Матрица сверхпроводящих детекторов субмиллиметрового и дальнего инфракрасного излучения



Матрица сверхпроводящих детекторов субмиллиметрового и дальнего инфракрасного излучения
Матрица сверхпроводящих детекторов субмиллиметрового и дальнего инфракрасного излучения
Матрица сверхпроводящих детекторов субмиллиметрового и дальнего инфракрасного излучения
Матрица сверхпроводящих детекторов субмиллиметрового и дальнего инфракрасного излучения
Матрица сверхпроводящих детекторов субмиллиметрового и дальнего инфракрасного излучения
Матрица сверхпроводящих детекторов субмиллиметрового и дальнего инфракрасного излучения
Матрица сверхпроводящих детекторов субмиллиметрового и дальнего инфракрасного излучения

 

H01L27/14 - содержащие полупроводниковые компоненты, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, коротковолновому электромагнитному или корпускулярному излучению, и предназначенные для преобразования энергии этих излучений в электрическую энергию или для управления электрической энергией с помощью таких излучений (компоненты, чувствительные к излучению, конструктивно связанные только с одним или несколькими электрическими источниками света H01L 31/14; соединение световодов с оптоэлектронными элементами G02B 6/42)

Владельцы патента RU 2515416:

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский педагогический государственный университет" (RU)

Изобретение относится к области оптоэлектроники, а именно к многоэлементным приемникам субмиллиметрового и дальнего инфракрасного излучения, и может найти применение в терагерцовой микроскопии, при исследовании полупроводниковых излучателей, в системах безопасности, медицине и др. Технический результат изобретения заключается в снижении влияния ВЧ-тока каждой планарной антенны на соседние антенны и, как следствие, в уменьшении взаимовлияния соседних антенн друг на друга. Матрица сверхпроводящих детекторов на электронном разогреве содержит соединенные друг с другом планарные антенны с интегрированным в каждую элементом, чувствительным к ИК-излучению, причем ветви каждой антенны имеют форму логарифмических спиралей. На каждом участке, соединяющем антенны друг с другом, выполнена по меньшей мере одна продольная прорезь или заужение. Этот участок обладает повышенным волновым сопротивлением, и, благодаря конструктивной интерференции волн, отраженных от ближнего и дальнего краев отрезка, на конце спирали реализуется режим, близкий к режиму холостого хода. ВЧ-ток отражается в месте начала отрезка с повышенным волновым сопротивлением, и антенна работает в режиме, близком к уединенной антенне. 5 з.п. ф-лы, 7 ил., 1 табл.

 

Изобретение относится к области оптоэлектроники, а именно к многоэлементным приемникам субмиллиметрового и дальнего инфракрасного излучения, и может найти применение в терагерцовой микроскопии, при исследовании полупроводниковых излучателей, в системах безопасности, медицине и др.

Матрицы детекторов ИК-излучения обеспечивают большее произведение телесного угла к площади рабочего элемента по сравнению с одиночными детекторами. Матрица сверхпроводящих детекторов позволяет значительно облегчить требования по ориентированию приемника, а также увеличивает чувствительность при наблюдении протяженных источников.

Известна фотоприемная матрица с детекторами на термоэлектронных тепловых диодах Шоттки (RU 2335823 С2, опуб. 10.10.2008). Недостатком таких детекторов является их сравнительно низкая чувствительность в субмиллиметровом и дальнем инфракрасном диапазоне излучения.

Известен детектор ИК-излучения, содержащий матрицу датчиков инфракрасного излучения (туннельный диоды, диоды Шоттки, фотопроводники, болометры) с антеннами в форме логарифмических спиралей. Матрица представляет собой печатную плату с подложкой из кремния, на которую нанесены соединенные друг с другом спиральные антенны, в центре которых расположены датчики ИК-излучения (US 6310346 В1, опуб. 30.10.2001).

Наиболее близкой к предложенной является матрица сверхпроводящих детекторов на электронном разогреве, содержащая соединенные друг с другом планарные антенны с интегрированным в каждую элементом, чувствительным к ИК-излучению - микроболометром, ветви каждой антенны имеют форму логарифмических спиралей (ЕР 1369673 В1, опуб. 11.07.2007).

Задача изобретения - улучшение приемных характеристик матрицы детекторов ИК-излучения за счет особенностей соединения контактов логарифмических планарных антенн, обеспечивающих снижение нежелательных изменений импеданса антенны и ее поляризационных свойств.

