Способ формирования наноразмерных структур



Способ формирования наноразмерных структур
Способ формирования наноразмерных структур
Способ формирования наноразмерных структур
Способ формирования наноразмерных структур
Способ формирования наноразмерных структур

 


Владельцы патента RU 2529458:

Общество с ограниченной ответственностью "СНОТРА" (RU)

Способ формирования наноразмерных структур предназначен для получения полосок тонких пленок наноразмерной ширины с целью их исследования и формирования элементов наноэлектромеханических систем (НЭМС).

Сущность изобретения заключается в том, что в способе формирования наноразмерных структур, включающем получение заготовок тонких пленок и выделение из них полосок тонких пленок, по меньшей мере, одну заготовку тонкой пленки закрепляют внутри заполненного объема, который устанавливают в держатель микротома таким образом, чтобы плоскость заготовки тонкой пленки оказалась непараллельна плоскости реза, после этого ножом осуществляют рез заполненного объема с, по меньшей мере, одной заготовкой тонкой пленки и получение плоского фрагмента с полоской тонкой пленки.

Существуют варианты, в которых заполненный объем устанавливают в держателе микротома таким образом, чтобы плоскость заготовки тонкой пленки оказалась перпендикулярна плоскости реза и перпендикулярна направлению реза; или заполненный объем устанавливают в держателе микротома таким образом, чтобы плоскость заготовки тонкой пленки оказалась перпендикулярна плоскости реза и параллельна направлению реза.

Существуют также варианты, в которых после осуществления реза проводят исследование зондом сканирующего зондового микроскопа поверхности заполненного объема с, по меньшей мере, одной заготовкой тонкой пленки; или производят модификацию заготовки тонкой пленки, расположенной внутри заполненного объема.

Существуют также варианты, в которых модификация заготовки тонкой пленки заключается в механическом воздействии на нее зондом; или в электрическом воздействии на нее зондом; или в электрохимическом воздействии на нее зондом; или в воздействии на нее электронным пучком; или в воздействии на нее ионным пучком; или в воздействии на нее рентгеновским пучком; или в воздействии на нее пучком альфа-частиц; или в воздействии на нее пучком протонов; или в воздействии на нее пучком нейтронов.

Существует также вариант, в котором внутри заполненного объема закрепляют набор заготовок тонких пленок; при этом заготовки тонких пленок расположены параллельно друг другу.

Существует также вариант, в котором в качестве тонких пленок используется графен.

Все перечисленные варианты способа расширяют его функциональные возможности. 16 з.п. ф-лы, 5 ил.

 

Способ формирования наноразмерных структур предназначен для получения полосок тонких пленок наноразмерной ширины с целью их исследования и, например, для формирования элементов наноэлектромеханических систем (НЭМС).

Известен способ формирования полосок графена, включающий получение заготовок тонких пленок графена и выделение из них полосок графена фокусированным ионным пучком [1].

Недостаток указанного способа заключается в его сложности, связанной с использованием ионно-лучевого оборудования и, соответственно, ограниченными функциональными возможностями.

Технический результат предложенного способа заключается в упрощении получения наноразмерных структур и расширении функциональных возможностей.

Указанный технический результат достигается тем, что в способе формирования наноразмерных структур, включающем получение заготовок тонких пленок и выделение из них полосок тонких пленок, по меньшей мере, одну заготовку тонкой пленки закрепляют внутри заполненного объема, который устанавливают в держатель микротома таким образом, чтобы плоскость заготовки тонкой пленки оказалась непараллельна плоскости реза, после этого ножом осуществляют рез заполненного объема с, по меньшей мере, одной заготовкой тонкой пленки и получение плоского фрагмента с полоской тонкой пленки.

Существуют варианты, в которых заполненный объем устанавливают в держателе микротома таким образом, чтобы плоскость заготовки тонкой пленки оказалась перпендикулярна плоскости реза и перпендикулярна направлению реза; или заполненный объем устанавливают в держателе микротома таким образом, чтобы плоскость заготовки тонкой пленки оказалась перпендикулярна плоскости реза и параллельна направлению реза.

