Электролит для электрохимического осаждения иридия на арсенид галлия и способ его приготовления

Изобретение относится к области гальванотехники и может быть использовано в полупроводниковой СВЧ-электронике для получения выпрямляющих иридиевых контактов к арсениду галлия. Кроме того, иридиевые покрытия пригодны для защиты электрических контактов, работающих в условиях эрозионного износа, для защиты металлов от коррозии, в том числе при повышенной температуре. Способ приготовления электролита для электрохимического осаждения иридия на арсенид галлия включает растворение в деионизированной воде сульфаминовой кислоты и гексахлориридиевой кислоты при термообработке раствора на водяной бане с температурой 100 °C, при этом растворяют 30-60 г/л сульфаминовой кислоты и 3,0-6,5 г/л гексахлориридиевой кислоты в пересчете на иридий, а термообработку раствора проводят в течение 3-4 часов до перехода исходной окраски раствора в устойчивую оранжево-желтую, после чего раствор охлаждают, фильтруют и добавляют деионизированную воду до исходного содержания иридия. Техническим результатом является повышение качества покрытий с высоким выходом по току и высокой термической и атмосферной устойчивостью. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 3 табл., 1 ил.

 

Изобретение относится к гальваностегии, в частности к электрохимическому осаждению иридия, и может быть использовано в полупроводниковой СВЧ-электронике, например, для получения выпрямляющих иридиевых контактов к арсениду галлия (так называемый барьер или диод Шоттки). Кроме того, иридиевые покрытия пригодны для защиты электрических контактов, работающих в условиях эрозионного износа, для защиты металлов от коррозии, в том числе при повышенной температуре.

Гальванические покрытия иридием отличаются высокой химической инертностью, стойкостью к окислению, значительной твердостью, износостойкостью, низким переходным электрическим сопротивлением. Температурный коэффициент линейного расширения иридия близок к таковому для арсенида галлия, что обеспечивает высокую стабильность работы элементов и устройств микроэлектроники, создаваемых на основе контактов иридий-арсенид галлия, особенно при резких изменениях температуры.

Для электроосаждения иридиевых покрытий на металлы используются хлоридные, бромидные, броматные, сульфатные, фосфатные, щелочные электролиты. Наиболее экономичными и стабильными являются сульфаматные электролиты иридирования на основе хлоридных соединений иридия [1, 2].

Из способа электролитического осаждения покрытий осмием и иридием [3] известен сульфаматный электролит иридирования следующего состава, г/л: Ir - 5-5,5 (в виде Na2IrCl6 или H2IrCl6), сульфаминовая кислота NH2SO3H - 20. Электрохимическое осаждение ведут прерывистым током плотностью 1,4-1,6 А/дм2 при температуре 65-70 °C и интенсивном перемешивании. Получают иридиевые покрытия толщиной до 100 мкм на медной подложке (электроде). Максимальный выход металла по току 4,22% достигается при плотности тока 1,5 А/дм2. Недостатками данного электролита иридирования являются высокая температура электролиза, низкий выход иридия по току, необходимость интенсивного перемешивания электролита. Кроме того, этот способ не адаптирован для осаждения иридия на полупроводники, в частности на арсенид галлия.

Известны сульфаматные электролиты, полученные растворением металлического иридия в сульфаминовой кислоте при воздействии переменного тока промышленной частоты, протекающим с образованием сульфаматных комплексов иридия желтого (при концентрации сульфаминовой кислоты 10-25 г/л и плотности тока 1-5 А/дм2) или зеленого цвета (при концентрации кислоты 50-100 г/л и плотности тока 40-60 А/дм2), состав которых выражается предположительно следующими брутто-формулами: «желтый» сульфамат иридия - Н3[Ir2(NH2SO3)4O3(H2O)2]·5·H2O, «зеленый» сульфамат иридия - H3[Ir2(NH2SO3)6O(OH)2]·2·H2O [4, 5]. Оптимальный состав сульфаматного электролита, г/л: иридий (в пересчете на металл) - 20-30, сульфаминовая кислота - 50-100 г/л. Электролиз ведут при температуре 70-90°C, плотности тока 0,5-0,7 А/дм2, при перемешивании электролита. Выход иридия по току составляет 0,2-0,3%. Недостатками данного электролита иридирования являются большая продолжительность и трудоемкость получения сульфаматных комплексов иридия, высокая концентрация иридия, высокая температура, низкий выход иридия по току.

