Способ изготовления нитридного светоизлучающего диода


 

H01L33/32 - Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, предназначенные для светового излучения, например инфракрасного; специальные способы или устройства для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов (соединение световодов с оптоэлектронными элементами G02B 6/42; полупроводниковые лазеры H01S 5/00; электролюминесцентные источники H05B 33/00)

Владельцы патента RU 2530487:

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки "Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук" (RU)

Способ изготовления нитридного светоизлучающего диода включает последовательное формирование на диэлектрической подложке слоя нитридного полупроводника n-типа проводимости, активного слоя нитридного полупроводника, слоя нитридного полупроводника р-типа проводимости, первого прозрачного электропроводящего слоя оксида индия олова (ITO) толщиной 5-15 нм электронно-лучевым напылением с промежуточным отжигом в атмосфере газа при давлении, близком к атмосферному, второго прозрачного электропроводящего слоя ITO существенно большей толщины, с последующим отжигом полученной структуры при давлении газа, близком к атмосферному, и нанесение металлических контактов соответственно на второй прозрачный электропроводящий слой ITO и на слой нитридного полупроводника n-типа проводимости. Второй прозрачный электропроводящий слой ITO наносят магнетронным распылением мишени. Способ согласно изобретению позволяет получать нитридный светоизлучающий диод с контактными слоями, имеющими максимальную прозрачность, более высокий коэффициент преломления, большую подвижность носителей заряда и лучшую электрическую проводимость. 1 ил., 2пр.

 

Изобретение относится к электронике, а более конкретно к способам изготовления светоизлучающих диодов синего и ближнего ультрафиолетового диапазонов.

В последнее время при производстве светодиодов на основе AIGalnN в качестве прозрачного контактного материала все шире применяют слои оксида индия олова (ГГО). Высокое значение работы выхода материала ГТО (~4,6 эВ) и, как следствие, приемлемые значения контактного сопротивления к слоям p-GaN, в сочетании с хорошей электропроводностью и высокой прозрачностью в синей области спектра, существенно увеличивают внешний квантовый выход светодиодов с контактами на основе пленок ITO.

Известен способ изготовления светоизлучающего диода (см. заявка EP 1489196, МПК C23C 14/08; C23C 14/34; H01B 13/00, опубликована 22.12.2004), включающий нанесение магнетронным распылением на стеклянную подложку первого слоя оксида индия олова толщиной менее 70 нм при температуре ниже 150°C, нагрев стеклянной подложки с нанесенным первым слоем до температуры выше температуры 150°C, нанесение магнетронным распылением второго слоя оксида индия олова и последующее формирование органической светоизлучающей структуры.

Известный способ позволяет получить гладкую поверхность прозрачного контактного слоя оксида индия олова, что необходимо для дальнейшего формирования очень тонких слоев (порядка 10 нм) органической светоизлучающей структуры. Однако используемое в известном способе магнетронное напыление первого слоя оксида индия олова не может быть применено при нанесении прозрачного контактного слоя оксида индия олова на светоизлучающую структуру на основе нитрида галлия, так как при магнетронном распылении происходит разрушение р-типа проводимости, что обусловлено возникновением дефектов, а также вакансий азота, которые являются донорами в GaN.

Известен способ изготовления светоизлучающего диода на основе полупроводника A3B5 (см. заявка US 20130075779, МПК H01L 33/00, H01L 33/42, опубликована 28.03.2013), включающий последовательное формирование на диэлектрической подложке слоя n-типа проводимости полупроводника A3B5, активного слоя, слоя р-типа проводимости, первого прозрачного электропроводящего слоя оксида индия олова толщиной менее 500 Å с напуском кислорода массовым потоком менее 7 см3/мин и второго прозрачного электропроводящего слоя оксида индия олова толщиной 1000-5000 Å с напуском кислорода массовым потоком более 7 см3/мин.

Недостатками известного способа является то, что в нем предлагается наносить пленки ГТО методом газофазной эпитаксии из паров металлорганических соединений (MOCVD), что является необоснованно дорогостоящим методом по сравнению с обычно используемыми для нанесения таких пленок методами электронно-лучевого испарения и магнетронного напыления.

