Светодиодное устройство

Изобретение относится к области оптического приборостроения, а именно к классу мощных светодиодов, которые используются в качестве аналогов галогенных ламп, а также для потолочных, индустриальных, фасадных и других светильников. Светодиодное устройство состоит из одного или нескольких излучателей-чипов, установленных по любой топографии на единую плоскую подложку и покрытых общим слоем компаунда-геля, возможно с кристаллами люминофора, причем над каждым чипом поверхность, граничащая с воздухом, является сферической или асферической с радиусом при вершине не более 4 мм. Диаметр этой поверхности составляет D=(1,75…2,3)Dc, где Dc - размер излучающей поверхности чипа, при этом оптические оси этих поверхностей совпадают, а расстояние от поверхности чипа до вершины поверхности, граничащей с воздухом, не превышает d=1,5 мм. Поверхность, граничащая с воздухом, может иметь над каждым чипом по всему периметру поверхности устройство, ограничивающее размер D, причем высота h и ширина t этого устройства не превышает (0,1…0,15)D. Поверхность, граничащая с воздухом, может быть выполнена на плоскоыпуклой линзе из любого оптического материала, в том числе из органического стекла, которая без воздушного промежутка расположена на компаунде-геле над чипом. Изобретение обеспечивает повышение энергетических параметров устройства, а именно значительное увеличение осевой силы света за счет увеличения угла охвата излучения кристалла до σ1=±65°, при этом потери чипа уменьшаются до δE=6%. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.

 

Изобретение относится к области оптического приборостроения, а именно к классу мощных светодиодов «Chip-on-board», которые используются в качестве аналогов галогенных ламп, а также для потолочных, индустриальных, фасадных и других светильников.

Использование кристаллов, излучающих свет в различной цветовой гамме оптического диапазона, дает возможность получения светодиодных устройств с широким разнообразием цветов и оттенков светового потока. Основным достоинством этих устройств является их большая энергосберегаемость (малая потребляемая мощность электроэнергии) и большие практически неограниченные сроки службы по сравнению с обычными галогенными светильниками.

Наиболее важными энергетическими параметрами светодиодного устройства являются осевая сила света и индикатриса распределения светового потока по углу расходимости светового излучения на выходе устройства, которые в очень большой степени зависят от конструкции устройства на границе гель - воздух.

Известны промышленные образцы СОВ фирмы «Оптоган» [1], описание конструкций которых даны в статье [2]. Они представляют собой массив из одного или нескольких светодиодных чипов, установленных по различной топографии на единую плоскую подложку и покрытых общим слоем компаунда-геля с кристаллами люминофора, причем наружная поверхность геля, контактирующая с воздухом, является плоской. По технической сущности эти устройства наиболее близки к предлагаемому светодиодному устройству и являются прототипом настоящего изобретения.

Данная конструкция системы не позволяет получить высоких энергетических параметров, так как используемый угол охвата прямого излучения кристалла не превышает ±40°, в то время как прямое излучение кристалла распространяется в углах ±90°, что соответствует индикатрисе излучения кристалла, представленной на Фиг.1. Это приводит к потере энергии не менее 25%, что является основным недостатком прототипа.

Целью предлагаемого изобретения является повышение энергетических параметров светодиодных устройств типа СОВ, а именно значительное увеличение осевой силы света при использовании прямого излучения кристалла чипа с углом охвата излучения не менее ±65°.

Эта цель достигается тем, что светодиодное устройство, состоящее из одного или нескольких излучателей-чипов, установленных по любой топографии на единую плоскую подложку, покрытых общим слоем компаунда-геля, возможно с кристаллами люминофора, причем над каждым чипом-излучателем поверхность, граничащая с воздухом, является сферической или асферической с радиусом при вершине не более 4 мм. Диаметр этой поверхности составляет D=(1,75…2,3)Dс, где Dc - размер излучающей поверхности чипа, причем D=D0, где D0 - расстояние между оптическими осями излучателей-чипов, при этом оптические оси этих поверхностей совпадают, а расстояние от поверхности чипа до вершины поверхности, граничащей с воздухом, не превышает d=1,5 мм. Поверхность, граничащая с воздухом, может иметь над каждым чипом по всему периметру поверхности устройство, ограничивающее размер D, причем высота h и ширина t этого устройства не превышает (0,1…0,15)D. Поверхность, граничащая с воздухом, может быть выполнена на плосковыпуклой линзе из любого оптического материала, в том числе из органического стекла, которая без воздушного промежутка расположена на компаунде-геле над чипом.

