Приемник электромагнитного излучения широкого спектрального диапазона



Приемник электромагнитного излучения широкого спектрального диапазона
Приемник электромагнитного излучения широкого спектрального диапазона
Приемник электромагнитного излучения широкого спектрального диапазона

Владельцы патента RU 2536088:

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ) (RU)

Изобретение может быть использовано для создания устройств, различного назначения, например, датчиков пламени; датчиков электрической искры; оптической локации в УФ-спектре; оптической связи в УФ-диапазоне; дозиметрии УФ-излучения, быстродействующих УФ-фотоприемников для эксимерных лазеров; приборов контроля люминесценции в УФ-спектре; флуоресцентной спектрометрии; приборов ночного видения и т.п. Приемник электромагнитного излучения включает полупроводниковую структуру с электронно-дырочным переходом на основе арсенида галлия и внешние электроды, упомянутый электронно-дырочный переход выполнен компенсирующей глубокой примесью хрома с неоднородным по толщине слоя арсенида галлия распределением примеси, причем в приповерхностной области полупроводниковой структуры сформирована область с концентрацией хрома, превышающей концентрацию доноров в исходном арсениде галлия, а во внутреннем объеме полупроводниковой структуры сформирована область с концентрацией хрома меньше, чем концентрация доноров в исходном арсениде галлия. Изобретение обеспечивает расширение спектрального диапазона работы фотоприемного устройства от инфракрасного излучения до вакуумного ультрафиолета. 1 з.п. ф-лы, 1 табл., 3 ил.

 

Изобретение относится к приемникам электромагнитного излучения широкого спектрального диапазона и может быть использовано для создания устройств различного назначения: датчики пламени; датчики электрической искры; наблюдение ионосферы в УФ-диапазоне спектра (контроль озонового слоя); оптическая локация в УФ-спектре; оптическая связь в УФ-диапазоне; дозиметрия УФ-излучения, быстродействующие УФ-фотоприемники для эксимерных лазеров; дифференциальные УФ-фотоприемники для хромотографии и спектрофотометрии; приборы контроля люминесценции в УФ-спектре; флуоресцентная спектрометрия; приборы ночного видения общего и специального назначения.

Известны единичные и многоэлементные приемники электромагнитного излучения, выполненные на основе различных сложных полупроводниковых структур на различные диапазоны энергий: ультрафиолетовый диапазон 220-400 нм; видимый диапазон 400-670 нм; ближний инфракрасный диапазон 700-1700 нм, устройства визуализации изображения, в которых широко применяются формирователи изображений фокальной плоскости (Focal Plane Array, FPA) различного узкого спектрального диапазона. В таблице 1 представлены параметры FPA для диапазона 200-1700 нм.

Таблица 1
Параметры FPA
FPA λ, нм Квантовая эффективность, % D*, смГц1/2 Вт-1 295К Размерность Диаметр пиксела, мкм
AlGaN FPA 200-380 70 6*1013 320×256 25
Si FPA 200-1000 90   4096×4096 5
InGaAs FPA 450-1700 90 1013 1280×1024 15
D* - обнаружительная способность FPA

В настоящее время отсутствуют фотоприемные устройства (ФПУ) с единым фоточувствительным элементом широкого спектрального диапазона и отсутствуют технические решения, обеспечивающие создание многоэлементного фотоприемника, перекрывающего своими возможностями диапазон 220-1700 нм [1]. Это, в свою очередь, требует создания новых принципиальных решений и типовых технологий изготовления высокочувствительных элементов ФПУ. Основное направление исследований следует направить на матрицы на основе высокоомного GaAs, компенсированного глубокими уровнями.

Патентный поиск показал, что существующие на сегодняшний день известные отечественные и зарубежные фотоприемные устройства, ориентированные на получение мультиспектральной характеристики исследуемого объекта, имеют технологически сложную конструкцию и обладают недостаточно высокими техническими и метрологическими характеристиками, особенно при работе в нетрадиционных диапазонах, при наличии атмосферных помех и других возмущающих факторов.

