Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы свч-диапазона

Изобретение относится к электронной технике. Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона включает формирование многослойной диэлектрической подложки посредством расположения отдельных диэлектрических слоев с обеспечением формирования, по меньшей мере, одного сквозного отверстия в подложке, последующее спекание и отжиг, закрепление подложки экранной заземляющей металлизацией на электро- и теплопроводящее основание, закрепление активного тепловыделяющего компонента в одном сквозном отверстии подложки, соединение электрически контактных площадок активного тепловыделяющего компонента с топологическим рисунком металлизационного покрытия подложки, контроль электрических характеристик гибридной интегральной схемы. При изготовлении отдельных диэлектрических слоев многослойной диэлектрической подложки сквозные отверстия изготавливают с определенным сечением. При нанесении металлизационного покрытия топологического рисунка и экранной заземляющей металлизации одновременно заполняют материалом металлизационного покрытия одно сквозное отверстие и дополнительные сквозные отверстия. При формировании многослойной диэлектрической подложки отдельные диэлектрические слои располагают определенным образом, а формирование активного тепловыделяющего компонента осуществляют непосредственно в одном сквозном отверстии многослойной диэлектрической подложки. Технический результат - снижение трудоемкости изготовления и улучшение электрических характеристик. 1 ил., 1 табл.

 

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при создании мощных гибридных интегральных схем СВЧ-диапазона многоцелевого назначения.

Известен способ изготовления гибридной интегральной схемы СВЧ, включающий изготовление металлизированной с двух сторон диэлектрической подложки с топологическим рисунком металлизационного покрытия на лицевой стороне, по меньшей мере, одной монтажной площадки, расположенной на электро- и теплопроводящих элементах, размещенных в отверстиях диэлектрической подложки, расположение и закрепление диэлектрической подложки обратной стороной на теплоотводящее основание, расположение кристаллов бескорпусных электронных приборов на монтажной площадке, закрепление их связующим веществом и соединение электрически контактных площадок кристаллов бескорпусных электронных приборов с топологическим рисунком металлизационного покрытия на лицевой стороне диэлектрической подложки, в котором с целью улучшения условий теплоотвода, снижения массогабаритных характеристик и паразитных электрических параметров монтажную площадку размещают в металлизированном углублении, при этом расстояние от монтажной площадки до лицевой стороны подложки берут равным суммарной толщине кристалла бескорпусного электронного прибора и связующего вещества.

Кроме того, с целью дальнейшего повышения выхода годных, торцевую металлизацию стенок углубления и зазор между боковыми гранями кристалла электронного прибора и стенками углубления покрывают диэлектрической композицией [1].

Недостаток заключается в низкой технологичности, обусловленной высокой трудоемкостью изготовления как углублений, так и отверстий в диэлектрической подложке правильной геометрической формы.

Известен способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона, включающий изготовление многослойной диэлектрической подложки с заданной последовательностью диэлектрических слоев, предусматривающей изготовление отдельных диэлектрических слоев, по меньшей мере, с одним сквозным отверстием, нанесение заданного металлизационного покрытия топологического рисунка на каждый из отдельных диэлектрических слоев и экранной заземляющей металлизации на обратной стороне нижнего слоя многослойной диэлектрической подложки, формирование заданной последовательности многослойной диэлектрической подложки посредством расположения отдельных диэлектрических слоев с одновременным совмещением их сквозных отверстий с обеспечением формирования, по меньшей мере, одного сквозного отверстия в многослойной диэлектрической подложке, последующее спекание и отжиг, входной контроль электрических характеристик активного тепловыделяющего компонента, расположение и закрепление многослойной диэлектрической подложки экранной заземляющей металлизацией на электро- и теплопроводящее основание, расположение и закрепление в каждом сквозном отверстии многослойной диэлектрической подложки активного тепловыделяющего компонента с обеспечением расположения их лицевых сторон в одной плоскости, соединение электрически контактных площадок активного тепловыделяющего компонента с топологическим рисунком металлизационного покрытия многослойной диэлектрической подложки. Далее осуществляют контроль электрических характеристик гибридной интегральной схемы СВЧ в целом [2] - прототип.

Преимущество прототипа перед аналогами заключается в использовании многослойной диэлектрической подложки из материала, выполненного посредством низкотемпературной совместно обжигаемой керамики (LTCC).