Существуют также варианты, в которых после осуществления реза проводят исследование зондом сканирующего зондового микроскопа поверхности заполненного объема с, по меньшей мере, одной заготовкой тонкой пленки; или производят модификацию заготовки тонкой пленки, расположенной внутри заполненного объема.

Существуют также варианты, в которых модификация заготовки тонкой пленки заключается в механическом воздействии на нее зондом; или в электрическом воздействии на нее зондом; или в электрохимическом воздействии на нее зондом; или в воздействии на нее электронным пучком; или в воздействии на нее ионным пучком; или в воздействии на нее рентгеновским пучком; или в воздействии на нее пучком альфа-частиц; или в воздействии на нее пучком протонов; или в воздействии на нее пучком нейтронов.

Существует также вариант, в котором внутри заполненного объема закрепляют набор заготовок тонких пленок; при этом заготовки тонких пленок расположены параллельно друг другу.

Существует также вариант, в котором в качестве тонких пленок используется графен.

На фиг.1 изображен микротом, совмещенный со сканирующим зондовым микроскопом, вид сбоку.

На фиг.2 изображен вид А по фиг.1.

На фиг.3 изображен вариант расположения заготовки тонкой пленки перпендикулярно направлению реза.

На фиг.4 изображен вариант расположения заготовки тонкой пленки параллельно направлению реза.

На фиг.5 изображен вариант расположения набора заготовок тонких пленок.

Способ формирования наноразмерных структур реализуется следующим образом. Вначале идут подготовительные операции. Получение заготовок тонких пленок, например графеновых, в одном из вариантов осуществляют путем послойного утонения графита, см., например, в [2, 3]. После этого, по меньшей мере, одну заготовку такой тонкой пленки закрепляют внутри заполненного объема, который может представлять собой объем, из эпоксидной смолы. Этот процесс может происходить следующим образом. Емкость цилиндрической или прямоугольной формы (не показана) частично заполняют эпоксидной смолой в жидком состоянии, после чего на поверхность эпоксидной смолы помещают заготовку тонкой пленки. Емкость может быть выполнена из полиэтилена высокой плотности. После затвердевания объема эпоксидной смолы емкость еще раз заполняют эпоксидной смолой в жидком состоянии, так что заготовка тонкой пленки оказывается внутри объема, заполненного эпоксидной смолой, после чего происходит ее отвердевание. Затем затвердевший заполненный объем эпоксидной смолы высвобождают из емкости.

После этого идут основные технологические операции. Заполненный объем 1 (фиг.1, фиг.2) устанавливают в держатель 2 микротома 3, включающего модуль перемещения 4, установленный на платформе 5, таким образом, чтобы плоскость 6 заготовки тонкой пленки 7 оказалась непараллельна плоскости реза 8. После этого ножом 9, установленным в модуле 10, осуществляют рез заполненного объема 1 с, по меньшей мере, одной заготовкой тонкой пленки 7 и получение плоского фрагмента 11 с полоской тонкой пленки 12. Фрагмент 11 после его среза может падать в ванночку 13. В частном случае она может быть заполнена жидкостью, например водой. Подробнее выполнение микротома 3 и его работу см. в [4, 5].

Существует вариант, в котором заполненный объем 14 (фиг.3) устанавливают в держатель 2 микротома 3 таким образом, чтобы плоскость 15 заготовки тонкой пленки 16 оказалась перпендикулярна плоскости реза 8 и перпендикулярна направлению реза 17.

Существует также вариант, в котором заполненный объем 20 (фиг.4) устанавливают в держателе 2 микротома 3 таким образом, чтобы плоскость 21 заготовки тонкой пленки 22 оказалась перпендикулярна плоскости реза 8 и параллельна направлению реза 17.

Существует также вариант, в котором после осуществления реза проводят исследование зондом 25 (фиг.1) сканирующего зондового микроскопа (СЗМ) 26 поверхности 27 заполненного объема 1 с, по меньшей мере, одной заготовкой тонкой пленки 7, оставшейся в объеме 1. Это исследование проводят после подвода зонда 25 к поверхности 27, используя устройство грубого сближения 28. Подробнее выполнение СЗМ, а также его в составе микротома см. в [6, 7].

