Способ изготовления полупроводникового прибора


 


Владельцы патента RU 2522182:

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (RU)

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженным сопротивлением затвора. В способе изготовления полупроводникового прибора электрод затвора формируют путем последовательного нанесения поверх слоя затворного окисла многослойной структуры, состоящей из слоя поликремния, слоя нитрида кремния, сквозь который могут туннелировать электроны, слоя молибдена и второго слоя нитрида кремния. Технический результат: снижение сопротивления электрода затвора, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов. 1 табл.

 

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженным сопротивлением затвора.

Известен способ изготовления полупроводникового прибора [пат. 5393683 США, МКИ H01L 21/268] формированием двухслойного затворного оксида на кремниевой подложке: сначала окислением подложки в кислородосодержащей атмосфере, а затем окислением в атмосфере N2O.

Недостатком полупроводникового прибора, изготовленного этим способом, является наличие в электродах затвора примесных ионов или ионов металлов, которые диффундируют в затворный окисел, ухудшая его характеристики, снижая диэлектрическую прочность.

Наиболее близким является способ изготовления полупроводникового прибора [пат. 5302846 США, МКИ H01L 29/46] с пониженным сопротивлением затвора за счет формирования структуры полевого транзистора в диффузионном кармане, ограниченном участками полевого окисла. Электрод затвора с боковой пристеночной изоляцией заглублен внутрь кармана, области сток/истока располагаются вблизи поверхности кармана, при этом канал вытянут вдоль одной из боковых поверхностей электрода затвора.

Недостатками способа являются:

- повышенные значения сопротивления затвора,

- большие токи утечки;

- низкая технологическая воспроизводимость,

- нестабильность пороговых напряжений.

Задача, решаемая изобретением: снижение сопротивления электрода затвора, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.

Задача решается формированием затворного электрода путем последовательного нанесения многослойной структуры, состоящего из слоя поликремния, слоя нитрида кремния, сквозь который могут туннелировать электроны, слоя молибдена и второго слоя нитрида кремния.

Сущность способа состоит в следующем: поверх слоя тонкого затворного окисла толщиной 20-25 нм, сформированного на поверхности кремниевой пластины, осаждается поликремниевая пленка толщиной 180-200 нм. В эту пленку имплантируются положительные примесные ионы мышьяка (Ags+), после чего она при температуре 600°С покрывается в реакторе пленкой нитрида кремния толщиной 1-2 нм, образующего туннельный слой. Следом за этой операцией проводится осаждение молибденовой пленки толщиной 190-200 нм, выполняемое методом магнетронного распыления, а также осаждение пленки нитрида кремния толщиной 80-100 нм. Верхний слой нитрида кремния служит в качестве маски при ионной имплантации областей истока и стока транзисторов. Затем полученные пленки отжигают при температуре 920-1000°С. Туннельный слой нитрида кремния эффективно защищает лежащий под ним поликремниевый затвор как от образования силицида, так и от диффузии примесей из слоя молибдена в поликремний.

По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы структуры. Результаты обработки представлены в таблице 1.

Таблица 1
Параметры п/п структур, изготовленных по стандартной технологии Параметры п/п структур, изготовленных по предлагаемой технологии
сопротивления электрода затвора. Ом/ Ток утечки, Iут·1010 A сопротивления электрода затвора Ом/ Ток утечки, Iут·1010 A
1 7,0 37 0,08 0,7
2 6,5 35 0,06 0,5
3 9,8 33 0,1 0,3
4 6,8 39 0,07 0,9
5 2,1 32 0,02 0,2
6 4,7 41 0,05 0,8
7 8,5 36 0,09 0,6
8 3,6 44 0,04 0,9
9 6,2 38 0,07 0,8
10 2,8 45 0,03 0,5
11 9,6 42 0,1 0,2
12 7,9 34 0,08 0,4
13 5,2 31 0,06 0,1
14 4,5 47 0,05 0,7

Экспериментальные исследования показали, что выход годных полупроводниковых структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 16,7%.

Технический результат: снижение сопротивления электрода затвора, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов.

Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.

Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора позволяет повысить процент выхода годных приборов, улучшить их качество и надежность.

Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий формирование затворного окисла, электрода затвора, отличающийся тем, что электрод затвора формируют путем последовательного нанесения поверх слоя затворного окисла поликремниевой пленки толщиной 180-200 нм с последующим нанесением на него при температуре 600°С пленки нитрида кремния толщиной 1-2 нм, затем осаждают пленку молибдена толщиной 190-200 нм и второй слой пленки нитрида кремния толщиной 80-100 нм и проводят отжиг при температуре 920-1000°С.



 

Похожие патенты:
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочных транзисторов. В способе изготовления тонкопленочного транзистора на подложку из монокристаллического кремния с термически выращенным слоем окиси кремния последовательно плазмохимическим осаждением из газовой фазы при температуре подложки 300оС осаждают слой нелегированного α-Si n--типа толщиной 300 нм и слой легированного фосфором микрокристаллического кремния n+-типа толщиной 20 нм, между стоком и истоком формируют термически слой оксида кремния толщиной 200 нм, углубленный в слой аморфного кремния, затем наносят 500 нм слой SiO2 методом химического осаждения из газовой фазы при 250°C, затем образцы отжигают в атмосфере водорода при 350°C в течение 30 минут.

Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике и направлено на создание базового процесса изготовления мощных кремниевых СВЧ LDMOS структур и транзисторов на более доступном и менее дорогостоящем технологическом оборудовании, способных работать в диапазоне частот до 3,0-3,6 ГГц при повышенных напряжениях питания по стоку.

Изобретение относится к области силовой электроники. Для изготовления силового полупроводникового прибора на первой основной стороне подложки (1) первого типа проводимости формируют первый оксидный слой (22).

Изобретение относится к полупроводниковым устройствам. Полупроводниковое устройство содержит тонкопленочный транзистор, содержащий шину затвора, первую изолирующую пленку, оксидно-полупроводниковый слой в форме островка, вторую изолирующую пленку, шину истока, электрод стока и пассивирующую пленку, а также контактную площадку, содержащую первый соединительный элемент, изготовленный из той же проводящей пленки, что и шина затвора, второй соединительный элемент, изготовленный из той же проводящей пленки, что и шина истока и электрод стока, и третий соединительный элемент, сформированный на втором соединительном элементе.

Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике и обеспечивает создание способа изготовления мощных кремниевых СВЧ LDMOS транзисторов с уменьшенным шагом транзисторной ячейки, улучшенными частотными и энергетическими параметрами и повышенным процентом выхода годных структур.

Использование: в электронной технике, при производстве интегральных схем различного назначения. Технический результат изобретения - технологический процесс, позволяющий создавать МДП-нанотранзисторы без использования литографии высокого разрешения с максимальным подавлением короткоканальных эффектов.

Изобретение относится к способам изготовления подложек со структурой тонкопленочных транзисторов для применения в панелях отображений. .

Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике. .

Изобретение относится к тонкопленочному транзистору, который содержит конденсатор, включенный между затвором и истоком, а также к сдвиговому регистру, к схеме управления шиной сигналов развертки, дисплейному устройству и способу подстройки тонкопленочного транзистора.

