспечиваются во второй соединительной линии 440 вспомогательной емкости и самой широкой линии для напряжения VSS постоянного тока в группе 420 соединительных линий подачи сигнала возбуждения. Эта отличительная черта описывается со ссылкой на фиг.13.

<5.2 Проект топологии разводки>

Фиг.13 представляет собой схему, иллюстрирующую проект топологии различных линий разводки в настоящем варианте осуществления. Щелевидные отверстия обеспечиваются во второй соединительной линии 440 вспомогательной емкости и линии 420а для напряжения VSS постоянного тока, которая является самой широкой линией в группе 420 соединительных линий подачи сигнала возбуждения, как показано на фиг.13.

Отверстия имеют назначение, позволяющее получать надежное отверждение герметизирующего материала, расположенного над ними. Конкретно, в случае, когда используется герметизирующий материал светового, например ультрафиолетового, отверждения (или термоотверждения), мало света достигает герметизирующего материала на линиях разводки, не проницаемых для света. Это особенно верно на широких линиях. Поэтому отверстия для прохождения света через них формируются в широких линиях, таким образом надежно отверждая герметизирующий материал.

Кроме того, в случае, когда используется герметизирующий материал, не отверждаемый светом (например, отверждаемый только при нагреве), отверстия не действуют для надежного отверждения герметизирующего материала, но рабочие условия герметизирующего материала, например, в отношении ширины и того, был ли или нет герметизирующий материал полностью отвержден, могут наблюдаться через отверстия. Конкретно, рабочие условия герметизирующего материала не могут нормально анализироваться через участок разводки, образованный на стеклянной подложке, но это возможно, если образованы отверстия. Кроме того, черная матрица обычно формируется в области противолежащей подложки (подлежащей присоединению), которая соответствует области рамки, и поэтому рабочие условия герметизирующего материала не могут анализироваться со стороны противолежащей подложки. Следовательно, посредством обеспечения отверстий представляется возможным легко анализировать рабочие условия герметизирующего материала (на разводке), что обычно является трудным.

<5.3 Эффект>

Как описано выше, в настоящем варианте осуществления, в дополнение к достижению каждого из вышеупомянутых эффектов первого варианта осуществления, отверстия обеспечиваются в широких линиях разводки, на которых обеспечивается герметизирующий материал, конкретно, вторая соединительная линия 440 вспомогательной емкости и по меньшей мере самая широкая линия (например, линия разводки 420а для напряжения VSS постоянного тока) группы 420 соединительных линий подачи сигнала возбуждения, так что светоотверждающийся герметизирующий материал может надежно отверждаться, и могут легко анализироваться рабочие условия герметизирующего материала на линиях разводки.

<6. Шестой вариант осуществления>

<6.1 Общая конфигурация и работа>

Общая конфигурация жидкокристаллического устройства отображения в настоящем варианте осуществления является почти такой же, что и в первом варианте осуществления, показанном на фиг.1, но существенно отличается тем, что в настоящем варианте осуществления каждый участок формирования пикселя состоит из двух участков Pa и Pb формирования субпикселя (ниже в данном документе также упоминаемых как нижний субпиксель Pa и верхний субпиксель Pb), и линии вспомогательной емкости для обеспечения разных потенциалов соединяются с участками Pa и Pb формирования субпикселя соответственно. За исключением этого конфигурация формирователя 400 сигналов управления затвором и другие признаки являются такими же, что и в первом варианте осуществления, одинаковые элементы обозначаются одинаковыми позициями, и опускается какое-либо их описание. Конфигурации участков Pa и Pb формирования субпикселя ниже описываются со ссылкой на фиг.14.

Фиг.14 иллюстрирует эквивалентную схему участка формирования пикселя, состоящего из участков Pa(n,m) и Pb(n,m) формирования субпикселя на участке 600 отображения настоящего варианта осуществления. Как показано на фиг.14, каждый из участков Pa(n,m) и Pb(n,m) формирования субпикселя включает в себя TFT 10, который представляет собой переключающий элемент, имеющий вывод затвора, соединенный с линией GLn затворной шины, и вывод истока, соединенный с линией SLm истоковой шины, проходящей через пересечение, пиксельный электрод Epix, соединенный с выводом стока TFT 10, общий электрод Ecom, обычно обеспечиваемый для участков формирования пикселя, и жидкокристаллический слой, обычно обеспечиваемый для участков формирования пикселя и расположенный между пиксельным электродом Epix и общим электродом Ecom в качестве электрооптического элемента.