Известен способ изготовления нитридного светоизлучающего диода (см. заявка US 2009315065, МПК H01L 33/00, опубликована 24.12.2009), совпадающий с настоящим изобретением по наибольшему числу существенных признаков и принятый за прототип. Способ-прототип включает последовательное формирование на диэлектрической подложке слоя нитридного полупроводника n-типа проводимости, активного слоя нитридного полупроводника, слоя нитридного полупроводника р-типа проводимости, первого прозрачного электропроводящего слоя ITO толщиной не более 40 нм, получаемого электронно-лучевым испарением и нагреванием первого прозрачного электропроводящего слоя ITO в атмосфере газа при температуре по меньшей мере 200°C, и второго прозрачного электропроводящего слоя оксида олова, получаемого электронно-лучевым испарением при температуре по меньшей мере 300°C толщиной, большей толщины первого прозрачного электропроводящего слоя ITO.

Недостатками известного способа является использование электронно-лучевого испарения для нанесения второго слоя контакта, поскольку пленки, получаемые данным методом, имеют меньший показатель преломления, более низкую подвижность носителей заряда и обладают худшей электропроводностью.

Задачей, которую решает настоящее техническое решение, является разработка такого способа изготовления нитридного светоизлучающего диода, который бы позволил получать нитридный светоизлучающий диод с контактными слоями, имеющими максимальную прозрачность, более высокий коэффициент преломления, большую подвижность носителей заряда и лучшую электрическую проводимость.

Поставленная задача решается тем, что способ изготовления нитридного светоизлучающего диода включает последовательное формирование на диэлектрической подложке слоя нитридного полупроводника n-типа проводимости, активного слоя нитридного полупроводника, слоя нитридного полупроводника р-типа проводимости, первого прозрачного электропроводящего слоя ITO толщиной 5-15 нм электронно-лучевым испарением, промежуточный отжиг в атмосфере газа при давлении, близком к атмосферному, второго прозрачного электропроводящего слоя ITO магнетронным напылением, последующий отжиг полученной структуры в атмосфере газа при давлении, близком к атмосферному, и нанесение металлических контактов соответственно на второй прозрачный электропроводящий слой ITO и на слой нитридного полупроводника n-типа проводимости. Новым в настоящем способе является нанесение второго прозрачного электропроводящего слоя ITO магнетронным распылением мишени ITO на предварительно нанесенный электронно-лучевым испарением первый электропроводящий слой ITO толщиной 5-15 нм, который обеспечивает защиту поверхности p-GaN от негативного влияния плазмы разряда магнетрона в процессе напыления второго прозрачного проводящего слоя оксидов металлов.

При нанесении первого прозрачного электропроводящего слоя ITO его толщина должна быть минимальной, но позволяющей обеспечивать надежную защиту p-GaN поверхности от негативного воздействия плазмы. При толщине первого электропроводящего слоя ITO меньшей 5 нм происходит разрушение р-типа проводимости нижележащего слоя нитридного полупроводника, обусловленное возникновением дефектов, а также вакансий азота, которые являются донорами в GaN. При толщине первого электропроводящего слоя ITO большей 15 нм снижаются прозрачность контакта, коэффициент преломления, уменьшается подвижность носителей заряда и ухудшается электрическая проводимость прозрачного проводящего контакта.

Настоящий способ позволяет получать контактные слои к р-поверхности GaN светодиодов синего и ближнего ультрафиолетового диапазонов более высокого качества, характерного для магнетронного распыления, без опасности деградации светодиодной структуры. Преимущество пленок оксидов металлов, полученных методом магнетронного напыления, заключается в более высоком коэффициенте преломления и большей подвижности носителей заряда и лучшей электрической проводимости по сравнению с пленками, полученными электронно-лучевым испарением.

Температура отжига структуры при формировании первого и второго прозрачных электропроводящих слоев должна превышать температуру кристаллизации оксидов металлов, используемых для их создания (как правило, не менее 300°C). В качестве газов, в которых осуществляется отжиг, могут выступать, например, азот, аргон, их смеси с кислородом и др.