Это позволило использовать для нанесения металлизационного покрытия топологического рисунка и экранной заземляющей металлизации низкотемпературные металлизационные пасты, обеспечивающие соединительным проводникам более высокую удельную проводимость и соответственно меньшие потери проходящего сигнала СВЧ.

Недостаток - недостаточно высокие электрические характеристики и высокая трудоемкость изготовления, последняя обусловлена необходимостью входного контроля электрических характеристик активного тепловыделяющего компонента.

Техническим результатом заявленного изобретения является снижение трудоемкости изготовления и соответственно повышение технологичности и улучшение электрических характеристик за счет улучшения теплоотвода.

Указанный технический результат достигается способом изготовления мощной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона,

включающим изготовление отдельных диэлектрических слоев заданной последовательности многослойной диэлектрической подложки, по меньшей мере, с одним сквозным отверстием,

нанесение заданного металлизационного покрытия топологического рисунка на каждый из отдельных диэлектрических слоев и экранной заземляющей металлизации на обратной стороне нижнего слоя многослойной диэлектрической подложки,

формирование заданной последовательности многослойной диэлектрической подложки посредством расположения отдельных диэлектрических слоев с одновременным совмещением их сквозных отверстий с обеспечением формирования, по меньшей мере, одного сквозного отверстия в многослойной диэлектрической подложке,

последующее спекание и отжиг,

расположение и закрепление многослойной диэлектрической подложки экранной заземляющей металлизацией на электро- и теплопроводящее основание,

закрепление сформированного активного тепловыделяющего компонента в одном сквозном отверстии многослойной диэлектрической подложки с обеспечением расположения их лицевых сторон в одной плоскости,

соединение электрически контактных площадок активного тепловыделяющего компонента с топологическим рисунком металлизационного покрытия многослойной диэлектрической подложки,

контроль электрических характеристик гибридной интегральной схемы.

В предлагаемом изобретении при изготовлении отдельных диэлектрических слоев заданной последовательности многослойной диэлектрической подложки первую их часть изготавливают с одним сквозным отверстием сечением, соразмерным активному тепловыделяющему компоненту с его превышением в сечении не более 0,5 мм, вторую часть - с меньшим сечением, при этом в последней части выполнены дополнительные сквозные отверстия диаметром 0,05-0,5 мм, соотношение площади одного сквозного отверстия в первой части отдельных диэлектрических слоев и суммы площадей одного сквозного отверстия с меньшим сечением и дополнительных сквозных отверстий выполняют равным 1,4-10 соответственно,

при нанесении заданного металлизационного покрытия топологического рисунка на каждый из отдельных диэлектрических слоев и экранной заземляющей металлизации на обратной стороне нижнего слоя многослойной диэлектрической подложки одновременно заполняют материалом металлизационного покрытия одно сквозное отверстие и дополнительные сквозные отверстия,

при формировании заданной последовательности многослойной диэлектрической подложки с ее лицевой стороны располагают отдельные диэлектрические слои с одним сквозным отверстием с большим сечением, с обратной стороны - с меньшим сечением, при этом глубину Н широкой части одного сквозного отверстия многослойной диэлектрической подложки выполняют согласно выражению:

H = h × n k , где

h - толщина отдельного диэлектрического слоя с одним сквозным отверстием с большим сечением, мм,

n - количество отдельных диэлектрических слоев с одним сквозным отверстием с большим сечением,

к - коэффициент, равный 0,8-1,2,

при этом отдельные диэлектрические слои первой и второй частей многослойной диэлектрической подложки располагают с совмещением их одних сквозных отверстий и дополнительных сквозных отверстий между собой в плане и одновременно в плане одних сквозных отверстий первой части отдельных диэлектрических слоев,

а формирование активного тепловыделяющего компонента осуществляют непосредственно в одном сквозном отверстии многослойной диэлектрической подложки, при этом последовательно располагают и закрепляют в нем теплоотводящее основание активного тепловыделяющего компонента, на котором располагают и закрепляют, по меньшей мере, одну его микрополосковую плату и, по меньшей мере, один кристалл активного полупроводникового прибора и осуществляют внутрисхемные электрические соединения активного тепловыделяющего компонента.