Наиболее близким техническим решением того же назначения, выбранным в качестве прототипа, является фоточувствительный полупроводниковый прибор (фотодиод) с низким уровнем темнового тока (US 4242695, H01L 31/101, Low dark current photo-semiconductor device) [2], в котором для уменьшения диффузионного тока и обусловленных им шумов фотодиода сформирован дополнительный p-n-переход, имеющий общую базу с основным p-n переходом.

В известном устройстве для увеличения отношения сигнал/шум и тем самым расширения спектрального диапазона уменьшают диффузионный ток основного p-n-перехода, так как уменьшение среднего значения диффузионного тока приведет к уменьшению его спектральной плотности шума.

Недостатком известного полупроводникового прибора является узкий спектральный диапазон, ограниченный ИК-спектральной областью, а также необходимость формирования дополнительного p-n-перехода, что существенно усложняет технологический процесс изготовления фоточувствительного прибора.

Задачей изобретения является создание полупроводникового приемника электромагнитного излучения широкого спектрального диапазона от инфракрасного излучения до вакуумного ультрафиолета.

Поставленная задача решается тем, что в приемнике электромагнитного излучения, включающем полупроводниковую структуру с электронно-дырочным переходом на основе арсенида галлия и внешние электроды упомянутый электронно-дырочный переход выполнен компенсирующей глубокой примесью хрома с неоднородным по толщине слоя арсенида галлия распределением примеси, причем в приповерхностной области полупроводниковой структуры сформирована область с концентрацией хрома, превышающей концентрацию доноров в исходном арсениде галлия, а во внутреннем объеме полупроводниковой структуры сформирована область с концентрацией хрома, меньше, чем концентрация доноров в исходном арсениде галлия. В частных случаях воплощения изобретения толщина приповерхностной компенсированной глубокими примесями области dπ-v не должна превышать дрейфовой длины генерируемых излучением электронов Ln=µn·τn·ξπ>dπ-v, где µn·τn - подвижность и время жизни неравновесных электронов, ξπ - напряженность электрического поля в π-слое.

Изобретение поясняется иллюстрациями.

На Фиг.1 показана зонная диаграмма полупроводниковой структуры, компенсированной примесями с глубокими уровнями.

Фиг.2 иллюстрирует формирование гофрированной зонной диаграммы Ec и Ev в сильно легированном и компенсированном GaAs.

На Фиг.3 изображена полупроводниковая структура π-v-n, ее энергетическая диаграмма, распределение объемного заряда и напряженности электрического поля в структуре при различных напряжениях смещения.

В электронно-дырочном переходе, образованном глубокой акцепторной примесью хрома, формируются два эффекта, позволяющих значительно расширить спектральный диапазона принимаемого излучения, от инфракрасного излучения до вакуумного ультрафиолета.

Первый эффект связан с компенсацией проводимости. В исходном GaAs имеются:

- фоновые донорные примеси (Ndф);

- акцепторные примеси (Naф);

- легирующие мелкие донорные примеси (Nd).

При этом выполняется соотношение: , и GaAs имеет электронный тип проводимости. Как заявлено выше, процесс компенсации проводимости осуществляется введением примеси (например, хрома), создающей глубокие акцепторные (узельные) d-примеси (NCr) в соотношении: . В результате фоновые примеси частично компенсируют друг друга, а электроны от оставшихся фоновых и мелких доноров компенсируют уровни узельных d-примесей NCr.

