Способ контроля работоспособности многоточечной измерительной системы с входной коммутацией датчиков

Авторы патента:

G01R31/28 - испытание электронных схем, например с помощью прибора для каскадной проверки прохождения сигнала (испытание на короткое замыкание, обрыв, утечку или неправильное соединение G01R 31/02; контрольные вычислительные устройства G06F 11/00; статические запоминающие устройства для контроля работы накопителей G11C 29/00)

Владельцы патента RU 2515738:

Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный аэрогидродинамический институт имени профессора Н.Е. Жуковского" (ФГУП "ЦАГИ") (RU)

Изобретение относится к измерительной технике и может применяться для исследования измерительных характеристик и контроля точности работы измерительного устройства многоточечных измерительных систем с входной коммутацией датчиков. Предлагается способ контроля работоспособности многоточечной измерительной системы с входной коммутацией датчиков, заключающийся в том, что к входу коммутатора датчиков подключают формирователь ступеней имитатора сигналов датчиков, соответствующий типу подключаемых датчиков, и измеряют сигналы этого формирователя, по измеренным сигналам формирователя и их известным физическим значениям вычисляют функцию преобразования системы, затем к коммутатору датчиков подсоединяют соответствующий типу подключаемых датчиков второй формирователь ступеней имитатора сигналов датчиков, физические значения сигналов которого заранее известны, измеряют сигналы этого формирователя, по результатам этих измерений и вычисленной функции преобразования системы вычисляют значения сигналов второго формирователя ступеней имитатора и определяют разности с известными их значениями, по величине этих разностей оценивают степень работоспособности системы. Применение изобретения позволит упростить способ контроля, повысить надежность контроля работоспособности измерительного устройства для обеспечения измерения сигналов датчиков с заданной точностью и сократить время подготовки к проведению измерений многоточечной измерительной системы с входной коммутацией датчиков. 1 ил.

Известен способ контроля адресов коммутаторов датчиков по измеренным значениям отклонения сопротивления прецизионных резисторов от опорного резистора, установленного в измерительном устройстве (Е.Г.Зубов, Ю.С.Ильин, А.И.Лебедева, А.Г.Харченко. Способ определения и автоматического контроля адресов первичных преобразователей в многоканальных измерительно-информационных системах. Труды ЦАГИ, 1984. Вып.2219, с.53-60). Для этого в каждом коммутаторе датчиков устанавливают два прецизионных резистора, сопротивления которых различаются между собой и выбираются из соотношения Ri=120±0,5 i, (i=0, 1, 2,…,9) Ом. В этом соотношении 120 Ом - номинальное сопротивление опорного резистора измерительного устройства. Используя изложенный в статье способ, по измеренным значениям Ri вычисляют номер коммутатора датчиков. Максимальное количество коммутаторов, пронумерованных по этому способу, составляет 361.

Применяемые в известной системе резисторы можно использовать для контроля работы измерительного устройства во всем диапазоне шкалы, если точно знать величины Ri. Однако величина Ri в известной системе задана с погрешностью 0,25 Ом, что обеспечивает требуемую дискретность для нахождения номера коммутатора датчиков, но непригодно для контроля работоспособности измерительного устройства: измерительная система имеет шкалу аналого-цифрового преобразователя ±2000 делений, диапазон измерения ±4,8 Ом, погрешность системы ±0,5%, цена 1 деления равна 2,4 мОм. Для того чтобы обеспечить требуемую точность контроля работоспособности измерительного устройства резисторы, установленные в коммутаторах датчиков, требуется периодически поверять. Для проведения поверки весь парк коммутаторов необходимо транспортировать на стенд, где проводится метрологическая поверка. Это очень трудоемкая процедура.

Поэтому недостатком такого способа контроля работоспособности измерительного устройства является высокая трудоемкость. Если для сокращения трудоемкости контроль работоспособности измерительного устройства производить по двум резисторам, установленным в коммутаторе датчиков, контроль будет неполным из-за того, что не будут контролироваться все разряды аналого-цифрового преобразователя.

