Защитное устройство свч

Изобретение относится к электронной технике, а именно к защитным устройствам СВЧ на полупроводниковых приборах. Технический результат - увеличение допустимой входной мощности, расширение рабочей полосы частот и снижение прямых потерь СВЧ. Для этого защитное устройство СВЧ содержит центральный проводник, первый и второй отрезки линии передачи, первый и второй полупроводниковые приборы, первый, второй и третий резисторы, две индуктивности, при этом оба отрезка линии передачи выполнены в виде отрезков одиночной линии передачи, каждый длиной, равной одной восьмой длины волны в отрезке линии передачи на центральной частоте рабочей полосы частот, и волновым сопротивлением, равным волновому сопротивлению центрального проводника, в качестве полупроводниковых приборов используют полевые транзисторы с барьером Шотки, одинаковые второй и третий резисторы выполнены с сопротивлением, на порядок большим волнового сопротивления центрального проводника. 4 ил.

 

Изобретение относится к электронной технике, а именно к защитным устройствам СВЧ на полупроводниковых приборах.

Основными параметрами защитного устройства СВЧ являются:

- рабочая полоса частот,

- прямые потери СВЧ в открытом его состоянии,

- допустимая входная мощность или модуль коэффициента затухания сигнала СВЧ в закрытом состоянии.

Известно защитное устройство СВЧ, содержащее центральный проводник и полупроводниковый прибор - pin-диод, в котором pin-диод подключен непосредственно к центральному проводнику [1].

Недостатками этого защитного устройства СВЧ являются:

большие прямые потери, поскольку включенный непосредственно в линию передачи pin-диод имеет сравнительно большие потери мощности СВЧ,

узкая рабочая полоса частот, поскольку pin-диод имеет емкостное реактивное сопротивление,

и слабая защищенность pn-диода от прямого воздействия на него мощности СВЧ.

Известно защитное устройство СВЧ, содержащее центральный проводник, соединенный с ним отрезок линии передачи и pin-диод, расположенный на конце линии передачи.

В которое с целью увеличения допустимой входной мощности дополнительно введен резистор, а отрезок линии передачи выполнен в виде двух связанных линий, на конце одной линии расположен pin-диод, а на конце другой - резистор, включенный параллельно pin-диоду, при этом длина связанных линий равна

l=λ0×(2k+1)/4,

где

λ0 - длина волны на центральной частоте,

k=0, 1, 2,… [2] - прототип.

Данное защитное устройство СВЧ благодаря включению pin-диода в центральный проводник через отрезок линии передачи позволило несколько снизить прямые потери и защитить pin-диод от прямого воздействия на него мощности СВЧ.

Однако использование отрезка связанных линий передачи определяет

во-первых, узкую рабочую полосу частот, и

во-вторых, большие прямые потери и особенно в диапазоне миллиметровых длин волн.

Техническим результатом заявленного изобретения является увеличение допустимой входной мощности, расширение рабочей полосы частот и снижение прямых потерь СВЧ.

Технический результат достигается заявленным защитным устройством СВЧ, содержащим центральный проводник, один конец которого предназначен для входа сигнала СВЧ, другой - для выхода, соединенный с ним отрезок линии передачи, полупроводниковый прибор, соединенный с другим концом отрезка линии передачи, резистор.

В защитное устройство дополнительно введены второй отрезок линии передачи, второй полупроводниковый прибор, две одинаковые индуктивности, два одинаковых резистора,

при этом оба отрезка линии передачи выполнены в виде отрезков одиночной линии передачи, каждый длиной, равной одной восьмой длины волны в отрезке линии передачи на центральной частоте рабочей полосы частот, и волновым сопротивлением, равным волновому сопротивлению центрального проводника,

в качестве полупроводниковых приборов используют полевые транзисторы с барьером Шотки,

при этом величина каждой индуктивности L (Гн) равна

L = 1 ( 4 × π 2 × f 0 2 × C T ) ,

где

CT - выходная емкость полевого транзистора с барьером Шотки, Ф,

π - число, равное 3,1415,

f0 - центральная частота рабочей полосы частот, Гц,

первый резистор выполнен с сопротивлением R (Ом), равным

R=60×[exp(-0,2×Аз)-1],

где

Аз - модуль заданной величины затухания на центральной частоте рабочей полосы частот, дБ;

exp(x) - экспоненциальная функция от аргумента х,

одинаковые второй и третий резисторы выполнены с сопротивлением, на порядок большим волнового сопротивления центрального проводника,