Раскрытие сущности изобретения

Совокупность существенных признаков заявленного способа изготовления мощной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона, а именно:

Предложенное иное изготовление отдельных диэлектрических слоев обеспечит формирование одного сквозного отверстия в многослойной диэлектрической подложке для расположения и закрепления в нем активного тепловыделяющего компонента в виде ступеньки и тем самым обеспечит повышение технологичности расположения активного тепловыделяющего компонента и соответственно - повышение технологичности расположения лицевых сторон многослойной диэлектрической подложки и активного тепловыделяющего компонента в одной плоскости, и тем самым уменьшение длины соединительных проводников, и тем самым снижение паразитных индуктивностей и, как следствие этого, -

во-первых, повышение технологичности способа изготовления мощной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона в целом,

во-вторых, улучшение ее электрических характеристик.

Более того, предложенное выполнение в другой части отдельных диэлектрических слоев заданной последовательности многослойной диэлектрической подложки дополнительных сквозных отверстий размером в сечении 0,05-0,5 мм2 при обеспечении указанного предела соотношения площади одного сквозного отверстия в первой части отдельных диэлектрических слоев и суммы площадей одного сквозного отверстия с меньшим сечением и дополнительных сквозных отверстий во второй части отдельных диэлектрических слоев (1,4-10,0) обеспечит:

улучшение теплоотвода от активного тепловыделяющего компонента за счет исключения деформации-усадки материала металлизационной пасты в сквозном отверстии с меньшим сечением при последующем спекании и отжиге заданной последовательности отдельных диэлектрических слоев многослойной диэлектрической подложки и тем самым исключения образования пустот в нем,

повышение технологичности заполнения как одного сквозного отверстия с меньшим сечением, так и дополнительных сквозных отверстий.

И, как следствие того и другого, -

во-первых, улучшение электрических характеристик гибридной интегральной схемы и,

во-вторых, повышение технологичности гибридной интегральной схемы в целом.

Выполнение дополнительных сквозных отверстий размером в сечении менее 0,05 мм2 технологически трудно выполнимо с точки зрения его заполнения металлизационной пастой, а более 0,5 мм2 исключено, так как при последующем спекании и отжиге заданной последовательности отдельных диэлектрических слоев многослойной диэлектрической подложки может привести к вышеуказанной деформации-усадке металлизационной пасты и к образованию пустот в сквозных отверстиях.

Выполнение сквозных отверстий с обеспечением указанного предела соотношения площади одного сквозного отверстия в первой части отдельных диэлектрических слоев и суммы площадей одного сквозного отверстия с меньшим сечением и дополнительных сквозных отверстий во второй части отдельных диэлектрических слоев (1,4-10,0) в первом случае приводит к улучшению теплоотвода, но при этом снижает технологичность процесса изготовления, а во втором (более 10,0) - к ухудшению теплоотвода.

Выполнение сквозных отверстий в каждом отдельном диэлектрическом слое посредством пробивки является наиболее простым и технологичным методом, используемым на сегодня при работе с низкотемпературной совместно обжигаемой керамикой (LTCC).

Формирование активного тепловыделяющего компонента непосредственно в одном сквозном отверстии многослойной диэлектрической подложки, при этом последовательно располагают в нем теплоотводящее основание активного тепловыделяющего компонента, на котором располагают, по меньшей мере, одну его микрополосковую плату и, по меньшей мере, один кристалл активного полупроводникового прибора и осуществляют внутрисхемные электрические соединения активного тепловыделяющего компонента, обеспечит сокращение технологических операций и, в том числе, по контролю электрических характеристик.

Контроль и настройку электрических характеристик осуществляют только гибридной интегральной схемы СВЧ в целом, после формирования активного тепловыделяющего компонента.

Изобретение поясняется чертежом.

На чертеже дана структурная схема технологических операций изготовления заявленной мощной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона.

Пример конкретного выполнения заявленной мощной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона

Изготавливают отдельные диэлектрические слои заданной последовательности многослойной диэлектрической подложки из материала низкотемпературной совместно обжигаемой керамики (LTCC) марки «Du Pont 951», например, с одним сквозным отверстием, последние изготавливают посредством пробивки.

При этом первую их часть изготавливают с одним сквозным отверстием сечением, равным (4,2×5,1) мм, что соразмерно активному тепловыделяющему компоненту ПУМ М42230-3 АПНТ 43810.24 ТУ с размером (4,0×5,0) мм2,

вторую часть - с меньшим сечением, при этом сумма площадей одного сквозного отверстия с меньшим сечением и дополнительных сквозных отверстий во второй части отдельных диэлектрических слоев равна 3,74 мм2, что соответствует соотношению их площадей сечения 5,7 (поз.1а),

при этом в последней части выполняют дополнительные сквозные отверстия размером в сечении 0,275 мм2 (поз.1а).

