Способ определения напряжения локализации тока в мощных вч и свч биполярных транзисторах



Способ определения напряжения локализации тока в мощных вч и свч биполярных транзисторах
Способ определения напряжения локализации тока в мощных вч и свч биполярных транзисторах
Способ определения напряжения локализации тока в мощных вч и свч биполярных транзисторах

 


Владельцы патента RU 2537519:

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет" (RU)

Изобретение относится к технике измерения предельных параметров мощных биполярных транзисторов и может использоваться на входном и выходном контроле их качества. Способ основан на использовании известного эффекта резкого изменения крутизны зависимости напряжения на эмиттерном переходе при постоянном эмиттерном токе от коллекторного напряжения UЭБ(UK). Контролируемый транзистор включается по схеме с общей базой, задается постоянный эмиттерный ток, на коллектор контролируемого транзистора подается сумма линейно нарастающего напряжения, не превышающего предельно допустимого значения для данного типа транзисторов при заданном токе, и низкочастотного синусоидального напряжения с малой амплитудой, измеряют амплитуду U ˜ Э Б ( U К 0 ) , U ˜ Э Б ( U К 1 ) , U ˜ Э Б ( U К 2 ) переменной составляющей напряжения на эмиттере контролируемого транзистора при трех значениях напряжения UK0, UКЛ1, UК2 на коллекторе контролируемого транзистора соответственно и искомое напряжение локализации вычисляют по формуле U К Л = U К 2 m U К 1 1 m , где , , . При этом для измерения крутизны зависимости UЭБ(UK) используется малый переменный сигнал, позволяющий повысить точность измерения крутизны указанной зависимости. Технический результат заключается в исключении опасных запредельных воздействий на контролируемый прибор и определении напряжения локализации тока мощных ВЧ и СВЧ биполярных транзисторов без введения контролируемого транзистора в режим «горячего пятна». 3 ил.

 

Изобретение относится к технике измерения предельных параметров мощных биполярных транзисторов и может использоваться на входном и выходном контроле их качества.

Известно, что токораспределение в структурах мощных ВЧ и СВЧ биполярных транзисторов в активном режиме работы при определенных значениях эмиттерного тока и коллекторного напряжения в результате действия механизмов положительной теплоэлектрической связи теряет устойчивость и весь ток стягивается в локальную область; в структуре прибора образуется так называемое «горячее пятно» - сильно перегретая локальная область (см. Синкевич В.Ф. Физические основы обеспечения надежности мощных биполярных и полевых транзисторов // Электронная промышленность. - 2003. - №2. - С.232-244). Чаще всего образование «горячего пятна» приводит к необратимым изменениям (разрушениям) полупроводниковой структуры, проплавлению базы транзистора и отказу прибора. Линия параметров режима в координатах ток-напряжение, соответствующих локализации тока, определяет одну из границ области безопасной работы транзистора, выход за пределы которой даже на короткое время приводит либо к отказу, либо к ухудшению параметров прибора.

В известном способе измерения напряжения локализации (см. Кернер Б.С., Рубаха Е.А., Синкевич В.Ф. Способ отбраковки мощных транзисторов // А.с. СССР №619877 G01R 31/26 - Бюллетень изобретений. - 1978. - №30; Квурт Я.А., Миндлин Н.Л. Диагностический неразрушающий контроль мощных микросхем // Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. - 1980. - Вып.4. - С.74-79) транзистор включают по схеме с общей базой, задают постоянный эмиттерный ток, на коллектор подают линейно нарастающее коллекторное напряжение UК, напряжение на эмиттерном переходе UЭБ подают на вход осциллографа и в момент появления излома или скачка на наблюдаемой зависимости UЭБ(t) регистрируют коллекторное напряжение, которое и является искомым напряжением UКЛ локализации тока при заданной величине эмиттерного тока. Известный способ основан на использовании эффекта резкого изменения крутизны зависимости напряжения на эмиттерном переходе при постоянном эмиттерном токе от коллекторного напряжения UЭБ(UК). Одним недостатком известного способа является большая погрешность регистрации момента наступления локализации с помощью осциллографа, поскольку величина скачка (или излома) у многих образцов транзисторов сравнима по величине с предельной чувствительностью осциллографа. Другим, более важным недостатком известного способа является то, что контролируемый прибор подвергается опасному разрушающему воздействию, поскольку попадает в режим «горячего пятна».