Примесь хрома создает глубокие уровни вблизи середины ширины запрещенной зоны GaAs, и в системе GaAs<Cr> хром диффундирует как межузельный атом. Встреча с вакансией галлия Cri+VGa→CrGa закрепляет хром в галлиевом узле с тетраэдрическим окружением мышьяковых лигандов. Каждый атом галлия в GaAs должен отдать три внешних электрона (состояние свободного атома галлия 4s24p1) на образование связи. Поэтому по сравнению с конфигурацией 3d54s1 для свободного атома Cr ион CrGa имеет структуру 3d3, и это его "нейтральное" состояние. Электроны в компенсированных d-атомах Cr приобретают электронную структуру 3d4, что соответствует "отрицательно" заряженному состоянию примеси Cr. Оставшиеся некомпенсированные атомы Cr по-прежнему будут в состоянии 3d3. Именно они будут поставлять дырки в валентную зону, но концентрация дырок будет чрезвычайно мала из-за большой энергии ионизации d-атомов, т.к. (ECr-Ev)~0,76 eV. Согласно статистике, концентрация равновесных дырок составляет произведение степени компенсации на плотность состояний в валентной зоне (p1), приведенная к уровню глубокого центра где . При ECr≈0,76 eV концентрация равновесных дырок в GaAs, а следовательно, и электропроводность снижаются на 10 порядков. Следовательно, материал, легированный компенсирующей глубокой примесью хрома будет чрезвычайно высокоомным.

Новизна изобретения заключается в том, что в полупроводниковой структуре приемника электромагнитного излучения технологически создается и используется неоднородное распределение концентрации глубоких примесей хрома. В той части полупроводниковой структуры, где выполняется соотношение , высокоомный слой будет иметь p-тип проводимости с очень низкой электропроводностью (фиг.1а). В той части полупроводниковой структуры, где выполняется соотношение , электроны с донорных центров полностью компенсируют уровни узельных d-примесей, и высокоомный слой имеет n-тип проводимости (фиг.1б). При этом концентрация электронов, а следовательно, и электропроводность материала снижаются пропорционально степени компенсации [|Nd-NCr|/Nd].

Второй эффект связан со случайным характером распределения примесей в кристалле. В случае компенсации глубокими примесями - это чрезвычайно важный аспект, так как центры локализованы и закрепляют уровень Ферми. В единой термодинамической системе (кристалле) уровень химического потенциала выравнивается, поэтому зонная картина приобретает гофрированный вид. На фиг.2 показан фрагмент случайного распределения потенциала, связанный с неоднородным распределением примесей, при фотовозбуждении носителей из валентной зоны в зону проводимости (переходы 1, 2, 3). В результате электроны и дырки в своих зонах оказываются пространственно разделенными. Поскольку их рекомбинация непрямым переходом затруднена, то они в таком неравновесном состоянии будут находиться долго, пока принудительным образом (переход 5) не возникнут условия для прямой рекомбинации (переход 4). Время жизни неравновесных носителей (τ) увеличивается по закону: τ=τ0·exp(ΔE/kT), где τ0 - время жизни в материале до легирования, ΔE - среднее значение высоты барьера для рекомбинации. Эффект гигантского (в сотни раз) увеличения времени жизни может наблюдаться лишь в материале сильно компенсированном примесями с глубокими уровнями. Так в системе GaAs<Te,Cr> величина ΔE≅0,15 эВ, и время жизни даже при 300К возрастает до ~10-7 с.

Для реализации изобретения разработана новая технология компенсации слоев GaAs электронного типа проводимости глубокой акцепторной примесью хрома [4].

Технология позволяет управлять процессами растворимости и диффузии глубокой примеси в более широком температурном диапазоне по сравнению с эпитаксией. В результате достигается высокая степень компенсации, уровень Ферми занимает предельное положение в объеме, а значение удельного сопротивления достигает своего теоретически предельного значения, ρ→ρmax=b1/2/2e·ni·µn, где b=µn/µp - соотношение подвижностей электронов и дырок, e - заряд электрона, ni - собственная концентрация GaAs, что почти на два порядка выше сопротивления известных из доступных источников информации LEC-GaAs кристаллов.

Сопоставительный анализ заявляемого технического решения и прототипа позволяет сделать вывод о соответствии критерию «новизна». Все признаки, включенные в п.1 формулы изобретения, являются существенными, они необходимы и достаточны для решения поставленной задачи.

