Регулирование краевого излучения в матрице сид, отделенной от блока



Регулирование краевого излучения в матрице сид, отделенной от блока
Регулирование краевого излучения в матрице сид, отделенной от блока
Регулирование краевого излучения в матрице сид, отделенной от блока
Регулирование краевого излучения в матрице сид, отделенной от блока
Регулирование краевого излучения в матрице сид, отделенной от блока
Регулирование краевого излучения в матрице сид, отделенной от блока
Регулирование краевого излучения в матрице сид, отделенной от блока
Регулирование краевого излучения в матрице сид, отделенной от блока
Регулирование краевого излучения в матрице сид, отделенной от блока
Регулирование краевого излучения в матрице сид, отделенной от блока
Регулирование краевого излучения в матрице сид, отделенной от блока
Регулирование краевого излучения в матрице сид, отделенной от блока
Регулирование краевого излучения в матрице сид, отделенной от блока
Регулирование краевого излучения в матрице сид, отделенной от блока
Регулирование краевого излучения в матрице сид, отделенной от блока
Регулирование краевого излучения в матрице сид, отделенной от блока
Регулирование краевого излучения в матрице сид, отделенной от блока

 

H01L33/46 - Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, предназначенные для светового излучения, например инфракрасного; специальные способы или устройства для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов (соединение световодов с оптоэлектронными элементами G02B 6/42; полупроводниковые лазеры H01S 5/00; электролюминесцентные источники H05B 33/00)

Владельцы патента RU 2524048:

ФИЛИПС ЛЮМИЛЕДС ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи (US)
КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В. (NL)

Изобретение относится к полупроводниковым источникам света. Согласно изобретению предложен способ производства структур светоизлучающих диодов (СИД) на одной пластине, включающий в себя: формирование пластины устройства с матрицами СИД; разъединение матриц СИД на пластине устройства; разделение матриц СИД с целью создания промежутков между матрицами СИД; нанесение по существу непрерывного отражающего покрытия на поверхность матриц СИД и в промежутках между матрицами СИД; удаление первых частей отражающего покрытия с поверхности матриц СИД; и разлом или отделение отражающего покрытия в промежутках между матрицами СИД, при этом вторые части отражающего покрытия остаются на боковых сторонах матриц СИД, чтобы регулировать краевое излучение. Также предложен другой вариант способа изготовления СИД, в котором отражающее покрытие выполнено из тонкой металлической пленки. Таким образом выполнение отражающего покрытия на боковых сторонах матриц СИД обеспечивает возможность регулирования краевого излучения, улучшение равномерности света при изменении угла и увеличение яркости. 2 н. и 25 з.п. ф-лы, 17 ил.

 

Перекрестные ссылки на родственные заявки

Данная заявка является частичным продолжением патента U.S. №12/433,972, озаглавленного «Регулирование краевого излучения в матрице СИД, отделенной от блока», поданного 1 мая 2009 года, который принадлежит тому же правообладателю и включен сюда в качестве ссылки. Эта заявка является родственной заявке на патент US №12/178,902, озаглавленной «Полупроводниковое светоизлучающее устройство, включающее в себя пропускающий слой и направляющую свет структуру», поданной 24 июля 2008 года, которая принадлежит тому же правообладателю и включена сюда в качестве ссылки.

Область техники, к которой относится изобретение

Данное раскрытие относится к светоизлучающим диодам (СИД) и, в частности, к матрицам СИД, отделенным от блока.

Описание предшествующего уровня техники

Полупроводниковые СИД являются одними из наиболее эффективных источников света, доступных на данный момент. Материалы, представляющие в данный момент интерес для систем производства светоизлучающих устройств высокой яркости, способных работать в видимом спектре излучения, включают в себя полупроводники III-V групп; например двойные, тройные и четверные сплавы галлия, алюминия, индия, азота, фосфора и мышьяка. III-V устройства излучают свет в видимом спектре излучения. Устройства на основе GaAs и GaP обычно используются, чтобы излучать свет с большими длинами волн, такой как от желтого до красного, в то время как III-нитридные устройства обычно используются, чтобы излучать свет с меньшими длинами волн, такой как от практически УФ до зеленого.

В галлийнитридных СИД обычно используется прозрачная сапфировая подложка в связи с тем, что кристаллическая структура сапфира аналогична кристаллической структуре нитрида галлия.

Некоторые из GaN СИД формируются в виде перевернутых кристаллов с обоими электродами на одной поверхности, где электроды СИД соединены с электродами на подложке без использования проводов для соединения. В этом случае свет передается через прозрачную сапфировую подложку и слои СИД напротив подложки. Подложка представляет собой границу раздела между СИД и внешним источником питания. Электроды на подложке, соединенные с электродами СИД, могут проходить за СИД или проходить к противоположной стороне подложки для соединения с помощью проводов или установки на поверхность печатной платы.

Сущность изобретения

В некоторых вариантах осуществления данного изобретения матрицы светоизлучающих диодов (СИД) на пластине устройства разделены, чтобы создать пространство между матрицами СИД, и отражающее покрытие наносится на матрицы СИД и на промежутки между матрицами СИД. Когда матрицы СИД снова разделяют, части отражающего покрытия остаются на боковых сторонах матриц СИД. Отражающее покрытие на боковых сторонах матриц СИД может регулировать краевое излучение, улучшать равномерность света при изменении угла и увеличивать яркость. Отражающее покрытие может являться полимером или смолой с отражающими частицами, или тонкой металлической пленкой.