При электроосаждении металлов на полупроводники существуют особенности: для осаждения качественных осадков необходимо использовать небольшую плотность тока; имеет место меньшая прочность сцепления (адгезия) пленки металла, особенно с малолегированным полупроводником n-типа; редко совпадают коэффициенты линейного расширения осаждаемого металла и полупроводника и др. [6]. Качественные иридиевые покрытия на полупроводниковой подложке были получены в работе [7]. Электроосаждение иридия на арсенид галлия n-типа проводили из сульфаматного электролита, полученного растворением металлического иридия в сульфаминовой кислоте при воздействии переменного тока по методике, предложенной в [3]. Состав электролита, г/л: соединение иридия неустановленной структуры (в пересчете на иридий) - 5, сульфаминовая кислота - 50. Режим электролиза: катодная плотность тока 3 А/дм2, температура электролита 65°C. Выход по току - 0,5-0,6% и может быть незначительно повышен после предварительной термической обработки до перехода зеленой окраски исходного электролита в коричневую. Осаждение проводят без перемешивания. Указанный состав и способ электроосаждения иридия характеризуются рядом недостатков: малый срок службы электролитической ванны (старение электролита) и большая трудоемкость ее получения; низкий выход иридия по току; низкая устойчивость получаемых иридиевых контактов к воздействию повышенных температур и длительной выдержке в воздушной атмосфере. Качество электрофизических характеристик контактов Ir/n-GaAs с барьером Шоттки недостаточно высоко (показатель идеальности n=1,16±0,09; высота барьера φbm=0,81±0,06).

Наиболее близким к изобретению является сульфаматный электролит, содержащий соединение иридия неустановленной структуры оливково-зеленого цвета, которое получают при взаимодействии диаммониевой соли гексахлориридиевой кислоты (NH4)2IrCl6 (25 г) с сульфаминовой кислотой NH2S03H (60 г) при нагревании водного раствора (600 мл) в течение не менее 30 часов (до 70 часов) при температуре 100°C [8]. Соединение иридия, полученное по данному изобретению, и электролит на его основе наиболее эффективно использовались для электрохимического осаждения сплавов рутений-иридий. Концентрация иридия в электролите была до 12 г/л, предпочтительно от 3 до 10 г/л. Содержание рутения, когда он присутствует в ванне, находится в тех же пределах. Типовой состав электролита (г/л) и условия электролиза: соединение иридия оливково-зеленого цвета (в пересчете на иридий) - 8-9, µ-нитридо-бис[тетрахлороакварутенат (IV)] аммония (NH4)3[Ru2N(H2O)2Cl8] (в пересчете на рутений) - 8-9, тетрафторборат натрия NaBF4 - 100, тетрафторборная кислота HBF4 - 30, сульфаминовая кислота NH2SO3H - 7; температура - 70°C, катодная плотность тока - 3 А/дм2; значение рН электролита - 0,9. Содержание иридия в сплаве, полученном из этого электролита, составляет 3-4 мас.%. Процесс электроосаждения проводится при температуре от комнатной до 95°C, предпочтительно от 50 до 70°C, при катодной плотности тока от 0,5 до 12 А/дм2, предпочтительно от 2 до 10 А/дм2. Оптимальная область рН от 0,9 до 1,3 поддерживается добавлением NaBF4, HBF4 и/или NH2SO3H.

Недостатками известного электролита иридирования являются большая продолжительность и трудоемкость получения соединения иридия, связанная с многостадийностью этого процесса. Возможны потери дорогостоящего соединения иридия из-за частичного растворения соединения в промывной воде. В процессе электроосаждения необходимо использовать высокую плотность тока и температуру. Кроме того, способ не адаптирован для осаждения иридия на плохо проводящие подложки, не позволяющие использовать высокую плотность тока, в частности на арсенид галлия. Электролит выбран нами в качестве прототипа.