при этом один конец первой индуктивности соединен со стоком первого полевого транзистора с барьером Шотки и с другим концом первого отрезка линии передачи, другой ее конец соединен с его истоком и с одним концом второго отрезка линии передачи, другой его конец соединен со стоком второго полевого транзистора с барьером Шотки и с одними концами второй индуктивности и первого резистора, другие концы которых заземлены, исток второго полевого транзистора с барьером Шотки заземлен, затвор каждого полевого транзистора с барьером Шотки соединен через одинаковые второй и третий резисторы соответственно с источником управляющего постоянного напряжения.

Раскрытие сущности изобретения.

Совокупность существенных признаков заявленного защитного устройства СВЧ, а именно:

Введение в защитное устройство СВЧ второго полупроводникового прибора позволит перераспределить входную мощность между двумя полупроводниковыми приборами и тем самым увеличить допустимую входную мощность защитного устройства СВЧ.

А использование в качестве каждого полупроводникового прибора полевого транзистора с барьером Шотки, который по сравнению с pin-диодом

во-первых, является более широкополосным полупроводниковым прибором за счет наличия третьего электрода - затвора и связанного с этим распределением емкости между тремя электродами на составляющие, включенные внутри прибора по параллельно-последовательной схеме, что тем самым приводит в конечном счете к снижению величины суммарной внутренней емкости и, как следствие, расширению рабочей полосы частот защитного устройства СВЧ,

во-вторых, имеет значительно меньшие внутренние сопротивления и особенно в диапазоне миллиметровых длин волн за счет использования полупроводникового материала - арсенида галлия, имеющего более высокую подвижность по сравнению с кремнием, из которого выполнен pin-диод, и, как следствие, снижение величины прямых потерь защитного устройства СВЧ.

Введение в защитное устройство СВЧ второго отрезка линии передачи и включение его последовательно первому и второму полевым транзисторам с барьером Шотки обеспечит реализацию последовательного соединения полевых транзисторов с барьером Шотки, необходимого для перераспределения входной мощности между двумя полевыми транзисторами с барьером Шотки и, как следствие, увеличение допустимой входной мощности защитного устройства СВЧ.

Выполнение отрезков линии передачи

во-первых, в виде отрезков одиночной линии передачи вместо отрезка связанных линий передачи обеспечит исключение безвозвратных потерь мощности, обусловленных связанными линиями передачи, область связи в которых является открытой для излучения электромагнитных волн в пространство и, как следствие, снижение прямых потерь СВЧ защитного устройства СВЧ,

во-вторых, длиной, равной одной восьмой длины волны на средней частоте рабочей полосы частот, обеспечит разнесение резонансных частот от средней частоты рабочей полосы частот и, как следствие, снижение величины прямых потерь СВЧ и расширение рабочей полосы частот защитного устройства СВЧ, и

в-третьих, величиной волнового сопротивления, равной величине волнового сопротивления центрального проводника, обеспечит лучшее согласование между линиями передачи с одинаковыми волновыми сопротивлениями, а также исключение влияния неоднородностей, возникающих в местах соединения первого отрезка линии передачи и центрального проводника и, как следствие, снижение величины прямых потерь СВЧ.

Введение в защитное устройство СВЧ двух индуктивностей с указанными их величинами, каждая из которых включена параллельно соответствующему полевому транзистору с барьером Шотки, обеспечит в рабочей полосе частот

во-первых, компенсацию выходной емкости полевого транзистора с барьером Шотки и

во-вторых, согласование его внутреннего сопротивления с волновым сопротивлением центрального проводника и тем самым - реализацию оптимальных величин параметров защитного устройства СВЧ и, как следствие, расширение рабочей полосы частот и снижение величины прямых потерь СВЧ.

Первый резистор, выполненный с указанной величиной сопротивления, позволит реализовать оптимальные величины параметров защитного устройства СВЧ и, как следствие, увеличение допустимой входной мощности, расширение рабочей полосы частот и снижение величины прямых потерь СВЧ.

Введение дополнительно двух одинаковых резисторов второго и третьего, включенных в соответствующие цепи затворов двух полевых транзисторов с барьером Шотки, обеспечит существенное снижение величины токов утечки через затворы полевых транзисторов с барьером Шотки и, как следствие, снижение величины прямых потерь СВЧ.