Краткое описание чертежей

Фиг.1 является блок-схемой способа производства структур светоизлучающих диодов (СИД) на одной пластине с использованием отражающего покрытия для регулирования краевого излучения матриц СИД;

Фиг. 2-13 изображают виды в поперечном сечении процессов из способа с фиг.1, когда отражающее покрытие является полимером или смолой с отражающими частицами; и

Фиг. 14-17 изображают виды в поперечном сечении процессов из способа с фиг.1, когда отражающее покрытие является тонкой металлической пленкой, каждый из которых осуществляется в соответствии с вариантами осуществления изобретения.

Использование одинаковых ссылочных номеров на различных фигурах указывает на одинаковые или схожие элементы.

Подробное описание

Фиг.1 является блок-схемой способа 100 для производства структур светоизлучающих диодов (СИД) на одной пластине с использованием отражающего покрытия для регулирования краевого излучения матриц СИД в некоторых вариантах осуществления данного изобретения. Способ 100 включает в себя процессы со 102 по 130.

В процессе 102 примерные матрицы СИД 200 формируются на пластине для выращивания. Для упрощения одна матрица СИД 200 изображена на фиг.2. Матрица СИД 200 включает в себя пластину для выращивания 202, слой n-типа 204, эпитаксиально выращенный на пластине для выращивания, светоизлучающий слой 206 (также часто называемый «активным слоем»), эпитаксиально выращенный на слое n-типа, слой p-типа 208, эпитаксиально выращенный на светоизлучающем слое, проводящий отражающий слой 210, сформированный на слое p-типа, и защитный металлический слой 212, сформированный на проводящем отражающем слое. Диэлектрик 214 сформирован на структурах. Отверстия сформированы в различных слоях, чтобы обеспечить доступ к слою n-типа 204, и в проводящем отражающем слое 210, чтобы обеспечить доступ к слою p-типа 208. Одна или более контактные площадки n-типа 216 сформированы, чтобы электрически контактировать со слоем n-типа 204, и одна или более контактные площадки p-типа 218 сформированы, чтобы электрически контактировать с проводящим отражающим слоем 210. Вместо матриц СИД 200 способ 100 может быть применен к другим типам матриц СИД или к другим светоизлучающим устройствам, которые имеют краевое излучение. За процессом 102 следует процесс 104.

В процессе 104 пластина для переноса 302 временно соединяется с пластиной устройства 220. Здесь и далее в процессе «пластина устройства» относится к структуре на одной пластине, включающей в себя матрицы СИД 200. Удаляемый связывающий материал 304 сначала наносится на верхнюю часть пластины устройства 220, а затем пластина для переноса 302 соединяется с верхней частью пластины устройства, как изображено на фиг.3. Связывающий материал 304 может являться связывающим материалом, разъединяющим при воздействии тепла, раствора или света. Удаляемый связывающий материал 302 может быть нанесен с помощью процесса центрифугирования, процесса натирания или процесса распыления, или другого подходящего процесса. За процессом 104 следует процесс 106.

В процессе 106 пластина устройства 220 переворачивается, и пластина для выращивания 202 удаляется, как изображено на фиг.4. Пластина для выращивания 202 может быть удалена с помощью процесса лазерного отделения. За процессом 106 следует процесс 108.

В процессе 108 слой n-типа 204 делают шероховатым, чтобы улучшить выделение света, как изображено на фиг.5. Слой n-типа 204 может быть сделан шероховатым с помощью физического процесса (например, шлифования или притирания) или с помощью химического процесса (например, травления). Например, слой n-типа 204 может быть сделан шероховатым путем фотоэлектрического травления. За процессом 108 следует процесс 110.

В процессе 110 пропускающая пластина 602 соединяется с пластиной устройства 220, как изображено на фиг.6. Прозрачный связывающий материал 604 сначала наносится на верхнюю часть пластины устройства 220, а затем пропускающая пластина 602 соединяется с верхней частью пластины устройства.

Прозрачный связывающий материал 604 может являться силиконом, эпоксидной смолой или другим подходящим материалом. Прозрачный связывающий материал 604 может быть нанесен с помощью процесса центрифугирования, процесса натирания или процесса распыления, или другого подходящего процесса. Прозрачный связывающий материал 604 может иметь коэффициент отражения, равный или более 1,4.

Если пропускающая пластина 602 состоит из или включает в себя оксидное стекло, керамику или другие подобные диэлектрические материалы, прозрачный связывающий материал 604 может быть заменен оксидом, стеклом или другим подходящим диэлектрическим связывающим слоем, нанесенным на шероховатую поверхность пластины устройства 220. В одном или более вариантах осуществления связывающий слой может являться диоксидом кремния или оксинитридом кремния. В одном или более вариантах осуществления связывающий слой может являться любым прозрачным связывающим материалом, раскрытым в заявке на патент US №12/561,342 с номером дела PH012893US1, поданной 17 сентября 2009 года, таким как оксид алюминия, оксид сурьмы, оксид мышьяка, оксид висмута, оксид бора, бромид свинца, хлорид свинца, оксид свинца, оксид лития, оксид фосфора, фторид калия, оксид калия, оксид кремния, оксид натрия, оксид теллура, оксид таллия, оксид вольфрама, фторид цинка и оксид цинка. Заявка на патент US №12/561,342 принадлежит тому же правообладателю и включена сюда в качестве ссылки.

Связывающий слой может быть нанесен на пластину устройства 220 путем химического осаждения из паровой фазы (CVD), усиленного плазмой CVD (PECVD), или любой другой подходящей технологией осаждения. Поверхности связывающего слоя и/или пропускающей пластины могут быть отполированы путем химико-механической полировки (CMP) или любой другой подходящей технологией полировки. Пропускающая пластина 602 может быть затем соединена с пластиной устройства 220 с использованием прямого молекулярного соединения, соединения плавлением или анодного соединения.

