Накопитель на микросхемах памяти



Накопитель на микросхемах памяти
Накопитель на микросхемах памяти
Накопитель на микросхемах памяти
Накопитель на микросхемах памяти
Накопитель на микросхемах памяти
Накопитель на микросхемах памяти
Накопитель на микросхемах памяти
Накопитель на микросхемах памяти

 


Владельцы патента RU 2531576:

Косарев Алексей Алексеевич (RU)

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в создании накопителя только на магнетиках. Накопитель на микросхемах с прямоугольной петлей гистерезиса с электроникой полноточных магнитных элементов, с электрической перезаписью, причем память имеет практически неограниченную частоту считывания, и полностью магнитным исполнением. 3 ил., 7 табл.

 

1. Цель работы

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике.

Постоянные запоминающие устройства - накопители (ПЗУ) являются необходимым устройством для построения ЭВМ, особенно для схем управления.

Возможность электрической перезаписи снимает необходимость ручной или автоматической коммутации.

Целью данной работы является создание накопителя только на магнетиках и тем самым пополнение приборной базы магнитной цифровой техники.

2. Уровень техники

Известно очень большое число видов накопителей: электрических, световых, магнитных и других.

Некоторые магнитные накопители сделаны на магнитных сердечниках с прямоугольной петлей гистерезиса, но во всех этих устройствах, кроме магнетиков, существенно используются транзисторы и диоды.

В данном изобретении, кроме микросхемы памяти на магнетиках, используется полноточный магнитный элемент (ПМЭ)3, т.е. все устройства являются магнитными и могут естественно включаться, например, в магнитный компьютер.

3. Раскрытие изобретения

На рис.2 показана микросхема памяти. Она состоит из 3-х магнитных сердечников с прямоугольной петлей гистерезиса, соединенных короткозамкнутой цепью и прошитых шинами.

В таблице 4 показаны потоки магнитной индукции сердечников в состояниях микросхемы «0» и «1».

Накопительная часть представляет собой прямоугольник, заполненный микросхемами.

Число строк показывает длину числа. Число столбцов - количество запоминаемых кодов, умноженных на число в столбце.

Вдоль верхней и левой боковой граней накопительного блока расположены (ПМЭ)3.

Их выходы подключены ко всем шинам, кроме выходных.

В работе используются физические величины:

- поток магнитной индукции(ПМИ),

- изменения ПМИ (ИПМИ),

- токи и ампер-витки (Ав).

Все физические величины безразмерны.

Единицы физических величин произвольны

3.1. Полноточный магнитный элемент (ПМЭ)3.

На рис.1а представлены внутренние цепи (ПМЭ)3, на рис.16 изображены шины установки и считывания, входные и выходные шины.

В таблицах 1, 2 и 3 показан (ПМЭ)3 в состояниях «0» и «1», ИПМИ при считывании и состояния после считывания («0р» и «1р» соответственно).

По рис.1а и таблицам 1 и 2 можно проверить, что алгебраические суммы ПМИ в каждой внутренней цепи не меняются при изменении состояний прибора «0 и «1».

Найдем токи в (ПМЭ)3 при считывании «0» (1).

Амплитуду тока считывания устанавливаем равной 1.

В левой части равенства показаны Ав, действующие на сердечник (показан слева).

В правой части дано значение Ав, достаточное для полного перемагничивания сердечника за время ΔT.

Из соотношений (1) находим: n=1-k, m2=1-2k, v=1-3k, с2=2-6k, z2=C2-m2-k, т.е. Z2=l-6k.

Входная мощность равна 2(2×е).

Выходная мощность равна 2-12k (2×z2).

Потеря мощности при считывании происходит в шести сердечниках и k = 1 6 .

Если (ПМЭ)3 нагружен на 12 сердечников (ИПМИ которых равно 2), то из соотношения z2=1-6k-24k находим, что k 1 30 , т.е. в пять раз меньше, чем у ненагруженного (ПМЭ)3.

Считывание «1» совершенно аналогично; можно ограничиться заменой индексов.

При считывании «О» не перемагничиваются (C1) и (N1).

(C1) (m2-c2), т.е. ПМИ удерживается в «0» Ав (-1+4k).

(N1) (-n-m2+c2) Ав равны - 3k.

Такие же значения при Ав и при считывании «1» для (С2) и (N2).

3.2. Накопитель на микросхемах памяти

3.2.1. Запись числа

Если проводится запись числа с адресом ℓ, то элемент (ПМЭ)3 выдает импульс тока в выбранный столбец в I такте (αℓ), все микросхемы в столбце принимают состояние «0».

Во II такте по всем шинам в, кроме в=l, идет ток запрета, а по шинам g идет импульс предварительной записи, если в соответствующем разряде числа записана 1.

При предварительной записи в микросхемах столбца l перемагничиваются сердечники А и С.

В III такте (ПМЭ)3 выдает импульс тока в шину c. Сердечник А устанавливается в «0» и на С и В возникают ПМИ, равные 1.

3.2.2. Считывание числа со столбца

Считывание по шине d проводится сильными очень короткими разнополярными импульсами.

Амплитуда выходного сигнала на (С) равна 1 6 , амплитуда сигнала на (B) равна 1 6 .

Их сумма по цепи z передается на магнитные усилители.

В режиме считывания накопитель может выдавать информацию неограниченное время с практически неограниченной частотой. Поэтому ограничение быстродействия накопителя на микросхемах памяти ограничивается его электроникой.

Накопитель на микросхемах с прямоугольной петлей гистерезиса, с электроникой полноточных магнитных элементов, с электрической перезаписью, отличающийся тем, что память имеет практически неограниченную частоту считывания, и полностью магнитным исполнением.



 

Похожие патенты:

Группа изобретений относится к области магнитных микро- и наноэлементов, представляет собой магнитный элемент для контроля параметров магнитной структуры типа «вихрь», который может быть использован как основа для создания магниторезистивной памяти с произвольной выборкой, а также способ такого контроля, применимый для диагностики наноматериалов.

Изобретение относится к проектированию ячеек энергозависимой магнитной памяти. .

Изобретение относится к устройствам энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии. .

Изобретение относится к технике стирания записи с магнитных носителей, таких, как жесткие и гибкие диски, магнитооптические диски, магнитные ленты и др. .

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике. .

Изобретение относится к акустоэлектронике, в частности к устройствам на основе магнитоупругих волн, и может использоваться для запоминания аналоговых сигналов в магнитоакустических устройствах обработки информации и применяться в различных радиоэлектронных системах.

Изобретение относится к ферритовым материалам с прямоугольной петлей гистерезиса, используемым д 7я изготовления элементов памяти оперативных запоминающих устройств электронных вычислительных машин.

Изобретение относится к акустоэлектронике и может найти применение при записи сигналов на магнитных носителях. .

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для построения накопителей ПЗУ. .

Изобретение относится к области автоматики и может быть использовано в устройствах для сохранения.информации при перерывах напряжения питания . .
Наверх