Технический результат, который будет получен при использовании изобретения, заключается в снижении влияния ВЧ-тока каждой планарной антенны на соседние антенны и, как следствие, в уменьшении взаимовлияния соседних антенн друг на друга.

Технический результат достигается тем, что в матрице сверхпроводящих детекторов на электронном разогреве, содержащей соединенные друг с другом планарные антенны с интегрированным в каждую элементом, чувствительным к ИК-излучению, причем ветви каждой антенны имеют форму логарифмических спиралей

где ρ0 - радиус окружности, на которой рукава антенны отклоняются от логарифмической формы для включения в антенну нагрузки, β - плотность закрутки спиральной антенны), согласно изобретению на каждом участке, соединяющем антенны, выполнена продольная прорезь или заужение.

Выполнение в соединительных перемычках прорези или заужения позволяет дополнительно развязать спиральные антенны в нижней части рабочего диапазона частот регистрируемого ИК-излучения. Это необходимо, чтобы ВЧ-ток одной антенны не заходил в другую антенну, что приводит к нежелательным изменениям импеданса антенны и ее поляризационных свойств. Для этого в месте соединения с помощью прорезей либо заужения образуется четвертьволновой отрезок линии с повышенным волновым сопротивлением, и благодаря конструктивной интерференции волн, отраженных от ближнего и дальнего краев отрезка, на конце спирали реализуется режим, близкий к режиму холостого хода. ВЧ ток отражается в месте начала отрезка с повышенным волновым сопротивлением, и антенна работает в режиме, близком к уединенной антенне.

Достижению технического результата способствуют частные случаи выполнения изобретения:

- прорезь или заужение имеют длину L/4, где - полная длина ветви антенны, равная максимальной длине волны приемного диапазона, ρmax - расстояние от центра спиральной антенны до точки соединения антенн;

- планарные антенны с интегрированным в каждую чувствительным элементом соединены параллельно с образованием квадратной решетки;

- планарные антенны с интегрированным в каждую чувствительным элементом соединены последовательно с образованием квадратной решетки;

- планарные антенны с интегрированным в каждую чувствительным элементом соединены последовательно и расположены в шахматном порядке с образованием треугольной решетки;

- каждая планарная антенна с интегрированным в нее элементом, чувствительным к ИК-излучению, включает нанесенный на кремниевую подложку слой NbN с нанесенным поверх него в одном процессе защитным слоем золота с окнами, образующими мостики NbN, а также нанесенные поверх защитного слоя золота ветви антенны, выполненные также из золота.

Изобретение иллюстрируется чертежами.

На фиг.1 показана логарифмическая спиральная антенна.

На фиг.2 показана центральная часть антенны с интегрированным элементом, чувствительным к ИК-излучению.

На фиг.3 показана матрица с последовательным соединением антенн.

На фиг.4 показана матрица с параллельным соединением антенн.

На фиг.5 показано поперечное сечение планарной антенны с чувствительным элементом.

На фиг.6 показана матрица с прорезями на участках, соединяющих антенны.

На фиг.6 показана матрица с заужениями на участках, соединяющих антенны.

Матрица сверхпроводящих детекторов на электронном разогреве состоит из детекторов (фиг.1, 2), каждый из которых включает логарифмическую спиральную планарную антенну 1, имеющую две ветви 2 и 3, каждая из которых имеет форму логарифмической спирали, и интегрированный в нее чувствительный элемент 4, представляющий собой нитрид-ниобиевый мостик, соединяющий ветви 2 и 3 антенны 1.

Детекторы могут быть соединены последовательно (фиг.3) или параллельно (фиг.4) с образованием прямоугольной решетки. Они также могут быть соединены последовательно и расположены в шахматном порядке с образованием треугольной сетки (не показано).

Антенны 1 детекторов соединены непосредственно концами спиралей, а также посредством перемычек 5 между рядами антенн. На каждом участке, соединяющем антенны 1, выполнена одна или несколько продольных прорезей 6 (фиг.6) или заужение 7 (зауженный участок) длиной L/4 (фиг.7). Этот участок обладает пониженным поперечным сечением и, вследствие этого, повышенным волновым сопротивлением, и благодаря конструктивной интерференции волн, отраженных от ближнего и дальнего краев отрезка, на конце спирали реализуется режим, близкий к режиму холостого хода. ВЧ-ток отражается в месте начала отрезка с повышенным волновым сопротивлением, и антенна работает в режиме, близком к уединенной антенне.