Кроме того, линия CsLn вспомогательной емкости обеспечивается параллельно линиям GLn затворной шины, и вспомогательные емкости Ccs формируются между пиксельным электродом Epix и линией CsLn-1 вспомогательной емкости в верхнем участке Pb(n,m) формирования субпикселя и между пиксельным электродом Epix и линией CsLn вспомогательной емкости в нижнем участке Pa(n,m) формирования субпикселя. Кроме того, линия CsLn-1 вспомогательной емкости (вдоль каждой второй соседней линии вспомогательной емкости) возбуждается верхней схемой 700b формирователя сигналов управления линии вспомогательной емкости c заданным потенциалом, и линия CsLn вспомогательной емкости (вместе с каждой второй соседней линией вспомогательной емкости) возбуждается нижней схемой 700a формирователя сигналов управления линии вспомогательной емкости c заданным потенциалом, отличающимся от потенциала, обеспечиваемого верхней схемой 700b формирователя сигналов управления линии вспомогательной емкости. Таким образом, каждый единственный участок формирования пикселя делится на два участка формирования субпикселя, вызывается разное изменение потенциалов линий вспомогательной емкости, как описано выше, для изменения их потенциалов удержания, таким образом достигая широкий угол наблюдения, и данная конфигурация является общеизвестной в области жидкокристаллических панелей или т.п. для использования в телевизорах, например.

Для двух типов линий вспомогательной емкости, для которых обеспечиваются их соответствующие разные потенциалы верхней схемой 700b формирователя сигналов управления линии вспомогательной емкости и нижней схемой 700a формирователя сигналов управления линии вспомогательной емкости, как описано выше, требуется два типа соединительных линий вспомогательной емкости и два типа ответвленных линий вспомогательной емкости. Этот отличительный признак описывается со ссылкой на фиг.15.

<6.2 Проект топологии формирователя сигналов управления затвором и разводки>

Фиг.15 представляет собой схему, иллюстрирующую проект топологии регистра 410 сдвига в формирователе 400 сигналов управления затвором и различных линий разводки в настоящем варианте осуществления. На фиг.15 обеспечивается регистр 410 сдвига, состоящий из i бистабильных схем, вторая соединительная линия 440 вспомогательной емкости, межсхемные линии и т.д., которые являются теми же, что и те, которые показаны на фиг.4 выше, и также обеспечивается первая нижняя соединительная линия 430a вспомогательной емкости, вторая нижняя соединительная линия 440a вспомогательной емкости и нижняя ответвленная линия 441a вспомогательной емкости для их электрического соединения, а также первая верхняя соединительная линия 430b вспомогательной емкости, вторая верхняя соединительная линия 440b вспомогательной емкости и верхняя ответвленная линия 441b вспомогательной емкости для их электрического соединения.

В данном случае, как показано на фиг.15, первая нижняя соединительная линия 430a вспомогательной емкости электрически соединена с нижними линиями вспомогательной емкости (включая линию CsLn вспомогательной емкости), которые являются частью линий CsL1-CsLi вспомогательной емкости, которые подают заданные потенциалы на нижние участки Pa формирования пикселя через ответвленные линии, размещенные так, чтобы проходить над первой верхней соединительной линией 430b вспомогательной емкости. Отметьте, что эти ответвленные линии выполнены из того же материала, что и линии SL1-SLj истоковой шины.

Кроме того, первая нижняя соединительная линия 430a вспомогательной емкости соединена и выполнена из того же материала, что и нижняя ответвленная линия 441a вспомогательной емкости (т.е. того же материала, что линии GL1-GLi затворной шины), и первая нижняя соединительная линия 430а вспомогательной емкости электрически соединена с нижней ответвленной линией 441а вспомогательной емкости и второй нижней соединительной линией 440а вспомогательной емкости через ответвленные линии, которые размещены так, чтобы проходить над второй верхней соединительной линией 440b вспомогательной емкости. Отметьте, что эти ответвленные линии выполнены из того материала, что и линии SL1-SLj истоковой шины.

Кроме того, первая верхняя соединительная линия 430b вспомогательной емкости электрически соединена с верхними линиями вспомогательной емкости (включая линию CsLn+1 вспомогательной емкости), которые являются частью линий CsL1-CsLi вспомогательной емкости, которые подают заданные потенциалы на верхние участки Рb формирования пикселя.