На Фиг.2 в качестве примера представлена принципиальная схема предлагаемого светодиодного устройства. В его состав входят чипы-излучатели (1), размещенные на плоской подложке (2) и покрытые общим слоем компаунда-геля (3), возможно с кристаллами люминофора, при этом расстояние между оптическими осями чипов D0, а поверхность, граничащая с воздухом, является сферической или асферической (с радиусом при вершине R не более 4 мм) и имеет диаметр D=(1,75…2,3)Dc, где Dc - размер излучающей поверхности чипа, D=D0, причем оптические оси этих поверхностей совпадают, а расстояние от поверхности чипа до вершины поверхности, граничащей с воздухом, не превышает d=1,5 мм. Поверхность, граничащая с воздухом, может быть ограничена специальным устройством (4) по всему периметру над каждым чипом, причем высота h и ширина t этого устройства не превышает (0,1…0,15)D, как это показано на Фиг.3.

Поверхность, граничащая с воздухом, может быть выполнена на плосковыпуклой линзе (5) из любого оптического материала, в том числе из органического стекла, которая без воздушного промежутка расположена на компаунде-геле над чипом, как это видно на Фиг.4.

Конкретные варианты конструкций светодиодного устройства, соответствующие приведенному выше описанию предлагаемого изобретения, разработаны на примере использования СОВ с излучателями-чипами (1), размеры которых Dc=1,15 мм. Чипы установлены на единой плоской подложке (2) и покрыты общим слоем компаунда-геля (3), при этом расстояние между оптическими осями чипов D0=2,5 мм. Поверхность, граничащая с воздухом, является сферической с радиусом R=2,5 мм и диаметром D=2,5 мм, что соответствует 2,17Dc, причем расстояние от излучающей поверхности чипа до вершины сферической поверхности d=0,85 мм, а оптические оси этих поверхностей совпадают, как показано на Фиг.2.

Сферические поверхности с радиусом R=3 мм на границе гель - воздух диаметром D=2,2 мм могут быть ограничены специальным устройством (4) по всему периметру над каждым чипом (как показано на Фиг.3), причем высота h=0,3 мм и ширина t=0,3 мм, что составляет 0,13D.

В соответствии с Фиг.4 на поверхности компаунда-геля над каждым чипом может быть расположена без воздушного промежутка плосковыпуклая линза (5) с радиусом наружной поверхности R=3 мм, толщиной 0,7 мм и диаметром D=2,5 мм. Линзы выполнены из органического материала макролон с показателем преломления n=1,586. Расстояние между излучающей поверхностью чипа и сферической поверхностью линзы равно d=1,05 мм. Оптические оси линз и соответственных чипов совпадают.

Положительный эффект предлагаемой конструкции светодиодного устройства заключается в том, что она обеспечивает увеличение энергетических параметров на выходе системы за счет использования значительно увеличенного угла охвата излучения кристалла в пределах σ1=±65° (против σ1=±40° в прототипе), при этом потери энергии чипа уменьшаются до δE=(6…7)% (против δE=25% в прототипе).

Источники информации

[1] Электронный документ. «Мощные светодиоды» «Chip-on- board» .

[2] Статья. Е.Мухина, П.Блашто. «Технология CHIP-on-BoARD: Основные процессы и оборудование». Электроника. Наука. Технология. Бизнес, 2008 г., №3, стр.54-58.

1. Светодиодное устройство, состоящее из одного или нескольких излучателей-чипов, установленных по любой топографии на единую плоскую подложку и покрытых общим слоем компаунда-геля, возможно с кристаллами люминофора, отличающееся тем, что над каждым чипом-излучателем поверхность, граничащая с воздухом, является сферической или асферической с радиусом при вершине не более 4 мм, причем диаметр этой поверхности составляет D=(1,75…2,1)Dc, где Dc - размер излучающей поверхности чипа, при этом оптические оси этих поверхностей совпадают, а расстояние от поверхности чипа до вершины поверхности, граничащей с воздухом, не превышает d=1,5 мм.

2. Светодиодное устройство по п.1, отличающееся тем, что поверхности, граничащие с воздухом, имеют над каждым чипом по всему периметру поверхности устройство, ограничивающее размер D, причем высота и ширина этого устройства не превышает (0,1…0,15)D.