Если же по измеренным значениям сопротивления двух резисторов вычислять величину коэффициентов функции преобразования А0 и А1, то погрешность в определении А1 будет равна:

$δ = \pm \frac{Δ N_{2} + Δ N_{1}}{N_{2} - N_{1}}$ ,

где ΔN₁ - случайная составляющая погрешности измерения сопротивления резистора R1,

2 - случайная составляющая погрешности измерения сопротивления резистора R2,

N₁ - среднее измеренное значение сопротивления резистора R1 в делениях шкалы аналого-цифрового преобразователя,

N₂ - среднее измеренное значение сопротивления резистора R2 в делениях шкалы аналого-цифрового преобразователя, при этом R2>R1.

Знак погрешности зависит от знаков ΔN₁ и ΔN₂. Если ΔN₁ положительная величина, a ΔN₂ - отрицательная, то погрешность δ будет со знаком минус, при противоположных знаках ΔN₁ и ΔN₂ погрешность δ будет иметь знак плюс.

Погрешность в определении А0 будет равна примерно ΔN₁.

Таким образом, два резистора не обеспечивают в полной мере контроля работоспособности измерительного устройства. Для удовлетворения всех требований этого контроля необходимо иметь несколько резисторов, сопротивления которых перекрывали бы весь диапазон измерения. Этого можно достичь, подвергая метрологической поверке хотя бы несколько коммутаторов датчиков. Но в этом случае трудоемкость работ возрастает.

Кроме того, при таком способе не обеспечивается контроль работоспособности измерительных устройств, предназначенных для измерения сигналов других типов датчиков: мостовых тензорезисторных датчиков силы, давления, перемещения, термосопротивлений, термопар и др.

Известен способ измерения неэлектрических величин многоточечной измерительной системой с контролем функции преобразования и измерительная система для его осуществления (Патент РФ №2324899, МПК G01D 9/00, 2008 г., выбран в качестве прототипа).

Способ позволяет контролировать точность измерений сигналов датчиков путем сравнения значений коэффициентов функции преобразования измерительной системы, вычисленных при проведении метрологической поверки измерительных каналов системы и вычисляемых по результатам измерений известных заранее значений сигналов формирователя ступеней имитатора. Контроль осуществляется при проведении измерений сигналов датчиков и выходных сигналов формирователя ступеней имитатора.

Недостатком известного способа является необходимость контролировать оба значения коэффициентов функции преобразования: А0 и А1. Это приводит к усложнению в задании допусков на контроль.

При наличии в системе автоматического имитатора сигналов датчиков операторы измерительной системы для повышения точности измерений проводят метрологическую поверку непосредственно перед измерениями сигналов датчиков. В этом случае для использования известного способа требуется дополнительное время на подготовку системы к проведению измерений, обусловленного заменой имитаторов сигналов датчиков формирователями ступеней имитатора в коммутаторах измерительной системы. Кроме того, при проведении метрологической поверки возможны ошибки в определении коэффициентов функции преобразования А0 и А1, которые не контролируются в известном способе. Причиной этих ошибок являются следующие действия обслуживающего персонала ИИС: ошибочное подсоединение к коммутатору датчиков формирователя ступеней имитатора, значения ступеней которого не соответствуют занесенным в компьютер; при подсоединении формирователя ступеней имитатора сигналов датчиков к коммутатору датчиков системы не обеспечивается надежный контакт между разъемами. Кроме того, неконтролируемые неисправности микросхем в коммутаторе имитатора приведут к ошибке измерения соответствующей ступени имитатора. Неверно определенные при метрологической поверке коэффициенты функции преобразования А0 и А1 приведут к существенным погрешностям результатов измерения сигналов датчиков.