Пропускающая пластина 602 обеспечивает механическую прочность пластины устройства 220 при последующей обработке. Пропускающая пластина 602 может включать в себя структуру регулирования длины волны для изменения спектра излучения для обеспечения желаемого цвета, такого как янтарный для сигнального освещения, или различных цветов для излучения белого света. Структура может являться керамическим люминофором, подходящей прозрачной подложкой или передающим слоем, таким как сапфировый или стеклянный слой, или фильтром, таким как распределенный брэгговский отражатель. Структура керамического люминофора подробно описана в патенте US №7,361,938, который принадлежит тому же правообладателю и включен сюда в качестве ссылки. За процессом 110 следует процесс 112.

В процессе 112 пластина для переноса 302 удаляется с пластины устройства 220, как изображено на фиг.7. Пластина для переноса 302 может быть удалена путем приложения тепла для размягчения, применения раствора для растворения, или использования света для фотохимического воздействия на связывающий материал. Любой оставшийся временный связывающий материал 304 может быть удален с помощью подходящего раствора. За процессом 112 следует процесс 114.

В процессе 114 пластина устройства 220 устанавливается нижней стороной на растягивающуюся пленку 802, как изображено на фиг.8. Растягивающаяся пленка 802 может являться синей лентой, белой лентой, УФ лентой, или другими подходящими материалами, которые делают возможным соединение с гибкой (растягивающейся) подложкой. За процессом 114 следует процесс 116. Растягивающиеся пленки доступны для покупки, например, у Furukawa Electric Co. и Semiconductor Equipment Corp.

В процессе 116 матрицы СИД 200 в пластине устройства 220 разделяются на отдельные матрицы. Матрицы СИД 200 могут быть разделены с использованием лазера, скрайбера или пилы. На данном этапе матрицы СИД 200 являются, по сути, завершенными устройствами, готовыми к тестированию. Тем не менее, матрицы СИД 200 могут иметь краевое излучение, что ухудшает равномерность цвета при изменении угла. За процессом 116 следует процесс 118.

В процессе 118 растягивающаяся пленка 802 растягивается, чтобы в боковом направлении разделить матрицы СИД 200 и создать промежутки между ними, как изображено на фиг.9. В альтернативном варианте осуществления матрицы СИД 200 переносятся на жесткую пластину для переноса с растягивающейся пленки 802. Матрицы СИД 200 могут быть перенесены с помощью ленты или взяты и помещены на жесткую пластину для переноса, чтобы создать промежутки между матрицами СИД. Когда матрицы СИД 200 переносятся с помощью ленты, растягивающаяся пленка 802 растягивается, чтобы создать промежутки между матрицами СИД до переноса матриц СИД на жесткую пластину для переноса. За процессом 118 следует процесс 120.

В процессе 120 отражающее покрытие наносится на верхнюю часть матриц СИД 200 и в промежутки между ними. До нанесения отражающего покрытия диэлектрик может быть расположен над верхней частью и/или боковыми сторонами матриц СИД 200, чтобы увеличить отражающую способность и/или предотвратить короткое замыкание матриц СИД отражающим покрытием. Диэлектрик имеет противоотражающие свойства и может являться пленкой из, например, диоксида кремния (SiO2), фторида магния (MgF2), нитрида кремния (Si3N4 или SiNx) и т.д.

В зависимости от варианта осуществления отражающее покрытие может являться полимером или смолой 1002 с отражающими частицами (здесь и далее вместе называемыми «отражающим покрытием 1002»), как изображено на фиг.10, или тонкой металлической пленкой 1402, как изображено на фиг.14. Процессы со 120 по 130 сначала описаны для вариантов осуществления с использованием отражающего покрытия 1002 со ссылкой на фиг. 10-13, а затем далее описаны для вариантов осуществления с использованием тонкой металлической пленки 1402 со ссылкой на фиг. 14-17.

Ссылаясь на фиг.10, отражающее покрытие 1002 может быть нанесено на верхнюю часть матриц СИД 200. Вогнутые углубления в отражающем покрытии 1002 могут образоваться в промежутках между матрицами СИД 200. Отражающее покрытие 1002 может являться силиконом, эпоксидной смолой, акриловым материалом и т.д. Отражающие частицы в отражающем покрытии 1002 могут являться оксидом титана, оксидом цинка, двуокисью кремния, окисью алюминия или двуокисью циркония. Отражающее покрытие 1002 может быть нанесено с помощью золь-гель процесса, процесса втирания или процесса центрифугирования.

Как вариант отражающее покрытие может быть нанесено только в промежутки между матрицами СИД 200 с использованием процесса формования. В процессе формования матрицы СИД 200 помещены в форму, где половины формы располагаются на уровне верхней и нижней частей матриц СИД, оставляя только промежутки между матрицами СИД в качестве отверстий для прохождения материала отражающего покрытия. Материал отражающего покрытия затем вводится в форму и проводится через промежутки между матрицами СИД 200. За процессом 120 следует процесс 122.