Существует также вариант, в котором производят модификацию заготовки тонкой пленки 7, расположенной внутри заполненного объема.

Модификация заготовки тонкой пленки 7 в одном из вариантов заключается в механическом воздействии на нее зондом 25; или в электрическом воздействии на нее зондом 25; или в электрохимическом воздействии на нее зондом 25. Эти воздействия могут осуществляться следующим образом. Для механического воздействия на заготовку тонкой пленки 7 зонд 25 подводят к выбранной зоне заготовки тонкой пленки 7 на поверхности 27, после чего к этой зоне зондом 25 прикладывается усилие, контролируемое с помощью сканирующего зондового микроскопа 26. Для электрического и электрохимического воздействия, в случае если заготовка тонкой пленки 7 является электропроводящей, к ней внутри заполненного объема 1 присоединяют электрический проводник (не показан), который соединяет ее с управляющим блоком (не показан) сканирующего зондового микроскопа 26. Зонд 25 выполняют из электропроводящего материала, например платины, или покрывают слоем электропроводящего материала, например платины или золота, и также соединяют электрически с управляющим блоком сканирующего зондового микроскопа 26. После чего зонд 25 подводят к выбранной зоне заготовки тонкой пленки 7 на поверхности 27 и между зондом 25 и заготовкой тонкой пленки 7 прикладывают электрическое напряжение в диапазоне, контролируемое с помощью сканирующего зондового микроскопа 26.

При этом для электрохимического воздействия на заготовку тонкой пленки 7 зона взаимодействия заготовки тонкой пленки 7 с зондом 25 может помещаться в условия контролируемой атмосферы или влажности, например в воздушную атмосферу с уровнем относительной влажности 20% при комнатной температуре. Для этого микротом 3 и сканирующий зондовый микроскоп 26 могут помещаться в герметичную камеру, заполненную определенным газом, например воздухом. Подробнее эти воздействия и режимы работы описаны в [8, 9, 10, 11].

В других вариантах воздействие на заготовку тонкой пленки 7 может осуществляться пучком заряженных частиц, например электронным пучком; или ионным пучком; или пучком альфа-частиц; или пучком протонов; а также рентгеновским пучком или пучком нейтронов. Эти воздействия могут осуществляться следующим образом. После осуществления реза выбранная зона поверхности 27 заполненного объема 1 с, по меньшей мере, одной заготовкой тонкой пленки 7, оставшейся в объеме 1, подвергается воздействию пучка заряженных частиц заданной интенсивности и длительности, создаваемого источником заряженных частиц. В качестве источника заряженных частиц может быть использован источник электронов, или источник ионов, или радионуклидный источник альфа-частиц, или источник протонов. Также воздействие на выбранную зону заготовки тонкой пленки 7 на поверхности 27 может осуществляться пучком рентгеновского излучения заданной интенсивности и длительности, или пучка нейтронов заданной интенсивности и длительности, для чего может быть использован источник рентгеновского излучения или источник нейтронов. Минимальные размеры зоны воздействия пучка заряженных частиц, рентгеновского излучения или нейтронов на заготовку тонкой пленки 7 определяются возможностями фокусировки пучков соответствующих источников.

Подробнее эти источники и воздействия описаны в [12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19]. Источники этих воздействий на фиг.1, 2 не показаны. В случае малогабаритных источников (например, альфа-частиц) такие источники могут быть размещены на модуле 26. Если источник имеет крупные габариты, например синхротронный источник рентгеновского излучения, то модуль 3 может быть расположен напротив окна вывода рентгеновского излучения в вакуумной камере. Ванночка 13 в этом случае может быть снята с модуля 10. В результате всех описанных воздействий на заготовку 7 в полоске тонкой пленки 12 (наноразмерной структуре) могут происходить следующие изменения: локальная аморфизация, рекристаллизация, деоксидизация, полимеризация или абляция материала в зоне воздействия пучка, а также локальная имплантация ионов. Подробнее эти изменения описаны в [20, 21, 22]. Описанные изменения могут использоваться для создания наноразмерных электронных и оптических устройств на заданных участках полоски тонкой пленки 12.