Кроме того, вторая верхняя соединительная линия 440b вспомогательной емкости соединена и выполнена из того же материала, что и верхняя ответвленная линия 441а вспомогательной емкости (т.е. из того же материала, что линии GL1-GLi затворной шины), и вторая верхняя соединительная линия 440b вспомогательной емкости электрически соединена с верхней ответвленной линией 441b вспомогательной емкости и первой верхней соединительной линией 430b вспомогательной емкости через ответвленные линии, которые размещены так, что проходят над первой нижней соединительной линией 430а вспомогательной емкости. Отметьте, что эти ответвленные линии выполнены из того же материала, что и линии SL1-SLj истоковой шины.

Таким образом, каждая из линий вспомогательной емкости, первой и второй соединительных линий вспомогательной емкости и ответвленных линий вспомогательной емкости для их соединения обеспечиваются двух типов, так что может вызываться разное изменение потенциалов, удерживаемых на двух участках формирования субпикселя, включенных в каждый единственный участок формирования пикселя, тем самым делая возможным достижение широкого угла наблюдения для жидкокристаллических панелей или т.п. для использования в телевизорах, например.

Отметьте, что в настоящем варианте осуществления каждая из линий вспомогательной емкости, соединительных линий вспомогательной емкости и ответвленных линий вспомогательной емкости обеспечивается двух типов, но они могут обеспечиваться соответствующего количества типов, например четырех или восьми типов, в соответствии с количеством участков формирования субпикселя, на которые подаются разные потенциалы в каждом единственном участке формирования пикселя.

<6.3 Эффект>

Как описано выше, в настоящем варианте осуществления, в дополнение к достижению каждого из вышеупомянутых эффектов первого варианта осуществления, каждая из линий вспомогательной емкости, соединительных линий вспомогательной емкости и ответвленных линий вспомогательной емкости обеспечивается множеством типов, так что вызывается разное изменение потенциалов, удерживаемых во множестве участков формирования субпикселя, включенных в каждый единственный участок формирования пикселя, тем самым увеличивая угол наблюдения жидкокристаллических панелей.

<7. Разновидность вариантов осуществления>

В каждом варианте осуществления обеспечивается одна или несколько соединительных линий вспомогательной емкости, но они могут быть исключены, поскольку вторая соединительная линия вспомогательной емкости обеспечивается одна. В такой конфигурации положения бистабильных схем, включенных в регистр сдвига, могут быть отведены от края жидкокристаллической панели к участку 600 отображения (т.е. вправо на чертежах) на расстояние, эквивалентное ширине области, где обеспечивается первая соединительная линия вспомогательной емкости, так что протяженность части области разводки для подачи сигналов на регистр сдвига, который перекрывается герметизирующим материалом, может быть дополнительно уменьшена без увеличения области рамки и перекрытия регистра сдвига герметизирующим материалом, и, кроме того, может предотвращаться или уменьшаться коррозия разводки в контактных окнах CT из-за влажности.

Однако в конфигурации разновидности необходимо подавать заданный потенциал на линии CsL1-CsLi вспомогательной емкости посредством только второй соединительной линии вспомогательной емкости, и поэтому, если любая одна из ответвленных линий 441 вспомогательной емкости отрезана (во время производственного процесса), нельзя подать заданный потенциал на линии CsL1-CsLi вспомогательной емкости, используя первую соединительную линию вспомогательной емкости, что приводит к дефектному продукту и пониженному выходу годных изделий.

Кроме того, в конфигурации разновидности только вторая соединительная линия вспомогательной емкости может не быть в состоянии подавать равномерно заданный потенциал на линии CsL1-CsLi вспомогательной емкости. Причина этого заключается в следующем. Конкретно, ответвленные линии 441 вспомогательной емкости подвержены изменениям потенциала из-за паразитных емкостей, например, в точках пересечения с межсхемными линиями, как описано выше, и поэтому может не обеспечиваться равномерный потенциал. Кроме того, при сравнении с линиями вспомогательной емкости, соединенными вблизи конца второй соединительной линии вспомогательной емкости, которая является ближней к источнику питания, линии вспомогательной емкости, соединенные вблизи периферического конца, подвержены задержкам сигнала и могут быть способны обеспечивать равномерный потенциал. В частности, в случае, когда линии вспомогательной емкости возбуждаются переменным током, задержки сигнала могут приводить к пониженному качеству отображения, такому как явление, где отображаются теневые изображения (упоминаемые как явление затенения). Следовательно, в случае, когда предпочтение дано тому, чтобы заданный потенциал равномерно подавался на линии CsL1-CsLi вспомогательной емкости, являются предпочтительными конфигурации вариантов осуществления.