Известен способ, реализованный в устройстве по АС СССР №983596 (см. Сергеев В.А., Широков А.А., Дулов О.А. Устройство для отбраковки мощных транзисторов / А.с. СССР №983596 МКИ G01R 31/26 - Бюллетень изобретений - 1982. - №47) и позволяющий повысить точность регистрации момента наступления локализации тока и таким образом повысить точность измерения напряжения локализации тока. В этом способе контролируемый транзистор также включают по схеме с общей базой, с помощью источника тока задают постоянный эмиттерный ток, на коллектор подают линейно нарастающее коллекторное напряжение, напряжение на эмиттерном переходе усиливают и подают на дифференцирующую цепь и с помощью цифрового вольтметра с внешним запуском регистрируют напряжение на коллекторе контролируемого транзистора в момент появления импульса на выходе дифференцирующей цепи. Недостатком этого способа также является попадание контролируемого прибора на некоторое время в режим «горячего пятна».

Технический результат - исключение опасных запредельных воздействий на контролируемый прибор и определение напряжения локализации тока без введения контролируемого транзистора в режим «горячего пятна».

Технический результат достигается тем, что контролируемый транзистор включается по схеме с общей базой, задается постоянный эмиттерный ток, на коллектор контролируемого транзистора подается сумма линейно нарастающего напряжения, не превышающего предельно допустимого значения для данного типа транзисторов при заданном токе, и малого низкочастотного синусоидального напряжения, измеряют амплитуду U ˜ Э Б ( U К 0 ) , U ˜ Э Б ( U К 1 ) , U ˜ Э Б ( U К 2 ) переменной составляющей напряжения на эмиттере контролируемого транзистора при трех значениях напряжения UК0, UК1, UК2 на коллекторе контролируемого транзистора соответственно и искомое напряжение локализации вычисляют по формуле

U К Л = U К 2 m U К 1 1 m , ( 1 )

где , , .

Сущность изобретения состоит в том, что для измерения крутизны зависимости UЭБ(UК) используется малый переменный сигнал, позволяющий повысить точность измерения указанной величины, а значение UКЛ определяется по трем отсчетам зависимости U ˜ Э Б ( U К Б ) при трех различных коллекторных напряжениях, существенно меньших UКЛ (то есть, по существу, путем экстраполяции зависимости U ˜ Э Б ( U К ) ) , на основе модели, развитой авторами изобретения (см. Сергеев В.А., Дулов О.А., Куликов А.А. Контроль однородности токораспределения в биполярных транзисторах по зависимости коэффициента внутренней обратной связи от коллекторного напряжения // Известия вузов «Электроника». - 2009 - №2. - С.10-16). Согласно этой модели для случая дефектов электрофизической природы, которые являются наиболее опасными с точки зрения устойчивости токораспределения, зависимость переменной составляющей напряжения U ˜ Э Б от коллекторного напряжения UK описывается формулой:

U ˜ Э Б ( U К ) = U ˜ Э Б ( 0 ) [ 1 + b ( 1 U K / U К Л ) 2 ] , ( 1 )

где U ˜ Э Б ( 0 ) - амплитуда переменного напряжения на эмиттерном переходе при коллекторном напряжении UK, близком к нулю, UКЛ - искомое напряжение локализации, b - безразмерный параметр, зависящий от величины дефекта в структуре транзистора, причем, как правило, b<<1. Вид зависимости U ˜ Э Б ( U к ) приведен на фиг.1. Практически в качестве U ˜ Э Б ( 0 ) можно принять значение переменной составляющей напряжения на эмиттерном переходе при UK0<<UКЛ на «плоском» участке характеристики. Относительную погрешность такого приближения можно оценить по формуле δU0≈2bUК0/UКЛ. Для дальнейших расчетов в качестве приближения к U ˜ Э Б ( 0 ) будем брать значение U ˜ Э Б ( 5 В ) при UK0=5В.