Задачей предлагаемого изобретения является разработка электролита иридирования, позволяющего получать качественные покрытия на арсениде галлия с высоким выходом по току в широком диапазоне температур, и способа его приготовления.

Задача решается выбором исходного количественного состава электролита и режима его приготовления, обеспечивающих образование новых растворимых комплексных соединений иридия. Электролит содержит сульфаматные комплексы иридия неустановленной структуры, которые получают в водном растворе, содержащем (г/л): гексахлориридиевую кислоту в пересчете на иридий 3,0-6,5, предпочтительно 4,8-5,0 г/л; сульфаминовую кислоту 30-60, обрабатывая раствор на водяной бане с температурой 100°C в течение 3-4 часов, до перехода исходной окраски раствора в устойчивую оранжево-желтую (лососевую), после чего добавляют деионизированную воду до исходного содержания иридия. Из полученного электролита осаждают иридий на арсенид галлия. Оптимальный режим получения качественного покрытия: температура 20-65°C, при катодной плотности тока от 0,1 до 2 А/дм2, предпочтительно от 0,3 до 0,5 А/дм2, при значении рН электролита в интервале от 0,5 до 0,8. Выход иридия по току при плотности катодного тока 0,3 А/дм2 в зависимости от температуры составляет 14-96%.

Для приготовления электролита использовали гексахлориридиевую кислоту с процентным содержанием иридия 19,94% марки ЧДА, сульфаминовую кислоту марки ХЧ и деионизованную воду. Электролит иридирования содержит, (г/л): H2IrC16 (в пересчете на иридий) - 3,0-6,5 (по прототипу Ir - 8-9); NH2SO3H - 30-60 (по прототипу - 7) готовят следующим образом. Требуемое количество сульфаминовой кислоты растворяют в 2/3 объема электролита подогретой до 50-60 °C деионизированной воды. В раствор кислоты при перемешивании вносят навеску гексахлориридиевой кислоты в соответствии с формулой изобретения. Полученную смесь нагревают в кварцевом стакане на водяной бане при температуре 100°C в течение 3-4 часов до перехода исходной красно-коричневой окраски в устойчивую оранжево-желтую (лососевую). В полученный раствор после охлаждения и фильтрования добавляют деионизованную воду для доведения количественного содержания компонентов согласно их исходному содержанию. Выделение и промывание осадка, в отличие от прототипа, не производится, электролит готовят из исходных компонентов за одну стадию.

Изменение окраски указанного раствора, а также приобретение прозрачности свидетельствует об образовании новых комплексных соединений иридия неустановленного состава. На основании данных спектрофотометрии и инфракрасной спектроскопии, полученных нами и известных из литературы [4, 5, 9], можно полагать, что в электролите по изобретению содержатся преимущественно биядерные сульфаматные комплексы иридия, в которых один ион иридия имеет степень окисления +3, а другой +4. Выход иридия по току (см. ниже) рассчитан исходя из средней (суммарной) степени окисления иридия +3,5.

Оптимальный состав исходных компонентов для приготовления сульфаматного раствора электролита иридирования оценен теоретически и проверен экспериментально на основании исследований влияния концентрации иридия в интервале 2,5-6,5 г/л и сульфаминовой кислоты в интервале 30-60 г/л на качество осадка иридия и величину его выхода по току. Теоретическая оценка производилась путем расчета соотношения иридиевого и сульфаматного компонентов согласно составу образующегося биядерного сульфаматного комплекса иридия при задании необходимого значения рН электролита. Расчетное изменение рН раствора за счет связывания сульфаминовой кислоты с иридием практически совпадает с экспериментально измеренным, что свидетельствует о правильности предположения об образовании в электролите биядерного сульфаматного комплекса иридия.

При уменьшении концентрации иридия в электролите ниже 3 г/л качественных осадков при комнатной температуре получить не удается. Покрытия иридием темные и не имеют металлического блеска. При увеличении концентрации иридия выше 5 г/л качество осадка и выход по току практически не изменяются, поэтому использовать большее количество дорогостоящего иридия не целесообразно.