В процессе 122 отражающее покрытие 1002 в промежутках между матрицами СИД 200 (с или без диэлектрического покрытия для увеличения отражающей способности и/или предотвращения короткого замыкания), как вариант ломается или ослабляется (например, раскалывается). Отражающее покрытие 1002 в промежутках между матрицами СИД 200 может быть сломано или ослаблено с помощью лазера, скрайбера или пилы. Если отражающее покрытие 1002 хрупкое, процесс разбивания с помощью бруска может быть применен, при котором матрицы СИД 200 проводятся над закругленным бруском, для того чтобы сломать или ослабить отражающее покрытие в промежутках между матрицами СИД. Отражающее покрытие 1002 не обязательно должно быть сломано или ослаблено, если вогнутые углубления, которые ослабляют отражающее покрытие 1002, автоматически формируются в промежутках между матрицами СИД 200. За процессом 122 следует процесс 124.

В процессе 124 растягивающаяся пленка 802 снова растягивается, чтобы еще сильнее разделить матрицы СИД в боковом направлении, как изображено на фиг.11. Этот этап не осуществляется в альтернативном варианте осуществления с процессом 118, в котором используется жесткая пластина для переноса. За процессом 124 следует процесс 126.

В процессе 126 любые части отражающего покрытия 1002 на верхней части матрицы СИД 200 могут быть удалены, как изображено на фиг.12. После этого остаются только части отражающего материала 1002 на боковых сторонах СИД устройств 200. Части отражающего покрытия 1002 на боковых сторонах матриц СИД 200 могут регулировать краевое излучение, улучшать однородность цвета при изменении угла и увеличивать яркость. Части отражающего покрытия 1002 на верхней части матриц СИД 200 могут быть удалены с помощью процесса отделения, травления, лазерной абляции, или пескоструйной обработки. Жертвенный слой для процесса отделения может быть нанесен до формирования отражающего покрытия 1002 над матрицами СИД 200. За процессом 126 следует процесс 128.

В процессе 128 матрицы СИД 200 переворачиваются и переносятся на другую растягивающуюся пленку 1302, как изображено на фиг.13. Матрицы СИД 200 устанавливаются нижней стороной на растягивающуюся пленку 1302, и затем растягивающаяся пленка 802 удаляется таким образом, что контактные площадки n-типа 216 и контактные площадки p-типа 218 (не изображены на фиг.13) матриц СИД доступны для тестирования на верхней стороне. Может быть возможным тестирование матриц СИД 200 без переноса их на вторую растягивающуюся пленку 1302, если контактные площадки 216 и 218 доступны через первую растягивающуюся пленку 802. За процессом 128 следует процесс 130.

В процессе 130 отдельные матрицы СИД 200 могут быть протестированы, пока они зафиксированы на растягивающейся пленке 1302.

Процессы со 120 по 130 теперь будут описаны для вариантов осуществления с использованием тонкой металлической пленки 1402 со ссылкой на фиг. 14-17.

Ссылаясь на фиг.14, тонкая металлическая пленка формируется над верхней частью и боковыми сторонами матриц СИД 200 и в промежутках между ними. Тонкая металлическая пленка 1402 может являться любым отражающим металлом или сплавом, таким как алюминий (Al), серебро (Ag), хром (Cr), золото (Au), никель (Ni), ванадий (V), платина (Pt), палладий (Pd) и т.д. и их сочетанием. Тонкая металлическая пленка 1402 может быть сформирована путем осаждения из пара или распыления. За процессом 120 следует процесс 122.

В процессе 122 тонкая металлическая пленка 1402 в промежутках между матрицами СИД 200, как вариант, ломается или ослабляется (например, раскалывается). Отражающее покрытие 1402 в промежутках между матрицами СИД 200 может быть сломано или ослаблено с помощью лазера, скрайбера или пилы. Если отражающее покрытие 1402 хрупкое, процесс разбивания с помощью бруска может быть применен, при котором матрицы СИД 200 проводятся над закругленным бруском, для того чтобы сломать или ослабить отражающее покрытие в промежутках между матрицами СИД. В альтернативном варианте осуществления процесса 118, использующем жесткую пластину для переноса, тонкая металлическая пленка 1402 в промежутках между матрицами СИД 200 может быть вытравлена. За процессом 122 следует процесс 124.

В процессе 124 растягивающаяся пленка 802 снова растягивается, чтобы еще сильнее разделить матрицы СИД в боковом направлении, как изображено на фиг.15. Этот этап не осуществляется в альтернативном варианте осуществления с процессом 118, в котором используется жесткая пластина для переноса. За процессом 124 следует процесс 126.

В процессе 126 любые части тонкой металлической пленки 1402 на верхней части матрицы СИД 200 могут быть удалены, как изображено на фиг.16. После этого остаются только части тонкой металлической пленки 1402 на боковых сторонах СИД устройств 200. Тонкая металлическая пленка 1402 на боковых сторонах матриц СИД 200 могут регулировать краевое излучение, улучшать однородность цвета при изменении угла и увеличивать яркость. Части тонкой металлической пленки 1402 на верхней части матриц СИД 200 могут быть удалены с помощью процесса отделения, травления, лазерной абляции, или пескоструйной обработки. Жертвенный слой для процесса отделения может быть нанесен до формирования отражающего покрытия 1402 над матрицами СИД 200. В альтернативном варианте осуществления процесса 118 с использованием жесткой пластины для переноса процессы 122 и 126 могут быть совмещены в один процесс травления. За процессом 126 следует процесс 128.

В процессе 128 матрицы СИД 200 переворачиваются и переносятся на другую растягивающуюся пленку 1302, как изображено на фиг.17. Матрицы СИД 200 устанавливаются нижней стороной на растягивающуюся пленку 1302, и затем растягивающаяся пленка 802 удаляется таким образом, что контактные площадки n-типа 216 и контактные площадки p-типа 218 (не изображены на фиг.17) матриц СИД доступны для тестирования на верхней стороне. Может быть возможным тестирование матриц СИД 200 без переноса их на вторую растягивающуюся пленку 1302, если контактные площадки 216 и 218 доступны через первую растягивающуюся пленку 802. За процессом 128 следует процесс 130.