Задачей и техническим результатом изобретения являются повышение надежности и упрощение способа контроля работоспособности измерительной системы для обеспечения заданной точности измерений сигналов датчиков и сокращение трудоемкости при подготовке системы к проведению измерений за счет введения в систему второго формирователя ступеней имитатора сигналов датчиков.

Решение поставленной задачи и технический результат для способа контроля работоспособности многоточечной измерительной системы с входной коммутацией датчиков достигаются тем, что к входу коммутатора датчиков подключают формирователь ступеней имитатора сигналов датчиков, соответствующий типу подключаемых датчиков, и измеряют сигналы этого формирователя, по измеренным сигналам формирователя и их известным физическим значениям вычисляют функцию преобразования системы, затем к коммутатору датчиков подсоединяют соответствующий типу подключаемых датчиков второй формирователь ступеней имитатора сигналов датчиков, физические значения сигналов которого заранее известны, измеряют сигналы этого формирователя, по результатам этих измерений и вычисленной функции преобразования системы вычисляют значения сигналов второго формирователя ступеней имитатора и определяют разности с известными их значениями, по величине этих разностей оценивают степень работоспособности системы.

Для осуществления способа на чертеже представлена блок-схема многоточечной измерительной системы с входной коммутацией датчиков.

Многоточечная измерительная система для осуществления способа состоит из первого формирователя ступеней имитатора сигналов датчиков 1, второго формирователя ступеней имитатора сигналов датчиков 2, коммутатора датчиков системы 3 и измерительно-вычислительного блока 4.

Каждый тип формирователей ступеней имитатора сигналов датчиков 1 и 2 предназначен для формирования сигналов определенного типа датчиков: одиночных тензорезисторов, термопар, термометров сопротивления, мостовых тензорезисторных датчиков силы, перемещения, давления и др. Формирователи 1 и 2 выполнены в виде отдельных узлов, которые одновременно формируют все ступени имитации сигналов. Выход каждой ступени имитации сигналов подключен к соответствующему измерительному входу коммутатора датчиков 3. К другим измерительным входам коммутатора 3 подсоединены датчики, которые соответствуют типу формирователей ступеней имитатора сигналов датчиков 1 и 2, подключенных к коммутатору 3. Измерительный выход коммутатора 3 подключен к измерительному входу измерительно-вычислительного блока 4, управляющий выход которого соединен с управляющим входом коммутатора датчиков 3.

Измерительно-вычислительный блок 4 состоит из измерительного устройства, устройства управления, ЭВМ и интерфейса. Измерительно-вычислительный блок 4 предназначен для электропитания датчиков и формирователя ступеней имитатора сигналов датчиков, измерения аналоговых сигналов датчиков и ступеней имитации сигналов датчиков, преобразования аналоговых сигналов в цифровые, передачу измеренных сигналов в цифровом виде через интерфейс в ЭВМ, прием через интерфейс от ЭВМ сигналов управления и формирование управляющих сигналов коммутатором 3. ЭВМ кроме перечисленных функций осуществляет запоминание исходных данных для управления системой и обработки результатов измерений, обработку и представление результатов измерений в виде таблиц и графиков. Измерительно-вычислительный блок 4 описан функционально. Реально каждая конкретная система имеет свою структурную схему, в которой описанные блоки измерения, управления, интерфейса и ЭВМ могут состоять из узлов, которые имеют свои принципиальные схемы и соединены в соответствии с технической документацией на систему. Для реализации предлагаемого способа все эти системы подходят, если выполняются следующие условия: коммутатор датчиков предназначен для подсоединения одиночных тензорезисторов, термосопротивлений и тензорезисторных мостовых датчиков по четырехпроводной схеме (термопары могут подсоединяться по двухпроводной схеме), для одиночных тензорезисторов измеряется отклонение сопротивления тензорезисторов и резисторов формирователя ступеней имитатора сигналов датчиков относительно величины сопротивления опорного резистора, размещенного в измерительном устройстве, исключается влияние емкостей линий связи на точность измерения при максимальном быстродействии системы, для чего питание тензорезисторов осуществляется импульсами тока прямоугольной формы.