3. Светодиодное устройство по п.1, отличающееся тем, что поверхность, граничащая с воздухом, выполнена на плосковыпуклой линзе из любого оптического материала, в том числе из органического стекла, которая без воздушного промежутка расположена на компаунде-геле над чипом.



 

Похожие патенты:

Использование: для применений, связанных с освещением, отличным от подсветок, где вертикальная диаграмма направленности (диаграмма коллимирования) и диаграмма направленности бокового излучения света могут определяться независимо.

Блок LED, содержащий LED кристалл (10), слой (12) люминофора и фильтрующий слой (14), который расположен таким образом, что световые лучи, излучаемые от LED кристалла (10), с углом излучения ниже предварительно определенного угла относительно нормали фильтра, по меньшей мере, частично отражаются, и световые лучи, излучаемые от LED кристалла выше этого предварительно определенного угла, относительно нормали к фильтрующему слою (14) пропускаются.

Изобретение относится к области светотехники. Техническим результатом является обеспечение излучения общего практически однородного цвета.

Изобретение относится к источникам света, работающим на основе полупроводниковых светоизлучающих диодов. Радиатор отвода тепла выполнен из набора пластин или -образной формы, контактирующих одна с другой плоской горизонтальной частью.

Изобретение относится к области светотехники и, в частности, к люминесцирующим материалам, используемым в твердотельных источниках белого света. Согласно изобретению предложен композиционный люминесцирующий материал для твердотельных источников белого света, которые содержат светодиод, излучающий в области 430-480 нм, а также смесь, по крайней мере, двух люминофоров, первый из которых имеет желто-оранжевое свечение в области (560-630 нм), а второй взят из группы алюминатов щелочноземельных металлов, активированных европием.

Изобретение относится к способу формирования люминесцентного керамического преобразователя и к люминесцентному керамическому преобразователю, полученному таким способом.

Изобретение относится к монтажной плате с повышенной устойчивостью к коррозии, способу изготовления такой монтажной платы, дисплейной панели и дисплейного устройства.

Предложены два варианта светоизлучающих устройств, использующих проводящий связывающий агент при соединении корпуса и крышки. Также предложен способ изготовления светоизлучающего устройства, который включает в себя этап соединения крышки 3, имеющей рамную часть 4, с корпусом 1, имеющим светоизлучающий элемент 2, установленный в углублении корпуса 1, чтобы закрыть отверстие углубления.

Способ изготовления светодиодного модуля согласно изобретению включает формирование на подложке изолирующей пленки; формирование на изолирующей пленке первой заземляющей контактной площадки и второй заземляющей контактной площадки, отделенных друг от друга; формирование первой разделительной пленки, которая заполняет пространство между первой и второй заземляющими контактными площадками, второй разделительной пленки, осажденной на поверхность первой заземляющей контактной площадки и третьей разделительной пленки, осажденной на поверхность второй заземляющей контактной площадки; формирование первого разделяющего слоя заданной высоты на каждой из разделительных пленок; распыление затравочного металла на подложку, на которой сформирован первый разделяющий слой; формирование второго разделяющего слоя заданной высоты на первом разделяющем слое; формирование первого зеркала, соединенного с первой заземляющей контактной площадкой, и второго зеркала, соединенного со второй заземляющей контактной площадкой с помощью выполнения процесса нанесения металлического покрытия на подложку, на которой сформирован второй разделяющий слой; удаление первого и второго разделяющих слоев; соединение стабилитрона с первым зеркалом и соединение светодиода со вторым зеркалом; и осаждение флуоресцентного вещества для того, чтобы заполнить пространство, образованное первым зеркалом и вторым зеркалом.

Светоизлучающее устройство (100) согласно изобретению содержит по меньшей мере один излучатель (101) света, расположенный на подложке (102), и отражающий оптический корпус (103, 108), по меньшей мере частично окружающий по сторонам упомянутый по меньшей мере один излучатель (101) света, причем пространство (106) между упомянутым отражающим оптическим корпусом (103, 108) и упомянутым по меньшей мере одним излучателем (101) света наполнено по меньшей мере частично суспензией отражающего материала (104).