В процессе 130 отдельные матрицы СИД 200 могут быть протестированы, пока они зафиксированы на растягивающейся пленке 1302. Различные другие варианты применения и комбинации особенностей раскрытых вариантов осуществления находятся в рамках объема изобретения. Например, когда отражающее покрытие является полимерной смолой, заполненной отражающими частицами, очень тонкий слой может быть оставлен на верхней части матриц СИД 200, чтобы служить в качестве оптического рассеивателя или чтобы заставить верхнюю часть матриц иметь тот же цвет, что и у отражающих частиц (например, белый). Многочисленные варианты осуществления охвачены приведенной далее формулой изобретения.

1. Способ производства структур светоизлучающих диодов (СИД) на одной пластине, включающий в себя:
формирование пластины устройства с матрицами СИД;
разъединение матриц СИД на пластине устройства;
разделение матриц СИД с целью создания промежутков между матрицами СИД;
нанесение по существу непрерывного отражающего покрытия на поверхность матриц СИД и в промежутках между матрицами СИД;
удаление первых частей отражающего покрытия с поверхности матриц СИД; и
разлом или разделение отражающего покрытия в промежутках между матрицами СИД,
при этом вторые части отражающего покрытия остаются на боковых сторонах матриц СИД, чтобы регулировать краевое излучение.

2. Способ по п.1, в котором отражающее покрытие является полимером или смолой с отражающими частицами.

3. Способ по п.2, в котором отражающее покрытие является силиконом, эпоксидной смолой или акриловым материалом, а отражающие частицы являются оксидом титана, оксидом цинка, двуокисью кремния, окисью алюминия или двуокисью циркония.

4. Способ по п.2, в котором нанесение отражающего покрытия в промежутки между матрицами СИД включает в себя нанесение отражающего покрытия с помощью золь-гель процесса, процесса втирания, процесса центрифугирования или процесса формования.

5. Способ производства структур светоизлучающих диодов (СИД) на одной пластине, включающий в себя:
формирование пластины устройства с матрицами СИД;
разъединение матриц СИД на пластине устройства;
разделение матриц СИД с целью создания промежутков между матрицами СИД;
нанесение отражающего покрытия в промежутках между матрицами СИД; и
разлом или разделение отражающего покрытия в промежутках между матрицами СИД,
где части отражающего покрытия остаются на боковых сторонах матриц СИД, чтобы регулировать краевое излучение, и
отражающее покрытие является тонкой металлической пленкой.

6. Способ по п.5, в котором отражающим покрытием является алюминий, серебро, хром, золото, никель, ванадий, платина, палладий или их сочетание.

7. Способ по п.5, в котором нанесение отражающего покрытия в промежутках между матрицами СИД включает в себя нанесение отражающего покрытия с помощью осаждения из пара или напыления.

8. Способ по п.1, дополнительно включающий в себя:
перед разъединением матриц СИД на пластине устройства установку пластины устройства с матрицами СИД на растягивающуюся пленку;
при этом разделение матриц СИД включает в себя перенос матриц СИД с растягивающейся пленки на пленку для переноса с целью создания промежутков между матрицами СИД.

9. Способ по п.1, дополнительно включающий в себя:
перед разъединением матриц СИД на пластине устройства установку пластины устройства с матрицами СИД на растягивающуюся пленку;
при этом разделение матриц СИД включает в себя растяжение растягивающейся пленки для разделения в боковом направлении матриц СИД до нанесения отражающего покрытия на матрицы СИД и в промежутки между матрицами СИД.

10. Способ по п.9, в котором разлом или разделение отражающего покрытия в промежутках между матрицами СИД включает в себя:
ослабление или разлом отражающего покрытия в промежутках между матрицами СИД; и
повторное растяжение растягивающейся пленки, чтобы сильнее разделить матрицы СИД.

11. Способ по п.9, дополнительно включающий в себя:
удаление любого отражающего покрытия с верхней части матриц СИД.

12. Способ по п.11, в котором удаление отражающего покрытия с верхней части матриц СИД включает в себя процесс отслаивания, травления, лазерной абляции или пескоструйного травления.

13. Способ по п.11, дополнительно включающий в себя:
установку матриц СИД на другую растягивающуюся пленку другой стороной матриц СИД; и
удаление растягивающейся пленки с матриц СИД.

14. Способ по п.13, дополнительно включающий в себя:
тестирование матриц СИД после установки матриц СИД на другую растягивающуюся пленку с другой стороны матриц СИД.

15. Способ по п.1, в котором указанное формирование пластины устройства с матрицами СИД включает в себя:
формирование СИД устройств на пластине для выращивания для формирования пластины устройства, причем СИД устройства включают в себя слой n-типа над пластиной для выращивания, светоизлучающий слой над слоем n-типа, и слой p-типа над светоизлучающим слоем;
соединение пластины для переноса с p-стороной пластины устройства, причем p-стороной пластины устройства является та сторона, которая ближе к слою p-типа, чем к слою n-типа;
удаление пластины для выращивания с n-стороны пластины устройства, причем n-стороной пластины устройства является та сторона, которая ближе к слою n-типа, чем к слою p-типа;
соединение пропускающей пластины с n-стороной пластины устройства; и
удаление пластины для переноса с p-стороны пластины устройства.