Если по зависимости U ˜ Э Б ( U К ) определить значения U ˜ Э Б ( U К 1 ) и U ˜ Э Б ( U К 2 ) при двух коллекторных напряжениях UК1 и UK2 (UK1<UK2) и по этим значениям вычислить отношения и , то в принятом приближении U ˜ Э Б ( 0 ) = U ˜ Э Б ( 5 B ) согласно (1) можем записать два уравнения для двух неизвестных b и UКЛ:

a 2 1 + b ( 1 U K 2 / U К Л ) 2 . ( 2 б )

Для исключения неизвестного параметра b из уравнений (2а) и (2б) перенесем единицу из правой части этих уравнений в левую и, разделив одно уравнение на другое, получим:

После несложных преобразований из (3) получим выражение для расчета UКЛ:

U К Л = U K 2 m U K 1 1 m , ( 4 )

где

Схема устройства, реализующего предложенный способ, приведена на фиг.2. Эпюры токов и напряжений, поясняющие работу устройства, приведены на фиг.3. Устройство содержит контактную колодку 1 с клеммами для подключения контролируемого транзистора, устройство управления 2, источник тока 3, генератор линейно нарастающего напряжения 4, генератор синусоидального напряжения 5, сумматор-усилитель мощности 6, регистратор 7 и разделительный конденсатор 8, при этом выход устройства управления соединен с запускающими входами источника тока 3, генератора линейно нарастающего напряжения 4, генератора синусоидального напряжения 5 и регистратора 7, выход источника тока соединен с клеммой для подключения эмиттера контролируемого транзистора, выходы генераторов линейно нарастающего напряжения 4 и генератора синусоидального напряжения 5 подключены ко входам сумматора-усилителя мощности 6, выход которого в свою очередь соединен с клеммой для подключения коллектора контролируемого транзистора, вход регистратора 7 соединен через разделительный конденсатор 8 с клеммой для подключения эмиттера контролируемого транзистора, а выход регистратора 7 соединен со входом вычислителя 9, клемма для подключения базы контролируемого транзистора соединена с общей шиной устройства.

Устройство работает следующим образом. Контролируемый транзистор вставляют в контактную колодку. По сигналу «Запуск» устройство управления 2 вырабатывает управляющий импульс длительностью TИЗМ, который поступает на запускающие входы соответствующих устройств. В течение действия импульса управления источник тока 3 вырабатывает импульс постоянного тока (фиг.3а), поступающего в эмиттер контролируемого транзистора. По сигналу управляющего импульса генератор линейно нарастающего напряжения 4 вырабатывает наряжение , изменяющееся по линейному закону (фиг.3б) с максимальным значением UKM, которое поступает на один из входов сумматора-усилителя мощности 6, а генератор синусоидального напряжения 5, соответственно, начинает вырабатывать переменное низкочастотное напряжение (фиг.3в), которое поступает на второй вход сумматора-усилителя мощности 6. С выхода сумматора-усилителя мощности 6 усиленное суммарное напряжение (рис.3г) поступает на коллектор контролируемого напряжения. Переменное напряжение с эмиттера контролируемого транзистора через разделительный конденсатор 8 поступает на вход регистратора 7, который по сигналу устройства управления 2 регистрирует (запоминает) три значения U ˜ Э Б 0 ( U К 0 ) , U ˜ Э Б 1 ( U К 1 ) , U ˜ Э Б 2 ( U К 2 ) амплитуды переменной составляющей напряжения на эмиттерном переходе контролируемого транзистора (рис.3д) при трех значениях коллекторного напряжения UK0, UK1, UK2 и передает эти значения в вычислитель 9, который вычисляет искомое значение напряжения локализации тока по формуле (1).

Для упрощения алгоритма работы устройства целесообразно для всех образцов исследуемых транзисторов выбрать одинаковые значения UK0, UK1 и UK2, например UК0=5В, UK1=0,5UКМ и UK2=0,75UКМ. Однако относительная погрешность δUкл значения UКЛ, вычисленного по формуле (1), зависит от погрешности δа определения параметров a1 и а2, точнее, от того насколько сильно a1 и а2 отличаются от 1. Эту погрешность можно оценить по приближенной формуле:

Поэтому для более точного расчета UКЛ необходимо уменьшать погрешность δа определения отношений a1 и а2 и желательно выбирать такие значения UK1 и UK2, при которых U ˜ Э Б заметно (в 1,5-2 раза) возрастает по сравнению с начальным значением U ˜ Э Б 0 ( U К 0 ) . Для примера:

Возможно, что у каких-то транзисторов амплитуда переменного напряжения на эмиттерном переходе практически не будет зависеть от коллекторного напряжения в выбранном диапазоне коллекторного напряжения UKM, параметры a1 и a2 будут аппаратно неразличимы и близки к единице a1≈а2≈1. В этом случае при вычислении UКЛ будет возникать неопределенность и по результатам этих измерений значение UКЛ будет стремиться к бесконечности. Для определения реального значения UКЛ у этих образцов измерения необходимо производить при более высоких значениях UКМ.

