Способ управления цветностью светового потока белого светодиода и устройство для осуществления способа



Способ управления цветностью светового потока белого светодиода и устройство для осуществления способа
Способ управления цветностью светового потока белого светодиода и устройство для осуществления способа
Способ управления цветностью светового потока белого светодиода и устройство для осуществления способа
Способ управления цветностью светового потока белого светодиода и устройство для осуществления способа

 

H01L33/50 - Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, предназначенные для светового излучения, например инфракрасного; специальные способы или устройства для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов (соединение световодов с оптоэлектронными элементами G02B 6/42; полупроводниковые лазеры H01S 5/00; электролюминесцентные источники H05B 33/00)

Владельцы патента RU 2525166:

Общество с ограниченной ответственностью "ДиС ПЛЮС" (RU)

Изобретение относится к области светотехники и касается устройства для управления цветностью светового потока белого светодиода. Устройство включает в себя светодиод белого свечения, прозрачную подложку, воздушную среду между белым светодиодом и подложкой, а также светорассеиватель. Прозрачная подложка снабжена средством преобразования спектральной составляющей белого света, выполненным в виде частиц люминофора, размещенных на поверхности или в материале прозрачной подложки. Светорассеиватель снабжен пространственно-структурированными элементами, выполненными в объеме или на поверхности светорассеивателя. Расстояние между подложкой и светоизлучающей поверхностью светорассеивателя составляет менее 50 мм. Технический результат заключается в обеспечении возможности управления цветностью светового потока белого светодиода и уменьшении яркости светоизлучающей поверхности. 4 з.п. ф-лы, 4 ил.

 

Область техники

Изобретение относится к светотехнике, а именно к светодиодным осветительным устройствам, оснащенным белыми светодиодами и предназначенным для создания внешнего и внутреннего освещения.

Предшествующий уровень техники

Для общего и местного освещения наиболее перспективным является использование светодиодов, создающих световой поток белого цвета. Известно два основных способа получения такого светового потока. Первый заключается в смешении красного, зеленого и синего излучений, которые генерируются полупроводниковыми кристаллами, близко размещенными на плате. Второй путь создания излучения белого цвета состоит в преобразовании люминофором части ультрафиолетового или синего излучения кристалла в световой поток, длина волны которого смещена в желтую часть спектра, при этом смешение первичного излучения кристалла и вторичного люминесцентного излучения люминофора создает световой поток с координатами цветности, соответствующими белому цвету.

Второй способ создания белого цвета, несмотря на некоторые потери при преобразовании первичного излучения и технологические сложности при использовании люминофора, является наиболее распространенным в светотехнике.

Большей частью белые светодиоды изготавливаются на основе синего кристалла (InGaN) и желтого люминофора. По спектральным данным, люминофоры, применяемые большинством производителей светодиодов, являются модифицированными вариантами иттрий-алюминиевого граната, легированного трехвалентным церием. Спектр люминесценции этого люминофора характеризуется длиной волны максимума в диапазоне 530..570 нм. Использование синих светодиодов в сочетании с желтыми люминофорами позволяет достигать максимальной светоотдачи при цветной температуре порядка 5000-8000°К. Световой поток первичного излучения, создаваемого кристаллом полупроводника, преобразуется частицами люминофора, введенными в прозрачный компаунд и/или размещенными на смежных с кристаллами поверхностях. При этом цветность смешанного первичного и люминесцентного излучения зависит от многих физико-химических и технологических факторов: гранулометрического и химического состава люминофора, концентрации частиц люминофора, оптических и геометрических свойств компаунда и других причин, учет влияния которых в реальном производстве представляет собой сложную технологическую задачу. Возникающая цветовая неравномерность результирующего светового потока, зависящая от угла его падения на освещаемую поверхность, неравномерности концентрации частиц люминофора, участвующих в преобразовании, может быть выровнена с помощью отражающих матированных поверхностей и светорассеивающих оптически прозрачных элементов.