Способ осуществляют следующим образом.

При подготовке измерительной системы к проведению измерений формирователи ступеней имитаторов сигналов датчиков 1 и 2 подсоединяют к измерительным входам коммутатора 3. Физические величины ступеней формирователей 1 и 2 представляют собой конструктивно выполненные в диапазоне измерения системы отклонения (со знаком плюс и минус) сопротивлений относительно номинального сопротивления применяемых тензорезисторов, порции напряжения и др. Эти значения ступеней формирователей 1 и 2 определены заранее с заданной точностью. К другим измерительным входам коммутатора 3 подсоединяют датчики того же типа, что и формирователи ступеней имитаторов сигналов датчиков 1 и 2.

В ЭВМ вводят адреса и исходные данные для датчиков и ступеней формирователей 1 и 2, определенные заранее значения ступеней формирователей 1 и 2. Вводят программу измерений и последовательно измеряют в одном цикле опроса сигналы датчиков, подключенных к измерительным входам коммутатора 3, и сигналы ступеней формирователей 1 и 2. Для повышения точности измерения рекомендуется проводить измерения не за один, а за несколько циклов опроса каналов коммутатора 3. По измеренным величинам известных значений ступеней формирователя 1, имитирующих сигналы датчиков, вычисляют коэффициенты функции преобразования системы. Функция преобразования системы может быть линейная и нелинейная. Предлагаемый способ контроля справедлив как для линейной, так и для нелинейной функции преобразования. Например, с помощью формирователя 1 ступеней имитатора сигналов одиночных тензорезисторов будет определена линейная функция преобразования системы:

$Ni1 = A0 + A1 Δ Ri1 (1)$

где Ni1 - показание i-й ступени формирователя 1 в кодах,

А0 и A1 - коэффициенты функции преобразования,

ΔRi1 - заранее определенное значение для i-й ступени формирователя 1 отклонение (со знаком плюс или минус) сопротивления относительно номинального сопротивления тензорезисторов.

Результаты измерений каждого цикла (циклов) обрабатывают и вычисляют физические величины по показаниям датчиков и ступеням формирователя 2.

Для i-й ступени формирователя 2 с учетом коэффициентов А0 и A1 функции преобразования (1) измеренное значение:

$Ni2 = A0 + A1 Δ Ri2 (2)$

где Ni2 - измеренное значение i-й ступени формирователя 2 в кодах,

А0 и A1 - коэффициенты функции преобразования,

ΔRi2 - заранее определенное значение отклонения сопротивления для i-й ступени формирователя 2 относительно номинального сопротивления тензорезисторов.

Для каждой i-й ступени формирователя 2 из формулы (2) вычисляем ΔRi2

$Δ R i 2 = (N i 2 - A 0) / A 1 (3)$

Если коэффициент усиления и (или) ноль измерительного устройства системы не изменились за время цикла измерения, то вычисленное значение ΔRi2 будет равно (в пределах погрешности измерения системы) заранее определенному значению отклонения сопротивления для i-й ступени формирователя 2 относительно номинального сопротивления тензорезисторов.

Если коэффициент усиления и (или) ноль измерительного устройства системы изменились за время цикла измерения, то по измеренным сигналам известных значений ступеней формирователя 1 будет вычислена функция преобразования системы с другими коэффициентами А01 и A11. С учетом новых коэффициентов А01 и А11 измеренное значение для i-й ступени формирователя 2 Ni21 будет отличаться от значения Ni2 в формуле (2). А поскольку при вычислении значения ΔRi2 в формуле (3) будут использованы старые значения А0 и А1 коэффициентов функции преобразования, а значение Ni21 будет отличаться от значения Ni2, то значение величины отклонения сопротивления для i-й ступени формирователя 2 относительно номинального сопротивления тензорезисторов ΔRi21 будет отличаться от истинного значения ΔRi2 на величину

$Δ R i = (Δ R i 21 - Δ R i 2) (4)$

Находят разности ΔRi для каждой i-й ступени формирователя 2, из них определяют максимальное значение ΔRi max, по величине которого судят о состоянии измерительного тракта системы, оценивая степень ее работоспособности, и принимают решение о дальнейшем использовании системы.