Существует также вариант, в котором внутри заполненного объема 30 (фиг.5) закрепляют набор 31 заготовок тонких пленок 32; при этом заготовки тонких пленок располагают параллельно друг другу. Это может быть осуществлено следующим образом. Емкость цилиндрической или прямоугольной формы частично заполняют эпоксидной смолой в жидком состоянии, после чего на поверхность эпоксидной смолы помещают первую заготовку тонкой пленки. Емкость может быть выполнена из полиэтилена высокой плотности. После затвердевания объема эпоксидной смолы на ее поверхность наносится слой эпоксидной смолы в жидком состоянии определенной (0.01-0.5 мм) толщины. После затвердевания слоя эпоксидной смолы на его поверхность помещают следующую заготовку тонкой пленки. Затем описанная процедура повторяется необходимое число раз для получения заданного набора 31 тонких пленок 32 внутри заполненного объема 30. Затем затвердевший заполненный объем 30 эпоксидной смолы с набором 31 заготовок тонких пленок 32 высвобождают из емкости.

Существуют варианты, в которых вместо тонких пленок в заполненном объеме закрепляют микропроволочки, нанотрубки и жидкие кристаллы (не показаны).

Возможны варианты, в которых плоскости заготовок тонких пленок расположены под разными углами к плоскости реза 8 и направлению реза 17 (не показаны).

Существуют также варианты, в которых полоски тонких пленок 12 (наноразмерные структуры) используют в составе плоских фрагментов 11, или после удаления плоских фрагментов 11. Это осуществляют следующим образом. Плоский фрагмент 11 помещают в ацетон, растворяют эпоксидную смолу и освобождают фрагменты 11. В обоих случаях помимо исследовательских работ наноразмерные структуры могут быть использованы в гибридных МЕМС, наномашинах в качестве соединителей, проводников, активных наноразмерных электронных и оптических элементов.

В качестве заготовок тонких пленок и соответственно полосок тонких пленок 12 может быть использован графен, оксид графена, а также другие материалы, например, полиимидные или жидкокристаллические пленки.

То, что, по меньшей мере, одну заготовку тонкой пленки закрепляют внутри заполненного объема, который устанавливают в держатель микротома таким образом, чтобы плоскость заготовки тонкой пленки оказалась не параллельна плоскости реза, после этого ножом осуществляют рез заполненного объема с, по меньшей мере, одной заготовкой тонкой пленки и получение плоского фрагмента с полоской тонкой пленки - упрощает формирование наноразмерных структур, а также расширяет функциональные возможности способа за счет выбора их толщины, согласно толщине среза и более широкой номенклатуры материалов.

То, что заполненный объем устанавливают в держателе микротома таким образом, чтобы плоскость заготовки тонкой пленки оказалась перпендикулярна плоскости реза и перпендикулярна направлению реза; или заполненный объем устанавливают в держателе микротома таким образом, чтобы плоскость заготовки тонкой пленки оказалась перпендикулярна плоскости реза и параллельна направлению реза, расширяет функциональные возможности способа за счет возможности работы с более широкой номенклатурой материалов, имеющих различные механические характеристики.

То, что после осуществления реза проводят исследование зондом сканирующего зондового микроскопа поверхности заполненного объема с, по меньшей мере, одной заготовкой тонкой пленки; или производят различные виды модификаций заготовки тонкой пленки, расположенной внутри заполненного объема, расширяет функциональные возможности способа за счет получения новых характеристик наноразмерных структур.

То, что внутри заполненного объема закрепляют набор заготовок тонких пленок, увеличивает производительность способа.

Литература

1. Д. Левин, В. Неволин, К. Царик. Формирование наноразмерных графеновых структур фокусированным ионным пучком // Наноиндустрия. 2011. №5.

2. Патент RU 2413330, 2011.

3. S. Park et al. Nature Nanotech. 4, 217 (2009).

4. Патент RU 2239490, 2003.

5. Патент RU 2282257, 2003.

6. Патент RU 2389032, 2010.

7. Патент RU 2401983, 2010.