На фиг.5 показано поперечное сечение одного детектора. Детектор включает нанесенный на кремниевую подложку 8 слой 9 NbN с нанесенным поверх него в одном процессе напыления защитным слоем 10 золота с окнами 11, образующими мостики NbN. Поверх защитного слоя золота нанесены ветви 2 и 3 антенны также из золота, выполненные также из золота. Нанесение защитного слоя 10 золота на слой 9 NbN in situ, то есть в одном процессе напыления, позволяет защитить поверхность NbN от окисления до нанесения антенны. Это позволяет снизить контактное сопротивление между слоями Au и NbN до пренебрежимо малого значения, что позволяет получить более стабильные характеристики детектора.

Каждый элемент матрицы (детектор) используется в режиме прямого детектирования. Температура детектора поддерживается вблизи сверхпроводящего перехода. Смещение осуществляется в режиме стабилизации тока при последовательном соединении антенн 1 и в режиме стабилизации напряжения при параллельном. Использование антенн 1 позволяет повысить чувствительность детекторов за счет уменьшения их размера без ухудшения согласования с входным излучением. Данный подход не использован в режиме работы ближайших конкурентов НЕВ-детекторов - приемников на основе TES.

Квадратная матрица изготавливается из произвольного числа детекторов на одном чипе. Детекторы изготавливаются по технологии in situ. Данная технология позволяет минимизировать контактное сопротивление между сверхпроводящим мостиком NbN и портами антенны. По отдельности оптическая эквивалентная мощность шума каждого детектора составляет 5∗10^-14 Вт/√Гц. При объединении в матрицу детекторы включаются параллельно или последовательно. При этом произведение телесного угла к площади рабочего элемента увеличивается кратно числу детекторов в матрице.

Матрица сверхпроводящих детекторов предназначена для регистрирования излучения терагерцового диапазона частот (0.1-10 ТГц) и позволяет обеспечить большее произведение телесного угла к площади рабочего элемента по сравнению с одиночным детектором.

В таблице приведены геометрические параметры используемых планарных спиральных логарифмических антенн (см. фиг.1, 2):

Геометрический параметр Дизайн А Дизайн В
r0 0.006 мм 0.003 мм
α 0.3125 0.3125
φ01
rend 0.055 мм 0.027 мм

Здесь r0 - радиус окружности, на которой ветви антенны отклоняются от логарифмической формы для включения в антенну нагрузки;

α - коэффициент плотности закрутки спиральной антенны;

φ01 - угловое расстояние между спиралями, образующими одну ветвь;

rend - расстояние от центра спиральной антенны до точки соединения антенн.

1. Матрица сверхпроводящих детекторов на электронном разогреве, содержащая соединенные друг с другом планарные антенны с интегрированным в каждую элементом, чувствительным к ИК-излучению, причем ветви каждой антенны имеют форму логарифмических спиралей, отличающаяся тем, что на каждом участке, соединяющем антенны друг с другом, выполнена по меньшей мере одна продольная прорезь или заужение.

2. Матрица по п.1, отличающаяся тем, что прорезь или заужение имеют длину L/4, где L - полная длина ветви антенны, равная максимальной длине волны приемного диапазона.

3. Матрица по п.1, отличающаяся тем, что планарные антенны с интегрированным в каждую чувствительным элементом соединены параллельно с образованием квадратной решетки.

4. Матрица по п.1, отличающаяся тем, что планарные антенны с интегрированным в каждую чувствительным элементом соединены последовательно с образованием квадратной решетки.

5. Матрица по п.1, отличающаяся тем, что планарные антенны с интегрированным в каждую чувствительным элементом соединены последовательно и расположены в шахматном порядке с образованием треугольной решетки.

6. Матрица по п.1, отличающаяся тем, что каждая планарная антенна с интегрированным в нее элементом, чувствительным к ИК-излучению, включает нанесенный на кремниевую подложку слой NbN с нанесенным поверх него в одном процессе защитным слоем золота с окнами, образующими мостики NbN, а также нанесенные поверх защитного слоя золота ветви антенны, выполненные также из золота.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковым фотопреобразователям, в частности к концентраторным каскадным солнечным фотоэлементам, которые преобразуют концентрированное солнечное излучение в электроэнергию.