Например, при нарушении условия:

$Δ R i \max \leq Δ R и с (5)$

где ΔRис - допустимая погрешность измерения приращения сопротивления системы, проведение измерений сигналов датчиков останавливают и осуществляют поиск неисправностей в системе, либо при несущественном нарушении, основываясь на особенностях и важности конкретных испытаний, могут принять решение о продолжении их до конца.

Аналогичные операции производят для формирователей ступеней имитации сигналов других датчиков (мостовых тензорезисторных датчиков силы, перемещения, давления, термопар, термометров сопротивления и др.).

Применение изобретения позволит упростить способ контроля, повысить надежность контроля работоспособности измерительного устройства для обеспечения измерения сигналов датчиков с заданной точностью и сократить время подготовки к проведению измерений многоточечной измерительной системы с входной коммутацией датчиков.

Способ контроля работоспособности многоточечной измерительной системы с входной коммутацией датчиков, заключающийся в том, что к входу коммутатора датчиков подключают формирователь ступеней имитатора сигналов датчиков, соответствующий типу подключаемых датчиков, и измеряют сигналы этого формирователя, по измеренным сигналам формирователя и их известным физическим значениям вычисляют функцию преобразования системы, отличающийся тем, что к коммутатору датчиков подсоединяют соответствующий типу подключаемых датчиков второй формирователь ступеней имитатора сигналов датчиков, физические значения сигналов которого заранее известны, измеряют сигналы этого формирователя, по результатам этих измерений и вычисленной функции преобразования системы вычисляют значения сигналов второго формирователя ступеней имитатора и определяют разности с известными их значениями, по величине этих разностей оценивают степень работоспособности системы.

Изобретение предназначено для использования на выходном и входном контроле качества цифровых КМОП интегральных микросхем и оценки их температурных запасов. Сущность: на входы одного или нескольких логических элементов контролируемой микросхемы подают последовательность высокочастотных переключающих греющих импульсов частотой Fгр, модулированных последовательностью прямоугольных видеоимпульсов с постоянным периодом следования Тсл, длительность τр которых изменяется по гармоническому закону с частотой ΩМ.

Способ испытаний полупроводниковых бис технологии кмоп/кнд на стойкость к эффектам единичных сбоев от воздействия тяжелых заряженных частиц космического пространства // 2495446

Изобретение относится к способам испытаний полупроводниковых приборов на стойкость к воздействию тяжелых заряженных частиц различных энергий космического пространства.

Способ регулирования сопротивления твердотельных приборов и резистивная матрица памяти на основе полярнозависимого электромассопереноса в кремнии // 2471264

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и может быть использовано при создании и многократном регулировании сопротивления металлических перемычек, соединяющих электроды твердотельных приборов, работа которых основана на полярнозависимом электромассопереносе в кремнии (ПЭМП).

Способ определения теплового импеданса кмоп цифровых интегральных микросхем // 2463618

Изобретение относится к технике измерения параметров интегральных микросхем и может быть использовано для контроля качества цифровых интегральных микросхем на основе КМОП логических элементов (ЛЭ).

Устройство для измерения технических параметров аварийных радиомаяков/радиобуев // 2453860

Изобретение относится к области приборостроения и может быть использовано в контрольно-поверочной аппаратуре, для измерения технических параметров аварийных радиомаяков и радиобуев.

Способ разбраковки кмоп микросхем, изготовленных на кнд структурах, по радиационной стойкости // 2444742

Изобретение относится к области электронной техники, в частности предназначено для разбраковки КМОП микросхем, изготовленных на КНД ("кремний на диэлектрике") структурах, по радиационной стойкости.