Кислотность электролита иридирования имеет важное значение. При величине рН электролита менее 0,5 существенно понижается выход иридия по току из-за одновременного (побочного) выделения водорода. При величине рН больше 0,8 в растворе возможно протекание реакций акватации и гидратации, окислительно-восстановительных процессов, что может привести к изменению состава электролита и его быстрому старению. Присутствие сульфаминовой кислоты в электролите, помимо задания величины рН, служит для уменьшения внутренних напряжений в осадке. Таким образом, содержание сульфаминовой кислоты, требуемой для образования биядерных комплексов с иридием при концентрации последнего 3-6,5 г/л и при одновременном поддержании необходимой величины рН электролита, составляет 30-60 г/л.

Условия электрохимического осаждения иридия из предлагаемого электролита определены нами экспериментально на основании исследований влияния плотности тока в интервале 0,05-3,5 А/дм2, температуры электролита в интервале 20-80°С, режима электролиза на скорость осаждения и выход иридия по току. При плотностях тока менее 0,1 А/дм2 осадки иридия неравномерны, имеют сотовую структуру. При электролизе при плотностях тока более 3 А/дм2 наблюдается образование иридиевой черни, осаждающейся в виде точечных островков поверх блестящего осадка иридия. При электроосаждении из электролита с содержанием иридия около 5 г/л при комнатной температуре и плотности тока 0,3-0,5 А/дм2 выход металла по току составляет 9-14%. При температуре 60-65°C и плотности тока 0,3 А/дм2 получены качественные покрытия иридием с выходом по току, близким к 100%. Толщина иридиевого покрытия на арсениде галлия составляла не более 0,3 мкм.

В возможном варианте реализации данного изобретения на электролит дополнительно воздействуют ультразвуковыми колебаниями с частотой от 18 до 35 кГц, что способствует более однородной концентрации раствора в пограничном слое. Передача ультразвуковых колебаний осуществлялась через дно электрохимической ячейки с помощью термостатируемой ультразвуковой ванны типа ПСБ-1335-05 (рабочая частота 35 кГц; выходная мощность 50 Вт) или ультразвуковой установки типа УЗУ-0,1 (рабочая частота 18 кГц, выходная мощность - 96 Вт). При наложении ультразвукового (УЗ) поля увеличение скорости электроосаждения иридия и выхода по току незначительно, однако в этом случае осадки иридия, согласно результатам исследований их поверхности методом атомно-силовой микроскопии (АСМ), имеют более мелкозернистую структуру. Использование УЗ позволяет получать менее напряженные, мелкокристаллические и беспористые осадки. Выпрямляющие контакты Ir/n-GaAs в меньшей степени подвержены температурной и временной деградации.

Изобретение иллюстрируется фиг.1, на которой приведены АСМ-изображения поверхности покрытий, полученные способом электрохимического осаждения иридия на арсенид галлия по изобретению: а) - электролиз с наложением ультразвукового поля; б) - обычный электролиз; в), г) - соответствующие гистограммы распределения частиц по зернистости.

Качество покрытий характеризуется равномерностью и мелкокристалличностью осадка иридия, а также электрофизическими характеристиками контакта Ir/n-GaAs с барьером Шоттки. Электрофизические параметры контакта должны быть близкими к идеальным (расчетным) значениям, иметь хорошую термическую устойчивость и высокую стабильность параметров при длительном хранении в воздушной атмосфере.

Оценка качества иридиевого покрытия, получаемого по предлагаемому изобретению, помимо анализа структуры осадка, проводилось по электрофизическим параметрам диодных структур Ir/n-GaAs: показателю идеальности n и высоты барьера Шоттки φbm, а также их стабильности при изменении термических и атмосферных условий. Для этого иридий осаждали на выделенные участки арсенида галлия, в так называемые контактные «окна» диаметром от 5 до 500 мкм, вскрытые в защитной пленке SiO2. Использованы n-n+-GaAs (100) структуры с концентрацией носителей заряда в эпитаксиальных слоях толщиной 1 мкм n=8·1016 см-3 и n=3·1015 см-3, с концентрацией носителей заряда в подложке n+=2·1018 см-3. С обратной стороны подложки изготавливали омический контакт на основе сплава AuGe.