Среди известных приемников и преобразователей отсутствуют технические решения, решающие задачу совокупностью отличительных признаков изобретения, что позволяет сделать заключение о соответствии заявляемого технического решения критерию «изобретательский уровень».

Осуществление изобретения на практике.

На фиг.3 представлена конструкция полупроводниковой структуры приемника электромагнитного излучения по изобретению, пригодная для фотоприемных устройств (ФПУ) различного назначения. Поскольку распределение компенсирующих примесей по глубине слоя неоднородно, одновременно формируются: высокоомный слой p-типа проводимости (π-слой) в той области, где выполняется условие ; высокоомный слой n-типа проводимости (ν-слой) в той области, где выполняется условие ; область объемного заряда (ООЗ) между π-слоем и ν-слоем. Таким образом, формируется электронно-дырочный переход на основе полуизолирующего GaAs, который содержит структуру π-ν-n-типа (см. фиг.3). Структура π-ν-n содержит ООЗ π-ν-перехода и одновременно проявляет свойства объемного материала и электронно-дырочного перехода. Поэтому в π-ν-n-структуре распределение напряженности электрического поля не ограничивается областью объемного заряда π-ν-перехода, а расширяется на всю толщину компенсированного слоя вплоть до поверхности, принимающей излучение, и контролируется неоднородным распределением концентрации ионизованных глубоких примесей хрома в π-слое.

Чувствительность заявленного приемного устройства в широком спектральном диапазоне обуславливается именно наличием π-ν-перехода, сформированного глубокими уровнями хрома.

Приемник электромагнитного излучения по изобретению работает следующим образом.

На сформированный π-ν-переход подается напряжение смещения обратной полярности. Кванты УФ и видимого диапазона спектра поглощаются на фотоприемной поверхности π-типа проводимости арсенид галлиевой π-ν-n-структуры. Образующиеся электронно-дырочные пары разделяются электрическим полем π-области, ξπ; фотоэлектроны под действием поля движутся к аноду n-типа проводимости с дрейфовой скоростью υn=µn·ξπ, где µn - подвижность электронов, наводя ток во внешней цепи. Поскольку, как было показано выше, время жизни электронов (τn) в π-ν-n-структурах возрастает, то за время жизни электроны успевают пройти расстояние до анода, не успевая рекомбинировать, Ln=µn·τn·ξπ>dπ-v. Наличие ускоряющего электрического поля у поверхности и высокое время жизни электронов обуславливают высокую квантовую эффективность, не менее 0,5, в видимом и УФ- диапазонах спектра, включая вакуумный УФ и мягкий рентген. За счет эффекта Франца-Келдыша, обусловленного высоким значением напряженности электрического поля в π-области и ООЗ π-ν-перехода, край собственного поглощения сдвигается почти до ИК-0диапазона с длиной волны 920 нм. Кванты ИК диапазона с энергией, менее ширины запрещенной зоны арсенида галлия (λ=900-1700 нм), поглощаются глубокими уровнями хрома в π-области, забрасывая ионизованные фотоэлектроны в зону проводимости, которые дрейфуют к аноду, наводя фототок во внешней цепи. Техническим результатом является расширение спектрального диапазона работы фотоприемного устройства.

Источники информации

1. Rogalski, A. Optical detectors for focal plane arrays /А. Rogalski// OptoElectronics Review. - 2004. - Vol.l2. - №2 - P.221-245.

2. US 4242695, H01L 31/101, 1980. Low dark current photo-semiconductor device. Прототип.

3. Seeger K. / Semiconductor Physics // Springer-Verlag, Wein, New York. 1973. 615 p.

4. Tolbanov O.P. / GaAs structures compensated with deep centers. // WIRESCRIPT Journal, CYEN Technologies SRL, 15 December 1999, 12 p.