Известен способ создания светового потока белого цвета, в котором для управления цветностью светового потока генерируют излучение в фиолетово-синей области спектра и преобразуют часть этого излучения люминофором на основе многокомпонентной системы AlInGaN, активированного редкоземельными элементами, поглощающим первичное излучение кристаллов и испускающим свет в желтой области спектра, смешение которого с первичным излучением и создает световой поток с координатами, соответствующими выбранному оттенку белого цвета (патент RU 2219622, МКИ H01L 33/00, опубл. 20.12.2003).

Известно решение, в котором для управления цветностью светового потока генерируют первичное излучение в синей области спектра, а преобразование части первичного излучения в желтую часть спектра осуществляется сложным люминофором из группы ортосиликатов щелочно-земельных металлов (патент RU 2251761, МКИ H01L 33/00, опубл. 10.05.2005).

Известно также решение, в котором для управления цветностью светового потока генерируют первичное излучение двумя источниками, один из которых излучает в синей, а другой в ультрафиолетовой части спектра, каждому из которых соответствует свой люминофор, преобразующий первичное излучение кристалла в люминесцентный поток, смешение которых с частью первичного излучения образует световой поток белого цвета (патент US 2006152140, МКИ H01j l/62, опубл. 13.07.2006).

Известен также способ получения видимого света и люминесцентные источники на его основе, описанные в патенте RU 3213157, МКИ H01L 33/00, опубликованном 20.12.2007 г. Способ включает облучение антистоксовского люминофора ИК-излучением и его преобразование в излучение желто-зелено-оранжевого диапазона спектра.

От концентрации люминофорных частиц, содержащихся в объеме или на единице площади, зависит в конечном итоге количество преобразуемого первичного излучения, определяющего цветовой оттенок результирующего белого цвета.

Очевидно, что чем меньше люминофора принимает участие в преобразовании первичного светового потока, тем более высокая цветовая температура характерна для результирующего излучения.

Во всех указанных аналогах целью операций с разными первичными источниками светового излучения является получение светового потока, цветовая температура которого соответствует тому или иному оттенку белого цвета. Заслуживающим внимания является поиск пути управления цветом белого светового потока, не требующего вмешательства в конструкцию источника, создающего световой поток белой цветности. Для управления цветовой температурой уже сформированного белого светового потока потребуется дополнительное количество люминофора, однако технология преобразования такого излучения и, в необходимых случаях, последующее выравнивание цветности по сечению светового потока, потребует незначительных технологических и конструктивных нововведений.

Важно отметить, что малые угловые размеры и большая яркость светодиодов без специальных мер защиты от световых бликов приводит к значительным зрительным нагрузкам, вызывающим ощущение дискомфорта и подсознательное желания покинуть помещение с таким осветительными устройствами. Для уменьшения слепящего действия осветительной установки эффективным представляется уменьшение яркости излучения путем распределения его светового потока на обширную поверхность, которое можно осуществлять одновременно с управлением цветностью излучения светодиода.

Техническим результатом предлагаемого решения является возможность управления цветностью светового потока белого светодиода; расширение технологических возможностей для конструирования осветительных устройств на основе белого светодиода; снижение дискомфортности освещения, за счет уменьшения яркости светоизлучающей поверхности.

Способ управления цветом светового потока белого светодиода характеризуется следующей совокупностью существенных признаков.

Способ управления цветностью светового потока белого светодиода, включающий генерирование светового потока с цветовой температурой более 6000 К, содержащего спектральную составляющую с длиной волны λ<490 нм; преобразование части излучения λ в излучение с длиной волны L>490 нм, например, в желто-зеленой, желтой или оранжевой области спектра/ смешение полученного светового излучения с длиной волны L и светового потока, включающего непреобразованную часть составляющей λ.

Устройство для реализации способа управления цветом белого светодиода характеризуется следующей совокупностью существенных признаков.

