Способ электрохимической рентгеновской бесконтактной литографии



Способ электрохимической рентгеновской бесконтактной литографии
Способ электрохимической рентгеновской бесконтактной литографии
Способ электрохимической рентгеновской бесконтактной литографии
Способ электрохимической рентгеновской бесконтактной литографии
Способ электрохимической рентгеновской бесконтактной литографии

Владельцы патента RU 2529592:

Общество с ограниченной ответственностью "Фабрика Новых Материалов" (RU)

Изобретение относится к области нанотехнологии, описывает способ электрохимического структурирования поверхности материалов и может быть использовано при изготовлении элементов микроэлектроники, однослойных и многослойных печатных плат, оптических элементов, а также других тонкопленочных структур. Сущность изобретения заключается в проведении гальванической обработки материала при одновременном облучении поверхности рабочего электрода рентгеновским излучением. Технический результат - возможность локального (с точностью до 10 нм) ускорения/замедления процессов, протекающих на интерфейсе электрод/электролит. 8 з.п. ф-лы, 5 ил.

 

Изобретение относится к области нанотехнологии, описывает способ электрохимического структурирования поверхности материалов и может быть использовано при изготовлении элементов микроэлектроники, однослойных и многослойных печатных плат, оптических элементов, а также других тонкопленочных структур.

Способ электрохимической рентгеновской бесконтактной литографии заключается в проведении гальванической обработки при одновременном облучении поверхности рабочего электрода рентгеновским излучением. Задание требуемого рисунка осуществляется путем пропускания рентгеновского пучка через шаблон, установленный на некотором расстоянии перед электрохимической ячейкой. Рельеф на поверхности электрода создается за счет различных скоростей осаждения/растворения материалов в засвеченных и затененных областях.

Технический результат изобретения заключается в расширении возможностей гальванических методов и литографических подходов, а именно в возможности локального (с точностью до 10 нм) ускорения/замедления процессов, протекающих на интерфейсе электрод/электролит, что может быть использовано для структурирования широкого круга материалов.

Электрохимические подходы к получению металлических, полупроводниковых и диэлектрических покрытий широко применяются в науке и технике. В настоящее время гальванопластика позволяет формировать однородные покрытия на деталях различного размера и формы в промышленных масштабах. Следует отметить, что составы электролитов, используемые для формирования того или иного покрытия, оптимизированы в течение многих десятков лет развития данного метода.

Для контролируемой модификации лишь части поверхности электрода используют методы темплатного электроосаждения (растворения). В этом случае непосредственно на поверхность электрода наносят маску требуемой формы. Неэкранированные участки, на которых в дальнейшем протекает электрохимический процесс, могут быть как макроскопического, так и нанометрового масштабов.

Основными достоинствами гальванопластики с применением шаблонов, формирующих структуру покрытия, являются:

- возможность кулонометрического контроля количества осажденного/растворенного вещества;

- точное копирование структуры нанесенной на поверхность электрода маски;

- возможность создания требуемого рисунка с точностью до нескольких нанометров (зависит лишь от разрешения при нанесении маски);

- проведение синтеза при комнатной температуре, что исключает растрескивание образцов вследствие термической усадки.

К недостаткам электрохимического подхода можно отнести:

- необходимость электрического контакта;

- необходимость обеспечения совместимости маски (шаблона) с раствором электролита.

Известен способ селективного анодирования алюминия и его сплавов, основанный на предварительном нанесении фоторезиста на поверхность электрода [1]. Засветка фоторезиста через шаблон необходимой геометрии, его сушка и последующее проявление позволяют сформировать открытые участки поверхности электрода, на которых в дальнейшем и происходит электрохимический процесс. Недостатками данного метода являются: 1) необходимость нанесения защитного слоя на поверхность электрода, 2) большое число технологических стадий, 3) ограниченное разрешение метода, 4) необходимость обеспечения совместимости фоторезиста с раствором электролита и его устойчивость при протекании электрохимических реакций.

Известен электрохимический литографический подход, основанный на применении иглы сканирующего зондового микроскопа для создания условий для локального протекания электрохимического процесса [2]. Данный способ потенциально позволяет достичь разрешения 10 нм, однако, являясь контактной методикой, не применим для формирования требуемого рисунка на большой площади.