8. V.A. Bykov. Langmuir-Blodgett films and nanotechnology. Biosensor & Bioelectronics Vol.11, No.9, pp.923-932, 1996.

9. S. Lemeshko, S.Gavrilov, V. Shevyakov, V. Roschin and R. Solomatenko, Investigation of tip-induced ultrathin Ti film oxidation kinetics, Nanotechnology 12, 273 (2001).

10. В. Irmer, R.H. Blick, F. Simmel, W. Godel, H. Lorenz, and J.P. Kotthaus, Josephson junctions denned by a nanoplough, Appl. Phys. Lett., Vol.73, 2051 (1998).

11. Gavrilov S, Bykov V., Lemeshko S.V, Saunin S.A., Shevyakov V.I., Roschin V.M. The factors influence investigation on a tip-induced oxidation process and its applications for nanoscale image creation. (2003) AIP Conference Proceedings 696 (1) 594-601.

12. Ivo Utke, Stanislav Moshkalev, Phillip Russell, Nanofabrication Using Focused Ion and Electron Beams: Principles and Applications: Principles and Applications, Oxford University Press, 2012 - Всего страниц: 840.

13. lan G. Brown, The Physics and Technology of Ion Sources John Wiley & Sons, 21.04.2006 - Всего страниц: 396.

14. Jon Orloff, Lynwood Swanson, Mark William Utiaut, High Resolution Focused Ion Beams: Fib and Its Applications: The Physics of Liquid Metal Ion Sources and Ion Optics and Their Application to Focused Ion Beam Technology, Springer, 2003 - Всего страниц: 303.

15. Gerhart Lowenthal, Peter Airey Practical Applications of Radioactivity and Nuclear Radiations Cambridge University Press, 2001.

16. Егоров Е.В., Егоров В.К. Практическая реализация повышения светосилы плоских рентгеновских волноводов-резонаторов // Поверхность. 2009. №1, с.1-9.

17. Тюфяков Н.Д., Штань А.С.Основы нейтронной радиографии 1975. 256 с.

18. Гуревич И.И, Тарасов Л.В. Физика нейтронов низких энергий, Москва, «Наука», 1965.

19. Paul Reuss, Neutron Physics L′Editeur: EDP Sciences, 2008.

20. Jiangtao Chen, Guangan Zhang, Baomin Luo, Dongfei Sun, Xingbin Yan, Qunji Xue, Surface amorphization and deoxygenation of graphene oxide paper byTi ion implantation, CARBON 49 (2011) 3141-3147.

21. D. Teweldebrhan and A.A. Balandin, Modification of graphene properties due to electron-beam irradiation, Appl. Phys. Lett. 94, 013101 (2009).

22. Hiroaki Abe, Hiroshi Naramoto and Chiken Kinoshita. Amorphization of Graphite Under Ion or Electron Irradiation. MRS Proceedings, 373, 383 (1994).

1. Способ формирования наноразмерных структур, включающий получение заготовок тонких пленок и выделение из них полосок тонких пленок, отличающийся тем, что, по меньшей мере, одну заготовку тонкой пленки закрепляют внутри заполненного объема, который устанавливают в держатель микротома таким образом, чтобы плоскость, по меньшей мере, одной заготовки тонкой пленки оказалась не параллельна плоскости реза, после этого ножом осуществляют рез заполненного объема с, по меньшей мере, одной заготовкой тонкой пленки и получение плоского фрагмента с, по меньшей мере, одной полоской тонкой пленки.

2. Способ формирования наноразмерных структур по п.1, отличающийся тем, что заполненный объем устанавливают в держателе микротома таким образом, чтобы плоскость, по меньшей мере, одной заготовки тонкой пленки оказалась перпендикулярна плоскости реза и перпендикулярна направлению реза.

3. Способ формирования наноразмерных структур по п.1, отличающийся тем, что заполненный объем устанавливают в держателе микротома таким образом, чтобы плоскость, по меньшей мере, одной заготовки тонкой пленки оказалась перпендикулярна плоскости реза и параллельна направлению реза.