Изобретение относится к полупроводниковым устройствам. .
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочных транзисторов с пониженной плотностью дефектов. В способе изготовления тонкопленочного транзистора в качестве подложки используют сильнолегированные монокристаллические пластины кремния n+-типа проводимости, в качестве изолятора затвора используют слой слой диоксида кремния толщиной 110 нм, выращенный термическим окислением в сухом кислороде при 1000°C, после чего формируют пленку аморфного кремния толщиной 430 нм в ВЧ тлеющем разряде в силане при температуре подложки 250°C и имплантируют ионы фтора с энергией 25 кэВ и дозой 1014-5·1015 см-2. После имплантации образцы отжигают в атмосфере азота при температуре 200-220°С в течение 60 минут, наносят пассивирующий слой оксида кремния толщиной 150 нм в плазме газовой смеси SiH4 и N2O, а для создания тонкого n+ аморфного кремниевого слоя проводят имплантацию ионов фосфора энергией 30 кэВ и дозой 1016 см-2. Техническим результатом изобретения является снижение плотности дефектов, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных. 1 табл.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к области силовых полупроводниковых приборов, в частности к силовым БТИЗ и ДМОП транзисторам. В способе изготовления полупроводникового прибора на полупроводниковой подложке первого типа проводимости создают подзатворный диэлектрик, затворный электрод и межслойную изоляцию над затворным электродом, далее в окнах затворного электрода создают методами ионной имплантации и термической диффузии канальную и истоковую области второго и первого типа проводимости соответственно, вскрывают контакты металлического истока с истоковыми и канальными диффузионными областями, располагающимися в середине окон затворного электрода в слое кремния, на глубине, превышающей глубину истоковых областей, и контакты металлического электрода затвора через межслойный диэлектрик к поликремниевому электроду затвора с использованием единой фоторезистивной маски в едином технологическом плазмохимическом процессе травления окисла кремния и кремния путем подбора скорости травления окисла над затвором и скорости травления кремния. Отношение вертикальной скорости травления окисла кремния к горизонтальной скорости травления составляет не менее 3. Изобретение обеспечивает повышение степени интеграции за счет уменьшения подтравливания бокового окисла в контактах. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к электронной технике. В способе изготовления мощных кремниевых СВЧ LDMOS транзисторов нанесенный на подзатворный диэлектрик поликремний покрывают тугоплавким металлом, высокотемпературным отжигом формируют полицид тугоплавкого металла на поверхности поликремния, методом фотолитографии создают из полицида тугоплавкого металла и расположенного под ним слоя поликремния полицидные затворные зубцы элементарных ячеек с прилегающими к ним со стороны истока ответвленными контактными площадками и используют их в качестве защитной маски при внедрении в подложку ионов бора, фосфора и мышьяка при формировании соответственно p-карманов, многоступенчатых слаболегированных n--областей стока и высоколегированных n+-областей стока и истока элементарных ячеек, а точечное шунтирование полицидных затворных зубцов ячеек металлическими шинами осуществляют через примыкающие к затворным зубцам полицидные ответвленные контактные площадки, причем в высокоомном эпитаксиальном p--слое подложки под ответвленными контактными площадками поликремниевых затворных зубцов формируют дополнительные локальные высоколегированные n+-области с более высокой степенью легирования по сравнению с p-карманами элементарных ячеек. Изобретение обеспечивает создание современной базовой нанотехнологии изготовления мощных кремниевых СВЧ LDMOS транзисторов с диапазоном рабочих частот до 3,0-3,6 ГГц на более доступном и менее дорогостоящем технологическом оборудовании. 7 ил.

Изобретение относится к полевым транзисторам, имеющим различные пороговые напряжения за счет модификации диэлектрической многослойной затворной структуры. Полупроводниковая структура содержит первый полевой транзистор, имеющий первую многослойную затворную структуру, которая включает в себя первый диэлектрик затвора, имеющий высокое значение диэлектрической постоянной, превышающее 4,0, участок металлического затвора, по меньшей мере один металлический участок и первый проводящий участок материала затвора, и второй полевой транзистор, имеющий вторую многослойную затворную структуру, которая включает в себя второй диэлектрик затвора, имеющий высокое значение диэлектрической постоянной, превышающее 4,0, по меньшей мере один диэлектрический металлооксидный участок и второй проводящий участок материала затвора, причем первый полевой транзистор и второй полевой транзистор имеют различные пороговые напряжения. Изобретение обеспечивает получение оптимальных рабочих характеристик приборов при оптимальном уровне потребления энергии. 2 н. и 10 з.п. ф-лы, 12 ил.

Изобретение относится к металлооксидным тонким пленкам, используемым при изготовлении полевого транзистора. Жидкость для нанесения покрытия с образованием металлооксидной тонкой пленки включает неорганическое соединение индия, по меньшей мере одно из неорганического соединения магния и неорганического соединения цинка, простой гликолевый эфир и диол, причем диол выбран из по меньшей мере одного из диэтиленгликоля, 1,2-пропандиола и 1,3-бутандиола. Изобретение обеспечивает получение металлооксидного тонкопленочного покрытия с необходимым удельным сопротивлением простейшим способом, большой площади, необходимой формы и с большой точностью. 5 н. и 7 з.п. ф-лы, 10 ил., 4 табл.

Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Технический результат изобретения - снижение токов утечек, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов. Сущность - полупроводниковый прибор создают путем формирования подзатворного диэлектрика из слоя оксинитрида кремния толщиной 50-100 нм при температуре 350°С, скорости потока SiH4 1-3 см3/с, давлении 133 Па, мощности ВЧ-разряда 70 Вт, соотношении N2O/(N2O+NH3)=0,4 с последующим отжигом при температуре 380-400°С в течение 30 мин в атмосфере азота. 1 табл.
Наверх