Существует несколько работ, посвященных протеканию электрохимических превращений под действием рентгеновского излучения [3, 4]. Их недостатком является рассмотрение процессов, протекающих в объеме электролита, в то время как способы управления скоростью осаждения/растворения материалов на интерфейсе электрод/электролит с помощью рентгеновского излучения в настоящее время отсутствуют.

Известны работы, посвященные управляемому протеканию электрохимических процессов под действием света [5, 6], которые могут использованы при разработке техники проекционной электрохимической литографии. Однако применение видимого или УФ-света существенно ограничивает предельное разрешение метода, составляющее не менее половины длины волны излучения. Данные решения выбраны в качестве прототипа настоящего изобретения.

Настоящее изобретение направлено на решение технической задачи по созданию металлических, полупроводниковых и диэлектрических покрытий с контролируемой морфологией на проводящей поверхности путем гальванической обработки с пространственным разрешением до 10 нм. При этом задание требуемого рисунка рельефа создаваемого покрытия не требует непосредственного контакта маски (шаблона) со структурируемой поверхностью.

Технический результат изобретения заключается в расширении возможностей гальванических методов и литографических подходов, а именно в возможности локального (с точностью до 10 нм) ускорения/замедления процессов, протекающих на интерфейсе электрод/электролит, что может быть использовано для структурирования широкого круга материалов.

Указанный технический результат достигается тем, что гальваническая обработка материала проводится при одновременном облучении поверхности электрода рентгеновским излучением.

Для облучения поверхности рабочего электрода используют поток рентгеновского излучения с интенсивностью более 1013 фотонов/(с*см2). Энергия фотонов рентгеновского излучения составляет более 50 эВ.

Геометрию создаваемой на поверхности электрода структуры задают распределением интенсивности рентгеновского излучения с помощью фазового, амплитудного или амплитудно-фазового шаблона (маски). Маску располагают на некотором расстоянии от структурируемой поверхности.

Рабочий электрод выступает в качестве катода (при катодном осаждении) или анода (при анодном получении покрытия). Используют потенциостатические, гальваностатические и потенциодинамические режимы осаждения/растворения.

Используют водные, органические и водно-органические электролиты.

Сущность изобретения иллюстрируется следующими рисунками.

Фиг. 1. Схема проведения электрохимической рентгеновской бесконтактной литографии.

Фиг. 2. Микрофотография кремниевой амплитудно-фазовой дифракционной решетки с периодом 4 микрона.

Фиг. 3. Распределение интенсивности рентгеновского излучения на поверхности электрода. Более светлые области соответствуют участкам с большей интенсивностью рентгеновского излучения.

Фиг. 4. Микрофотография поверхности электрода после потенциостатического осаждения никеля на изначально гладкую поверхность золотого электрода. Более светлые области соответствуют участкам с большей толщиной.

Фиг. 5. Модуляция толщины никелевого покрытия вдоль поверхности электрода (по данным локального рентгеноспектрального микроанализа).

Предлагаемый способ осуществляют следующим образом (Фиг. 1).

Для облучения поверхности рабочего электрода используют поток

рентгеновского излучения с интенсивностью более 1013 фотонов/(с*см2).

Энергия фотонов рентгеновского излучения составляет более 50 эВ.

Геометрию создаваемой на поверхности электрода структуры задают распределением интенсивности рентгеновского излучения.

Модуляцию интенсивности задают с помощью фазового, амплитудного или амплитудно-фазового шаблона (маски).

Маску располагают на некотором расстоянии от структурируемой поверхности.

Рабочий электрод выступает в качестве катода (при катодном осаждении) или анода (при анодном получении покрытия).

Используют потенциостатические, гальваностатические и потенциодинамические режимы осаждения/растворения.

Используют водные, органические и водно-органические электролиты.

Нижеследующий пример иллюстрирует сущность изобретения, но никоим образом не ограничивает область его применения.

Пример 1.

Периодически структурированную пленку никеля получают методом электрохимической рентгеновской бесконтактной литографии следующим образом.