Качество полученных покрытий контролировали визуально с помощью микроскопа типа «LEITZ LATIMET» и методом атомно-силовой микроскопии (АСМ) на микроскопе Solver-NDT. Выход иридия по току определяли по толщине осадка, полученного на поверхности полупроводника, которую измеряли с помощью интерференционного микроскопа МИИ-4М. Электрофизические параметры контактов Ir/n-GaAs с барьером Шоттки определяли из измерений вольт-амперных характеристик.

Некоторые результаты применения предлагаемого изобретения приведены в примерах 1, 2 и таблицах 1-3.

Пример 1 иллюстрирует приготовление и использование электролита по изобретению.

Этап а). Готовят электролит следующего состава (г/л): H2IrCl6 (в пересчете на иридий) - 5, NH2SO3H - 50. Для приготовления 100 мл рабочего электролита берут 5 г сульфаминовой кислоты, растворяют в 70 мл подогретой до 50-60°C деионизированной воды. В раствор кислоты вносят навеску 2,51 г H2IrCl6. Полученную смесь нагревают в кварцевом стакане, накрытом конической крышкой из фторопласта, на водяной бане при температуре 100°C в течение 3-4 часов до перехода исходной красно-коричневой окраски в устойчивую оранжево-желтую (лососевую). Испаряющуюся воду периодически компенсируют добавлением горячей деионизированной воды. Раствор после охлаждения и фильтрования доводят до объема 100 мл. Получают электролит с величиной рН 0,72-0,74.

Этап б). Электрохимическое осаждение иридия осуществляют при катодной плотности тока 0,3 А/дм2 и температуре 25°С в течение 15 минут. Образцы арсенида галлия вносят в электролит под током. В качестве вспомогательного поляризующего электрода (анода) используют платину. Скорость осаждения иридия около 0,007 мкм/мин, выход по току 14%. Толщина осадка иридия 0,1 мкм (фиг.1 б, 1 г).

В таблице 1 показаны выход по току и скорость осаждения иридия на эпитаксиальные структуры n-арсенида галлия в зависимости от режима иридирования, температуры и плотности тока из электролита состава (г/л): H2IrCl6 (в пересчете на иридий) - 5, NH2SO3H - 50. Для оценки термической устойчивости диодных структур Ir/n-GaAs их отжигали в атмосфере водорода в интервале температур от 300 до 550°С в течение 10 минут при каждой температуре. В таблице 2 приведены результаты измерений показателя идеальности (n) и высоты барьера Шоттки (φbm) до и после термообработки.

Пример 2 иллюстрирует использование электролита с наложением УЗ-поля.

Электрохимическое осаждение осуществляют в электролите по примеру 1 при катодной плотности тока 0,3 А/дм2, температуре 25°С в течение 20 минут с наложением УЗ-поля частотой 35 кГц. Образцы арсенида галлия вносят в электролит под током. В качестве вспомогательного поляризующего электрода-анода используют платину. Скорость осаждения иридия 0,0075 мкм/мин, выход по току 15%. Толщина иридиевого осадка 0,15 мкм при более мелкой зернистости покрытия (фиг.1а, 1в).

Готовые структуры Ir/n-GaAs с барьером Шоттки для оценки их стабильности выдерживались длительное время на воздухе в комнатных условиях. В таблице 3 приведены результаты измерений показателя идеальности (n) и высоты барьера Шоттки (φbm) диодных структур Ir/n-GaAs после выдержки образцов на воздухе при комнатной температуре. Как видно из результатов, полученных по примерам 1 и 2 (таблицы 2 и 3), предлагаемый электролит позволяет получать качественные выпрямляющие иридиевые контакты к арсениду галлия, Ir/n-GaAs, в том числе малого размера (диаметром до 5 мкм), имеющие электрофизические характеристики, практически соответствующие идеальным (теоретически рассчитанным); большую термическую устойчивость (до 500°С) и высокую стабильность электрических параметров при длительном хранении в воздушной атмосфере.