Итак, как видно из вышесказанного предложенная совокупность существенных признаков защитного устройства СВЧ в полной мере обеспечит указанный выше технический результат, а именно увеличение допустимой входной мощности, расширение рабочей полосы частот и снижение прямых потерь СВЧ.

Изобретение поясняется чертежами.

На фиг.1 дана топология заявленного защитного устройства СВЧ,

где

- центральный проводник - 1, один конец которого предназначен для входа сигнала СВЧ - 2, другой - для выхода - 3,

- отрезок линии передачи - 4,

- полупроводниковый прибор - полевой транзистор с барьером Шотки - 5,

- первый резистор - 6,

- второй отрезок линии передачи - 7,

- второй полупроводниковый прибор - полевой транзистор с барьером Шотки - 8,

- две одинаковые индуктивности - 9, 10 соответственно,

- одинаковые второй и третий резисторы - 11, 12 соответственно,

- источник управляющего постоянного напряжения -13.

На фиг.2 дана его принципиальная схема.

На фиг.3 даны зависимости от частоты прямых потерь СВЧ.

На фиг.4 даны зависимости от частоты модуля коэффициента затухания.

Пример конкретного выполнения заявленного защитного устройства СВЧ.

Все элементы защитного устройства СВЧ выполнены в монолитно интегральном исполнении на полупроводниковой подложке из арсенида галлия толщиной, равной 0,1 мм с использованием классической тонкопленочной технологии.

Центральный проводник 1 выполнен одинаковой шириной, равной 0,08 мм (50 Ом).

Отрезки линии передачи 4, 7 выполнены каждый длиной 0,35 мм и шириной 0,08 мм, что соответствует длине, равной одной восьмой длины волны в отрезке линии передачи на центральной частоте рабочей полосы частот, и волновому сопротивлению, равному удвоенному значению волнового сопротивления центрального проводника (50 Ом).

Полупроводниковые приборы 5, 8 выполнены в виде полевого транзистора с барьером Шотки.

Первый резистор 6 выполнен с сопротивлением R, равным 180 Ом (согласно выражению R=60×[exp(-0,2×Аз)-1] при Аз, равном -8 дБ).

Обе одинаковые индуктивности 9, 10 выполнены величиной L, равной 0,5 нГн (согласно выражению L = 1 ( 4 × π 2 × f 0 2 × C T ) для центральной частоты рабочей полосы частот - 36 ГГц).

При этом

один конец первой индуктивности 9 соединен со стоком первого полевого транзистора с барьером Шотки 5 и с другим концом первого отрезка линии передачи 4, другой ее конец соединен с его истоком и с одним концом второго отрезка линии передачи 7, другой его конец соединен со стоком второго полевого транзистора с барьером Шотки 8 и с одними концами второй индуктивности 10 и первого резистора 6, другие концы которых заземлены, исток второго полевого транзистора с барьером Шотки заземлен, затвор каждого полевого транзистора с барьером Шотки 5, 8 соединен через соответствующие одинаковые второй 11 и третий 12 резисторы с источником управляющего постоянного напряжения 13.

Защитное устройство СВЧ работает следующим образом.

При подаче на затвор каждого полевого транзистора с барьером Шотки 5 и 8 от источника управляющего постоянного напряжения 13 напряжения, равного 0 В, каждый полевой транзистор с барьером Шотки откроется, через него потечет постоянный ток.

При этом полное сопротивление ZT между стоком и истоком каждого полевого транзистора с барьером Шотки будет носить резистивный характер и его величина будет существенно (на два порядка) меньше сопротивления R первого резистора 6, так что сопротивление этого резистора, включенного параллельно малому сопротивлению ZT второго полевого транзистора с барьером Шотки 8, не будет влиять на работу защитного устройства СВЧ.

Индуктивные сопротивления, обусловленные дополнительно введенными одинаковыми индуктивностями 9 и 10 с заявленными их величинами в рабочей полосе частот, компенсируются отрезками линии передачи 4 и 7 с заявленными их длинами и волновыми сопротивлениями.

Малое сопротивление первого полевого транзистора с барьером Шотки 5 закоротит второй конец отрезка линии передачи 4 и первый конец второго отрезка линии передачи 7. При этом общая длина отрезков линии передачи будет равна сумме их длин, то есть при заявленных величинах длин отрезков линии передачи - четверти длины волны в линии передачи.