Изобретение относится к мультиспектральному светочувствительному устройству и способу его изготовления. Мультиспектральное светочувствительное устройство содержит по меньшей мере один непрозрачный слой основы; причем каждый слой основы имеет по меньшей мере две стороны, причем по меньшей мере две из сторон снабжены группами светочувствительных пикселей, каждая группа светочувствительных пикселей используется для восприятия света любого спектра, излучаемого с фронтального направления расположенной стороны.

Изобретение относится к области создания детекторов инфракрасного излучения и касается болометрического ИК-детектора. Детектор состоит из мембраны площадью S с термочувствительным элементом (ТЧЭ) и поглотителем электромагнитной энергии (ПЭЭ), прикрепленной к подложке с помощью токопроводящих шинок.

Изобретение относится к устройству отображения, оснащенному оптическим датчиком в области пикселей. Техническим результатом является повышение чувствительности и высокое отношение сигнал/шум в светочувствительном датчике.

Изобретение относится к устройствам формирования изображения. Твердотельное устройство формирования изображений включает в себя подложку, область датчика изображения и схему обработки сигналов, которые электрически соединены друг с другом, область с низкой теплопроводностью, расположенную между областью датчика изображения и схемой обработки сигналов, и сквозное отверстие, сформированное в подложке, при этом область с низкой теплопроводностью находится в сквозном отверстии и имеет более низкую теплопроводность, чем у подложки.

Изобретение относится к устройству отображения, снабженному оптическим датчиком в пиксельной области. Техническим результатом является повышение точности при захвате изображений посредством улучшения линейности характеристик чувствительности фотодиода.

Изобретение относится к устройствам захвата изображения. Твердотельное устройство захвата изображения включает в себя множество пикселей, причем каждый из множества пикселей содержит участок фотоэлектрического преобразования, сконфигурированный для генерации зарядов в соответствии с падающим светом, участок удержания заряда, сконфигурированный так, чтобы включать в себя первую полупроводниковую область первого типа проводимости, и участок передачи, сконфигурированный так, чтобы включать в себя электрод передающего затвора, который управляет потенциалом между участком удержания заряда и узлом считывания.

Изобретения могут быть использованы в устройствах для формирования изображения, определения координат исследуемых объектов, оптической пеленгации, автоматического управления, контроля и измерения параметров излучения, экологического мониторинга, медицинской диагностики и неразрушающего контроля.

Изобретение относится к твердотельному устройству захвата изображения. В твердотельном устройстве захвата изображения участок фотоэлектрического преобразования, участок удержания зарядов, участок переноса и узел считывания формируются в кармане p-типа.

Изобретение относится к датчикам электромагнитного излучения и, в частности, к массивам твердотельных датчиков изображения, имеющим световые рецепторы с размерами меньше дифракционного предела, и к цветовым фильтрам, с которыми они используются.

Изобретение относится к области создания детекторов инфракрасного излучения и касается болометрического ИК-детектора. Детектор состоит из мембраны площадью S с термочувствительным элементом (ТЧЭ) и поглотителем электромагнитной энергии (ПЭЭ), прикрепленной к подложке с помощью токопроводящих шинок. Функции (ТЧЭ) и (ПЭЭ) объединены в одном элементе, который выполнен в виде 2N периодических решеток, ориентированных взаимно перпендикулярно друг к другу. Решетки состоят из n тонкопленочных монокристальных полосок, изготовленных из Bi1-xSbx (0<x<12), и представляют собой n фазированных антенн с периодом L=λ/2. Параметры болометра удовлетворяют следующим соотношениям: Δλ≤(λ/n+λR0/2Z), τ<20a×b/χ, R0/2Z<0,5, где Δλ - интервал регистрируемых длин волн на основной длине волны λ, Z=120π Ом - импеданс свободного пространства, χ - температуропроводность среды, непосредственно контактирующей с мембраной, а - ширина, b - длина полосок, Ro - сопротивление квадратного участка поверхности полоски, τ - время выхода на стационарное состояние при воздействии прямоугольного импульса электромагнитной энергии. Технический результат заключается в повышении быстродействия устройства. 1 ил.