16. Способ по п.15, в котором:
соединение пластины для перемещения включает в себя использование связывающего материала, который разъединяет при воздействии теплом, раствором или светом, для соединения пластины для переноса с p-стороной пластины устройства; и
удаление пластины для переноса включает в себя применение тепла, раствора или света, чтобы отделить пластину для переноса от пластины устройства.

17. Способ по п.15, в котором удаление пластины для выращивания включает в себя использование лазерного отслаивания для отделения пластины для выращивания от пластины устройства.

18. Способ по п.15, дополнительно включающий в себя процесс, делающий слой n-типа шероховатым до соединения пропускающего слоя с n-стороной пластины устройства.

19. Способ по п.15, в котором соединение пропускающей пластины с n-стороной пластины устройства включает в себя нанесение силикона или эпоксидной смолы на n-сторону пластины устройства, чтобы соединить пропускающую пластину с n-стороной пластины устройства.

20. Способ по п.15, в котором соединение пропускающей пластины с n-стороной пластины устройства включает применение прямого молекулярного, соединения плавлением или анодного соединения.

21. Способ по п.20, дополнительно включающий в себя формирование оксидного или стеклянного слоя на n-стороне пластины устройства до соединения пропускающей пластины с n-стороной пластины устройства.

22. Способ по п.15, в котором СИД устройства дополнительно включают в себя контактные площадки над слоем p-типа, причем каждая контактная площадка электрически соединена со слоем n-типа или слоем p-типа.

23. Способ по п.1, включающий в себя нанесение жертвенного слоя на первую поверхность, чтобы облегчить удаление отражающего покрытия.

24. Способ по п.23, в котором жертвенный слой наносится до разделения матриц СИД.

25. Способ по п.5, включающий в себя удаление отражающего покрытия с поверхностей матриц СИД.

26. Способ по п.25, включающий в себя нанесение жертвенного слоя на поверхности матриц СИД, чтобы облегчить удаление отражающего покрытия.

27. Способ по п.26, в котором жертвенный слой наносится до разделения матриц СИД.



 

Похожие патенты:

Кристаллы светоизлучающего диода (СИД) производят путем формирования слоев СИД, включая слой первого типа проводимости, светоизлучающий слой и слой второго типа проводимости.

Изобретение относится к области полупроводниковых светоизлучающих приборов. Структура включает III-нитридную полупроводниковую структуру, содержащую светоизлучающую область, расположенную между областью n-типа и областью p-типа, при этом по меньшей мере одним слоем в светоизлучающей области является светоизлучающий слой Bx(InyGa1-y)1-xN, 0,06≤x≤0,08 и 0,1≤y≤0,14, который обладает запрещенной энергетической зоной и объемной постоянной решетки, соответствующей постоянной решетки релаксированного слоя с таким же составом, что и светоизлучающий слой Bx(InyGa1-y)1-xN, слой InGaN, обладающий такой же запрещенной энергетической зоной, что и слой Bx(InyGa1-y)1-xN, обладает объемной постоянной решетки, соответствующей постоянной решетки релаксированного слоя с таким же составом, что и слой InGaN, и объемная постоянная решетки слоя Bx(InyGa1-y)1-xN меньше, чем объемная постоянная решетки слоя InGaN.
Изобретение относится к полупроводниковой технике. Способ включает измерение значения спектральной плотности низкочастотного шума каждого светодиода при подаче напряжения в прямом направлении и плотности тока из диапазона 0.1<J<10 А/см2 до и после проведения процесса старения светодиода, осуществляемого в течение времени не менее 50 часов.

Изобретение относится к осветительному устройству на белых светодиодах, возбуждаемому импульсным током. Устройство включает упакованные внутри синие, фиолетовые или ультрафиолетовые светодиодные чипы и люминесцентное покрытие, использующее люминесцентный материал.

Изобретение относится к области светоизлучающих диодов Согласно изобретению предложен способ формирования герметизации светоизлучающих диодов, причем способ содержит этапы, на которых определяют геометрическую форму для герметизации; выбирают ограждающий материал; наносят ограждающий материал на подложку для формирования границы, определяющей пространство, имеющее геометрическую форму, причем указанное нанесение содержит нанесение ограждающего материала при помощи автоматического распыления; и наполняют пространство герметизирующим материалом для формирования герметизации.

Использование: для излучения света посредством светоизлучающих диодов. Сущность изобретения заключается в том, что светодиодное (LED) устройство содержит металлическую подложку, имеющую отражающую поверхность, и множество светодиодных кристаллов, установленных непосредственно на отражающей поверхности металлической подложки, чтобы обеспечить возможность рассеяния тепла, при этом, по меньшей мере, часть светодиодных (LED) кристаллов размещена на расстоянии друг от друга, чтобы обеспечить возможность отражения света от части отражающей поверхности, которая расположена между частями светодиодных (LED) кристаллов, а также электрическую цепь, сформированную путем соединения светодиодных (LED) кристаллов кристалл к кристаллу.

Изобретение относится к области светотехники. Техническим результатом является увеличение угла излучения.

Изобретение относится к области светотехники. Техническим результатом является обеспечение низкого потребления энергии и упрощение изготовления.

Изобретение относится к оптическим устройствам и способам их изготовления. Предложено оптическое устройство, включающее светоизлучающий или светочувствительный элемент, установленный на подложку, и отвержденный кремнийорганический материал, объединенные в единое изделие в результате герметизации элемента кремнийорганической композицией, отверждаемой с помощью реакции гидросилилирования, причем поверхность отвержденного кремнийорганического материала обработана полиорганосилоксаном, который включает по меньшей мере три атома водорода, связанных с атомами кремния, в одной молекуле.