4. Способ формирования наноразмерных структур по п.1, отличающийся тем, что после осуществления реза проводят исследование зондом сканирующего зондового микроскопа поверхности заполненного объема с, по меньшей мере, одной заготовкой тонкой пленки.

5. Способ формирования наноразмерных структур по п.1, отличающийся тем, что после осуществления реза производят модификацию, по меньшей мере, одной заготовки тонкой пленки, расположенной внутри заполненного объема.

6. Способ формирования наноразмерных структур по п.5, отличающийся тем, что модификация заготовки тонкой пленки заключается в механическом воздействии на нее зондом.

7. Способ формирования наноразмерных структур по п.5, отличающийся тем, что модификация, по меньшей мере, одной заготовки тонкой пленки заключается в электрическом воздействии на нее зондом.

8. Способ формирования наноразмерных структур по п.5, отличающийся тем, что модификация, по меньшей мере, одной заготовки тонкой пленки заключается в электрохимическом воздействии на нее зондом.

9. Способ формирования наноразмерных структур по п.5, отличающийся тем, что модификация, по меньшей мере, одной заготовки тонкой пленки заключается в воздействии на нее электронным пучком.

10. Способ формирования наноразмерных структур по п.5, отличающийся тем, что модификация, по меньшей мере, одной заготовки тонкой тонкой пленки заключается в воздействии на нее ионным пучком.

11. Способ формирования наноразмерных структур по п.5, отличающийся тем, что модификация, по меньшей мере, одной заготовки тонкой пленки заключается в воздействии на нее рентгеновским пучком.

12. Способ формирования наноразмерных структур по п.5, отличающийся тем, что модификация, по меньшей мере, одной заготовки тонкой пленки заключается в воздействии на нее пучком альфа-частиц.

13. Способ формирования наноразмерных структур по п.5, отличающийся тем, что модификация, по меньшей мере, одной заготовки тонкой пленки заключается в воздействии на нее пучком протонов.

14. Способ формирования наноразмерных структур по п.5, отличающийся тем, что модификация, по меньшей мере, одной заготовки тонкой пленки заключается в воздействии на нее пучком нейтронов.

15. Способ формирования наноразмерных структур по п.1, отличающийся тем, что внутри заполненного объема закрепляют набор заготовок тонких пленок.

16. Способ формирования наноразмерных структур по п.15, отличающийся тем, что заготовки тонких пленок расположены параллельно друг другу.

17. Способ формирования наноразмерных структур по п.1, отличающийся тем, что в качестве тонких пленок используется графен.



 

Похожие патенты:

Использование: для замкнутого цикла производства новых изделий наноэлектроники. Сущность изобретения заключается в том, что в нанотехнологический комплекс на основе ионных и зондовых технологий, включающий распределительную камеру со средствами откачки, в которой расположен центральный робот распределитель с возможностью осевого вращения, содержащий захват носителей подложек, при этом распределительная камера содержит фланцы, которыми она соединена с камерой загрузки и модулем ионной имплантации, захват носителей подложек имеет возможность взаимодействия с камерой загрузки и модулем ионной имплантации, введен измерительный модуль, включающий сканирующий зондовый микроскоп и модуль ионных пучков с системой газовых инжекторов, при этом они соединены с фланцами распределительной камеры и имеют возможность взаимодействия с захватом носителей подложек.

Способ получения слоистого наноматериала, включающий формирование слоев различного состава, отличается тем, что, по крайней мере, одну из граничащих друг с другом областей соседних слоев, в пределах ее толщины, по меньшей мере, равной трем монослоям, формируют из неоднородных по структуре элементов, которые хотя бы в одном направлении имеют размеры, кратные периоду решетки соседнего слоя и/или четверти длины волны своих валентных электронов.

Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано для получения слоев карбида кремния при изготовлении микроэлектромеханических устройств, фотопреобразователей с широкозонным окном 3С-SiC, ИК-микроизлучателей.

Изобретение относится к области нанотехнологий, а именно к способам создания эпитаксиальных медных структур на поверхности полупроводниковых подложек и может быть использовано при создании твердотельных электронных приборов.