В качестве подложки для создания периодически структурированного металлического покрытия используют монокристаллические пластины Si с нанесенным на их поверхность методом вакуумного термического напыления слоем Au толщиной 100 нм. Электроосаждение никеля проводят в трехэлектродной конфигурации (Фиг. 1). В качестве вспомогательного электрода используют платиновую проволоку, свернутую в виде кольца, и расположенную на расстоянии 3 мм от рабочего электрода (Au/Si). В качестве электрода сравнения применяют насыщенный (KCl) Ag/AgCl электрод, подсоединенный к электрохимической ячейке через капилляр Луггина. Электроосаждение проводят из водного раствора, содержащего 0,6 М NiSO4, 0,1 М NiCl2, 0,3 М H3BO3 при комнатной температуре и постоянном потенциале Е d = -0,8 В относительно электрода сравнения. Переднюю стенку электрохимической ячейки изготавливают из каптона - практически прозрачного материала для рентгеновского излучения.

Перед электрохимической ячейкой устанавливают кремниевую амплитудно-фазовую дифракционную решетку с периодом 4 микрона (Фиг. 2) на расстоянии до образца, равном половине длины Тальбо: ZT/2= d 2/λ (Фиг. 1). Здесь и далее d - периодичность дифракционной решетки, λ - длина волны рентгеновского излучения. Для создания периодического освещения электрода вдоль его поверхности (Фиг. 3), дифракционную решетку освещают пучком коллимированного рентгеновского излучения с длиной

волны 1 Å, монохроматичностью не хуже Δλ/λ ~ 10-4, характеризующегося потоком фотонов не менее 1015 фотонов/с и расходимостью менее < 0,4 мкрад.

Продолжительность выбирают в зависимости от толщины требуемого металлического покрытия. После электроосаждения образец извлекают из электрохимической ячейки и промывают деионизованной водой. Микроструктуру и толщину полученной пленки аттестуют с помощью растровой электронной микроскопии (Фиг. 4) и локального рентгеноспектрального микроанализа (Фиг. 5). Отчетливо видно, что рельеф полученной Ni пленки (Фиг. 4) в точности повторяет распределение интенсивности рентгеновского излучения на поверхности образца (Фиг. 3). На облученных участках образца толщина металлического покрытия оказывается больше. В приведенном примере дифракционная решетка располагалась на расстоянии d 2/λ от плоскости образца, что соответствует воспроизведению дифракционной решетки в плоскости образца: период между выступами металла (Фиг. 5) в точности совпадает с периодом решетки (Фиг. 2). Варьирование расстояния между маской и образцом может быть использовано с целью контроля периодичности создаваемой структуры.

Список литературы

1. D. Routkevich, US 2002/0118027 A1, 2000.

2. F.С.Simeone, С.Albonetti, M. Cavallini, J. Phys. Chem. С 2009, 113, 18987-18994.

3. Q. Ma, N. Moldovan, D.C. Mancini, R.A. Rosenberg, J. Appl. Phys. 2001, 89, 3033-3040.

4. V. Kaajakari, US, WO/2008/080004, 2008.

5. Y.V.Pleskov, Z.A.Rotenberg in Adv. Electrochem. Electrochem. Eng., Vol.11 (Eds.: H. Gerischer, C.W. Tobias), Wiley, New York, 1978, pp.1-124.

6. N.M.Alpatova, L.I.Krishtalik, Y.V.Pleskov, in Top.Curr. Chem., Vol.138 (Eds.: M. J. S. Dewar, et al.), Springer, Berlin, 1987, p.149.

1. Способ электрохимической рентгеновской бесконтактной литографии, заключающийся в проведении гальванической обработки материала при одновременном облучении поверхности рабочего электрода рентгеновским излучением.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что поток рентгеновского излучения составляет более 1013 фотонов/(с*см2).

3. Способ по п.2, отличающийся тем, что энергия фотонов рентгеновского излучения составляет более 50 эВ.

4. Способ по п.3, отличающийся тем, что геометрия создаваемой на поверхности электрода структуры определяется распределением интенсивности рентгеновского излучения.