Изобретение относится к области оптического приборостроения. Светодиодное устройство согласно изобретению включает один или несколько излучателей-чипов, установленных по любой топографии на единую плоскую подложку и покрытых общим слоем компаунда-геля, возможно с кристаллами люминофора, и пластину из оптического материала, размещенную без воздушного промежутка на плоской поверхности геля. На внутренней стороне пластины, граничащей с гелем, нарезаны взаимноперпендикулярные канавки, грани которых наклонены к поверхности геля на угол α=55°…65°, глубина нарезки канавок не более h=0,8 мм. Вершины канавок образуют квадраты, стороны которых составляют D=(1,75…2,3)Dc, где Dc - размер стороны чипа, причем D=D0, где D0 - расстояние между оптическими осями излучателей-чипов, при этом оптические оси квадратов нарезки и соответствующих чипов совпадают. Изобретение обеспечивает повышение энергетических параметров устройства, а именно значительное увеличение осевой силы света и уменьшение энергетических потерь за счет увеличения угла охвата излучения кристалла чипа до σ1=±75°. 2 ил.

Изобретение относится к изготовлению и производству интегральных светоизлучающих приборов. Способ согласно изобретению включает размещение светоизлучающих элементов (СЭ) в замкнутом поле (ЗП) повторяющимися группами (Г) с виртуальными номерами гирлянд внутри Г вначале в прямом порядке, затем в обратном. Последовательное соединение СЭ с одноименными СЭ внутри Г осуществляют, например, с правой стороны, а между соседними Г с левой стороны, с поочередно прилегающими к друг другу проводниками (П), параллельно ориентированными оси расположения СЭ в ЗП в случае размещения П в плоскости (ПЛ) размещения СЭ. Б случае многоуровневого соединения СЭ под ПЛ размещения СЭ П в изолирующих слоях (ИС) соединение СЭ осуществляют соединительной металлизацией сквозь ИС с соответствующими П на ИС, которые располагают по двум виртуальным непересекающимся линиям, по которым, например, с левой стороны соединения с СЭ осуществляют внутри Г СЭ, а с правой стороны между соседними Г в зонах отсутствия П в предыдущих ИС. Технический результат: повышение плотности размещения Г СЭ в интегральной матрице, неизменности формы излучения светоизлучающего устройства при отказе одной или нескольких Г, надежности светоизлучающей матрицы в процессах изготовления, проверки, классификации, эксплуатации. Изобретение обеспечивает возможность нахождения приемов размещения и соединения гирлянд светоизлучающих элементов в их интегральной матрице для повышения плотности размещения, сохранение излучения светоизлучающего устройства при отказе одной или нескольких гирлянд светоизлучающей матрицы в процессах изготовления, проверки, классификации, эксплуатации и повышение процента выхода годных изделий. 1 з.п. ф-лы, 16 ил.

Предложено светодиодное светоизлучающее устройство, в котором упрощена регулировка цветовой температуры белого света, при этом светодиодное светоизлучающее устройство содержит множество блоков светоизлучения разных типов, содержащих, соответственно, светодиодные элементы, которые испускают ультрафиолетовое излучение или видимый свет фиолетового цвета, и люминофоры, которые поглощают ультрафиолетовое излучение или видимый свет фиолетового цвета и излучают цветной свет; причем цветной свет, излучаемый множеством блоков светоизлучения разных типов, смешивается и становится белым светом; светодиодные элементы указанного множества блоков светоизлучения разных типов являются одинаковыми и смонтированы на одном основании; и два или более блоков светоизлучения частично перекрывают друг друга. Также предложены изобретения, касающиеся системы светоизлучения, сформированной на основе описанного выше светодиодного светоизлучающего устройства, и способа изготовления светодиодного светоизлучающего устройства. 3 н. и 4 з.п. ф-лы, 13 ил.

Способ изготовления полупроводникового светоизлучающего устройства согласно изобретению включает выращивание множества III-нитридных полупроводниковых структур на подложке, причем каждая полупроводниковая структура включает в себя светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью р-типа; подложка включает в себя основание, множество участков III-нитридного материала, разделенных углублениями, причем углубления простираются через всю толщину III-нитридного материала, который формирует упомянутые структуры, связывающий слой, расположенный между основанием и множеством участков III-нитридного материала; при этом светоизлучающий слой каждой полупроводниковой структуры имеет значение постоянной решетки, большее чем 3,19 ангстрем; и формирование проводящего материала, который электрически соединяет две из III-нитридных полупроводниковых структур. Также предложено полупроводниковое светоизлучающее устройство. Изобретение обеспечивает улучшение производительности и надежности, за счет исключения деформации и дефектов кристалла в слоях III-нитридного устройства. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 8 ил.