Осветительное устройство для осуществления способа, содержащее, по меньшей мере, один светодиод, генерирующий световой поток с цветовой температурой более 6000 К; оптически прозрачную подложку, установленную с возможностью ее облучения упомянутым световым" потоком; средство преобразования упомянутого светового потока, выполненное в виде частиц люминофора, размещенных на поверхности и/или в материале подложки; светорассеиватель, снабженный пространственно структурированными элементами, выполненными в объеме или на поверхности указанного светорассеивателя.

Под существенным признаком, сформулированным как "средство преобразования светового потока" в данном изобретении подразумевается совокупность частиц люминофора, пространственное расположение которых определяется конфигурацией той детали, в объеме или на поверхности которой указанные частицы содержатся.

Под термином "подложка" заявитель понимает элемент конструкции, выполненный из оптически прозрачного материала, способного создавать как плоские, так и объемные конструкции, которые могут охватывать источник излучения. Толщина стенки подложки зависит от оптических свойств материала и определяется с учетом минимально возможных потерь светового потока и технологических возможностей ее формообразования.

В качестве дополняющих и развивающих признаков устройства необходимо указать следующие:

- удельная нагрузка люминофора на поверхности и/или в материале подложки выбрана из выражения:

1<ρ<100, где: ρ - концентрация люминофора в связующем, мг/см2. Под термином «удельная нагрузка люминофора» подразумевается вес люминофора, приходящийся на единицу площади поверхности. Выбор конкретного значения величины ρ зависит от цветности светового потока светодиода и желательной цветности результирующего светового потока;

- средство преобразования светового потока, созданного белым светодиодом, может включать частицы люминофора разного спектра свечения;

- подложка выполнена плоской или в виде деталей, поверхность которых составлена комбинацией поверхностей первого и второго порядка, в частности, в виде плоскости или цилиндроида;

- светорассеиватель выполнен из оптически прозрачного материала, способного создавать как плоские, так и объемные конструкции, которые могут охватывать подложку;

- расстояние h мм между подложкой и светоизлучающей поверхностью светорассеивателя выбрано из математического выражения:

h<50, где:

h - расстояние между подложкой и светоизлучающей поверхностью светорассеивателя, мм;

- светорассеиватель выполнен из оптически прозрачного материала, способного создавать как плоские, так и объемные конструкции, которые могут содержать покрытие, включающее средство преобразования светового потока;

- пространственно структурированные элементы светорассеивателя выполнены в виде регулярно повторяющегося рельефа, не имеющего острых ребер, например, в виде полусфер;

- светодиод снабжен рефлектором, имеющим светорассеивающую поверхность;

- рефлектор имеет коническую поверхность, направляющая которой выполнена в виде равностороннего четырехугольника, или шестиугольника, или окружности;

- светорассеиватель является защитным элементом устройства.

Изобретение поясняется следующими графическими материалами, иллюстрирующими способ управления цветом светового потока белого светодиода и воплощения способа в конкретных осветительных устройствах:

на фиг.1 показана схема управления светового потока белого светодиода;

на фиг.2 показана схема осветительного устройства, содержащего подложку с поверхностью второго порядка и плоским светорассеивателем;

на фиг.3 показана схема осветительного устройства, содержащего подложку с плоской поверхностью и плоским светорассеивателем;

на фиг.4 показана схема осветительного устройства, светорассеиватель которого снабжен покрытием, содержащим средство преобразования светового потока.

Краткое описание чертежей

Осветительное устройство (фиг.1) содержит светодиод 1, генерирующий световой поток с цветовой температурой более 6000 К, освещающий оптически прозрачную подложку 2; средство преобразования упомянутого светового потока, выполненное в виде частиц люминофора 3, заключенных в материале подложки 2; светорассеиватель 4, имеющий светоизлучающую поверхность 5, снабженную пространственно структурированными элементами 6, выполненными на поверхности 5 светорассеивателя 4. Часть генерируемых светодиодом 1 световых волн со спектральной составляющей λ вступает в квантовое взаимодействие с частицами люминофора 3, при этом непреобразованная часть излучения λ проходит сквозь прозрачную основу подложки 2 и смешивается в светорассеивателе 4 с преобразованным люминесцентным световым потоком, излученным частицами люминофора 3. На светоизлучающей поверхности 5 смешанный световой поток дополнительно перемешивается пространственно-структурированными элементами 6.