Отметьте, что варианты осуществления являются просто иллюстративными, и посредством соответствующего объединения их характерных компонентов или в комбинации с общеизвестными разными компонентами настоящее изобретение может быть применено к разнообразным разновидностям.

Промышленная применимость

Настоящее изобретение применяется, например, в жидкокристаллических устройствах отображения с активной матрицей или т.п. и подходит для жидкокристаллических устройств отображения, в которых регистры сдвига, включенные в схемы формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования, и различные линии разводки располагаются в областях рамки.

Описание ссылочных позиций

100 - источник питания

200 - схема управления отображением

300 - формирователь сигналов управления истоком (схема формирователя сигналов управления линии видеосигнала)

400 - формирователь сигналов управления затвором (схема формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования)

410, 413 - регистр сдвига

411, 412 - межсхемная линия

420 - группа соединительных линий подачи сигнала возбуждения

421 - группа ответвленных линий подачи сигнала возбуждения

430 - первая соединительная линия вспомогательной емкости

440 - вторая соединительная линия вспомогательной емкости

441 - ответвленная линия вспомогательной емкости

451 - концевая линия вспомогательной емкости

500 - схема формирователя сигналов управления общего электрода

600 - участок отображения

CT - контактное окно

Vcom - общий потенциал

SL1-SLj - линия истоковой шины

GL1-GLi - линия затворной шины

CsL1-CsLi - линия вспомогательной емкости

GSP - сигнал импульса запуска затвора

GCK - тактовый сигнал затвора

CK1-CK4 - первый-четвертый тактовые сигналы затвора

1. Жидкокристаллическое устройство отображения с активной матрицей, содержащее первую подложку, включающую в себя область отображения, на которой множество участков формирования пикселя для формирования изображения, подлежащего отображению, размещено в матрице, вторую подложку, противоположную первой подложке, и жидкокристаллический слой, герметизированный между первой и второй подложками посредством заданного герметизирующего материала, в котором
первая подложка включает в себя:
множество линий видеосигнала для передачи сигналов для представления изображения, подлежащего отображению;
множество линий сигнала сканирования, пересекающих линии видеосигнала;
множество вспомогательных линий, обеспеченных так, что они проходят параллельно линиям сигнала сканирования;
вспомогательную соединительную линию, обеспеченную так, что она проходит в направлении размещения вспомогательных линий и электрически соединяется с вспомогательными линиями; и
схему формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования, включающую в себя группу схем для селективного возбуждения линий сигнала сканирования, и
по меньшей мере часть вспомогательной соединительной линии включает в себя соединительные линии, обеспеченные между схемой формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования и краем первой подложки, который противоположен области отображения в отношении схемы формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования,
причем вспомогательная соединительная линия включает в себя:
первую вспомогательную соединительную линию, обеспеченную между схемой формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования и областью отображения; и
вторую вспомогательную соединительную линию, обеспеченную между схемой формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования и краем первой подложки, который противоположен области отображения в отношении схемы формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования.

2. Жидкокристаллическое устройство отображения по п.1, дополнительно содержащее соединительную линию подачи сигнала возбуждения для передачи сигнала возбуждения для возбуждения схемы формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования, причем соединительная линия подачи сигнала возбуждения обеспечена так, что она проходит в направлении размещения между второй вспомогательной соединительной линией и схемой формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования, причем
герметизирующий материал располагается вытянувшись от положения около края первой подложки до заданного положения на соединительной линии подачи сигнала возбуждения.

3. Жидкокристаллическое устройство отображения по п.2, дополнительно содержащее множество ответвленных линий подачи сигнала возбуждения, соединенных с соединительной линией подачи сигнала возбуждения через контактные окна, таким образом соединяя соединительную линию подачи сигнала возбуждения с группой схем, причем
герметизирующий материал располагается вытянувшись от положения около края первой подложки до заданного положения над частью контактных окон.

4. Жидкокристаллическое устройство отображения по п.3, в котором контактные окна соединяют соединительную линию подачи сигнала возбуждения и ответвленные линии подачи сигнала возбуждения посредством одного и того же материала, что и пиксельные электроды, обеспеченные в участках формирования пикселя.

5. Жидкокристаллическое устройство отображения по п.1, в котором вторая вспомогательная соединительная линия является более широкой, чем первая вспомогательная соединительная линия.