При этом общее сопротивление первого резистора 6 и параллельно включенного ему малое сопротивление второго полевого транзистора с барьером Шотки 8, трансформированное к центральному проводнику 1 параллельно входу 2 и выходу 3 защитного устройства СВЧ, будет максимально большим и тем самым величина прямых потерь СВЧ - минимальной.

При подаче на затвор каждого полевого транзистора с барьером Шотки 5 и 8 от источника управляющего постоянного напряжения 13 напряжения, равного напряжению отсечки - минус 2,5 В, полевые транзисторы с барьером Шотки закроются, через них постоянный ток течь не будет.

При этом сопротивление ZT между стоком и истоком каждого полевого транзистора с барьером Шотки будет носить емкостной характер. Эти сопротивления в рабочей полосе частот компенсируются:

во-первых, индуктивным сопротивлениям соответствующей индуктивности 9 и 10 с заявленной величиной,

во-вторых, соответствующим отрезком линии передачи 4 и 7 с заявленной их длиной и волновым сопротивлением.

При этом сопротивление первого резистора 6 на другом конце второго отрезка линии передачи 7 трансформируется через этот отрезок линии передачи и первый отрезок линии передачи 4 к центральному проводнику 1 параллельно входу 2 и выходу 3 защитного устройства СВЧ в величину, обеспечивающую заданное значение модуля коэффициента затухания на центральной частоте рабочей полосы частот.

На изготовленных образцах защитного устройства СВЧ были измерены:

зависимости от частоты прямых потерь СВЧ (фиг.3) и зависимости от частоты модуля коэффициента затухания (фиг.4).

Как видно из фиг.3 и 4 заявленное защитное устройство СВЧ обеспечит:

- возможность работы в восьми миллиметровом диапазоне длин волн (31-41 ГГц),

- расширение рабочей полосы частот до 10 ГГц,

- снижение прямых потерь СВЧ до 0,6 дБ,

- увеличение допустимой входной мощности примерно в 2 раза (увеличение модуля коэффициента затухания примерно в 1,4 раза).

Таким образом, заявленное защитное устройство СВЧ позволит по сравнению с прототипом расширить рабочую полосу частот примерно в 1,5 раза, снизить прямые потери СВЧ примерно в 1,3 раза, увеличить допустимую входную мощность примерно в 2 раза.

Источники информации

1. Вайсблат А.В. Коммутационные устройства СВЧ на полупроводниковых диодах. // М: Радио и связь. - 1987. - С.45.

2. Патент РФ №2189670. Приоритет 09.08.2001 г. Опубл. 20.09.2002 г. Бюл. №26 - прототип.

Защитное устройство СВЧ, содержащее центральный проводник, один конец которого предназначен для входа сигнала СВЧ, другой - для выхода, соединенный с ним отрезок линии передачи, полупроводниковый прибор, соединенный с другим концом отрезка линии передачи, резистор, отличающееся тем, что в защитное устройство дополнительно введены второй отрезок линии передачи, второй полупроводниковый прибор, две одинаковые индуктивности, два одинаковых резистора, при этом оба отрезка линии передачи выполнены в виде отрезков одиночной линии передачи, каждый длиной, равной одной восьмой длины волны в отрезке линии передачи на центральной частоте рабочей полосы частот, и волновым сопротивлением, равным волновому сопротивлению центрального проводника, в качестве полупроводниковых приборов используют полевые транзисторы с барьером Шотки, при этом величина каждой индуктивности равна
,
где
L - величина каждой индуктивности, Гн,
CT - выходная емкость полевого транзистора с барьером Шотки, Ф,
π - число, равное 3,1415,
f0 - центральная частота рабочей полосы частот, Гц,
первый резистор выполнен с сопротивлением, равным
R=60×[exp(-0,2×Аз)-1],
где
R - сопротивление первого резистора, Ом,
Аз - модуль заданной величины затухания на центральной частоте рабочей полосы частот, дБ;
exp(x) - экспоненциальная функция от аргумента x,
одинаковые второй и третий резисторы выполнены с сопротивлением, на порядок большим волнового сопротивления центрального проводника, при этом один конец первой индуктивности соединен со стоком первого полевого транзистора с барьером Шотки и с другим концом первого отрезка линии передачи, другой ее конец соединен с его истоком и с одним концом второго отрезка линии передачи, другой его конец соединен со стоком второго полевого транзистора с барьером Шотки и с одними концами второй индуктивности и первого резистора, вторые концы которых заземлены, исток второго полевого транзистора с барьером Шотки заземлен, затвор каждого полевого транзистора с барьером Шотки соединен через одинаковые второй и третий резисторы соответственно с источником управляющего постоянного напряжения.