Система функционального тестирования корпусированных микросхем оперативно запоминающих устройств // 2438164

Изобретение относится к испытательной технике и может быть использовано для диагностики функционирования микросхем оперативной памяти во всех отраслях микроэлектроники и радиотехники.

Способ определения места и характера дефекта в цифровом блоке // 2433418

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике. .

Способ автоматического сохранения работоспособности трансформаторно-тиристорного мостового выпрямителя // 2419803

Изобретение относится к области электротехники и может использоваться в источниках питания для исключения в них коротких замыканий при «пробое» тиристоров и сохранения выходного напряжения.

Способ отбраковки кмоп микросхем, изготовленных на кнд структурах, по стойкости к радиационному воздействию // 2411527

Изобретение относится к области электронной техники, в частности предназначено для отбраковки КМОП микросхем, изготовленных на КНД (кремний на диэлектрике) структурах, по радиационной стойкости.

Способ определения теплового импеданса сверхбольших интегральных схем - микропроцессоров и микроконтроллеров // 2521789

Способ предназначен для использования на выходном и входном контроле качества сверхбольших интегральных схем (СБИС) - микропроцессоров и микроконтроллеров - и оценки их температурных запасов. В контролируемую СБИС, установленную на теплоотводе и подключенную к источнику питания, загружают специальный «разогревающий» тест и программу управления и включают в режим периодического нагрева путем переключения контролируемой СБИС из режима выполнения специального теста в режим паузы с частотой Ω и скважностью 2. На частоте модуляции Ω выделяют и измеряют амплитуду I m 1 п о т ( Ω ) первой гармоники тока, потребляемого контролируемой СБИС, амплитуду U m 1 Т П ( Ω ) первой гармоники температурочувствительного параметра с известным отрицательным температурным коэффициентом KT, например, напряжения на встроенном в ядро СБИС р-n переходе или напряжения логической единицы на одном из нагруженных резистивной нагрузкой выводов СБИС, логическое состояние которого не изменяется при переключении СБИС из одного режима в другой, и сдвиг фазы φ(Ω) между первой гармоникой тока, потребляемого контролируемой СБИС, и первой гармоникой температурочувствительного параметра. Модуль теплового импеданса контролируемой СБИС на частоте Ω определяют по формуле: | Z T ( Ω ) | = U m 1 Т П ( Ω ) K T U п и т I m 1 п о т ( Ω ) , где Uпит - напряжение питания контролируемой БИС, а фазу φT(Ω) теплового импеданса контролируемой СБИС определяют как уменьшенную на 180° разность фаз между первой гармоникой температурочувствительного параметра и первой гармоникой тока, потребляемого контролируемой СБИС. 2 ил.

Способ и устройство для измерения переходных тепловых характеристик светоизлучающих диодов // 2523731

Изобретение относится к области приборостроения и может быть использовано для измерения температуры активной области светоизлучающих диодов. Заявлен cпособ измерения переходных тепловых характеристик светоизлучающих диодов (СИД), при котором инжекционный ток подают в виде последовательности импульсов нарастающей длительности с периодом между импульсами, достаточными для остывания активной области и не менее времени считывания сигнала с выхода фотоприемной линейки. Далее на СИД подают постоянный инжекционный ток и измеряют спектр излучения в заданные моменты времени в течение цикла измерения вплоть до полного разогрева СИД. В устройстве для реализации способа последовательно соединены генератор инжекционного тока, светоизлучающий диод, электрооптический затвор, монохроматор и приемно-преобразовательный блок, включающий в качестве фотоприемного устройства многоэлементную фотоприемную линейку, первый и второй генераторы импульсов, АЦП и микроконтроллер. Управляющие выходы микроконтроллера соединены с входом генератора инжекционного тока и с входом первого генератора импульсов, выход которого соединен с управляющими входами электрооптического затвора и второго генератора импульсов, выходы которого соединены с управляющими входами фотоприемного устройства и АЦП. Технический результат - повышение точности определения переходных тепловых характеристик светоизлучающих диодов. 2 н.п. ф-лы, 2 ил.