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов. Способ изготовления изделий, содержащих кремниевую подложку с пленкой карбида кремния на ее поверхности, осуществляется в газопроницаемой камере, размещенной в реакторе, в который подают смесь газов, включающую оксид углерода и кремнийсодержащий газ, при этом давление в реакторе 20-600 Па, температура 950-1400°C.

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано при создании полупроводниковых приборов. Изобретение позволяет упростить технологию получения применением одной поликристаллической мишени, улучшить качество пленок за счет высокой адгезии.

Группа изобретений относится к полупроводниковым материалам. Способ (вариант 1) включает обеспечение реакционной камеры, обеспечение полупроводниковой подложки, обеспечение прекурсорного газа или газов, выполнение эпитаксиального CVD выращивания легированного полупроводникового материала на подложке в реакционной камере для формирования первого слоя, продувку реакционной камеры газовой смесью, включающей водород и газ, содержащий галоген, с обеспечением уменьшения эффекта памяти легирующей примеси без удаления сопутствующего осажденного слоя из зоны реакции и выполнение эпитаксиального CVD выращивания легированного полупроводникового материала на указанной подложке в реакционной камере для формирования второго слоя.

Изобретение относится к электронной технике, в частности к устройствам для получения многослойных полупроводниковых гетероструктур. Устройство содержит корпус 1 с крышкой 2, контейнер 3 с емкостями для исходных расплавов, снабженный поршнями 4, многосекционный держатель 14 подложек, камеру роста 5 и каналы для подачи и вывода расплавов.

Изобретение относится к технологии полупроводниковых структур для приборов электронной техники. Изобретение обеспечивает возможность прецизионного варьирования в широких пределах концентрацией легирующей примеси в выращиваемой структуре путем изменения температуры и агрегатного состояния источника примеси из напыляемого легированного материала.

Изобретение относится к области нанотехнологии и может быть использовано для получения атомно-тонких монокристаллических пленок различных слоистых материалов. Сущность изобретения заключается в том, что способ получения атомно-тонких монокристаллических пленок включает фиксацию исходных слоистых монокристаллов на подложке с помощью адгезионного слоя, последовательное отщепление от них слоистых фрагментов до получения тонкого полупрозрачного слоя, плазменное травление этого слоя, используя ионный поток с энергией, изменяемой в процессе травления, при контроле толщины слоя в процессе травления, и удаление адгезионного слоя путем растворения в органическом растворителе до или после процесса травления.

Изобретение используется для определения усиления локального электростатического поля и работы выхода в нано- или микроструктурных эмиттерах. Сущность изобретения заключается в том, что измеряют темновую зависимость туннельного эмиссионного тока при увеличении напряжения на аноде и определяют значение напряжения V∞, облучают измеряемую поверхность эмиттера лазерным пучком ультрафиолетового или видимого диапазона с фиксированным значением оптической мощности и длины волны λ1, измеряют значение туннельного фотоэмиссионного тока при увеличении напряжения на аноде и фиксируют значение напряжения V∞ λ1, определяют значение работы выхода А и значение усиления локального электростатического поля β в пространственной области облучения эмиттера из данного соотношения или дополнительно облучают измеряемую поверхность эмиттера лазерным пучком на другой длине волны λ2 ультрафиолетового или видимого диапазона с максимальной разницей относительно первой длины волны, определяют значение напряжения V∞λ2 и определяют значение усиления локального электростатического поля в пространственной области облучения эмиттера и значение работы выхода А из данного соотношения.
Изобретение относится к светотехнике, а именно изготовлению светоизлучающих полупроводниковых приборов на подложке из аморфного минерального стекла. Стекловидная композиция на основе минерального стекла, содержащего окислы элементов II, и/или III, и/или IV группы периодической системы, отличается тем, что поверхность стекла покрыта выращенным слоем электропроводящего и светоизлучающего полупроводникового соединения типа A2B5, и/или A2B6, и/или А3В5, и/или А4В6.