Наносят заданные металлизационные покрытия топологического рисунка на каждый из отдельных диэлектрических слоев и экранной заземляющей металлизации на обратной стороне нижнего слоя многослойной диэлектрической подложки, посредством нанесения металлизационной пасты марки 6142D методом толстопленочной технологии, при этом с одновременным заполнением указанной металлизационной пастой как одного сквозного отверстия, так и дополнительных сквозных отверстий в их второй части (поз.1б).

Формируют заданную последовательность многослойной диэлектрической подложки посредством расположения отдельных диэлектрических слоев с одновременным совмещением их сквозных отверстий с обеспечением формирования одного сквозного отверстия в многослойной диэлектрической подложке, при этом с ее лицевой стороны располагают отдельные диэлектрические слои с одним сквозным отверстием с большим сечением на глубину H, равную 0,25 мм, которая рассчитана согласно указанному выражению при h - толщине отдельного диэлектрического слоя с одним сквозным отверстием с большим сечением, равным 0,125 мм, n - количестве отдельных диэлектрических слоев с одним сквозным отверстием с большим сечением, равным 2,0, k - коэффициенте, равном 1,0, при этом отдельные диэлектрические слои первой и второй частей располагают с совмещением их одних сквозных отверстий и дополнительных сквозных отверстий между собой в плане и одновременно в плане одних сквозных отверстий первой части отдельных диэлектрических слоев многослойной диэлектрической подложки (поз.1в).

Затем осуществляют спекание и отжиг при температуре 880±20°C в течение 10 мин (поз.1г).

Располагают и закрепляют многослойную диэлектрическую подложку экранной заземляющей металлизацией на электро- и теплопроводящее основание, выполненное из псевдосплава марки МД 50 (поз.2).

Осуществляют формирование активного тепловыделяющего компонента непосредственно в одном сквозном отверстии многослойной диэлектрической подложки, при этом последовательно располагают в нем теплоотводящее основание активного тепловыделяющего компонента, на котором располагают, по меньшей мере, одну его микрополосковую плату и, по меньшей мере, один кристалл активного полупроводникового прибора с последующим его закреплением и осуществлением внутрисхемных электрических соединений активного тепловыделяющего компонента (поз.3).

Электрически соединяют контактные площадки указанного активного тепловыделяющего компонента с топологическим рисунком металлизационного покрытия многослойной диэлектрической подложки (поз.4).

Осуществляют контроль и настройку электрических характеристик гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона (поз.5).

Примеры 2-5

Аналогично примеру 1 изготавливают образцы мощной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона, но при других технологических параметрах как указанных в формуле изобретения (примеры 2-3), так и за ее пределами (примеры 4-5).

Пример 6 соответствует способу изготовления мощной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона прототипа.

На изготовленных образцах были измерены выходная мощность и коэффициент усиления.

Данные представлены в таблице.

Как видно из таблицы, образцы мощной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона, изготовленные согласно заявленному способу, имеют выходную мощность порядка 2,5 Вт и коэффициент усиления порядка 12,5 дБ (примеры 1-3).

В отличие от образцов, изготовленных при технологических параметрах, выходящих за ее пределы (примеры 4-5), а также - прототипа (пример 6), которые имеют выходную мощность порядка 2,3 Вт и коэффициент усиления порядка 10 дБ.

Таким образом, заявленный способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона обеспечит по сравнению с прототипом:

снижение трудоемкости изготовления и соответственно повышение технологичности,

улучшение электрических характеристик, увеличение выходной мощности примерно на 30 процентов и коэффициента усиления - на 20 процентов.

Источники информации

1. Патент РФ №2227345, МПК H01L 27/13, H05 1/16, приоритет 26.02.2002, опубл. 20.04.04.

2. Патент РФ №2390877, МПК H01L 25/16, H05K 1/02, приоритет изобретения 08.04.2009, опубл. 27.05.10.