 

Похожие патенты:

Широкополосный аттенюатор для быстродействующих аналоговых и аналого-цифровых интерфейсов относится к области измерительной техники, электротехники, радиотехники и связи и может использоваться в структуре различных интерфейсов, в измерительных приборах, быстродействующих аналого-цифровых (АЦП) и цифроаналоговых (ЦАП) преобразователях.

Изобретение относится к СВЧ-технике и может быть использовано в волноводных трактах высокой мощности в дециметровом, сантиметровом и миллиметровом диапазонах длин волн.

Изобретение относится к радиотехнике, а именно к управляемым ступенчатым аттенюаторам. Технический результат - управление аттенюатором одним сигналом управления, приходящим одновременно на все диоды, при сохранении низких потерь пропускания и одинаковой ФЧХ в «прямом» и «обходном» пути.

Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано в резонансных СВЧ компрессорах в качестве устройства вывода энергии для формирования мощных СВЧ импульсов наносекундной длительности.

Управляемый фазовращатель относится к технике высоких и сверхвысоких частот и может использоваться для управления фазой сигналов в антенных решетках и системах передачи информации.

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот. Технический результат - увеличение протяженности полосы заграждения фильтра и уровня затухания в ней.

Настоящее изобретение относится к электронной технике. Технический результат изобретения заключается в увеличении ширины рабочей полосы частот, уменьшении величины коэффициента стоячей волны напряжения и уменьшении величины изменения фазы сигнала СВЧ при изменении постоянного управляющего напряжения при сохранении малой величины прямых потерь СВЧ.

Изобретение относится к устройству создания круговой поляризации в антенне. Технический результат - снижение омических потерь и упрощение конструкции устройства.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к фазовращателям СВЧ на полупроводниковых приборах. Технический результат - повышение надежности устройства.

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот (СВЧ), в частности к устройствам сложения (деления) СВЧ сигналов, и может быть использовано для сложения (деления) СВЧ сигналов в фидерных трактах техники связи, радиолокационных устройств, в телевидении, в измерительной технике.

Изобретение относится к системе гибкой стенки для СВЧ-фильтров с объемным резонатором, снабженным механическим устройством температурной компенсации, и может использоваться в области телекоммуникации. Достигаемый технический результат - снижение температурного градиента гибкого колпачка, снижение механических напряжений, поддержание эквивалентного теплового сопротивления. Система гибкой стенки для компонента фильтра или мультиплексора вывода с технологией термокомпенсации содержит по меньшей мере две расположенные друг над другом отдельные гибкие мембраны и каждая гибкая мембрана имеет центральную область(С), промежуточную область (I) и периферийную область (Р) торец к торцу, при этом гибкие мембраны термически и механически соединены в центральной области (С) и периферийной области (Р) и не соединены в промежуточной области (I). 3 н. и 14 з. п. ф-лы , 6 ил.

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот и может быть использовано в частотно-селективных цепях приемопередающих устройств СВЧ. Техническим результатом предлагаемого технического решения является обеспечение возможности независимой плавной подстройки избирательности частотной характеристики выше и ниже полосы пропускания без искажения характеристик в рабочей полосе, что позволяет эффективно подавлять сигналы помех, расположенных как симметрично, так и несимметрично, по обе стороны полосы пропускания фильтра. Результат достигается тем, что узкополосный фильтр СВЧ содержит диэлектрическую подложку, на одной стороне которой размещен заземляющий экран, на другой стороне - микрополосковая структура, реализующая элементы фильтра с цепями связи. При этом микрополосковая структура включает шесть резонаторов, два конденсатора для подключения источника сигнала и нагрузки, пять конденсаторов для обеспечения электрической связи между соседними резонаторами, а также трансформатор на связанных линиях передачи, включенный двумя плечами между несоседними первым и третьим резонаторами, а два других его плеча замкнуты на заземляющий экран, а также подстроечный конденсатор, включенный между несоседними четвертым и шестым резонаторами. При этом связь между соседними первым, вторым, третьим, четвертым, пятым и шестым резонаторами - емкостного типа, связь между несоседними первым и третьим резонаторами - индуктивного типа и связь между несоседними четвертым и шестым резонаторами - емкостного типа. 4 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к области радиосвязи. Технический результат заключается в автоматизации управления антенным переключателем, обеспечении дуплексного режима при работе на одну антенну в режиме псевдослучайной перестройки рабочих частот (ППРЧ), повышении маневренности при обмене информацией, синхронизации радиостанций и их помехоустойчивости при совместной работе нескольких корреспондентов, увеличении пропускной способности радиостанций. В радиостанцию дополнительно введены антенный переключатель, преобразователь каналов передачи, преобразователь каналов приема, усилитель, блок из десяти аналого-цифровых преобразователей, блок из десяти цифроаналоговых преобразователей, блок из десяти фильтров, преобразователь каналов передачи данных, выключатель, блок аппаратуры передачи данных и десять выносных постов радиста-оператора. 9 з.п. ф-лы, 16 ил.