При нанесении второго прозрачного электропроводящего слоя ITO толщина слоя выбирается, исходя из требования обеспечения эффективного растекания тока в активной области светоизлучающего кристалла и получения прозрачного проводящего контакта с более высоким коэффициентом преломления, большей подвижностью носителей заряда и лучшей электрической проводимости. Как правило, толщина второго прозрачного электропроводящего слоя ITO должна составлять не менее 150 нм. При выборе толщины второго прозрачного электропроводящего слоя также следует учитывать интерференционные эффекты, определяющие положение максимума пропускания контакта в зависимости от длины волны излучения светодиода.

Настоящий способ изготовления нитридного светоизлучающего диода поясняется чертежом, на котором схематически изображен в поперечном разрезе нитридный светоизлучающий диод, содержащий диэлектрическую подложку 1, например, из сапфира, слой 2 нитридного полупроводника n-типа проводимости, активный слой 3 нитридного полупроводника, например, содержащий пять квантовых ям Ini-xGaxN, разделенных барьерами GaN, слой 4 нитридного полупроводника р-типа проводимости, первый прозрачный электропроводящий слой 5 ITO, второй прозрачный электропроводящий слой 6 ITO и металлические контакты 7.

Способ изготовления нитридного светоизлучающего диода осуществляют следующим образом. На диэлектрической подложке 1, например сапфировой (Al2O3), последовательно выращивают, например методом газофазной эпитаксии из паров металлорганических соединений, слой 2 нитридного полупроводника n-типа проводимости, например, GaN:Si толщиной 3500-6000 нм, активный слой 3 нитридного полупроводника, например, толщиной 5-50 нм с одной или несколькими ямами InxGa1-xN, разделенных барьерами GaN, и слой 4 нитридного полупроводника р-типа проводимости, например, GaN:Mg толщиной 100-200 нм. Методом реактивного ионного травления (RIE) или травлением в индуктивно-связанной плазме (ICP) вытравливают участки активного слоя 3 и слоя 4 для получения доступа к слою 2 нитридного полупроводника n-типа проводимости. Электронно-лучевым испарением на нагретую, например, до 500°C подложку 1 наносят первый прозрачный электропроводящий слой 5 ITO (In2O3 90 мас.% +SnO2 10 мас.%) толщиной 5-15 нм. Затем в вакуумную камеру напускают азот без выключения нагрева до давления, близкого к атмосферному, и подготовленную структуру выдерживают в атмосфере газа для получения максимальной прозрачности слоя. После охлаждения структуры до комнатной температуры в вакууме, без вскрытия рабочей камеры, наносят методом магнетронного распыления на первый прозрачный электропроводящий слой 5 ITO второй прозрачный электропроводящий слой 6 ITO, заметно превышающий по толщине первый прозрачный проводящий слой 5. Как правило, толщина второго прозрачного проводящего слоя 6 составляет не менее 150 нм. Последующий отжиг производят без вскрытия вакуумной камеры в атмосфере газа при температуре, например, 500°C для получения максимальной прозрачности контакта. Затем наносят металлические контакты 7 (например, Ti/Au или Ti/Ag, или Ti/Al минимальной площади для улучшения растекания тока и присоединения токовых электродов) в виде контактных площадок толщиной 1500-3000 нм соответственно на второй прозрачный электропроводящий слой 6 и на слой 2 нитридного полупроводника n-типа проводимости.

Пример 1. На сапфировой (Al2O3) подложке последовательно методом MOCVD были выращены слой нитридного полупроводника n-типа проводимости GaN:Si толщиной 5000 нм, активный слой нитридного полупроводника толщиной 20 нм с пятью ямами InxGa1-xN, разделенных барьерами GaN, и слой нитридного полупроводника р-типа проводимости GaN:Mg толщиной 100 нм. Методом реактивного ионного травления были вытравлены участки активного слоя и слоя нитридного полупроводника р-типа проводимости для получения доступа к слою нитридного полупроводника n-типа проводимости. Электронно-лучевым испарением на полученную структуру, нагретую до 500°C, был нанесен первый прозрачный электропроводящий слой ITO (In2O3 90 мас.% +SnO2 10 мас.%) толщиной 5 нм. Затем в вакуумную камеру был напущен азот без выключения нагрева до давления, близкого к атмосферному, и структура выдерживалась в атмосфере азота 10 минут. После охлаждения структуры до комнатной температуры в вакууме, без вскрытия рабочей камеры, был нанесен на первый прозрачный электропроводящий слой ITO второй прозрачный электропроводящий слой ITO толщиной 190 нм методом магнетронного распыления мишени ITO при постоянном токе в атмосфере аргона. Последующий отжиг производился без вскрытия вакуумной камеры в атмосфере азота при температуре 500°C в течение 10 минут. Полученные двухслойные прозрачные электропроводящие контакты имели прозрачность в синей области спектра 95,5%, коэффициент преломления - 2,05 на длине волны 450 нм, удельное сопротивление - 6,9·10-4 Ом*см, подвижность носителей заряда -27,4 см2/(В·с). Затем были нанесены металлические контакты Ti/Au для улучшения растекания тока и присоединения токовых электродов в виде контактных площадок толщиной 3000 нм соответственно на второй прозрачный электропроводящий слой ITO и на слой нитридного полупроводника n-типа проводимости.