6. Жидкокристаллическое устройство отображения по п.1, в котором первая вспомогательная соединительная линия выполнена из того же материала, что и вторая вспомогательная соединительная линия.

7. Жидкокристаллическое устройство отображения по п.1, дополнительно содержащее множество вспомогательных ответвленных линий между первой и второй вспомогательными соединительными линиями, причем вспомогательные ответвленные линии соединяют первую и вторую вспомогательные соединительные линии, при этом
вспомогательные ответвленные линии расположены с приблизительно равными интервалами в направлении размещения, так что каждая вспомогательная ответвленная линия проходит между двумя схемами, соседними в направлении размещения внутри группы схем.

8. Жидкокристаллическое устройство отображения по п.7, в котором вспомогательные ответвленные линии расположены так, что проходят между всеми схемами, рядом спаренными в направлении размещения внутри группы схем.

9. Жидкокристаллическое устройство отображения по п.1, дополнительно содержащее:
множество вспомогательных ответвленных линий между первой и второй вспомогательными соединительными линиями, причем вспомогательные ответвленные линии соединяют первую и вторую вспомогательные соединительные линии; и
межсхемные линии, причем каждая соединяет две разные схемы, расположенные в направлении размещения внутри группы схем, при этом
межсхемные линии сформированы так, чтобы сужаться около их пересечений с вспомогательными ответвленными линиями.

10. Жидкокристаллическое устройство отображения по п.9, в котором вспомогательные ответвленные линии сформированы так, чтобы сужаться около их пересечений с межсхемными линиями.

11. Жидкокристаллическое устройство отображения по п.1, дополнительно содержащее концевую вспомогательную линию для соединения первой и второй вспомогательных соединительных линий, причем концевая вспомогательная линия расположена вокруг схемы формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования либо между одним концом первой вспомогательной соединительной линии и одним концом второй вспомогательной соединительной линии, либо между другим концом первой вспомогательной соединительной линии и другим концом второй вспомогательной соединительной линии, или обоими.

12. Жидкокристаллическое устройство отображения по п.1, в котором
схема формирователя сигналов управления линии сигнала сканирования включает в себя:
первую группу схем для селективного возбуждения линий сигнала сканирования с одной стороны; и
вторую группу схем для селективного возбуждения линий сигнала сканирования с другой стороны,
причем первая вспомогательная соединительная линия расположена между первой или второй группой схем и областью отображения, и
вторая вспомогательная соединительная линия расположена между первой или второй группой схем и краем первой подложки, который противоположен области отображения в отношении первой или второй группы схем.

13. Жидкокристаллическое устройство отображения по п.12, дополнительно содержащее множество вспомогательных ответвленных линий между первой и второй вспомогательными соединительными линиями, расположенными на упомянутой одной или другой стороне, причем вспомогательные ответвленные линии соединяют первую и вторую вспомогательные соединительные линии, при этом
каждая из вспомогательных ответвленных линий проходит между двумя схемами, соседними в направлении размещения внутри группы схем, так что вспомогательные ответвленные линии на упомянутой одной стороне и вспомогательные ответвленные линии на другой стороне расположены так, что чередуются в направлении размещения.

14. Жидкокристаллическое устройство отображения по п.12, дополнительно содержащее концевую вспомогательную линию для соединения вторых вспомогательных соединительных линий, расположенных на упомянутых одной и другой сторонах, причем концевая вспомогательная линия расположена либо между одним концом второй вспомогательной соединительной линии на упомянутой одной стороне и одним концом второй вспомогательной соединительной линии на другой стороне, либо между другим концом второй вспомогательной соединительной линии на упомянутой одной стороне и другим концом второй вспомогательной соединительной линии на другой стороне, или обоих.

15. Жидкокристаллическое устройство отображения по п.1, в котором вторая вспомогательная соединительная линия имеет множество отверстий.

16. Жидкокристаллическое устройство отображения по п.2, в котором
соединительная линия подачи сигнала возбуждения включает в себя множество линий разводки, и
наиболее широкая из линий разводки, на которой располагается герметизирующий материал, имеет множество отверстий.

17. Жидкокристаллическое устройство отображения по п.1, в котором
вспомогательные линии принадлежат к множеству типов, возбуждаемых так, чтобы быть установленными с разными потенциалами,
причем первая вспомогательная соединительная линия обеспечена во множестве в соответствии с типами, и
вторая вспомогательная соединительная линия обеспечена во множестве в соответствии с типами.