Электролит по изобретению отличается простотой приготовления, позволяет получать равномерные мелкокристаллические осадки иридия на эпитаксиальные структуры n-GaAs с высоким выходом по току в широком интервале температур, в том числе при комнатной температуре. Электролит стабилен в работе, не теряет своей электрохимической активности после длительного хранения (в течение 4-х лет).

Источники информации

1. Грилихес С.Я., Тихонов К.И. Электрохимические и химические покрытия. Теория и практика. - Л.: Химия. Ленингр. отд-ние, 1990. - 288 с.

2. Jones Т. Iridium plating // Metal Finishing. - 2004. - V. 102, № 6. - P. 87-103.

3. SU 962339, МКИ C25D 5/18. Способ электролитического осаждения покрытий осмием и иридием. Опубл. 30.09.82.

4. Попович Т.Н. Электрохимическое осаждение иридия // Электрохимическое осаждение и применение покрытий драгоценными и редкими металлами. Тезисы докл. всесоюзн. научн.-технич. конф. - Харьков, 1972. - С.78-82.

5. Электроосаждение благородных и редких металлов / Под ред. Л.И. Каданера. - Киев: Техника, 1974.- 161 с.

6. Батенков В.А. Электрохимия полупроводников. Учебное пособие. Изд. 2-е, допол. - Барнаул: Изд-во Алт. ун-та, 2002. - 162 с.

7. Батенков В.А., Фомина Л.В., Сарыгина Е. М. Создание выпрямляющих контактов к арсениду галлия электроосаждением платиновых металлов // Химия и химическая технология на рубеже тысячелетий: Материалы II Всероссийской науч. конф. - Томск, 2002. Т. 2. С.210-212.

8. ЕР 0029272 А2, МПК C25D 3/50. An iridium compound and a bath and a process for electrodepositing iridium, date of publication app.27.05.81.

9. Безносюк C.A., Фомина Л.В. Моделирование строения сульфаматных аквакомплексов иридия (IV, III) и механизмов их активации в электрохимическом осаждении металла на поверхность // Известия АлтГУ, серия Химия. - 2003. - № 3 (28). - С.7-12.

Таблица 1
Метод электролиза Температура, °C Плотность тока, А/дм2 Скорость осаждения, мкм/мин Выход по току, %
гальваностатический 20 0,3 0,005 11
0,5 0,005 7
25 0,3 0,007 14
0,5 0,006 9
65 0,1 0,014 100
0,3 0,045 96
0,5 0,03 40
0,6 0,03 38
0,9 0,05 37
2 0,025 17
гальваностатический 25 0,3 0,0075 15
с наложением УЗ-поля 0,5 0,01 13
50 0,3 0,03 72
0,5 0,03 40
60 0,3 0,035 80
0,5 0,03 40
Таблица 2
D, мкм До отжига Tотж=300°C Тотж=400°C Тотж=450°C Тотж =500°C
n φbm, эВ n φbm, эВ n φbm, эВ n φbm, эВ n φbm, эВ
500 1,045 0,89 1,052 0,85 1,058 0,84 1,073 0,82 1,829 0,68
200 1,050 0,89 1,060 0,85 1,055 0,84 1,068 0,82 1,524 0,76
100 1,058 0,88 1,058 0,84 1,060 0,83 1,068 0,82 1,112 0,81
50 1,063 0,87 1,070 0,84 1,065 0,83 1,073 0,82 1,114 0,82
30 1,065 0,87 1,073 0,84 1,089 0,81 1,065 0,81 1,101 0,81
15 1,070 0,87 1,089 0,84 1,096 0,79 1,081 0,80 1,112 0,80
5 1,078 0,86 1,117 0,80 1,104 0,77 1,089 0,79 1,096 0,80