Источник (1) инфракрасного излучения содержит первичный преобразователь (2) энергии с токоподводящими контактами (3) и активную область (4) с оптической толщиной в направлении вывода излучения, не превышающей двойного значения обратной величины среднего коэффициента поглощения активной области в диапазоне энергий квантов излучения источника (1).

Светоизлучающее устройство включает в себя светоизлучающий диод и люминесцентные вещества, расположенные вокруг светоизлучающего диода, чтобы поглощать по меньшей мере часть света, излучаемого светоизлучающим диодом, и излучать свет с отличной от поглощенного света длиной волны. Люминесцентные вещества содержат легированные Eu2+ силикатные люминофоры, в которых в качестве базовых кристаллических решеток для активации Eu2+, приводящей к люминесценции, используются твердые растворы в форме смешанных фаз между оксиортосиликатами щелочноземельных металлов и оксиортосиликатами редкоземельных металлов. Люминесцентные вещества используются в качестве преобразователей излучения для преобразования первичного излучения с более высокой энергией, например ультрафиолетового (УФ) излучения или синего света, в более длинноволновое видимое излучение и поэтому предпочтительно применяются в соответствующих светоизлучающих устройствах. Изобретение обеспечивает возможность увеличения ресурса использования устройства. 19 з.п. ф-лы, 3 табл., 7 ил.

Изобретение относится к осветительному устройству на белых светодиодах. Устройство включает синие, фиолетовые или ультрафиолетовые светодиодные чипы и люминесцентное покрытие, использующее люминесцентный материал. Люминесцентный материал является сочетанием (1), (2), (3) или (4) люминесцентного материала А с синим послесвечением и желтого люминесцентного материала В. При этом желтый люминесцентный материал В способен излучать свет при возбуждении синими, фиолетовыми или ультрафиолетовыми светодиодными чипами и/или люминесцентным материалом А с синим послесвечением. Сочетание (1) представляет собой сочетание 40 вес.% Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+ и 60 вес.% Y2O3·Al2O3·SiO2:Ce·B·Na·P, сочетание (2) представляет собой сочетание 5 вес.% Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+ + 30 вес.% Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+ + 15 вес.% CaS:Bi3+,Na+ и 25 вес.% Y2O3·Al2O3·SiO2:Ce·B·Na·P + 10 вес.% Sr3SiO5:Eu2+,Dy3+ + 15 вес.% Ca2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+, сочетание (3) представляет собой сочетание 5 вес.% Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+ + 15 вес.% CaSrS:Bi3+ + 20 вес.% Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+ и 15 вес.% Sr3SiO5:Eu2+,Dy3+ + 20 вес.% Ca2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+ + 25 вес.% Y3Al5O12:Се, а сочетание (4) представляет собой сочетание 45 вес.% Sr4Al14O25:Eu2+, Dy3+ и 55 вес.% Y2O3·Al2O3·SiO2:Ce·В·Na·Р. Светодиодные чипы излучают синий свет в случае сочетаний (1), (2), (3) и излучают фиолетовый свет в случае сочетания (4). Осветительное устройство возбуждается переменным током, имеющим частоту электропитания не меньше чем 50 Гц. Изобретение позволяет улучшить стабильность люминесценции и уменьшить тепловой эффект. 2 з.п. ф-лы, 6 ил., 3 табл., 2 пр.

Изобретение относится к области светотехники и касается устройства для управления цветностью светового потока белого светодиода. Устройство включает в себя светодиод белого свечения, прозрачную подложку, воздушную среду между белым светодиодом и подложкой, а также светорассеиватель. Прозрачная подложка снабжена средством преобразования спектральной составляющей белого света, выполненным в виде частиц люминофора, размещенных на поверхности или в материале прозрачной подложки. Светорассеиватель снабжен пространственно-структурированными элементами, выполненными в объеме или на поверхности светорассеивателя. Расстояние между подложкой и светоизлучающей поверхностью светорассеивателя составляет менее 50 мм. Технический результат заключается в обеспечении возможности управления цветностью светового потока белого светодиода и уменьшении яркости светоизлучающей поверхности. 4 з.п. ф-лы, 4 ил.

Группа изобретений может быть использована в индикаторах, осветительных приборах, дисплеях, источниках света для подсветки жидкокристаллических дисплеев. Светоизлучающее устройство согласно изобретению содержит основание и электропроводящие компоненты, размещенные на основании, светоизлучающий элемент, имеющий полупроводниковый слой и прозрачную подложку; отражающий компонент, не покрывающий по меньшей мере часть боковых поверхностей и верхнюю поверхность прозрачной подложки и покрывающий боковые поверхности полупроводникового слоя; и светопропускающий компонент, покрывающий часть прозрачной подложки, не покрытую отражающим компонентом при этом светоизлучающий элемент закреплен на электропроводящих компонентах, причем на поверхности этих электропроводящих компонентов, по меньшей мере часть поверхности электропроводящих компонентов, на которой не закреплен светоизлучающий элемент, покрыта изолирующим заполнителем толщиной в 5 мкм или больше, который является отражающим компонентом, а светопропускающий компонент покрывает светоизлучающий элемент. Изобретение обеспечивает возможность эффективного вывода света вовне и высокую надежность устройства, а также уменьшить износ компонентов, составляющих устройство. 3 н. и 39 з.п. ф-лы, 32 ил.