Показанное на фиг.2 осветительное устройство содержит рефлектор 7, подложку 2 с поверхностью второго порядка и плоский светорассеиватель 4. Расстояние между подложкой 2 и светоизлучающей поверхностью светорассеивателя 4 выбирают не превышающим 50 мм. Уменьшение расстояния h увеличивает неравномерность цвета на светоизлучающей поверхности 5, а превышение этого расстояния сильно снижает яркость излучаемого светового потока.

На фиг.3 показан вариант устройства, содержащий рефлектор 7, плоскую подложку 2, включающую частицы люминофора 3 и плоский светорассеиватель 4 со структурированными элементами 6 на светоизлучающей поверхности 5. Расстояние h между подложкой и светоизлучающей поверхностью 5 светорассеивателя выбирают в зависимости от конкретного воплощения устройства.

На фиг.4 показан вариант устройства, содержащий рефлектор 7, плоскую подложку 2, включающую частицы люминофора 3 и плоский светорассеиватель 4 со структурированными элементами 6 на светоизлучающей поверхности 5. Расстояние h между подложкой 2, включающей средство 3 преобразования излучения и светоизлучающей поверхностью 5 светорассеивателя выбирают в зависимости от конкретного воплощения устройства. В данном случае величина h по существу соответствует толщине пластины светорассеивателя 5.

Этот вариант воплощения требует повышенного расхода материала для светорассеивателя, что, однако, компенсируется существенным упрощением конструкции осветительного устройства для реализации способа.

Достаточно эффективным может быть использование в качестве первичного источника излучения светодиод «холодного» белого свечения, например, светодиод XLamp MX-6 фирмы Сrее, с цветовой температурой 6500…8000 К или его аналогов других производителей.

Промышленная применимость

Детали и узлы для осветительного устройства могут быть изготовлены известными способами. Информации, изложенной в описании, достаточно для понимания специалистом принципа работы и конструкции устройств, реализующих способ изменения цветовых характеристик потока белого светодиода.

1. Осветительное устройство для управления цветностью светового потока белого светодиода, содержащее, по меньшей мере, один светодиод белого свечения, генерирующий световой поток белого цвета с цветовой температурой более 6000 K и включающий спектральную составляющую с длиной волны λ<490 нм; оптически прозрачную подложку, установленную с возможностью ее облучения упомянутым световым потоком; оптически прозрачную воздушную среду между белым светодиодом и оптически прозрачной подложкой, снабженной средством преобразования упомянутой спектральной составляющей с длиной волны λ<490 нм, выполненным в виде частиц люминофора, размещенных на поверхности и/или в материале упомянутой подложки; светорассеиватель, снабженный пространственно структурированными элементами, выполненными в объеме или на поверхности указанного светорассеивателя, при этом расстояние h между подложкой и светоизлучающей поверхностью светорассеивателя выбрано из математического выражения:
h<50, где
h - расстояние между подложкой и светорассеивателем, мм.

2. Осветительное устройство по п.1, отличающееся тем, что удельная нагрузка люминофора на поверхности и/или в материале подложки выбрана из выражения:
1<ρ<100, где
ρ - концентрация люминофора, мг/см2.

3. Осветительное устройство по п.1, отличающееся тем, что подложка выполнена в виде детали, поверхность которой образована комбинацией поверхностей второго порядка.

4. Осветительное устройство по п.1, отличающееся тем, что светорассеиватель выполнен из оптически прозрачного материала в виде объемной конструкции, охватывающей подложку.

5. Осветительное устройство по п.4, отличающееся тем, что светорассеиватель включает средство преобразования светового потока.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к осветительному устройству на белых светодиодах. Устройство включает синие, фиолетовые или ультрафиолетовые светодиодные чипы и люминесцентное покрытие, использующее люминесцентный материал.