D - диаметр окна, в которое осаждается иридий

Таблица 3
D, мкм Исходные значения 5 месяцев 1,5 года 3 года 9 месяцев
n φbm, эВ n φbm, эВ n φbm, эВ n φbm, эВ
500 1,047 0,897 1,034 0,886 1,050 0,871 1,045 0,871
200 1,039 0,904 1,040 0,886 1,050 0,875 1,042 0,870
100 1,047 0,903 1,058 0,879 1,068 0,870 1,058 0,875
50 1,064 0,899 1,063 0,882 1,070 0,870 1,086 0,868
20 1,072 0,955 1,065 0,874 1,073 0,828 1,112 0,869

D - диаметр окна, в которое осаждается иридий

1. Способ приготовления электролита для электрохимического осаждения иридия на арсенид галлия, включающий растворение в деионизированной воде сульфаминовой кислоты и гексахлориридиевой кислоты при термообработке раствора на водяной бане с температурой 100°C, отличающийся тем, что растворяют 30-60 г/л сульфаминовой кислоты и 3,0-6,5 г/л гексахлориридиевой кислоты в пересчете на иридий, а термообработку раствора проводят в течение 3-4 часов до перехода исходной окраски раствора в устойчивую оранжево-желтую, после чего раствор охлаждают, фильтруют и добавляют деионизированную воду до исходного содержания иридия.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что растворяют 4,8-5,0 г/л гексахлориридиевой кислоты в пересчете на иридий.

3. Электролит для электрохимического осаждения иридия на арсенид галлия, отличающийся тем, что он получен способом по п.1.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области гальванотехники и может быть использовано для изготовления полупроводников. Способ электролитического осаждения меди на подложку, содержащую элементы поверхности субмикрометрового размера, имеющие размер отверстия 30 нанометров или менее, включает: а) контактирование с подложкой электролитической ванны для осаждения меди, содержащей источник ионов меди, один или более ускоряющих агентов и один или более подавляющих агентов, выбранных из соединений формулы I где каждый радикал R1 независимо выбирается из сополимера этиленоксида и по меньшей мере еще одного С3-С4 алкиленоксида, причем указанный сополимер представляет собой случайный сополимер, каждый радикал R2 независимо выбирается из R1 или алкила, Х и Y независимо представляют собой спейсерные группы, причем Х имеет независимые значения для каждой повторяющейся единицы, выбранные из С1-С6 алкилена и Z-(O-Z)m, где каждый радикал Z независимо выбирается из С2-С6 алкилена, n представляет собой целое число, больше или равное 0, m представляет собой целое число, больше или равное 1, в частности m равно 1-10, а содержание этиленоксида в сополимере этиленоксида и С3-С4 алкиленоксида составляет от 30 до 70%, и b) создание плотности тока в подложке в течение периода времени, достаточного для заполнения медью элемента субмикронного размера.
Изобретение относится к гальванотехнике и может быть использовано в технологии микроэлектроники, в которой слой меди необходимо нанести на тонкий подслой кобальта или его сплавов (кобальт-фосфор, кобальт-вольфрам-фосфор) или меди, находящейся на поверхности кремниевых пластин.

Способ золочения каршдлизобретение относится к тезшологии получения невыпряшшющюс (омических^контактов на полупроводниковых материалах.известные способы получения таких контактов требовали после.щгющей термической обработки, что могло привести к изменению свойств самого кристалла.описываемый способ золочения карбида кремния il - типа позволяет получать невыпрямлящие (омические) контакты к этому полупрово.днику без последующей термообработки кристалла, что дает возможность точно контролировать его удельное сопротивление. достигается зто тем, что контакт с карбидом кремния получают путем нанесения на его поверхность слоя золота гальваническим путем. // 138790
Изобретение относится к тезшологии получения невыпряшшющюс (омических^контактов на полупроводниковых материалах.Известные способы получения таких контактов требовали после.щгющей термической обработки, что могло привести к изменению свойств самого кристалла.Описываемый способ золочения карбида кремния IL - типа позволяет получать невыпрямлящие (омические) контакты к этому полупрово.днику без последующей термообработки кристалла, что дает возможность точно контролировать его удельное сопротивление.
Изобретение относится к медицине, а именно к стоматологии. .
Изобретение относится к металлургии, химии, в частности к прикладной электрохимии - к разработке способа изготовления платинотитановых анодов. .