Изобретение относится к газовым микрокриогенным машинам, а именно к регенеративным теплообменникам. В комбинированном регенеративном теплообменнике, включающем теплоизоляционный корпус, насадку, находящуюся внутри корпуса, насадка состоит из двух частей: со стороны "теплого" конца регенеративного теплообменника насадка выполнена из плетеной металлической сетки, со стороны "холодного" конца регенеративного теплообменника заполнена свинцовыми наношариками, между частями насадки установлена защитная сетка, предотвращающая проникновение свинцовых наношариков в область плетеной металлической сетки.

Изобретение относится к технологии наноматериалов и наноструктур и может применяться для получения тонкопленочных полимерных материалов и покрытий, используемых как в сенсорных, аналитических, диагностических и других устройствах, так и при создании защитных диэлектрических покрытий.

Изобретение относится к нанотехнологии, а именно к материалу и способу получения сферических конгломератов, содержащих наноразмерные частицы (НРЧ) металла, в частности меди, в оболочке из другого вещества или органического полимера.

Изобретение относится к области гигиены, санитарии и медицины, в частности, к способам лабораторной диагностики содержания нанодисперсных частиц диоксида кремния в организме работающих, к факторам риска в воздухе рабочей зоны которых относится диоксид кремния, и может быть использован для обоснования санитарно-гигиенических мероприятий по предупреждению и устранению воздействия нанодисперсных соединений.

Изобретение может быть использовано при получении материалов для электронной промышленности, в частности для литий-ионных аккумуляторов. Способ получения титаната лития включает получение смеси, содержащей соединения титана и лития, и термообработку полученной смеси с последующим обжигом продукта термообработки.

Способ получения слоистого наноматериала, включающий формирование слоев различного состава, отличается тем, что, по крайней мере, одну из граничащих друг с другом областей соседних слоев, в пределах ее толщины, по меньшей мере, равной трем монослоям, формируют из неоднородных по структуре элементов, которые хотя бы в одном направлении имеют размеры, кратные периоду решетки соседнего слоя и/или четверти длины волны своих валентных электронов.
Изобретение относится к наноструктурному термоэлектрическому материалу. Материал содержит теллурид сурьмы в виде тройного твердого раствора состава ВixSb2-xТе3, где х имеет значения от 0,4 до 0,5, и дисперсный наполнитель, выполненый из ультрадисперсного алмаза со средним размером частиц от 3 до 5 нм.

Изобретение относится к полупроводниковым нитридным наногетероструктурам и может быть использовано для изготовления светодиодов ультрафиолетового диапазона с длинами волн в диапазоне 260-380 нм.

Изобретение относится к области оценки свойств дисперсных материалов и может быть использовано для разработки энергетических нанотехнологий в разных отраслях промышленности и областях знаний, а также для разработки и управления самоорганизующихся систем, открывает возможности для изучения новых принципов построения технических устройств. Для установления дальности перемещения движущихся объектов, направления их перемещения, определения количества и размеров частиц в секторах ограничительной окружности используют объект-препарат из бумаги с нанесенной на нее ограничительной линией шириной 5-6 мм в виде окружности с помеченным центром, направлением расположения видеокамеры и разбитой на сектора тонкими линиями окружности из гидрофобного материала. При этом в помеченном центре ограничительной окружности размещают шаблон, в который помещают дисперсный материал. Затем в ограничительную окружность вносят изучаемую жидкость в количестве, обеспечивающем толщину слоя жидкости над изучаемым материалом. Далее подводят его к центру капилляр на высоте 1-6 мм, содержащий поверхностно-активное вещество, включают видеокамеру на фиксирование изменений поверхности. После завершения процесса перемещения самоорганизующихся объектов на поверхности изучаемого материала видеокамеру отключают, пластину с объектом-препаратом и изучаемым материалом внутри шаблона оставляют высыхать, не сливая воду с поверхности объекта-препарата. Затем с помощью микроскопа определяют в каждом секторе количество частиц и их размеры возле ограничительной окружности, по которым определяют, в каком направлении объекты преимущественно перемещались и примерный состав движущихся объектов. Техническим результатом является обеспечение возможности установления дальности перемещения движущихся объектов, направления их перемещения, определения количества и размеров частиц в секторах ограничительной окружности. 9 ил., 4 пр.
Наверх