Пример 2. На сапфировой (Al2O3) подложке последовательно методом MOCVD были выращены слой нитридного полупроводника n-типа проводимости GaN:Si толщиной 3500 нм, активный слой нитридного полупроводника, например, толщиной 20 нм с пятью ямами InxGa1-xN, разделенных барьерами GaN, и слой нитридного полупроводника р-типа проводимости GaN:Mg толщиной 200 нм. Методом реактивного ионного травления были вытравлены участки активного слоя и слоя нитридного полупроводника р-типа проводимости для получения доступа к слою нитридного полупроводника n-типа проводимости. Электронно-лучевым испарением на полученную структуру, нагретую до 500°C, был нанесен первый прозрачный электропроводящий слой ITO (In2O3 90 мас.% +SnO2 10 мас.%) толщиной 15 нм. Затем в вакуумную камеру был напущен азот без выключения нагрева до давления, близкого к атмосферному, и структура выдерживалась в атмосфере азота 10 минут. После охлаждения структуры до комнатной температуры в вакууме, без вскрытия рабочей камеры, был нанесен на первый прозрачный электропроводящий слой ITO второй прозрачный электропроводящий слой ITO толщиной 200 нм методом магнетронного распыления мишени ITO при постоянном токе в атмосфере аргона. Последующий отжиг производился без вскрытия вакуумной камеры в атмосфере азота при температуре 500°C в течение 10 минут. Полученные двухслойные прозрачные электропроводящие контакты имели прозрачность в синей области спектра 95,1%, коэффициент преломления - 2,01 на длине волны 450 нм, удельное сопротивление - 7,5·10-4 Ом·см, подвижность носителей заряда - 29,5 см2/(В·с). Затем были нанесены металлические контакты Ti/Au для улучшения растекания тока и присоединения токовых электродов в виде контактных площадок толщиной 2500 нм соответственно на второй прозрачный электропроводящий слой ITO и на слой нитридного полупроводника n-типа проводимости.

Способ изготовления нитридного светоизлучающего диода, включающий последовательное формирование на диэлектрической подложке слоя нитридного полупроводника n-типа проводимости, активного слоя нитридного полупроводника, слоя нитридного полупроводника р-типа проводимости, первого прозрачного электропроводящего слоя оксида индия олова (ITO) толщиной 5-15 нм электронно-лучевым напылением с промежуточным отжигом в атмосфере газа при давлении, близком к атмосферному, второго прозрачного электропроводящего слоя ITO существенно большей толщины, с последующим отжигом полученной структуры при давлении газа, близком к атмосферному, и нанесение металлических контактов соответственно на второй прозрачный электропроводящий слой ITO и на слой нитридного полупроводника n-типа проводимости, при этом второй прозрачный электропроводящий слой оксидов металлов наносят магнетронным распылением мишени.



 

Похожие патенты:
Изобретение относится к светотехнике, а именно изготовлению светоизлучающих полупроводниковых приборов на подложке из аморфного минерального стекла. Стекловидная композиция на основе минерального стекла, содержащего окислы элементов II, и/или III, и/или IV группы периодической системы, отличается тем, что поверхность стекла покрыта выращенным слоем электропроводящего и светоизлучающего полупроводникового соединения типа A2B5, и/или A2B6, и/или А3В5, и/или А4В6.