Источник (1) инфракрасного излучения содержит первичный преобразователь (2) энергии с токоподводящими контактами (3) и активную область (4) с оптической толщиной в направлении вывода излучения, не превышающей двойного значения обратной величины среднего коэффициента поглощения активной области в диапазоне энергий квантов излучения источника (1). Активная область (4) выполнена по меньшей мере из одной непроводящей жидкости или газа, имеющих полосы поглощения излучения источника. Первичный преобразователь (2) энергии выполнен из пьезоэлектрика. Активная область (4) и первичный преобразователь (2) энергии помещены в герметичный корпус (5), по меньшей мере часть которого прозрачна для излучения источника (1). Источник (1) обеспечивает повышенную мощность инфракрасного излучения в области энергий hν2<0,12 эВ. 6 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к оптическим устройствам и способам их изготовления. Предложено оптическое устройство, включающее светоизлучающий или светочувствительный элемент, установленный на подложку, и отвержденный кремнийорганический материал, объединенные в единое изделие в результате герметизации элемента кремнийорганической композицией, отверждаемой с помощью реакции гидросилилирования, причем поверхность отвержденного кремнийорганического материала обработана полиорганосилоксаном, который включает по меньшей мере три атома водорода, связанных с атомами кремния, в одной молекуле. Предложен также способ изготовления указанного оптического устройства. Технический результат - предложенное оптическое устройство устойчиво к налипанию пыли и грязи вследствие уменьшения липкости поверхности отвержденного кремнийорганического материала, который герметизирует светоизлучающий или светочувствительный элемент. 2 н. и 5 з.п. ф-лы, 7 ил., 6 пр.

Изобретение относится к области светотехники. Техническим результатом является обеспечение низкого потребления энергии и упрощение изготовления. Источник света включает печатную плату, способную рассеивать тепло, пакет светодиодной матрицы, расщепитель пучка и рефлектор. Пакет светодиодной матрицы прикреплен к печатной плате и закрыт расщепителем пучка, который в свою очередь прижат и позиционирован с рефлектором. Центральные световые пучки от пакета светодиодной матрицы коллимируются расщепителем пучка для проецирования наружу. Боковые световые пучки преломляются в направлении расщепителем пучка, перехватываются рефлектором и направляются на целевую область освещения вместе с центральными световыми пучками. 10 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к области светотехники. Техническим результатом является увеличение угла излучения. Осветительное устройство включает в себя осветительные средства (40), которые при подаче напряжения излучают первичное излучение, и твердые частицы (64, 66), которые, по меньшей мере, участками окружают осветительные средства (40) и которые взаимодействуют с первичным излучением. Концентрация частиц (64, 66), по меньшей мере, в одном направлении от осветительных средств (40) изменяется от первой концентрации частиц ко второй концентрации частиц. 23 з.п. ф-лы, 22 ил.

Использование: для излучения света посредством светоизлучающих диодов. Сущность изобретения заключается в том, что светодиодное (LED) устройство содержит металлическую подложку, имеющую отражающую поверхность, и множество светодиодных кристаллов, установленных непосредственно на отражающей поверхности металлической подложки, чтобы обеспечить возможность рассеяния тепла, при этом, по меньшей мере, часть светодиодных (LED) кристаллов размещена на расстоянии друг от друга, чтобы обеспечить возможность отражения света от части отражающей поверхности, которая расположена между частями светодиодных (LED) кристаллов, а также электрическую цепь, сформированную путем соединения светодиодных (LED) кристаллов кристалл к кристаллу. Технический результат: повышение светоотдачи, улучшение теплоотвода от матрицы светодиодных кристаллов и упрощение изготовления матрицы светодиодных кристаллов. 4 н. и 28 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к области светоизлучающих диодов Согласно изобретению предложен способ формирования герметизации светоизлучающих диодов, причем способ содержит этапы, на которых определяют геометрическую форму для герметизации; выбирают ограждающий материал; наносят ограждающий материал на подложку для формирования границы, определяющей пространство, имеющее геометрическую форму, причем указанное нанесение содержит нанесение ограждающего материала при помощи автоматического распыления; и наполняют пространство герметизирующим материалом для формирования герметизации. Также согласно изобретению предложены светодиод и лампа на основе светодиода. Изобретение обеспечивает упрощение изготовления светодиодов и снижение затрат на их производство. 3 н. и 15 з.п. ф-лы, 4 ил.
Наверх