Светоизлучающее устройство включает в себя светоизлучающий диод и люминесцентные вещества, расположенные вокруг светоизлучающего диода, чтобы поглощать по меньшей мере часть света, излучаемого светоизлучающим диодом, и излучать свет с отличной от поглощенного света длиной волны.

Изобретение относится к полупроводниковым источникам света. Согласно изобретению предложен способ производства структур светоизлучающих диодов (СИД) на одной пластине, включающий в себя: формирование пластины устройства с матрицами СИД; разъединение матриц СИД на пластине устройства; разделение матриц СИД с целью создания промежутков между матрицами СИД; нанесение по существу непрерывного отражающего покрытия на поверхность матриц СИД и в промежутках между матрицами СИД; удаление первых частей отражающего покрытия с поверхности матриц СИД; и разлом или отделение отражающего покрытия в промежутках между матрицами СИД, при этом вторые части отражающего покрытия остаются на боковых сторонах матриц СИД, чтобы регулировать краевое излучение.

Кристаллы светоизлучающего диода (СИД) производят путем формирования слоев СИД, включая слой первого типа проводимости, светоизлучающий слой и слой второго типа проводимости.

Изобретение относится к области полупроводниковых светоизлучающих приборов. Структура включает III-нитридную полупроводниковую структуру, содержащую светоизлучающую область, расположенную между областью n-типа и областью p-типа, при этом по меньшей мере одним слоем в светоизлучающей области является светоизлучающий слой Bx(InyGa1-y)1-xN, 0,06≤x≤0,08 и 0,1≤y≤0,14, который обладает запрещенной энергетической зоной и объемной постоянной решетки, соответствующей постоянной решетки релаксированного слоя с таким же составом, что и светоизлучающий слой Bx(InyGa1-y)1-xN, слой InGaN, обладающий такой же запрещенной энергетической зоной, что и слой Bx(InyGa1-y)1-xN, обладает объемной постоянной решетки, соответствующей постоянной решетки релаксированного слоя с таким же составом, что и слой InGaN, и объемная постоянная решетки слоя Bx(InyGa1-y)1-xN меньше, чем объемная постоянная решетки слоя InGaN.
Изобретение относится к полупроводниковой технике. Способ включает измерение значения спектральной плотности низкочастотного шума каждого светодиода при подаче напряжения в прямом направлении и плотности тока из диапазона 0.1<J<10 А/см2 до и после проведения процесса старения светодиода, осуществляемого в течение времени не менее 50 часов.

Изобретение относится к осветительному устройству на белых светодиодах, возбуждаемому импульсным током. Устройство включает упакованные внутри синие, фиолетовые или ультрафиолетовые светодиодные чипы и люминесцентное покрытие, использующее люминесцентный материал.

Изобретение относится к области светоизлучающих диодов Согласно изобретению предложен способ формирования герметизации светоизлучающих диодов, причем способ содержит этапы, на которых определяют геометрическую форму для герметизации; выбирают ограждающий материал; наносят ограждающий материал на подложку для формирования границы, определяющей пространство, имеющее геометрическую форму, причем указанное нанесение содержит нанесение ограждающего материала при помощи автоматического распыления; и наполняют пространство герметизирующим материалом для формирования герметизации.

Использование: для излучения света посредством светоизлучающих диодов. Сущность изобретения заключается в том, что светодиодное (LED) устройство содержит металлическую подложку, имеющую отражающую поверхность, и множество светодиодных кристаллов, установленных непосредственно на отражающей поверхности металлической подложки, чтобы обеспечить возможность рассеяния тепла, при этом, по меньшей мере, часть светодиодных (LED) кристаллов размещена на расстоянии друг от друга, чтобы обеспечить возможность отражения света от части отражающей поверхности, которая расположена между частями светодиодных (LED) кристаллов, а также электрическую цепь, сформированную путем соединения светодиодных (LED) кристаллов кристалл к кристаллу.

Изобретение относится к области светотехники. Техническим результатом является увеличение угла излучения.

Изобретение относится к светотехнике, в частности к светильникам для декоративного освещения. .