Светоизлучающий прибор согласно изобретению содержит связанные друг с другом светоизлучающий элемент и элемент, преобразующий длину волны, при этом светоизлучающий элемент содержит со стороны элемента, преобразующего длину волны, первую область и вторую область, а элемент, преобразующий длину волны, содержит со стороны светоизлучающего элемента третью область и четвертую область, причем первая область имеет нерегулярное расположение атомов по сравнению со второй областью, а третья область имеет нерегулярное расположение атомов по сравнению с четвертой областью, при этом первая область и третья область связаны напрямую.

Изобретение относится к светодиодному модулю. Технический результат - разработка состоящего из нескольких расположенных на печатной плате светодиодов светодиодного модуля, в котором выход из строя отдельных светодиодов не виден снаружи благодаря «вводу» излучаемого пассивным светодиодом светового потока в элемент ввода светового излучения вышедшего из строя светодиода.

Использование: для изготовления органических светоизлучающих диодов. Сущность изобретения заключается в том, что светоизлучающий диод содержит прозрачную или частично прозрачную подложку с нанесенной на нее слоистой структурой, содержащей по меньшей мере один органический электролюминесцентный слой и транспортные подслои из органических веществ n- и p-типов проводимости, расположенных на границах электролюминесцентный слой - контактный слой.

Изобретение относится к полупроводниковым нитридным наногетероструктурам и может быть использовано для изготовления светодиодов ультрафиолетового диапазона с длинами волн в диапазоне 260-380 нм.

Изобретение относится к люминесцентному преобразователю (10, 12) для усиленного люминофором источника (100, 102, 104) света. Люминесцентный преобразователь содержит первый люминесцентный материал (20), выполненный с возможностью поглощения по меньшей мере части возбуждающего света (hv0), эмитируемого излучателем (40, 42) света усиленного люминофором источника света, и преобразования по меньшей мере части поглощенного возбуждающего света в первый эмитируемый свет (hv1), содержащий длину волны большей величины по сравнению с возбуждающим светом.

Изобретение относится к люминесцентным материалам - конвертерам вакуумного ультрафиолетового излучения в излучение видимого диапазона, выполненным в виде аморфной пленки оксида кремния SiOX на кремниевой подложке, предназначенным для создания функциональных элементов фотонных приборов нового поколения, а также для контроля жесткого ультрафиолетового излучения в вакуумных технологических процессах.

Изобретение относится к области светотехники. Техническим результатом является достижение однородности излучаемого света и повышение эффективности освещения.

Группа изобретений относится к светоизлучающему устройству (2), содержащему источник (10) первичного света, светопреобразующую среду (14) и оптическую структуру (16). Источник первичного света располагается на подложке (11).

Группа изобретений может быть использована в индикаторах, осветительных приборах, дисплеях, источниках света для подсветки жидкокристаллических дисплеев. Светоизлучающее устройство согласно изобретению содержит основание и электропроводящие компоненты, размещенные на основании, светоизлучающий элемент, имеющий полупроводниковый слой и прозрачную подложку; отражающий компонент, не покрывающий по меньшей мере часть боковых поверхностей и верхнюю поверхность прозрачной подложки и покрывающий боковые поверхности полупроводникового слоя; и светопропускающий компонент, покрывающий часть прозрачной подложки, не покрытую отражающим компонентом при этом светоизлучающий элемент закреплен на электропроводящих компонентах, причем на поверхности этих электропроводящих компонентов, по меньшей мере часть поверхности электропроводящих компонентов, на которой не закреплен светоизлучающий элемент, покрыта изолирующим заполнителем толщиной в 5 мкм или больше, который является отражающим компонентом, а светопропускающий компонент покрывает светоизлучающий элемент.