Номер примера Отдельные диэлектрические слои с заданной последовательностью многослойной диэлектрической подложки Тип и размер активного компонента (мм2) Результаты измерений
Первая часть со сквозным отверстием с большим сечением, соразмерным активному тепловыделяющему компоненту Вторая часть с суммой основного сквозного отверстия с меньшим сечением и дополнительных отверстий Соотношение площадей сечения первой части и второй Глубина широкой части сквозного отверстия многослойной диэлектрической подложки (H, мм)
Выходная мощность (P, Вт) Коэф. усиления (Ку, дБ)
Площадь его сечения (мм2) Толщина слоя (h, мм) Кол-во слоев (n, шт.) Коэф. (K) Площадь сечения суммы отверстий (мм2)
1 4,2×5,1=21,42 0,125 2 1 3,74 5,7 0,25 ПУМ (4,0×5,0)=20,0 2,55 13,15
2 4,1×5,1=20,91 0,125 2 0,8 15,0 1,4 0,2 -//- 2,47 12,25
3 4,5×5,5=24,75 0,125 2 1,2 2,475 10 0,3 -//- 2,45 11,9
4 4,05×5,05=20,45 0,125 2 0,7 17,0 1,2 0,175 -//- 2,35 10,1
5 4,6×5,6=25,76 0,125 2 1,3 2,15 12 0,325 -//- 2,29 10,15
6 - прототип 4,5×5,7=25,65 0,125 5 - - - - -//- 2,25 10,25

Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона, включающий изготовление отдельных диэлектрических слоев заданной последовательности многослойной диэлектрической подложки, по меньшей мере, с одним сквозным отверстием, нанесение заданного металлизационного покрытия топологического рисунка на каждый из отдельных диэлектрических слоев и экранной заземляющей металлизации на обратной стороне нижнего слоя многослойной диэлектрической подложки, формирование заданной последовательности многослойной диэлектрической подложки посредством расположения отдельных диэлектрических слоев с одновременным совмещением их сквозных отверстий с обеспечением формирования, по меньшей мере, одного сквозного отверстия в многослойной диэлектрической подложке, последующее спекание и отжиг, расположение и закрепление многослойной диэлектрической подложки экранной заземляющей металлизацией на электро- и теплопроводящее основание, закрепление сформированного активного тепловыделяющего компонента в одном сквозном отверстии многослойной диэлектрической подложки с обеспечением расположения их лицевых сторон в одной плоскости, соединение электрически контактных площадок активного тепловыделяющего компонента с топологическим рисунком металлизационного покрытия многослойной диэлектрической подложки, контроль электрических характеристик гибридной интегральной схемы, отличающийся тем, что при изготовлении отдельных диэлектрических слоев заданной последовательности многослойной диэлектрической подложки первую их часть изготавливают с одним сквозным отверстием сечением, соразмерным активному тепловыделяющему компоненту с его превышением в сечении не более 0,5 мм, вторую часть - с меньшим сечением, при этом в последней части выполнены дополнительные сквозные отверстия диаметром 0,05-0,5 мм, соотношение площади одного сквозного отверстия в первой части отдельных диэлектрических слоев и суммы площадей одного сквозного отверстия с меньшим сечением и дополнительных сквозных отверстий выполняют равным 1,4-10 соответственно, при нанесении заданного металлизационного покрытия топологического рисунка на каждый из отдельных диэлектрических слоев и экранной заземляющей металлизации на обратной стороне нижнего слоя многослойной диэлектрической подложки одновременно заполняют материалом металлизационного покрытия одно сквозное отверстие и дополнительные сквозные отверстия, при формировании заданной последовательности многослойной диэлектрической подложки с ее лицевой стороны располагают отдельные диэлектрические слои с одним сквозным отверстием с большим сечением, с обратной стороны - с меньшим сечением, при этом глубину H широкой части одного сквозного отверстия многослойной диэлектрической подложки выполняют согласно выражению:
, где
h - толщина отдельного диэлектрического слоя с одним сквозным отверстием с большим сечением, мм,
n - количество отдельных диэлектрических слоев с одним сквозным отверстием с большим сечением,
к - коэффициент, равный 0,8-1,2,
при этом отдельные диэлектрические слои первой и второй частей многослойной диэлектрической подложки располагают с совмещением их одних сквозных отверстий и дополнительных сквозных отверстий между собой в плане и одновременно в плане одних сквозных отверстий первой части отдельных диэлектрических слоев, а формирование активного тепловыделяющего компонента осуществляют непосредственно в одном сквозном отверстии многослойной диэлектрической подложки, при этом последовательно располагают и закрепляют в нем теплоотводящее основание активного тепловыделяющего компонента, на котором располагают и закрепляют, по меньшей мере, одну его микрополосковую плату и, по меньшей мере, один кристалл активного полупроводникового прибора и осуществляют внутрисхемные электрические соединения активного тепловыделяющего компонента.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к светоизлучающему устройству и способу его изготовления. Светоизлучающее устройство содержит по меньшей мере одну монтажную площадку, множество светоизлучающих диодов, смонтированных на упомянутой по меньшей мере одной монтажной площадке и сконфигурированных для излучения конкретного цвета, и по меньшей мере одну интегральную схему, смонтированную на упомянутой по меньшей мере одной монтажной площадке и сконфигурированную для возбуждения по меньшей мере одного из упомянутого множества светоизлучающих диодов, при этом наиболее чувствительный к температуре светоизлучающий диод расположен между менее чувствительными к температуре светоизлучающими диодами и упомянутой по меньшей мере одной интегральной схемой.