Группа изобретений относится к светоизлучающему устройству (2), содержащему источник (10) первичного света, светопреобразующую среду (14) и оптическую структуру (16). Источник первичного света располагается на подложке (11). Светопреобразующая среда, содержащая фосфоры (14), предназначена для преобразования, по меньшей мере, части первичного света во вторичный свет (II) другой длины. Светопреобразующая среда образует дистанционную фосфорную конфигурацию. Оптическая структура предназначена для приема части вторичного света (II) из светопреобразующей среды и приспособлена для перенаправления части вторичного света по направлению к первой плоскости, но от источника (10) первичного света. Оптическая структура (16) содержит множество поверхностей (17), которые ориентированы так, что часть вторичного света, перенаправляемого по направлению к первой плоскости, задает область, по меньшей мере, частично окружающую источник первичного света. Благодаря обеспечению оптической структуры, перенаправляющей вторичный свет от источника первичного света, можно существенно снизить или устранить поглощение вторичного света источником первичного света и, кроме того, световую эффективность можно повысить, перенаправляя этот вторичный свет в таком направлении, чтобы он передавался от светоизлучающего устройства. 3 н. и 10 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к области светотехники. Техническим результатом является достижение однородности излучаемого света и повышение эффективности освещения. Осветительное устройство (10) содержит светоизлучающий диод (20), передающее основание (50), включающее люминесцентный материал (51), и просвечивающее выходное окно (60). Просвечивающее выходное окно (60) расположено на значительном расстоянии от СИД (20). Расстояние между люминесцентным материалом (51) и СИД (20) рЛС больше чем 0 мм, и расстояние между люминесцентным материалом (51) и выходным окном (60) рЛО также больше чем 0 мм. Просвечивающее выходное окно (60) имеет входную грань (63) с площадью (AEW1) выходного окна входной грани, а передающее основание (50) имеет входную грань с площадью (ASI) передающего основания входной грани. Выходное окно (60) и передающее основание (50) имеют отношение площадей поверхности AEW1/ASI≥2. 2 н. и 22 з.п. ф-лы, 9 ил.

Изобретение относится к люминесцентным материалам - конвертерам вакуумного ультрафиолетового излучения в излучение видимого диапазона, выполненным в виде аморфной пленки оксида кремния SiOX на кремниевой подложке, предназначенным для создания функциональных элементов фотонных приборов нового поколения, а также для контроля жесткого ультрафиолетового излучения в вакуумных технологических процессах. Толщина аморфной пленки оксида кремния SiOX конвертера составляет 20÷70 нм. Содержание ионов кислорода в упомянутой пленке соответствует количеству, при котором стехиометрический коэффициент Х находится в пределах от 2,01 до 2,45. Увеличиваются интенсивности красного излучения конвертера, а также обеспечивается красное свечение при сохранении конверсии вакуумного ультрафиолетового излучения в видимое. 6 ил., 1 табл., 4 пр.

Изобретение относится к люминесцентному преобразователю (10, 12) для усиленного люминофором источника (100, 102, 104) света. Люминесцентный преобразователь содержит первый люминесцентный материал (20), выполненный с возможностью поглощения по меньшей мере части возбуждающего света (hv0), эмитируемого излучателем (40, 42) света усиленного люминофором источника света, и преобразования по меньшей мере части поглощенного возбуждающего света в первый эмитируемый свет (hv1), содержащий длину волны большей величины по сравнению с возбуждающим светом. Люминесцентный преобразователь также содержит второй люминесцентный материал (30), содержащий органический люминесцентный материал (30) и выполненный с возможностью поглощения по меньшей мере части первого испускаемого света, эмитируемого первым люминесцентным материалом, и преобразования по меньшей мере части поглощенного первого эмитируемого света во второй эмитируемый свет (hv2), имеющий длину волны большей величины по сравнению с первым эмитируемым светом. Действие люминесцентного преобразователя в соответствии с изобретением заключается в том, что двухступенчатое преобразование света в соответствии с изобретением создает сравнительно небольшой стоксовый сдвиг света, эмитируемого органическим люминесцентным материалом. Технический результат - повышение эффективности преобразования. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к полупроводниковым нитридным наногетероструктурам и может быть использовано для изготовления светодиодов ультрафиолетового диапазона с длинами волн в диапазоне 260-380 нм. Ультрафиолетовый светодиод на нитридных гетероструктурах включает металлические электроды p-типа, нитридный слой p-типа, III-нитридную активную область, III-нитридный слой n-типа, сапфировую подложку с текстурированной полуполярной или неполярной поверхностью III-нитридного слоя. При этом текстурированная поверхность полуполярной или неполярной плоскости III-нитридного слоя выполнена в виде щетки нанотрубок, размеры которых и расстояние между которыми сравнимы с длиной волны излучения. Изобретение позволяет увеличить внешний квантовый выход устройства за счет создания текстурированной поверхности с увеличенным выводом излучения такого типа, чтобы она позволяла выводить большой световой поток, не внося при этом нежелательную поляризацию, значительно уменьшить внутреннее отражение, улучшить эффективность рекомбинации носителей. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

Использование: для изготовления органических светоизлучающих диодов. Сущность изобретения заключается в том, что светоизлучающий диод содержит прозрачную или частично прозрачную подложку с нанесенной на нее слоистой структурой, содержащей по меньшей мере один органический электролюминесцентный слой и транспортные подслои из органических веществ n- и p-типов проводимости, расположенных на границах электролюминесцентный слой - контактный слой. Органическая слоистая структура заключена между нижним катодом, на поверхности которого сформирована система микроострий, и верхним, анодом, выполненным из пленки ITO также со сформированной системой микроострий. Технический результат: обеспечение возможности повышения уровня и равномерности инжекции носителей, реализации изделия, отвечающего требованиям по яркости свечения и рабочим характеристикам, не усложняя технологию и обеспечение возможности использования легкодоступных металлов. 1 ил.
Наверх