Изобретение относится к области светотехники. Техническим результатом является повышение эффективности охлаждения осветительных приборов большой мощности. Теплорегулирующее устройство для источника света (100) содержит теплораспределяющий элемент (ТЭ) (104), содержащий верхнюю сторону, предназначенную для термического соединения с по меньшей мере одним источником (106) света, вторичную оптику (103) для управления излучаемым светом, теплоотвод (101), термически соединенный с ТЭ, и вентилятор (110). Для достижения технического результата устройство снабжено первым набором тепловых трубок (102), которые термически соединены с ТЭ (104) и встроены в теплоотвод (101), а вентилятор (110) размещен на теплоотводе (101). Осветительное устройство содержит по меньшей мере один источник (106) света, установленный в теплорегулирующем устройстве (100). 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 9 ил.

Группа изобретений может быть использована в индикаторах, осветительных приборах, дисплеях, источниках света для подсветки жидкокристаллических дисплеев. Светоизлучающее устройство согласно изобретению содержит основание и электропроводящие компоненты, размещенные на основании, светоизлучающий элемент, имеющий полупроводниковый слой и прозрачную подложку; отражающий компонент, не покрывающий по меньшей мере часть боковых поверхностей и верхнюю поверхность прозрачной подложки и покрывающий боковые поверхности полупроводникового слоя; и светопропускающий компонент, покрывающий часть прозрачной подложки, не покрытую отражающим компонентом при этом светоизлучающий элемент закреплен на электропроводящих компонентах, причем на поверхности этих электропроводящих компонентов, по меньшей мере часть поверхности электропроводящих компонентов, на которой не закреплен светоизлучающий элемент, покрыта изолирующим заполнителем толщиной в 5 мкм или больше, который является отражающим компонентом, а светопропускающий компонент покрывает светоизлучающий элемент. Изобретение обеспечивает возможность эффективного вывода света вовне и высокую надежность устройства, а также уменьшить износ компонентов, составляющих устройство. 3 н. и 39 з.п. ф-лы, 32 ил.

Группа изобретений относится к светоизлучающему устройству (2), содержащему источник (10) первичного света, светопреобразующую среду (14) и оптическую структуру (16). Источник первичного света располагается на подложке (11). Светопреобразующая среда, содержащая фосфоры (14), предназначена для преобразования, по меньшей мере, части первичного света во вторичный свет (II) другой длины. Светопреобразующая среда образует дистанционную фосфорную конфигурацию. Оптическая структура предназначена для приема части вторичного света (II) из светопреобразующей среды и приспособлена для перенаправления части вторичного света по направлению к первой плоскости, но от источника (10) первичного света. Оптическая структура (16) содержит множество поверхностей (17), которые ориентированы так, что часть вторичного света, перенаправляемого по направлению к первой плоскости, задает область, по меньшей мере, частично окружающую источник первичного света. Благодаря обеспечению оптической структуры, перенаправляющей вторичный свет от источника первичного света, можно существенно снизить или устранить поглощение вторичного света источником первичного света и, кроме того, световую эффективность можно повысить, перенаправляя этот вторичный свет в таком направлении, чтобы он передавался от светоизлучающего устройства. 3 н. и 10 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к области светотехники. Техническим результатом является достижение однородности излучаемого света и повышение эффективности освещения. Осветительное устройство (10) содержит светоизлучающий диод (20), передающее основание (50), включающее люминесцентный материал (51), и просвечивающее выходное окно (60). Просвечивающее выходное окно (60) расположено на значительном расстоянии от СИД (20). Расстояние между люминесцентным материалом (51) и СИД (20) рЛС больше чем 0 мм, и расстояние между люминесцентным материалом (51) и выходным окном (60) рЛО также больше чем 0 мм. Просвечивающее выходное окно (60) имеет входную грань (63) с площадью (AEW1) выходного окна входной грани, а передающее основание (50) имеет входную грань с площадью (ASI) передающего основания входной грани. Выходное окно (60) и передающее основание (50) имеют отношение площадей поверхности AEW1/ASI≥2. 2 н. и 22 з.п. ф-лы, 9 ил.