Изобретение относится к осветительной технике. Осветительная система содержит первичный источник света и по меньшей мере одну рассеивающую и преобразующую свет пластину, которая содержит первый слой (12), имеющий рассеивающие свойства и, по существу, не имеющий преобразующих свойств, и второй слой (14), имеющий преобразующие свойства и расположенный на оптическом пути между первичным источником света и первым слоем, при этом толщина А первого слоя и толщина В слоя соотносятся как А ≥ 3*В, первый слой, по существу, выполнен из керамического материала с плотностью ≥90% и ≤100% от теоретической плотности, толщина В второго слоя составляет ≥5 мкм и ≤80 мкм, а толщина А первого слоя составляет ≥50 мкм и ≤1000 мкм. Изобретение обеспечивает увеличение характеристик осветительной системы за счет разделения рассеивания и преобразования. 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к способу получения люминесцентного материала - конвертера вакуумного ультрафиолетового излучения в излучение видимого диапазона в виде аморфной пленки оксида кремния SiOX на кремниевой подложке, предназначенного для создания функциональных элементов фотонных приборов нового поколения, а также для контроля жесткого ультрафиолетового излучения в вакуумных технологических процессах. Осуществляют имплантацию в вышеуказанную пленку ионов кислорода с последующим отжигом при температуре 700-900°С в течение 0,5-1 часа в атмосфере сухого азота. Для имплантации используют конвертер в виде аморфной пленки оксида кремния толщиной 20-70 нм, имплантацию проводят с энергией ионов, величину которой определяют по формуле E = 0,19 ⋅ d − 0,18 , где Е - энергия ионов, кэВ, d - толщина аморфной пленки диоксида кремния, которую выбирают в пределах от 20 до 70 нм, и при флюенсе, определяемом по формуле F = 2.21 ⋅ 10 15 ⋅ ( x − 2 ) ⋅ d , где F - флюенс, см-2, d - толщина аморфной пленки диоксида кремния, которую выбирают в пределах от 20 до 70 нм, x - стехиометрический коэффициент, являющийся безразмерной величиной, который выбирают в пределах от 2,01 до 2,45. Обеспечивается увеличение интенсивности красного излучения конвертера и обеспечение красного свечения при сохранении конверсии вакуумного ультрафиолетового излучения в видимое. 6 ил., 1 табл., 4 пр.

Изобретения относятся к полупроводниковой оптоэлектронике и могут быть использованы при изготовлении различного вида источников излучения. Светоизлучающий диод содержит светоизлучающий кристалл, покрытый оптическим элементом, наружная поверхность которого сферическая и выполнена световыводящей, а в качестве оптического элемента используют полимер класса полиэфироакрилатов, содержание остаточного количества мономеров в котором не более 0,01 массовой части. Также предложен способ изготовления, который включает размещение кристалла на основании, которое закрывают оптическим элементом. Световыводящую наружную поверхность формируют путем заливки определенного объема полимерной матрицы в форму, размеры которой соответствуют требуемой геометрии световыводящей поверхности, при этом заливку осуществляют, по крайней мере, в два этапа, для этого сначала в форму заливают часть полимерной матрицы, объем которой достаточен для формирования световыводящей поверхности, после чего из свободного объема формы удаляют кислород и до окончания полимеризации поверхностного слоя покрывают его недостающей частью полимерной матрицы, в процессе полимеризации которой в нее устанавливают основание с кристаллом, причем полимеризацию различных частей полимерной матрицы осуществляют при одинаковых внешних условиях. Изобретение обеспечивает получение высокоточных параметров светоизлучающего диода путем обеспечения однородности оптического элемента и высокого качества чистоты и точности формы и размеров световыводящей поверхности. 2 н.п. ф-лы, 1 ил.

Полупроводниковое светоизлучающее устройство содержит полупроводниковую структуру, которая в свою очередь содержит светоизлучающий слой, размещенный между областью n-типа и областью р-типа; р-электрод, размещенный на части области р-типа, а р-электрод содержит отражающий первый материал в непосредственном контакте с первой частью области р-типа; второй материал в непосредственном контакте со второй частью области р-типа, соседней с первой частью; и третий материал, размещенный поверх первого и второго материала, при этом третий материал выполнен с возможностью предотвращения миграции первого материала, при этом первый материал и второй материал представляют собой плоские слои одинаковой толщины. Также согласно изобретению предложен способ изготовления полупроводникового светоизлучающего устройства. Изобретение обеспечивает возможность улучшения отражательной способности контакта, что повышает эффективность устройства. 2 н. и 10 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к области светотехники и, в частности, к светодиодным источникам белого света на основе светодиодов синего (450-455 нм), зеленого (525-535 нм) и красного цветов (605-615 нм), называемых после объединения RGB триадой. Способ получения модифицированных трехцветных источников белого света посредством нанесения на RGB триаду светодиодов суспензии возбуждаемого синим светом люминофора, при этом в качестве люминофора используют активированные церием композиции Ln3+αAl5O12+1,5α нестехиометрического состава, где Ln - иттрий или вместе с ним один или несколько редкоземельных элементов, содержащих избыток Ln по отношению к А1 так, что величина индекса α изменяется в интервале 0<α≤0,45, или активированные церием композиции Ln3+αAl5O12+1,5α нестехиометрического состава, где Ln - иттрий или вместе с ним один или несколько редкоземельных элементов, содержащих недостаток Ln по отношению к А1 так, что величина индекса α изменяется в интервале 0<α≤1,5, или активированные европием силикатные люминофоры общей формулы (Sr-Ba-Ca)2SiO4 и (Sr-Ba-Ca)SiO3, обладающие желто-зеленой или желтой люминесценцией при возбуждении синим светом. Изобретение обеспечивает повышение качества цветопередачи и увеличение эффективности преобразования света у трехцветных светодиодных источников белого света. 6 табл., 5 пр.