5. Способ по п.4, отличающийся тем, что модуляция интенсивности задается с помощью фазового, амплитудного или амплитудно-фазового шаблона (маски).

6. Способ по п.5, отличающийся тем, что маску располагают на некотором расстоянии от структурируемой поверхности.

7. Способ по п.1, отличающийся тем, что рабочий электрод выступает в качестве катода или анода.

8. Способ по п.7, отличающийся тем, что используются потенциостатические, гальваностатические и потенциодинамические режимы осаждения/растворения.

9. Способ по п.7, отличающийся тем, что используются водные, органические и водно-органические электролиты.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к светочувствительной полимерной композиции, пригодной для получения различных микроустройств для микроэлектромеханических систем и других систем, а также к способу получения структуры и к головке для подачи жидкости.

Изобретение относится к области оптико-электронного приборостроения и предназначено для нанесения фотолитографического рисунка на рабочую поверхность цилиндрических диафрагм оптико-механического блока в сканирующем устройстве для выработки кодового сигнала управления ориентацией по Солнцу космических аппаратов.

Настоящее изобретение относится к полиуретановому составу для получения голографических сред. Данный состав включает: A) полиизоцианатный компонент; B) изоцианат-реакционно-способный компонент, включающий, по меньшей мере, 50 вес.% в расчете на общую смесь B) полиэфирполиолов В1) со среднечисленными молекулярными весами больше 1000 г/моль, которые имеют показатель преломления nD 20<1,55 и содержат одно или несколько оксиалкильных звеньев формул (I)-(III): -СН2-СН2-О- (I) -CH2-CH(R)-O- (II) -СН2-СН2-СН2О- (III), при этом R является алкильным или арильным остатком, который может быть замещен или прерван гетероатомами; C) соединения, которые имеют показатель преломления nD 20>1,55 и содержат группы, реагирующие при действии актиничного излучения с этилен-ненасыщенными соединениями с полимеризацией (отверждаемые излучением группы), и сами не содержат NCO-групп; D) стабилизаторы радикалов; E) фотоинициаторы; F) при необходимости катализаторы; G) при необходимости вспомогательные вещества и добавки.

Изобретение относится к способу формирования рисунка электронного или фотонного материала на подложке, применению фторполимера в приготовлении снабженного рисунком электронного или фотонного материала на подложке, способу изготовления электронного прибора на подложке, а также к электронному или фотонному прибору.

Настоящее изобретение относится к фотополимерной композиции для изготовления голографических сред, включающей трехмерно-сшитые органические полимеры A) или их предшественники в качестве матрицы, а также соединения B), содержащие группы, которые при действии актиничного излучения реагируют с ненасыщенными соединениями с этиленовыми фрагментами с образованием полимеров (радиационно-отверждаемые группы), и которые растворены в этой матрице или находятся в ней в распределенном состоянии, а также компонент C), представляющий собой, по меньшей мере, один фотоинициатор, при этом плотность полимерной сшивки органического полимера, выраженная через среднюю молекулярную массу MC двух сегментов, соединенных полимерными мостиками, составляет величину от 2685 г/моль до 55000 г/моль.

Настоящее изобретение относится к полиуретановой композиции для изготовления голографических сред. Композиция содержит: (A) полиизоцианатный компонент, содержащий по меньшей мере один полиуретановый форполимер с терминальными NCO-группами исключительно на основе олигомерных или полимерных дифункциональных соединений, реакционноспособных по отношению к изоцианатам, со среднечисленными молекулярными массами от 200 до 10000 г/моль, у которого NCO-группы являются связанными с первичными остатками, (B) полимеры, реакционноспособные по отношению к изоцианатам, (C) соединения, содержащие группы, которые при действии актиничного излучения реагируют с этиленненасыщенными соединениями с полимеризацией (радиационно отверждаемые группы), а сами не содержат NCO-групп, (D) стабилизаторы радикалов и (Е) фотоинициаторы, причем соединения, используемые в компоненте С), имеют показатель преломления nD 20>1,55.