Изобретение относится к гальванотехнике и может быть использовано в производстве электрических контактов, в том числе герметизированных. .

Изобретение относится к электрохимическому выделению благородных металлов из водных растворов и может быть использовано для получения покрытий на деталях, применяемых в радиотехнике, электронной и вычислительной технике.

Изобретение относится к защите металлов от коррозии и может найти применение в химической промышленности, машиностроении и других областях, где требуется защита пассивирующихся металлов от локальной коррозии.

Изобретение относится к гальванотехнике , а именно к выделению палладия из водных растворов, и может быть использовано для получения покрытий на деталях, применяемых в радиотехнике, электронной и вычислительной технике.

Изобретение относится к нанесению металлических слоев покрытия и может быть использовано при изготовлении полупроводников. Предложен состав для нанесения металлического слоя, который содержит источник металлических ионов и по меньшей мере один подавляющий агент, который получают путем реакции аминного соединения, содержащего активные функциональные аминогруппы, со смесью этиленоксида и по меньшей мере одного соединения, выбранного из С3 и С4 алкиленоксидов, для получения случайных сополимеров этиленоксида и по меньшей мере еще одного из С3 и С4 алкиленоксидов, причем указанный подавляющий агент имеет молекулярную массу 6000 г/моль или более, а содержание этиленоксида в сополимере этиленоксида и С3-С4 алкиленоксида составляет от 30 до 70%. Также предложен способ электролитического нанесения металлического слоя на подложку путем контакта электролитической ванны для нанесения металлического слоя, содержащей упомянутый состав, с подложкой, и создания плотности тока в подложке в течение периода времени, достаточного для нанесения металлического слоя на подложку. Изобретения позволяет получить слой покрытия, обеспечивающий беспустотное заполнение элементов поверхности нанометрового и микрометрового масштаба. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 12 ил., 8 пр.

Изобретение относится к нанесению металлических слоев покрытия и может быть использовано при изготовлении полупроводников. Предложен состав для нанесения металлического слоя, содержащий источник металлических ионов и по меньшей мере один подавляющий агент, полученный путем реакции аминного соединения, содержащего по меньшей мере три активные функциональные аминогруппы, со смесью этиленоксида и по меньшей мере одного соединения, выбранного из С3 и С4 алкиленоксидов, для получения случайных сополимеров этиленоксида и по меньшей мере еще одного из С3 и С4 алкиленоксидов, причем содержание этиленоксида в сополимере этиленоксида и С3-С4 алкиленоксида составляет от 30 до 70%. Также предложен способ электролитического нанесения металлического слоя на подложку путем контакта электролитической ванны для нанесения металлического слоя, содержащей упомянутый состав, с подложкой, и создания плотности тока в подложке в течение периода времени, достаточного для нанесения металлического слоя на подложку. Изобретения позволяют получить слой покрытия, обеспечивающий беспустотное заполнение элементов поверхности нанометрового и микрометрового масштаба. 3 н. и 11 з.п. ф-лы, 15 ил., 1 табл., 12 пр.

Изобретение относится к композиции для электроосаждения меди, используемой в процессе производства полупроводников, для заполнения небольших элементов, таких как сквозные отверстия и желобки. Композиция содержит источник ионов меди, по меньшей мере одну добавку, содержащую полиалкилениминовую основную цепь, где указанная полиалкилениминовая основная цепь имеет молекулярную массу Mw от 500 до 100000 г/моль, где N атомы водорода в основной цепи замещены полиоксиалкиленовым радикалом и где среднее количество оксиалкиленовых единиц в указанном полиоксиалкиленовом радикале составляет от 1,5 до 10 на N-H единицу, один или более усиливающих агентов, один или более подавляющих агентов и источник ионов галогенидов. Описано также применение композиции в электролитической ванне для осаждения слоев и способ осаждения слоя металла на подложку. Технический результат - достижение однородного осаждения металла на поверхность подложки и исключение дефектов, таких как пустоты и швы в полосках меди. 3 н. и 11 з.п. ф-лы, 2 табл., 17 пр., 10 ил.
Наверх