Изобретение относится к технике сверхвысокой частоты (СВЧ) и предназначено для работы в качестве частотного делителя сигнала общего источника на два сигнала с различными диапазонами частот или частотного сумматора двух каналов мощного источника (или двух мощных источников), работающих в различных диапазонах частот. Технически результат - расширение функциональных возможностей, улучшение взаимной развязки источников, минимизация потерь полезного сигнала и повышение стабильности параметров при климатическом воздействии. Для этого частотно-развязывающее устройство для соединения нескольких источников или нагрузок, работающих на различных частотах, с общей нагрузкой или источником выполнено по микрополосковой технологии на печатной плате в виде микрополосковой структуры, включающей два разомкнутых кольца, каждое из которых имеет два плеча настройки и два согласованных входа, один из которых является общим для двух разомкнутых колец. Каждое плечо настройки заканчивается элементами настройки. При этом частотно-развязывающее устройство выполнено с возможностью одновременного использования в качестве частотного сумматора двух источников сигналов, работающих в различных частотных диапазонах, и общего источника, а также частотного делителя сигнала общего источника сигналов на два сигнала с различными диапазонами частот. 3 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой СВЧ-электронике и может быть использовано в детекторных головках с высокими требованиями прочности и устойчивости к внешним воздействиям. Технический результат заключается в упрощении ее конструкции, снижении трудоемкости изготовления и повышении пригодности к серийному производству. Для этого детекторная головка состоит из корпуса, выполненного в виде двух половинок: основания 1 и крышки 2, между которыми устанавливается полосковая плата 3. С основанием 1 электрически соединен корпус коаксиального разъема 4. В основании 1 выполнен сквозной волноводный канал 5, а в крышке 2 - короткозамыкатель 6. На полосковой плате 3 выполнены фильтр 7, представляющий собой фильтр низкой частоты (ФНЧ), и контактная площадка 8. Резистор 9 электрически соединен с корпусом с помощью проводников полосковой платы 3. Детекторный диод 10 приклеивается к проводникам полосковой платы 3 с помощью токопроводящего клея. По контуру земляных проводников на полосковой плате 3 расположены металлизированные переходные отверстия 11. По периметру основания 1 выполнен бортик 12. Сборка детекторной головки осуществляется при помощи винтов 13. Волноводно-полосковый переход образован участком платы 14 в зоне сквозного волноводного канала 5 и короткозамыкателя 6. Детекторный диод 10 соединен с корпусом детекторной головки посредством шлейфа 15. 5 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области радиотехники, а именно к волноводной и антенной технике, и может быть использовано в волноводных линиях связи. Технический результат - уменьшение потерь за счет снижения относительного уровня мощности других типов волн, отличных от волны TE01, и конструктивное упрощение. Для этого возбудитель волны TE01 состоит из выходного круглого волновода со стенкой, закорачивающей выходной круглый волновод, образованный участком трубы с контактным фланцем и пристыкованной через плиту 2 плитой 3, в которой выполнено глухое отверстие 4. Вспомогательные волноводы, пристыкованные к боковой поверхности выходного круглого волновода, образованы плоскостью плиты 2 и пазами 5 прямоугольной формы, выполненными в плите 3. Модовый фильтр, установленный в выходном круглом волноводе, представляет собой плоскопараллельную структуру с отверстиями 6 связи, выполненными в плите 2 и расположенными концентрично к оси выходного круглого волновода. В выходной круглый волновод может быть установлен внутренный проводник 7, при этом внешняя поверхность внутреннего проводника 7 должна иметь электрический контакт с плитой 2 и плитой 3. 5 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот (СВЧ) и может быть использовано для коммутации СВЧ-сигналов в фидерных трактах различного назначения, в частности при создании переключателя фидерных трактов. Технические результаты заключаются в увеличениях надежности и рабочей мощности при улучшении технологичности, уменьшении стоимости, а также в увеличении развязки. Для этого в механическом СВЧ переключателе, содержащем входной и выходные разъемы, центральный полосок, заземляющие пластины и диэлектрические пластины, установленные между центральным полоском и заземляющими пластинами, центральный полосок жестко связан с центральными проводниками входного и выходных разъемов, заземляющие пластины жестко связаны с внешними проводниками входного и выходных разъемов, а диэлектрические пластины выполнены подвижными и составлены, по крайней мере, из двух частей, имеющих разные эффективные диэлектрические постоянные. Кроме того, диэлектрические пластины, установленные между центральным полоском и заземляющими пластинами, могут быть выполнены, по крайней мере, из трех составных частей, имеющих разные эффективные диэлектрические постоянные. 1 з.п., 3 ил.