Способ испытания на коррозионную стойкость интегральных схем // 2527669

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам испытаний интегральных схем (ИС) на коррозионную стойкость. Сущность: перед испытанием ИС проводят проверку внешнего вида, электрических параметров и проверку герметичности, нагревают до температуры плюс 125°С со скоростью не более 100°С/мин, выдерживают при этой температуре 1 ч, резко охлаждают до минус 55°С со скоростью не более 100°С/мин, выдерживают при данной температуре 0,5 ч, плавно нагревают до плюс 2°С в течение 1 ч. и выдерживают в течение 0,5 ч. Проводят не менее 16 непрерывно следующих друг за другом циклов по 3 ч каждый. Технический результат: повышение объективности оценки наличия влаги внутри корпуса ИС. 1 ил.

Способ определения стойкости к дугообразованию элементов радиоэлектронной аппаратуры космических аппаратов // 2539964

Изобретение относится к технике испытаний и может быть использовано при наземной экспериментальной отработке радиоэлектронной аппаратуры космических аппаратов в диапазоне давлений окружающей среды от атмосферного до соответствующего глубокому вакууму. Технический результат - повышение достоверности испытаний элементов радиоэлектронной аппаратуры на стойкость к дугообразованию при выходе из строя электрорадиотехнического изделия внутри радиоэлектронной аппаратуры, приводящего к инициированию первичного дугового разряда и способного приводить к вторичным самоподдерживающимся дугам при недостаточной стойкости испытываемого элемента аппаратуры. Питание первичного дугового разряда, горящего в промежутке между электродами, осуществляется с использованием напряжения, равного напряжению бортовой кабельной сети космического аппарата, а инициирование разряда осуществляется путем электрического пробоя промежутка высоковольтным импульсом напряжения, длительность которого не превышает времени прохождения плазменным фронтом расстояния от места инициирования разряда до крайней точки электродов, обращенной в сторону испытываемого элемента. 2 ил.

Устройство анализа результатов тестирования для поиска неисправных блоков // 2540805

Изобретение относится к области тестирования дискретных объектов большой размерности. Техническим результатом является повышение глубины локализации неисправностей. Устройство содержит m n-разрядных многовходовых сигнатурных анализаторов (СА строк), входы которых соединены со всеми mn выходами одновыходных блоков проверяемого объекта, n m-разрядных многовходовых сигнатурных анализаторов (СА столбцов), входы которых соединены со входами СА строк так, что j-e входы (j=1,…, n) всех m СА строк соединены со всеми m входами j-го СА столбцов. 1 ил.

Устройство автоматического бесконтактного контроля технического состояния диодного выпрямителя // 2549221

Изобретение относится к измерительной технике, представляет собой устройство для определения исправности полупроводниковых диодов и может быть использовано для автоматического бесконтактного контроля технического состояния мостовых диодных выпрямителей. Устройство содержит два датчика напряженности внешнего магнитного поля, размещенных на токопроводе первичной обмотки трансформатора выпрямителя и на токопроводе нагрузки выпрямителя соответственно, два узкополосных фильтра, настроенные на частоты 2ω и ω соответственно, три компаратора, настроенные на разные уровни срабатывания, логические элементы И-НЕ и И, индикаторы «обрыв» и «пробой». Техническим результатом является повышение надежности работы устройства за счет исключения влияния положения оси чувствительности датчика напряженности внешнего магнитного поля и исключения возможности ложных срабатываний устройства. 1 ил., 1 табл.