1. Приемник электромагнитного излучения широкого спектрального диапазона, включающий полупроводниковую структуру с электронно-дырочным переходом на основе арсенида галлия и внешние электроды, отличающийся тем, что упомянутый электронно-дырочный переход выполнен компенсирующей глубокой примесью хрома с неоднородным по толщине слоя арсенида галлия распределением, причем в приповерхностной области полупроводниковой структуры сформирована область с концентрацией глубокой примеси, превышающей концентрацию доноров в исходном арсениде галлия, а во внутреннем объеме полупроводниковой структуры сформирована область с концентрацией глубокой примеси, меньшей, чем концентрация доноров в исходном арсениде галлия.

2. Приемник электромагнитного излучения по п.1, отличающийся тем, что толщину dπ-ν приповерхностной компенсированной глубокой примесью хрома области выбирают из условия Ln=µn·τn·ξπ>dπ-ν, где Ln - расстояние дрейфа, проходимое фотоэлектронами без рекомбинации, µn и τn - подвижность и время жизни электронов, ξπ - напряженность электрического поля в π-слое.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к способам изготовления фотовольтаических ячеек и может быть использовано в солнечных батареях. Предложенный способ основан на поэтапном изготовлении сенсибилизирующего слоя на основе нанокомпозитной гибридной структуры, содержащей мезопористый TiO2, полупроводниковые квантовые точки и органический краситель, и заключается в том, что для уменьшения толщины слоя КТ, адсорбированных на поверхность TiO2, вводится технологический этап предварительного удаления избыточного количества молекул солюбилизатора полупроводниковых квантовых точек из раствора и частично с поверхности квантовых точек.

Способ изготовления солнечного элемента содержит этапы формирования pn-перехода в полупроводниковой подложке, формирования пассивирующего слоя на светопринимающей поверхности и/или не принимающей свет поверхности полупроводниковой подложки и формирования электродов отбора мощности на светопринимающей поверхности и не принимающей свет поверхности.

Изобретение относится к области светоизлучающих устройств, в частности к высокоэффективным светоизлучающим диодам на основе нитридов элементов третьей группы Периодической системы химических элементов Д.И.Менделеева и их твердых растворов (далее - III-нитриды).

Изобретение относится к технике машинного зрения и может быть использовано в высокочувствительных видеокамерах и фотоаппаратах, в частности для регистрации трехмерных изображений.

Изобретение относится к полупроводниковым фоточувствительным приборам, конкретно к полупроводниковым лавинным фотодиодам с внутренним усилием сигнала. .

Изобретение относится к области микроэлектроники, а более конкретно к производству интегральных многоэлементных фотоприемников, например, для видеокамер и цифровой фотографии.

Изобретение относится к области микроэлектроники, а более конкретно к производству интегральных многоэлементных фотоприемников, например, для однокристальных цифровых видеокамер и цифровой фотографии.

Изобретение относится к полупроводниковым фоточувствительным приборам с внутренним усилием сигнала. .

Изобретение относится к области микроэлектроники, а более конкретно к производству интегральных многоэлементных фотоприемников, например для видеокамер и цифровой фотографии.

Изобретение относится к области микроэлектроники, а более конкретно к производству интегральных многоэлементных фотоприемников. .

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, чувствительным к свету. Гетероструктура содержит подложку, выполненную из AlN, на которой размещено три сопряженных друг с другом выполненных из In1-xGaxN двухслойных компонентов с p-n-переходами между слоями. Двухслойные компоненты сопряжены между собой туннельными переходами. Ширина запрещенной зоны компонентов возрастает в направлении к поверхности, предназначенной для облучения солнечной энергией. Между подложкой и смежным с подложкой двухслойным компонентом предусмотрены релаксационные слои, выполненные из твердых растворов металлов третьей группы. Релаксационные слои позволяют уменьшить рассогласование кристаллической решетки подложки и двухслойных компонентов. Ширина запрещенной зоны двухслойных компонентов удовлетворяет соотношению: Eg1:Eg2:Eg3=1:2,23:3,08, где 0,65≤Eg1≤0,85. Благодаря такому соотношению параметров двухслойных компонентов солнечная энергия поглощается во всем диапазоне спектра солнечного излучения, что позволяет повысить эффективность преобразования солнечной энергии в электрическую. 2 з.п. ф-лы, 1 ил., 2 табл.