Изобретение относится к люминесцентным материалам - конвертерам вакуумного ультрафиолетового излучения в излучение видимого диапазона, выполненным в виде аморфной пленки оксида кремния SiOX на кремниевой подложке, предназначенным для создания функциональных элементов фотонных приборов нового поколения, а также для контроля жесткого ультрафиолетового излучения в вакуумных технологических процессах. Толщина аморфной пленки оксида кремния SiOX конвертера составляет 20÷70 нм. Содержание ионов кислорода в упомянутой пленке соответствует количеству, при котором стехиометрический коэффициент Х находится в пределах от 2,01 до 2,45. Увеличиваются интенсивности красного излучения конвертера, а также обеспечивается красное свечение при сохранении конверсии вакуумного ультрафиолетового излучения в видимое. 6 ил., 1 табл., 4 пр.

Изобретение относится к люминесцентному преобразователю (10, 12) для усиленного люминофором источника (100, 102, 104) света. Люминесцентный преобразователь содержит первый люминесцентный материал (20), выполненный с возможностью поглощения по меньшей мере части возбуждающего света (hv0), эмитируемого излучателем (40, 42) света усиленного люминофором источника света, и преобразования по меньшей мере части поглощенного возбуждающего света в первый эмитируемый свет (hv1), содержащий длину волны большей величины по сравнению с возбуждающим светом. Люминесцентный преобразователь также содержит второй люминесцентный материал (30), содержащий органический люминесцентный материал (30) и выполненный с возможностью поглощения по меньшей мере части первого испускаемого света, эмитируемого первым люминесцентным материалом, и преобразования по меньшей мере части поглощенного первого эмитируемого света во второй эмитируемый свет (hv2), имеющий длину волны большей величины по сравнению с первым эмитируемым светом. Действие люминесцентного преобразователя в соответствии с изобретением заключается в том, что двухступенчатое преобразование света в соответствии с изобретением создает сравнительно небольшой стоксовый сдвиг света, эмитируемого органическим люминесцентным материалом. Технический результат - повышение эффективности преобразования. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к полупроводниковым нитридным наногетероструктурам и может быть использовано для изготовления светодиодов ультрафиолетового диапазона с длинами волн в диапазоне 260-380 нм. Ультрафиолетовый светодиод на нитридных гетероструктурах включает металлические электроды p-типа, нитридный слой p-типа, III-нитридную активную область, III-нитридный слой n-типа, сапфировую подложку с текстурированной полуполярной или неполярной поверхностью III-нитридного слоя. При этом текстурированная поверхность полуполярной или неполярной плоскости III-нитридного слоя выполнена в виде щетки нанотрубок, размеры которых и расстояние между которыми сравнимы с длиной волны излучения. Изобретение позволяет увеличить внешний квантовый выход устройства за счет создания текстурированной поверхности с увеличенным выводом излучения такого типа, чтобы она позволяла выводить большой световой поток, не внося при этом нежелательную поляризацию, значительно уменьшить внутреннее отражение, улучшить эффективность рекомбинации носителей. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

Использование: для изготовления органических светоизлучающих диодов. Сущность изобретения заключается в том, что светоизлучающий диод содержит прозрачную или частично прозрачную подложку с нанесенной на нее слоистой структурой, содержащей по меньшей мере один органический электролюминесцентный слой и транспортные подслои из органических веществ n- и p-типов проводимости, расположенных на границах электролюминесцентный слой - контактный слой. Органическая слоистая структура заключена между нижним катодом, на поверхности которого сформирована система микроострий, и верхним, анодом, выполненным из пленки ITO также со сформированной системой микроострий. Технический результат: обеспечение возможности повышения уровня и равномерности инжекции носителей, реализации изделия, отвечающего требованиям по яркости свечения и рабочим характеристикам, не усложняя технологию и обеспечение возможности использования легкодоступных металлов. 1 ил.
Наверх