Изобретение относится к области микроэлектроники, а более конкретно к фоточувствительным матрицам приемников оптических, рентгеновских излучений и изображений для применения в фотоаппаратах, видеокамерах, сотовых телефонах, медицинских рентгеновских панелях, а также в универсальных твердотельных экранах, способных одновременно как принимать фотоизображение, так его и воспроизводить на этом же экране. Функционально-интегрированная ячейка фоточувствительной матрицы согласно изобретению содержит фоточувствительный элемент, шины общую, питания, адресную и разрядную, транзистор выборки строк, затвор которого соединен с адресной шиной, при этом ячейка дополнительно содержит конденсатор и биполярный n-p-n (p-n-p) транзистор, коллектор которого соединен с шиной питания, а эмиттер - с разрядной шиной, база со стоком p(n) канального МОП транзистора - выборки строк, общая шина соединена с первым выводом конденсатора, второй вывод которого соединен с коллектором биполярного транзистора. Также согласно изобретению предложены еще три варианта функционально-интегрированная ячейка фоточувствительной матрицы. Изобретение обеспечивает улучшение чувствительности, быстродействия фоточувствительной матрицы, а также возможность двойного использования в качестве приемника и передатчика изображения. 4 н.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к многоэлементным или матричным фотоприемникам (МФП) на основе антимонида индия, чувствительным в спектральном диапазоне 3-5 мкм. Конструкция МФП позволяет повысить выход годных и улучшить однородность параметров МФП в серийном производстве за счет увеличения квантовой эффективности и устранения эффекта «памяти» и влияния клеевого соединения на величину фототоков фоточувствительных элементов (ФЧЭ). Многоэлементный фотоприемник на основе антимонида индия включает матрицу фоточувствительных элементов (МФЧЭ) с тонкой базой, скоммутированных с мультиплексором, на тыльную сторону матрицы фоточувствительных элементов нанесено просветляющее покрытие, содержащее встроенный заряд, знак которого противоположен знаку основных носителей заряда в базе МФЧЭ. 3 ил.

Обеспечено твердотельное устройство захвата изображения, способное на подавление генерирования темнового тока и/или тока утечки. Твердотельное устройство захвата изображения имеет первую подложку, снабженную фотоэлектрическим преобразователем на ее первичной поверхности, первую структуру разводки, имеющую первый контактный участок, который содержит проводящий материал, вторую подложку, снабженную частью периферийной схемы на ее первичной поверхности, и вторую структуру разводки, имеющую второй контактный участок, который содержит проводящий материал. В дополнение, первый контактный участок и второй контактный участок соединены так, что первая подложка, первая структура разводки, вторая структура разводки и вторая подложка расположены в указанном порядке. Кроме того, проводящий материал первого контактного участка и проводящий материал второго контактного участка окружены пленками предотвращения диффузии. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 11 ил.

Изобретение относится к силовой электронике, в частности к способам и устройствам для управления затворами полевых транзисторов или затворами биполярных транзисторов с изолированными затворами. Техническим результатом изобретения является создание способа и устройства для управления затворами полевых транзисторов или затворами биполярных транзисторов с изолированными затворами, обеспечивающих высокую стабильность и надежность процесса управления затворами, высокую электрическую прочность гальванической развязки устройства управления и силовых элементов транзисторов, исключение генерации электрических помех в устройстве управления от токов в выходных цепях управляемых транзисторов. В способе управления затворами полевых транзисторов или биполярных транзисторов с изолированными затворами путем совместной передачи управляющей информации и энергии для управления затворами между источником и приемником управляющей информации и энергии для управления затворами транзисторов создают беспроводной энерготранспортирующий канал в электроизолирующей среде светопроводящего стержня путем размещения на одном из торцов стержня мощного светодиода, на другом торце стержня матричного солнечного элемента, при помощи светодиода в направлении к матричному солнечному элементу в стержне возбуждают световой поток, энергию светового потока преобразуют в матричном солнечном элементе в энергию электрического тока, с помощью которой питают затвор транзистора, при этом управляющую информацию кодируют путем изменения времен включенного и выключенного состояний светодиода. 6 н. п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к светочувствительному устройству, а также к способу считывания и к его схеме считывания. Светочувствительное устройство содержит пиксельную матрицу и схему считывания, причем передающий затвор для соединения соседних пикселей и переноса заряда между соединенными пикселями расположен между, по меньшей мере, некоторыми указанными пикселями в пиксельной матрице, схема считывания используется для считывания заряда пикселя в пиксельной матрице, упомянутый заряд является, по меньшей мере, одним из собственного заряда упомянутого пикселя, заряда, переносимого из пикселя, соседнего с упомянутым пикселем, суперпозиции собственного заряда упомянутого пикселя и заряда, переносимого из одного или более пикселей, соседних с упомянутым пикселем, и суперпозиции зарядов переноса двух или более пикселей, соседних с упомянутым пикселем. Изобретение обеспечивает удобство в обработке и считывании. 3 н. и 17 з.п.ф-лы, 24 ил.