Способ измерения параметров элементов многоэлементных нерезонансных линейных двухполюсников // 2561336

Изобретение относится к технике измерения параметров элементов электрических цепей и может быть использовано для измерения параметров элементов многоэлементных двухполюсников, в том числе параметров элементов эквивалентных схем замещения полупроводниковых приборов. На контролируемый n-элементный двухполюсник подают напряжение в виде случайного сигнала, имеющего равномерный амплитудный спектр в диапазоне частот, перекрывающем диапазон частот, за пределами которого модуль импеданса двухполюсника можно считать не зависящим от частоты с заданной погрешностью. На образцовом резисторе, включенном последовательно с двухполюсником, измеряют напряжение, пропорциональное току двухполюсника. По двум параллельным каналам записывают в память ЭВМ временные реализации сигналов, подаваемого на двухполюсник и снимаемого с образцового резистора, после чего рассчитывают спектральные плотности напряжения и тока, рассчитывают частотные зависимости модуля и фазы импеданса двухполюсника, определяют характерные частоты. Составляют и решают систему из n уравнений относительно параметров эквивалентной схемы замещения n-элементного линейного двухполюсника. Технический результат заключается в сокращении времени измерения параметров эквивалентных схем замещения многоэлементных линейных двухполюсников. 2 ил.

Способ измерения теплового сопротивления кмоп цифровых интегральных микросхем // 2561337

Использование: для контроля качества цифровых интегральных микросхем КМОП логическими элементами и оценки их температурных запасов. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает подачу напряжения на контролируемую микросхему, переключение логического состояния греющего логического элемента последовательностью периодических импульсов, измерение изменения температурочувствительного параметра, определение теплового сопротивления, при этом греющий логический элемент переключается высокочувствительными импульсами, а в качестве температурочувствительного параметра используют длительность периода следования низкочастотных импульсов, генерируемых мультивибратором, и мультивибратор состоит из логического элемента контролируемой микросхемы и логического элемента образцовой микросхемы, работающей вместе с пассивными элементами мультивибратора при неизменной температуре. Технический результат: обеспечение возможности уменьшения времени измерения и погрешности измерения температурочувствительного параметра. 2 ил.

Способ определения теплового сопротивления переход-корпус цифровых интегральных микросхем // 2569922

Изобретение относится к технике измерения тепловых параметров полупроводниковых приборов и интегральных микросхем и может быть использовано для контроля качества и оценки температурных запасов цифровых интегральных микросхем на выходном и входном контроле. Сущность: нечетное число (n>1) логических элементов контролируемой микросхемы соединяют по схеме кольцевого генератора. Замыкая цепь обратной связи кольцевого генератора на некоторое время цикла измерения, включают режим генерации высокочастотных импульсов, что приводит к нагреву микросхемы. В качестве температурочувствительного параметра измеряют частоту следования импульсов кольцевого генератора в начале fнач и в конце fкон цикла измерения. Измеряют средний ток, потребляемый микросхемой от источника питания. Определяют тепловое сопротивление переход-корпус по формуле: , где Δf=fнач-fкон - изменение частоты следования импульсов кольцевого генератора; - средний ток, потребляемый контролируемой микросхемой за время цикла измерения; Епит - напряжение питания микросхемы, Кf - температурный коэффициент частоты следования импульсов кольцевого генератора. Технический результат: уменьшение погрешности измерения. 2 ил.

Способ анализа устройства // 2570093

Использование: для выяснения причин отказов устройства или для оценки качества процесса производства внутренней части электронного устройства. Сущность изобретения заключается в том, что способ, в котором выполняют анализ образца электронного устройства посредством замера некоторого свойства в нескольких точках указанного образца и подвергают, до выполнения анализа, указанные несколько точек, по меньшей мере, одной обработке, увеличивающей различие указанного свойства, по меньшей мере, в двух элементах образца электронного устройства, представляющих собой, по меньшей мере, два слоя пакета слоев, включенного в электронное устройство, при этом указанная обработка включает резку пакета слоев таким образом, что создается различие морфологии в поверхности среза, по меньшей мере, между двумя из указанных слоев пакета. Технический результат: обеспечение возможности облегчения исследования качества электронного устройства. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.