 

Похожие патенты:

Жидкокристаллическое устройство отображения (1) из настоящего изобретения включает в себя: шины затвора (2); шины истока (4); шины CS (6); электроды затвора; электроды истока; первые транзисторы (TFT1); вторые транзисторы (TFT2); первые электроды пикселей; вторые электроды пикселей; области пикселя (8), включающие первый подпиксель (8a) и второй подпиксель (8b); области пикселя (10), включающие первый подпиксель (10a) и второй подпиксель (10b); области пикселя (12), включающие первый подпиксель (12a) и второй подпиксель (12b); электроды затвора; электроды стока; третьи транзисторы (TFT3); первые электроды буферного конденсатора; вторые электроды буферного конденсатора и конденсаторы (Cd).

Изобретение относится к устройству отображения с активной матрицей. Техническим результатом является предотвращение ухудшения жидкокристаллического отображения и снижения качества отображения при низком энергопотреблении без снижения светосилы.

Изобретение относится к жидкокристаллическим устройствам отображения. Техническим результатом является увеличение угла обзора, при котором отсутствуют искажения тонов отображаемого изображения (минимизация явления выбеливания).

Дисплей (100) имеет пиксели, которые включают в себя пиксели (R, G, B и Y) m типов (где m - четное число и m>4), которые отображают различные цвета. Пиксели расположены так, что n из m типов пикселей (где n - четное число, n<m и n является делителем m) повторяющимся образом расположены в одном и том же порядке следования в направлении вдоль строки.

Жидкокристаллическое устройство отображения содержит элемент (31) для блокировки проводимости для предотвращения электрической проводимости между электродной пленкой (19) для создания проводимости между шиной (12) затворов и основной шиной (14c) в контактном отверстии (20) в активно-матричной подложке (1) и электродной пленкой (23) в качестве общего электрода противоположной подложки (2).

Жидкокристаллическое устройство отображения содержит множество пикселей, каждый из которых включает в себя по меньшей мере один первый электрод (21), который имеет первый угловой участок с первой кромкой, параллельной направлению строки, и второй кромкой, параллельной направлению столбца, а также первую подложку, которая включает в себя электродный слой (например, противоэлектрод (18а) запоминающего конденсатора), который перекрывает по меньшей мере часть первой кромки и по меньшей мере часть второй кромки первого углового участка.

Изобретение относится к пиксельной схеме и устройству отображения, включающему в себя эту пиксельную схему, и более подробно к жидкокристаллическому устройству отображения типа активной матрицы.

Подложка активной матрицы включает в себя множество пиксельных электродов, размещенных в матрице, и истоковое межсоединение, протянутое в направлении колонки. Истоковое межсоединение имеет первый боковой участок, протянутый вдоль одной стороны в направлении колонки по меньшей мере одного пиксельного электрода из множества пиксельных электродов, пересекающий участок, пересекающий пиксельный электрод, и второй боковой участок, протянутый вдоль другой стороны в направлении колонки пиксельного электрода. Первый боковой участок и второй боковой участок соединены друг с другом с помощью пересекающего участка, и по меньшей мере один пересекающий участок обеспечен на каждом из по меньшей мере двух пиксельных электродов, выровненных в направлении колонки, из множества пиксельных электродов. Технический результат - повышение качества изображения. 2 н. и 22 з.п. ф-лы, 27 ил.