Настоящее изобретение относится к полиуретановому составу для получения голографических сред. Данный состав включает: A) полиизоцианатный компонент; B) изоцианатреакционноспособный компонент, включающий гидроксифункциональные мультиблочные сополимеры В1) типа Y(Xi-Н)n с i=от 1 до 10 и n=от 2 до 8 и среднечисленными молекулярными весами более 1000 г/моль, при этом сегменты Xi построены соответственно из алкиленоксидных звеньев формулы (I): -CH2-CH(R)-O- формула (I), при этом R представляет собой водород, алкильный или арильный остаток, который может быть замещен или прерван гетероатомом (например, эфирными кислородами), Y лежащий в основе стартер и доля сегментов Хi относительно общего количества сегментов Xi и Y составляет, по меньшей мере, 50 вес.%; C) соединения, которые имеют показатель преломления nD 20>1,55 и содержат группы, реагирующие при действии актиничного излучения с этилен-ненасыщенными соединениями с полимеризацией (отверждаемые излучением группы) и сами не содержат NСО-групп; D) стабилизаторы радикалов; Е) фотоинициаторы; F) при необходимости, катализаторы; G) при необходимости, вспомогательные вещества и добавки.

Изобретение относится к способу изготовления многослойной металлической структуры с помощью ультрафиолетовой литографии и гальванического осаждения. Согласно способу проводящую поверхность подложки покрывают первым слоем фоточувствительной смолы и обрабатывают с помощью излучения через маску, которая согласуется с требуемой фасонной выемкой.

Изобретение относится к фоточувствительной композиции смолы, используемой для получения головки для выбрасывания жидкости для генерирования капли жидкости, например капли краски, а также к способу формирования паттерна и к головке для выбрасывания жидкости.

Изобретение относится к области радиационной физики и химии полимеров и может быть использовано в электронно-лучевой литографии, дифракционной оптике, в области создания метаматериалов и ряде других областей техники.

Настоящее изобретение относится к полиуретановому составу для получения голографических сред, включающему: (A) полиизоцианатную компоненту, содержащую по крайней мере один полиуретановый форполимер с концевой изоцианатной группой с функциональностью по изоцианатным группам от 1,9 до 5,0, у которого изоцианатная группа связана с первичным алифатическим остатком и который основан на соединениях с гидроксильными функциональными группами с функциональностью по гидроксильным группам от 1,6 до 2,05, (Б) реагирующие с изоцианатами простые полиэфирные полиолы, (B) уретановые акрилаты и/или уретановые метакрилаты с по меньшей мере одной ароматической структурной единицей и с коэффициентом преломления более 1,50 при 405 нм, которые свободны от изоцианатных групп и гидроксильных групп, (Г) радикальные стабилизаторы, (Д) фотоинициаторы на основе сочетаний боратных солей и одного или нескольких красителей с полосами поглощения, которые по крайней мере частично покрывают область спектра от 400 до 800 нм, (Е) в случае необходимости катализаторы и (Ж) в случае необходимости вспомогательные вещества и добавки. Также описаны способ получения сред для записи визуальных голограмм, среда для записи визуальных голограмм, применение среды и способ записи голограммы. Технический результат - разработка полиуретановых составов для получения голографических сред, обладающих высоким качеством поверхности, хорошими технологическими показателями и хорошей контрастностью в отношении показателя преломления. 5 н. и 9 з.п. ф-лы, 2 ил., 4 пр.

Изобретение относится к светочувствительным негативным полимерным композициям, подходящим для образования тонкой структуры фотолитографическим способом. Предложена светочувствительная негативная полимерная композиция, содержащая (a) содержащее эпоксидные группы соединение, (b) первую ониевую соль, содержащую структуру катионной части, представленную формулой (b1), и структуру анионной части, представленную формулой (b2), и (c) вторую ониевую соль, содержащую структуру катионной части, представленную формулой (c1), и структуру анионной части, представленную формулой (c2). Предложены также полученная из указанной композиции тонкая структура и способ ее получения, а также жидкостная эжекторная головка, в которой использована упомянутая тонкая структура. Технический результат - предложенная композиция обеспечивает меньшую изменчивость и превосходную воспроизводимость трехмерной формы при использовании фотолитографического процесса. 4 н. и 7 з.п. ф-лы, 5 ил., 1 табл., 12 пр.