Изобретение может быть использовано в космических летательных аппаратах и автономных системах, как высокопроизводительное экологически чистое средство получения электрической энергии в различных областях промышленности. Однопереходной солнечный элемент включает р-кремниевую подложку из кремния p-типа Si(100) предварительно обработанную кислотой HF. На верхней стороне подложки расположен слой пленки n-типа толщиной 4-5 нм из аморфного нитрида кремния смешанного с нитридом кремния нанокристаллической структуры, нанесенный методом магнетронного напыления в аргоне из твердотельной мишени Si3N4. Электрические контакты сформированы методом магнетронного напыления. При этом, на верхней стороне элемента контакты выполнены из Ag в виде гребенки. А электрический тыльный контакт, расположенный на обратной стороне подложки Si(100), выполнен из Ag либо Cu. Изобретение обеспечивает эффективность 7.41% без дополнительных просветляющих, защитных или каких либо других слоев и без применения концентраторов солнечного излучения. 9 ил.

Использование: для изготовления покрытия фотовольтаической ячейки. Сущность изобретения заключается в том, что покрытие для фотовольтаической ячейки выполнено в виде слоев толщиной 10-100 нм из углеродных наноматериалов и оксида олова (IV). Технический результат: обеспечение возможности расширения арсенала покрытий для фотовольтаической ячейки с низким электросопротивлением при относительно высоком светопропускании. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 11 ил., 2 табл.

Способ формирования туннельного перехода (112) в структуре (100) солнечных элементов, предусматривающий попеременное осаждение вещества Группы III и вещества Группы V на структуре (100) солнечных элементов и управление отношением при осаждении указанного вещества Группы III и указанного вещества Группы V. Также предложено фотоэлектрическое устройство, включающее подложку (102); первый солнечный элемент (108), расположенный над подложкой (102); контакт (116), расположенный над первым солнечным элементом (108); туннельный переход (112), образованный между первым солнечным элементом (108) и контактом (116), и в котором туннельный переход (112) изготовлен методом эпитаксии со стимулированной миграцией (МЕЕ); буферный слой (106), расположенный между указанной подложкой (102) и указанным первым солнечным элементом (108); и слой (104) зарождения, расположенный между указанным буферным слоем (106) и указанной подложкой (102). Изобретение обеспечивает улучшение качества материала туннельного перехода, что обеспечивает высокую кристаллическую чистоту солнечных элементов над туннельным переходом, которая в свою очередь обеспечивает повышение эффективности преобразования солнечного излучения. 2 н. и 10 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к области электротехники, а именно к устройству каскадной солнечной батареи. Каскадная солнечная батарея выполнена с первой полупроводниковой солнечной батареей, причем в первой полупроводниковой солнечной батарее имеется р-n переход из первого материала с первой константой решетки, и со второй полупроводниковой солнечной батареей, причем во второй полупроводниковой солнечной батарее имеется р-n переход из второго материала со второй константой решетки, и причем первая константа решетки меньше, чем вторая константа решетки, и у каскадной солнечной батареи имеется метаморфный буфер, причем метаморфный буфер включает в себя последовательность из первого, нижнего слоя AlInGaAs или AlInGaP, и второго, среднего слоя AlInGaAs или AlInGaP, и третьего, верхнего слоя AlInGaAs или AlInGaP, и метаморфный буфер сформирован между первой полупроводниковой солнечной батареей и второй полупроводниковой солнечной батареей, и константа решетки метаморфного буфера изменяется по толщине (по координате толщины) метаморфного буфера, и причем между по меньшей мере двумя слоями метаморфного буфера константа решетки и содержание индия увеличивается, а содержание алюминия уменьшается. Снижение остаточного напряжения в солнечной батарее, а также повышение коэффициента ее полезного действия является техническим результатом изобретения. 14 з.п. ф-лы, 7 ил.