Изобретение относится к жидкокристаллическим панелям и подложкам матрицы. Каждый из пикселей подложки матрицы включает по меньшей мере два электрода пикселя и по меньшей мере две схемы переключения. Первый электрод пикселя соединен с соответствующей строкой развертки и соответствующей строкой данных пикселя посредством первой схемы переключения. Второй электрод пикселя соединен с соответствующей строкой развертки пикселя посредством второй схемы переключения. Второй электрод пикселя соединен с первой схемой переключения по меньшей мере посредством второй схемы переключения, так что второй электрод пикселя соединен с соответствующей строкой данных пикселя. Таким образом, уменьшено искажение цвета при широком угле обзора и улучшены технические характеристики дисплея. 3 н. и 10 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к технологии изготовления жидкокристаллических дисплеев и, более конкретно, к подложке матрицы и жидкокристаллической панели. Подложка матрицы включает первые линии сканирования, линии данных, пиксели и общий электрод. Причем каждый пиксель соответствует одной первой линии сканирования и одной линии данных, и включает первый электрод, второй электрод, первый переключатель, второй переключатель, третий переключатель, первый конденсатор и схему компенсации напряжения. При этом первая линия сканирования текущего пикселя соединяется с первым переключателем и вторым переключателем. Соответствующая линия данных текущего пикселя соответственно соединяется с первым электродом пикселя и вторым электродом пикселя через первый переключатель и второй переключатель. Третий переключатель соединяется с соответствующей первой линией сканирования следующего пикселя, текущий пиксель и следующий пиксель расположены в направлении сканирования, а следующий пиксель расположен рядом с текущим пикселем. Второй электрод пикселя соединяется с одним выводом первого конденсатора через третий переключатель, другой вывод первого конденсатора соединен с общим электродом. Схема компенсации напряжения соединяется с соответствующим вторым электродом текущего пикселя и соединяется с соответствующей первой линией сканирования еще одного, расположенного дальше пикселя, и следующий пиксель расположен между текущим пикселем и расположенным дальше пикселем в направлении сканирования. Первые линии сканирования сканируются в направлении сканирования по очереди, а сигналы сканирования подводятся к соответствующей первой линии сканирования следующего пикселя, чтобы включить третий переключатель текущего пикселя. Напряжение второго электрода текущего пикселя изменяется первым конденсатором, емкость которого при обращении положительной полярности больше, чем емкость первого конденсатора при обращении отрицательной полярности. Когда сигналы сканирования подводятся к соответствующей первой линии сканирования расположенного дальше пикселя, схема компенсации напряжения текущего пикселя действует на второй электрод текущего пикселя, так что отношение разницы напряжений между вторым электродом пикселя и общим электродом к разнице напряжений между первым электродом пикселя и общим электродом при обращении положительной полярности такое же, как отношение при обращении отрицательной полярности. Технический результат заключается в усилении эффекта малого изменения цвета при большом угле обзора, а также в уменьшении эффекта «выжигания» пикселей. 3 н. и 13 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к технологиям изготовления дисплеев. Подложка матрицы включает некоторое число пиксельных элементов, по меньшей мере одну линию общего электрода, по меньшей мере одну линию данных, по меньшей мере одну первую линию развертки и одну вторую линию развертки, параллельную первой линии развертки. Первая линия развертки и вторая линия развертки пересекаются с линией данных. Пиксельный элемент включает первый электрод пикселя, второй электрод пикселя, первый транзистор, второй транзистор, третий транзистор и управляющую схему. Путем добавления одной управляющей схемы усиливается эффект изменения цвета при широком угле обзора и устраняется зависание изображения. 3 н. и 10 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к технологиям изготовления жидкокристаллических дисплеев, более конкретно к подложке матрицы и жидкокристаллической панели. Каждый из пикселей в подложке матрицы включает первый электрод пикселя, второй электрод пикселя и третий электрод пикселя. Третий электрод пикселя соединяется с вторым электродом пикселя через третий транзистор. В режиме двухмерного отображения третий транзистор включен, так что второй электрод пикселя и третий электрод пикселя электрически соединяются. В этот момент три электрода пикселя находятся в состоянии отображения соответствующих двухмерных изображений. Напряжение второго электрода пикселя изменяется из-за напряжения третьего электрода пикселя. В режиме трехмерного отображения второй электрод пикселя и третий электрод пикселя электрически не соединены, так что третий электрод пикселя находится в состоянии отображения черных изображений. Технический результат – увеличение яркости и размера изображения. 