Светоизлучающее устройство включает в себя основной корпус с образованным в нем углублением, ограниченным его нижней поверхностью и боковой стенкой, проводящий элемент, верхняя поверхность которого открыта в углублении, а нижняя поверхность образует внешнюю поверхность, выступающий участок, расположенный в углублении, светоизлучающий элемент, установленный в углублении и электрически связанный с проводящим элементом, а также уплотнительный элемент, расположенный в углублении для закрытия светоизлучающего элемента. В основном корпусе имеется нижняя часть и часть боковой стенки, изготовленные из полимера и неразъемно связанные, внутренняя поверхность части боковой стенки является боковой стенкой, образующей углубление, и имеет изогнутый участок, а выступающая часть расположена в непосредственной близости от изогнутой поверхности. Подобная компоновка позволяет получать тонкие и небольшие по размеру светоизлучающие устройства с высокой светоотдачей. 7 н. и 17 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к светодиодным лампам для освещения бытовых, общественных, офисных и промышленных помещений. Достигаемый технический результат - создание светодиодного источника света, имеющего диаграмму направленности, близкую к шаровой при сохранении основных размеров ламп накаливания. Светодиодная лампа содержит винтовой цоколь (3), источник питания (7), керамическое изолирующее кольцо (9), металлический теплопроводящий фланец (12), мощный светодиод (8), цилиндрический пластинчатый радиатор (29), формирователь шарового излучения (32), оптическую насадку (30) или уплотнитель светового потока (34). 2 н. и 10 з.п. ф-лы, 16 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковой светотехники, а именно к светодиодным лампам, и может быть использовано для освещения. Техническим результатом изобретения является создание светодиодной лампы простой конструкции с меньшими габаритами, с улучшенным теплоотводом и с меньшими потерями света в колбе. Светодиодная лампа содержит корпус (1 и 2), колбу (7), гибкую печатную плату (4) со светодиодами, источник питания (3) и цоколь (6). Корпус выполнен из теплопроводящего материала и имеет канал, образованный выступами (9) корпуса, причем на дне канала прикреплена гибкая печатная плата со светодиодами. Все пространство между колбой, корпусом и печатной платой со светодиодами заполнено прозрачным материалом (8) с теплопроводностью выше теплопроводности воздуха. 21 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области светотехники. Техническим результатом является увеличение эффективности теплоотвода, который достигается за счет того, что осветительное устройство, содержащее корпус, расположенный в нем источник света, предпочтительно светодиод, и люминесцентный материал. Корпус содержит пропускающую часть, содержащую пропускающий керамический материал и выполненную с возможностью пропускания, по меньшей мере, части света источника света или, по меньшей мере, части света люминесцентного материала, и отражающую часть, в которой отражающая часть содержит керамический отражающий материал и выполнена с возможностью отражения, по меньшей мере, части света источника света. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 15 ил.

Модуль излучателя света содержит подложку, кристалл излучателя света, установленный на подложке, при этом отношение ширины кристалла к ширине подложки составляет 0,35 или более, и линзу над кристаллом излучателя света, причем отношение ширины кристалла к ширине линзы составляет 0,5 или более. Согласно изобретению предложены еще три варианта модулей излучателей света и конструкция модуля светодиода (LED). Изобретение обеспечивает повышение светового потока и светоотдачи. 5 н. и 7 з.п. ф-лы, 13 ил.
Наверх