Изобретение относится к носителям информации. Предложен носитель информации, последовательно включающий в себя подложку, выбранную из покрытой полимером бумаги, синтетической бумаги и пластмассовых пленок, первый краскоприемный слой и второй краскоприемный слой, причем первый краскоприемный слой содержит по меньшей мере одно вещество, выбранное из оксида алюминия, гидрата оксида алюминия и высокодисперсного диоксида кремния, поливиниловый спирт и борную кислоту, причем массовое соотношение содержания борной кислоты и поливинилового спирта в первом краскоприемном слое составляет 2,0% масс. или более и 7,0% масс. или менее, причем второй краскоприемный слой содержит высокодисперсный диоксид кремния, поливиниловый спирт и борную кислоту, и массовое соотношение содержания борной кислоты и поливинилового спирта во втором краскоприемном слое составляет 10,0% масс. или более и 30,0% масс. или менее. Технический результат - предложенный носитель позволяет предотвратить растрескивание после нанесения краскоприемных слоев, обладает высокой способностью абсорбировать краску и сопротивлением растрескиванию при сгибании. 5 з.п. ф-лы, 4 табл., 68 пр.

Изобретение относится к области оптического приборостроения и касается способа записи изображений. Способ включает в себя формирование на подложке светочувствительного слоя из наноалмазной пленки и облучение наноалмазной пленки сфокусированным излучением лазера по заданной программе с целью получения нужного изображения. Изображение на наноалмазной пленке возникает за счет почернения облученных участков пленки в результате превращения наноалмазных частиц в аморфный углерод в поле сфокусированного излучения лазера. Технический результат заключается в упрощении способа записи и уменьшении энергозатрат. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области радиоэлектроники и касается способа формирования канала для передачи оптического сигнала между электронными модулями на одной печатной плате. Способ заключается в том, что берут заготовку, в состав которой входит прозрачный полимер, над соответствующим местом заготовки располагают фоторезист и воздействуют на него штампом. Через прозрачную маску штампа осуществляют экспозицию УФ-излучением и покрывают внешнюю поверхность оптического тракта из отвердевшего фоторезиста светоотражающим металлическим слоем путем напыления. Технический результат заключается в упрощении способа формировании канала и улучшении эксплуатационных характеристик изделий. 5 ил.
Изобретение относится к области микролитографии. Рисунок преобразуют в растр в цифровой форме и записывают информацию об амплитуде и фазе, характеризующих каждую точку растра. Рассчитывают необходимые параметры элементов голограммы, для чего переводят элементы цифрового растра изображения рисунка в цифровой растр будущей голограммы. В каждой точке будущей голограммы рассчитывают картину дифракции. Рассчитывают интерференционную картину, полученную от взаимодействия расчетной картины дифракции с расчетным волновым фронтом от виртуального опорного источника излучения. Определяют функцию пропускания голограммы и выделяют в ней области, которые после бинаризации дадут прозрачные элементы недопустимо малого размера, физически не пропускающие свет, после чего изменяют функцию пропускания, обеспечивая увеличение размера этих элементов. Полученный результат используют для формирования дифракционной структуры голограммы на носителе и создают голограмму в виде набора прозрачных дискретных элементов в непрозрачном слое, нанесенном на прозрачную подложку. Проводят оптическую коррекцию увеличенных элементов, обеспечивающую пропускание этими увеличенными элементами количества света в соответствии с первичной функцией пропускания. Коррекцию осуществляют путем размещения на непрозрачном слое слоя поглощающего вещества с известным коэффициентом поглощения для восстанавливающего изображения излучения, а области над неувеличенными элементами выполняют в нем прозрачными. Технический результат - получение рисунка с высокими технологическими параметрами, повышение контраста получаемого рисунка и снижение уровня шума. 12 з.п. ф-лы.