3 н. и 10 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к способам изготовления жидкокристаллических дисплеев и, в частности, к подложке матрицы и панели жидкокристаллического дисплея. Подложка матрицы включает первые линии сканирования (ЛС1), вторые линии сканирования (ЛС2), третьи линии сканирования (ЛС3), линии данных (ЛД), пиксели и общий электрод (ОЭ). ЛС2 электрически соединены в периферической области подложки матрицы. Каждый пиксель включает первый электрод пикселя (Э1), второй электрод (Э2) пикселя, третий электрод (Э3) пикселя и первый переключатель (П1), второй переключатель (П2) и третий переключатель (П3), которые соответственно влияют на Э1 пикселя, Э2 пикселя и Э3 пикселя. Каждый пиксель, кроме того, включает первую управляющую схему (УС1) и вторую управляющую схему (УС2). ЛД соответственно подсоединены к Э1 пикселя, Э2 пикселя и Э3 пикселя через П1, П2 и П3, чтобы подавать сигнал данных. П1, П2 и П3 включаются, когда ЛС1 подводит первый сигнал сканирования. УС1 соединена с ОЭ. УС1 регулирует разницу напряжений между Э1 пикселя и ОЭ, чтобы она была равна нулю, когда ЛС2 подводит второй сигнал сканирования, так что Э1 пикселя находится в состоянии отображения изображения, соответствующего черному экрану. УС2 влияет на Э2 пикселя и Э3 пикселя, когда ЛС3 подводит третий сигнал сканирования, который изменяет разницу напряжений между Э2 пикселя и Э3 пикселя. В режиме 2D Э1 пикселя, Э2 пикселя и Э3 пикселя находятся в состоянии отображения изображения, соответствующего 2D изображению, под влиянием ЛС1 и ЛД. УС1 переводит Э1 пикселя в состояние отображения изображения, соответствующего 2D изображению, когда ЛС2 подводит четвертый сигнал сканирования, и затем ЛС3 подводит третий сигнал сканирования для управления УС2, чтобы влиять на второй пиксель и Э3 пикселя. Разница напряжений между Э2 пикселя и Э3 пикселя изменяется под влиянием УС2, так что существуют разницы напряжений, которые не равны нулю, между Э1 пикселя, Э2 пикселя и Э3 пикселя. В режиме 3D ЛС2 подводит второй сигнал сканирования для управления УС1, чтобы влиять на Э1 пикселя. Э2 пикселя и Э3 пикселя находятся в состоянии отображения изображения, соответствующего 3D, под влиянием ЛС1 и ЛД, соответствующих этому пикселю. Э1 пикселя находится в состоянии отображения изображения, соответствующего черному экрану, под влиянием УС1, и затем ЛС3 подводит третий сигнал сканирования для управления УС2, чтобы влиять на Э2 пикселя и Э3 пикселя. Разница напряжений между Э2 пикселя и Э3 пикселя изменяется под влиянием УС2, так что существует разница напряжений, которая не равна нулю, между Э2 пикселя и Э3 пикселя. Технический результат заключается в уменьшении разницы в цвете при широком угле обзора, улучшении формата окна в режиме 2D и уменьшении перекрестных помех сигналов для двух глаз в режиме 3D, а также уменьшении числа драйверов данных. 3 н. и 13 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к полевому транзистору и устройству отображения изображений. Полевой транзистор включает в себя основу, пассивирующий слой, изолирующий слой затвора, сформированный между ними, электрод истока и электрод стока, которые формируются находящимися в контакте с изолирующим слоем затвора, слой полупроводника, который сформирован между по меньшей мере электродом истока и электродом стока и находится в контакте с изолирующим слоем затвора, электродом истока и электродом стока, а также электрод затвора, который находится в контакте с изолирующим слоем затвора и обращен к слою полупроводника через изолирующий слой затвора, при этом пассивирующий слой содержит первый пассивирующий слой, который содержит первый композитный оксид металла, содержащий Si и щелочноземельный металл, а также второй пассивирующий слой, который формируется находящимся в контакте с первым пассивирующим слоем и содержит второй композитный оксид металла, содержащий щелочноземельный металл и редкоземельный элемент. Изобретение обеспечивает получение высоконадежного полевого транзистора. 4 н. и 4 з.п. ф-лы, 15 ил.

Изобретение относится к области технологий для жидкокристаллических дисплеев. Технический результат заключается в обеспечении использования одного типа устройств тонкопленочных транзисторов за счет использования схемы возбуждения сканирования для оксидного полупроводникового тонкопленочного транзистора. Технический результат достигается за счет схемы логической операции И-НЕ, содержащей первый инвертор и второй инвертор, применяемые к схеме удержания пониженного напряжения схемы GOA, девятый транзистор, затвор которого электрически соединен с выходом первого инвертора, сток электрически соединен с постоянным высоким потенциалом, а исток электрически соединен с выходом схемы логической операции, десятый транзистор, затвор которого электрически соединен с выходом второго инвертора, сток электрически соединен с постоянным высоким потенциалом, а исток электрически соединен с выходом схемы логической операции, одиннадцатый транзистор, затвор которого электрически соединен с первым входом схемы логической операции, а сток электрически соединен с выходом схемы логической операции, и двенадцатый транзистор, затвор которого электрически соединен со вторым входом схемы логической операции, сток электрически соединен с истоком одиннадцатого транзистора, а исток электрически соединен с постоянным низким потенциалом. 3 н. и 16 з.п. ф-лы, 3 ил.
Наверх