Изобретение относится к мультиспектральному считывающему устройству для считывания инфракрасных, монохромных и цветных изображений. Мультиспектральное фоточувствительное устройство содержит базовый слой со множеством макроблоков из составных считывающих пикселов, по меньшей мере, один составной считывающий пиксел содержит, по меньшей мере, два базовых считывающих пиксела, размещенных в слоях вдоль направления испускания света, причем каждый слой имеет один базовый считывающий пиксел, и базовые считывающие пикселы распределены на верхней стороне или нижней стороне, либо на верхней стороне и нижней стороне базового слоя, и каждая сторона содержит самое большее два слоя, причем полосы спектра, считываемые посредством базовых считывающих пикселов в одних и тех же составных считывающих пикселах, соответственно, являются ортогональными друг другу. Изобретение обеспечивает лучшее выполнение цветового считывания и интеграцию цветового считывания и инфракрасного считывания. 13 з.п. ф-лы, 28 ил.

Изобретение относится к электронной технике. В фоточувствительном приборе с зарядовой связью, имеющем подложку первого типа проводимости, в ее приповерхностной части, внутри области объемного канала переноса второго типа проводимости дополнительно сформирована примыкающая к обеспечивающей перенос заряда фоточувствительной области и имеющая с ней омический контакт дополнительная фоточувствительная область первого типа проводимости, имеющая область перекрытия с областью стоп-диффузии с образованием в этой области перекрытия омического контакта, причем находящаяся под ней область объемного канала переноса второго типа проводимости имеет более низкую концентрацию примеси, чем область объемного канала переноса под обеспечивающей перенос заряда фоточувствительной областью, при этом величина потенциала объемного канала переноса под дополнительной фоточувствительной областью меньше величины потенциала объемного канала переноса под обеспечивающей перенос заряда фоточувствительной областью, а глубина залегания дополнительной фоточувствительной области в области канала переноса соответствует глубине проникновения ультрафиолетового излучения в данную полупроводниковую подложку. Изобретение обеспечивает создание фоточувствительного прибора с зарядовой связью с увеличенной чувствительностью к УФ излучению. 1 з.п. ф-лы, 9 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области интегральной микроэлектроники и предназначено для обработки оптической информации. Техническим результатом является повышение точности определения дальности до объектов в одном кадре одновременно с получением тепловизионного изображения. Устройство содержит многоканальную систему считывания с каналами считывания тепловизионного сигнала и измерения дальности до объектов изображения в составе матрицы ячеек считывания форматом m×n, трансимпедансный усилитель, фильтр высоких частот, усилитель, компаратор, счетчики, строчные шины управления, столбцовые шины считывания, логические элементы И. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к устройству фотоэлектрического преобразования. В устройстве фотоэлектрического преобразования, которое складывает сигналы множества элементов фотоэлектрического преобразования, включенных в состав блоков фотоэлектрического преобразования, каждый из множества элементов фотоэлектрического преобразования включает в себя первую полупроводниковую область первого типа проводимости, которая накапливает сигнальные несущие. Первые полупроводниковые области, включенные в состав элементов фотоэлектрического преобразования, которые включаются в состав каждого из блоков фотоэлектрического преобразования и располагаются в непосредственной близости друг к другу, размещают между собой вторую полупроводниковую область второго типа проводимости. Высота потенциального барьера для сигнальных несущих, сгенерированных в определенной области второй полупроводниковой области, меньше высоты потенциального барьера для сигнальных несущих, сгенерированных в третьей полупроводниковой области, находящейся между каждой из первых полупроводниковых областей и стоковой областью для избыточных зарядов первого типа проводимости. Изобретение обеспечивает получение необходимого сигнала в ситуации, когда один сигнал получают с использованием сигналов множества элементов фотоэлектрического преобразования посредством создания структуры изоляции между элементами фотоэлектрического преобразования. 2 н. и 18 з.п. ф-лы, 14 ил.
Наверх