Изобретение относится к области антенной техники и может быть использовано в составе облучателей широкополосных антенных систем, работающих на волнах круговой поляризации. Технический результат - уменьшение уровня кроссполяризации за счет уменьшения отклонения абсолютной величины дифференциального фазового сдвига ортогональных волн линейной поляризации поляризатора от 90о градусов в широком диапазоне частот. Поляризатор содержит первый отрезок волновода, имеющий один элемент, предназначенный для преобразования волн линейной поляризации в волны круговой поляризации или волн круговой поляризации в волны линейной поляризации, продольная плоскость симметрии которого параллельна продольной плоскости симметрии первого отрезка волновода, и второй отрезок волновода, связанный с первым отрезком волновода и имеющий с ним общую ось симметрии. Во втором отрезке волновода имеется одно глухое цилиндрическое отверстие. В отверстии коаксиально установлен цилиндрический длинномерный элемент, проходящий внутрь волновода, выполненный из проводящего материала. Ось отверстия находится в продольной плоскости симметрии одного элемента, предназначенного для преобразования волн линейной поляризации в волны круговой поляризации или волн круговой поляризации в волны линейной поляризации. 17 з.п. ф-лы, 6 ил.

Плазменный коммутатор относится к электронной технике и может быть, в частности, использован при создании импульсных генераторов, источников питания импульсных устройств, импульсных лазеров. Плазменный коммутатор содержит герметизируемую камеру, заполненную рабочим газом, с катодом и сетчатым анодом. Сетчатый анод выполнен с поверхностью, эквидистантной внутренней поверхности катода, а катод - в составе пластин катода, расположенных напротив друг друга с зазором. Технический результат - повышение скорости коммутации, увеличение скорости нарастания плотности тока и общего тока. 6 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот и может использоваться в селективных трактах приемных и передающих систем. Технический результат - увеличение уровня подавления в полосах заграждения. Полосно-пропускающий СВЧ фильтр, содержащий полосковые резонаторы на подвешенной подложке, каждый из которых образован парой П-образных полосковых проводников, расположенных друг над другом на разных сторонах подложки и развернутых разомкнутыми концами навстречу друг другу, при этом между проводниками соседних резонаторов расположен хотя бы один дополнительный полосковый проводник, замкнутый одним концом на экран. 4 ил.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к защитным устройствам СВЧ на полупроводниковых приборах. Технический результат - увеличение допустимой входной мощности, расширение рабочей полосы частот и снижение прямых потерь СВЧ. Для этого защитное устройство СВЧ содержит центральный проводник, первый и второй отрезки линии передачи, первый и второй полупроводниковые приборы, первый, второй и третий резисторы, две индуктивности, при этом оба отрезка линии передачи выполнены в виде отрезков одиночной линии передачи, каждый длиной, равной одной восьмой длины волны в отрезке линии передачи на центральной частоте рабочей полосы частот, и волновым сопротивлением, равным волновому сопротивлению центрального проводника, в качестве полупроводниковых приборов используют полевые транзисторы с барьером Шотки, одинаковые второй и третий резисторы выполнены с сопротивлением, на порядок большим волнового сопротивления центрального проводника. 4 ил.

Наверх