Использование: для изготовления рельефных поверхностей. Сущность изобретения заключается в том, что фотолитографический интерференционный способ включает в себя формирование трех когерентных пучков света и получение их двумерно-периодической картины интерференции, первые два когерентных пучка формируют в одной плоскости падения, а третий пучок формируют в плоскости, перпендикулярной первой, интенсивность первых двух пучков одинаковая, а интенсивность третьего пучка в два раза больше, чем интенсивность первого пучка. Технический результат: обеспечение возможности получения бездефектных наноразмерных двумерно-периодических структур. 4 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к области литографии и касается опорной структуры подложки. Прижатие подложки к поверхности опорной структуры осуществляется посредством капиллярного слоя жидкости. Поверхность опорной структуры имеет внешнюю кромку и включает в себя опорные элементы, предназначенные для приема прижимаемой подложки в нескольких опорных местоположениях. Опорная структура подложки дополнительно включает в себя герметизирующую структуру, которая ограничивает поверхность и имеет кромку, образующую герметизирующий обод. Расстояние между внешней кромкой поверхности и самым внешним из опорных местоположений является большим, чем расстояние между внешней кромкой поверхности и герметизирующим ободом. Расстояние между герметизирующим ободом и самым внешним местоположением опоры больше, чем максимальное расстояние между соседними опорными местоположениями. Технический результат заключается в увеличении прижимного усилия, уменьшении загрязнения вакуумной среды и увеличении срока службы устройства. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 30 ил.

Изобретение относится к вариантам способа проявления светоотверждающейся заготовки печатной формы с целью формирования рельефной структуры, содержащей множество рельефных точек. При этом в одном из вариантов светоотверждающаяся заготовка печатной формы содержит несущий слой, на котором находится по меньшей мере один светоотверждающийся слой, барьерный слой, расположенный по меньшей мере на одном светоотверждающемся слое, и удаляемый лазерным излучением маскирующий слой, расположенный поверх барьерного слоя, причем способ включает стадии: а) визуализации по меньшей мере одного светоотверждающегося слоя путем избирательной лазерной абляции удаляемого лазерным излучением маскирующего слоя с целью создания изображения, б) экспонирования заготовки печатной формы через барьерный слой и маскирующий слой одним или несколькими источниками актиничного излучения с целью избирательного сшивания и отверждения участков по меньшей мере одного светоотверждающегося слоя, при этом по меньшей мере один светоотверждающийся слой сшивают и отверждают на участках, не покрытых маскирующим слоем, и тем самым создают рельефную структуру, и в) проявления заготовки печатной формы с целью удаления барьерного слоя, подвергнутого лазерной абляции маскирующего слоя и неотвержденных участков светоотверждающегося слоя и выявления рельефной структуры, где стадия проявления заготовки печатной формы включает стадии: i) размягчение несшитых участков по меньшей мере одного светоотверждающегося слоя путем нагревания по меньшей мере одного светоотверждающегося слоя до температуры, при которой несшитые участки по меньшей мере одного светоотверждающегося слоя размягчаются, в то время как отвержденные участки по меньшей мере одного светоотверждающегося слоя остаются твердыми, и ii) удаление несшитых участков светоотверждающегося слоя путем введения в контакт печатающего элемента с абсорбирующим материалом, способным поглощать несшитый фотополимер, посредством чего выявляют рельефную структуру. При этом барьерный слой имеет коэффициент диффузии кислорода менее 6,9×10-9 м2/сек и оптическую прозрачность по меньшей мере 50%. 2 н. и 30 з.п. ф-лы, 4 ил.

Способ относится к оптическому приборостроению и касается способа изготовления дифракционных оптических элементов и масок для изготовления фазовых структур. Способ включает нанесение молибденовой пленки толщиной 35-45 нм на поверхность диэлектрической подложки с последующим воздействием на нее сфокусированным лазерным излучением. Плотность мощности лазерного излучения составляет (0,8-1,2)·107 Вт/см2, что обеспечивает полное удаление (абляцию) металлической пленки в зоне воздействия. Технический результат заключается в сокращении количества технологических операций и уменьшении длительности технологического цикла. 2 ил.
© Патентный поиск, поиск патентов на изобретения - FindPatent.RU 2012-2024
Политика конфиденциальности 2014-09-27 2014-09-26T19:24:46
Наверх