Штабелевидная интегрированная многопереходная солнечная батарея с первым элементом батареи, причем первый элемент батареи включает в себя слой из соединения InGaP с первой константой решетки и первой энергией запрещенной зоны, а толщина слоя превышает 100 нм, и слой выполнен как часть эмиттера, и/или как часть базы, и/или как часть расположенной между эмиттером и базой области объемного заряда, и вторым элементом батареи, причем второй элемент батареи включает в себя слой из соединения InmРn со второй константой решетки и второй энергией запрещенной зоны, а толщина слоя превышает 100 нм, и слой выполнен как часть эмиттера, и/или как часть базы, и/или как часть расположенной между эмиттером и базой области объемного заряда, и третьим элементом батареи, причем третий элемент батареи включает в себя слой из соединения InxGa1-xAs1-yPy с третьей константой решетки и третьей энергией запрещенной зоны, а толщина слоя превышает 100 нм, и слой выполнен как часть эмиттера, и/или как часть базы, и/или как часть расположенной между эмиттером и базой области объемного заряда, и четвертым элементом батареи, причем четвертый элемент батареи включает в себя слой из соединения InGaAs с четвертой константой решетки и четвертой энергией запрещенной зоны, а толщина слоя превышает 100 нм, и слой выполнен как часть эмиттера, и/или как часть базы, и/или как часть расположенной между эмиттером и базой области объемного заряда, причем для значений энергии запрещенной зоны справедливо соотношение Eg1>Eg2>Eg3>Eg4, и между двумя элементами батареи сформирована область сращения плат. Изобретение обеспечивает возможность повышения эффективности преобразования солнечного света. 16 з.п. ф-лы, 6 ил.

Согласно изобретению предложена эффективная солнечная батарея, выполненная многопереходной с защитным диодом, причем у многопереходной солнечной батареи и структуры защитного диода имеется общая тыльная поверхность и разделенные меза-канавкой фронтальные стороны, общая тыльная поверхность включает в себя электропроводящий слой, многопереходная солнечная батарея включает в себя стопу из нескольких солнечных батарей и имеет расположенную ближе всего к фронтальной стороне верхнюю солнечную батарею и расположенную ближе всего к тыльной стороне нижнюю солнечную батарею, каждая солнечная батарея включает в себя np-переход, между соседними солнечными батареями размещены туннельные диоды, количество слоев полупроводника у структуры защитного диода меньше, чем количество слоев полупроводника у многопереходной солнечной батареи, последовательность слоев полупроводника у структуры защитного диода идентична последовательности слоев полупроводника многопереходной солнечной батареи, причем в структуре защитного диода выполнен по меньшей мере один верхний защитный диод и один расположенный ближе всего к тыльной стороне нижний защитный диод, а между соседними защитными диодами размещен туннельный диод, количество np-переходов в структуре защитного диода по меньшей мере на один меньше, чем количество np-переходов многопереходной солнечной батареи, на передней стороне многопереходной солнечной батареи и структуры защитного диода выполнена структура соединительного контакта, содержащая один или несколько слоев металла, а под структурой соединительного контакта выполнен состоящий из нескольких слоев полупроводника электропроводящий контактный слой, и эти несколько слоев полупроводника включают в себя туннельный диод. 11 з.п. ф-лы, 2 ил.