Способ изготовления светодиодного модуля согласно изобретению включает формирование на подложке изолирующей пленки; формирование на изолирующей пленке первой заземляющей контактной площадки и второй заземляющей контактной площадки, отделенных друг от друга; формирование первой разделительной пленки, которая заполняет пространство между первой и второй заземляющими контактными площадками, второй разделительной пленки, осажденной на поверхность первой заземляющей контактной площадки и третьей разделительной пленки, осажденной на поверхность второй заземляющей контактной площадки; формирование первого разделяющего слоя заданной высоты на каждой из разделительных пленок; распыление затравочного металла на подложку, на которой сформирован первый разделяющий слой; формирование второго разделяющего слоя заданной высоты на первом разделяющем слое; формирование первого зеркала, соединенного с первой заземляющей контактной площадкой, и второго зеркала, соединенного со второй заземляющей контактной площадкой с помощью выполнения процесса нанесения металлического покрытия на подложку, на которой сформирован второй разделяющий слой; удаление первого и второго разделяющих слоев; соединение стабилитрона с первым зеркалом и соединение светодиода со вторым зеркалом; и осаждение флуоресцентного вещества для того, чтобы заполнить пространство, образованное первым зеркалом и вторым зеркалом.

Изобретение относится к светоизлучающему модулю. .

Изобретение относится к блоку микроэлектродной матрицы для датчиков или нейронных протезов. .

Изобретение относится к электронной технике, а именно к конструкции гибридных интегральных схем СВЧ-диапазона длин волн. .

Изобретение относится к области конструирования радиоэлектронной аппаратуры и может быть использовано в миниатюрных приемопередающих устройствах. .

Изобретение относится к электронной технике, а именно к конструкции мощных гибридных интегральных схем СВЧ-диапазона длин волн. .

Изобретение относится к электронной технике, а именно к конструкции гибридных интегральных схем СВЧ-диапазона длин волн. .

Изобретение относится к пакету светового модуля со светоизлучающим диодом. .

Использование: для создания блока питания. Сущность изобретения заключается в том, что блок электропитания содержит силовые транзисторы и управляющие компоненты для управления силовыми транзисторами и охлаждаемый посредством теплопроводности, при этом блок электропитания дополнительно содержит: основную плату типа AMB/Si3N4, несущую силовые транзисторы, причем основная плата представляет собой рассеивающую тепло пластину для диссипации тепла, генерируемого силовыми транзисторами, посредством их расположения в блоке в непосредственном контакте с несущей структурой, обеспечивающей охлаждение посредством теплопроводности, когда блок установлен на своем месте; и керамическую плату, несущую управляющие компоненты, причем керамическая плата установлена на основной плате. Технический результат: обеспечение возможности уменьшения числа компонентов блока, повышения надежности, снижения массы, увеличения компактности. 5 з.п. ф-лы, 9 ил.

Изобретение относится к диодному осветительному прибору, осветительному узлу автомобиля, содержащему такой диодный осветительный прибор, и способу изготовления диодного осветительного прибора. Техническим результатом является защита диодного осветительного прибора от электростатического разряда. Результат достигается тем, что диодный осветительный прибор (1А, 1В, 1С), содержит прибор (1, 2) на светоизлучающих диодах, содержащий, по меньшей мере, два открытых, последовательно соединенных светоизлучающих диода (1), соединенных параллельно с диодным прибором (2) для защиты от электростатического разряда, а также и прибор (4) для отвода электростатического разряда, простирающийся в физической близости к межкомпонентному соединению (10) между соседними светоизлучающими диодами (1) прибора (1, 2) на светоизлучающих диодах, причем прибор (4) для отвода выполнен с возможностью отвода электростатического разряда (S2) от межкомпонентного соединения (10) в область низкого потенциала (21, 22, GND). 3 н. и 10 з.п. ф-лы, 6 ил.
Наверх