Согласно изобретению предложен способ изготовления солнечных батарей, содержащий этапы формирования пленки SiNx поверх второй главной поверхности полупроводниковой подложки n-типа; формирования диффузионного слоя p-типа поверх первой главной поверхности полупроводниковой подложки n-типа после стадии формирования пленки SiNx; и формирования поверх диффузионного слоя p-типа пассивирующей пленки, состоящей из пленки SiO2 или пленки оксида алюминия. Предложен второй вариант способа, в котором осуществляют формирование диффузионного слоя n-типа поверх второй главной поверхности полупроводниковой подложки p-типа; формирование пленки SiNx поверх диффузионного слоя n-типа; формирование текстуры только на первой главной поверхности полупроводниковой подложки p-типа после этапа формирования пленки SiNx и формирование поверх первой главной поверхности полупроводниковой подложки p-типа пассивирующей пленки, состоящей из пленки SiO2 или пленки оксида алюминия, после этапа формирования текстуры. Также предложены солнечные батареи, изготовленные описанными выше способами. Заявленные изобретения обеспечивают возможность повышения эффективности фотоэлектрического преобразования. 4 н. и 6 з.п. ф-лы, 1 табл., 7 ил.

Многопереходный солнечный элемент для космической радиационной среды, причем многопереходный солнечный элемент имеет множество солнечных субэлементов, расположенных в порядке убывания запрещенной зоны, включающее в себя: первый солнечный субэлемент, состоящий из InGaP и имеющий первую запрещенную зону, причем первый солнечный субэлемент имеет первый ток короткого замыкания, связанный с ним; второй солнечный субэлемент, состоящий из GaAs и имеющий вторую запрещенную зону, которая имеет ширину, меньшую, чем первая запрещенная зона, причем второй солнечный субэлемент имеет второй ток короткого замыкания, связанный с ним; при этом в начале срока службы первый ток короткого замыкания меньше, чем второй ток короткого замыкания, так что эффективность AM0 преобразования является субоптимальной. Третий солнечный субэлемент, состоящий из InGaAs, расположенный поверх второго солнечного субэлемента и имеющий третью запрещенную зону, более узкую, чем вторая запрещенная зона, и третий ток короткого замыкания, по существу согласованный со вторым током короткого замыкания; и четвертый солнечный субэлемент, состоящий из InGaAs, расположенный поверх третьего солнечного субэлемента и имеющий четвертую запрещенную зону, более узкую, чем третья запрещенная зона, и четвертый ток короткого замыкания, по существу согласованный с третьим током короткого замыкания. Однако в конце срока службы токи короткого замыкания становятся по существу согласованными, что обеспечивает повышенную эффективность AM0 преобразования. 2 н. и 10 з.п. ф-лы, 3 ил.

Многопереходной солнечный элемент включает первый субэлемент, состоящий из соединения из InGaAs, причем первый субэлемент имеет первую постоянную решетки, и второй субэлемент со второй постоянной решетки, причем первая постоянная решетки по меньшей мере на 0,008 больше, чем вторая постоянная решетки, и, кроме того, предусмотрен метаморфный буфер, который выполнен между первым субэлементом и вторым субэлементом. Буфер содержит последовательность по меньшей мере из трех слоев, постоянная решетки у этой последовательности увеличивается по направлению к первому субэлементу. Постоянные решетки слоев буфера больше, чем вторая постоянная решетки, один слой буфера имеет третью постоянную решетки, которая больше, чем первая постоянная решетки. Между метаморфным буфером и первым субэлементом выполнено N компенсирующих слоев для компенсации остаточного напряжения метаморфного буфера. Постоянные решетки соответствующих компенсирующих слоев меньше, чем первая постоянная решетки на величину ΔАN>0,0008, и компенсирующие слои имеют содержание индия более 1%, а толщины количества N компенсирующих слоев выбраны из определенного соотношения. Изобретение обеспечивает возможность повышения коэффициента полезного действия многопереходного солнечного элемента. 16 з.п. ф-лы, 6 ил.
© Патентный поиск, поиск патентов на изобретения - FindPatent.RU 2012-2024
Политика конфиденциальности 2014-12-20 2014-12-19T21:52:25
Наверх