Измерения амплитуды переменного напряжения на эмиттерном переходе контролируемого транзистора U ˜ Э Б ( U К ) можно провести с использованием современных плат сбора данных, и погрешность будет составлять не более 1-2%, тогда погрешность определения напряжения локализации тока не будет превышать 5-7%, что вполне приемлемо для целей производственного контроля.

Заметим, что зависимость (1) получена при условии, что температура кристалла контролируемого транзистора успевает «отслеживать» изменение малого переменного коллекторного напряжения. Для этого период TM переменного напряжения на коллекторе должен в 3-5 раз превышать тепловую постоянную времени кристалла, которая у большинства мощных биполярных транзисторов не превышает 1 мс. Для получения приемлемой точности измерения амплитуды U ˜ Э Б ( U К ) длительность Tизм импульса линейно нарастающего коллекторного напряжения должна составлять не менее 100TМ. При выборе частоты малого переменного сигнала на коллекторе, равной 100 Гц, длительность Tизм равна 1 с. Следует заметить, что у мощных транзисторов температура корпуса за это время не успевает заметно измениться, и, таким образом, специальные меры по теплоотводу не требуются.

Повысить точность измерения можно и многократным повторением цикла измерения, при этом для обеспечения идентичности теплового режима при повторных измерениях скважность импульсов линейно нарастающего напряжения должна быть достаточно большой (больше 10), чтобы корпус транзистора успевал остыть за время паузы между импульсами.

Предлагаемый способ апробирован на выборках нескольких типов мощных биполярных ВЧ и СВЧ транзисторов (КТ903А, КТ904А, КТ912). Результаты измерений UКЛ предлагаемым способом отличались от значений UКЛ, измеренных другими известными способами, не более чем на 10%.

Способ определения напряжения локализации тока в мощных ВЧ и СВЧ биполярных транзисторах, состоящий в том, что контролируемый транзистор включается по схеме с общей базой, задается постоянный эмиттерный ток, на коллектор контролируемого транзистора подается сумма линейно нарастающего напряжения, не превышающего предельно допустимого значения для данного типа транзисторов при заданном токе, и низкочастотного синусоидального напряжения с малой амплитудой, измеряют амплитуду , , переменной составляющей напряжения на эмиттере контролируемого транзистора при трех значениях напряжения UK0, UK1, UK2 на коллекторе контролируемого транзистора соответственно и искомое напряжение локализации вычисляют по формуле где , , .



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электротехнике, а именно к способам обеспечения качества и надежности интегральных схем (ИС) как логических, так и аналоговых. Сущность изобретения заключается в том, что на представительной выборке проводят измерение критического напряжения питания (КНП) до и после электротермотренировки (ЭТТ) продолжительностью до 100 ч и после термического отжига продолжительностью 4-10 ч при температуре, максимально допустимой для данного типа ИС, затем находят коэффициент М и по его значению разделяют ИС по надежности. M = Е К Р Э Т Т − Е К Р Н А Ч Е К Р Э Т Т − Е К Р о т ж , где Е К Р Н А Ч ,   Е К Р Э Т Т ,     Е К Р о т ж - значения КНП до ЭТТ, после ЭТТ и после отжига соответственно.

Изобретение относится к контролю качества и надежности интегральных схем (ИС), как логических, так и аналоговых, и может быть использовано как в процессе производства, так и при входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.

Изобретение относится к измерительной технике. Сущность: способ измерения шума узлов фотоприемного устройства (ФПУ) включает измерение напряжения шума U ш1 с выключенным напряжением питания ФПУ, измерение напряжения шума U ш2 с включенным напряжением питания ФПУ и заданным временем накопления ФПУ, расчет напряжения шума ФПУ U ш по формуле: U ш = U ш 2 2 − U ш 1 2 .

Изобретение относится к измерению тепловых параметров компонентов силовой электроники. Сущность: прибор нагревают путем пропускания через него тока произвольной формы в открытом состоянии.

Способ разделения полупроводниковых изделий по надежности заключается в том, что на партии полупроводниковых изделий измеряют интенсивность шума на двух частотах 200 Гц и 1000 Гц.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения надежности полупроводниковых изделий (ППИ) (транзисторов и интегральных схем), и может быть использовано для обеспечения повышенной надежности партий изделий как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий ППИ (транзисторов, интегральных схем (ИС) и т.д.) и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий ППИ как в процессе производства, так и при входном контроле на предприятии-изготовителе радиоэлектронной аппаратуры.

Изобретение относится к измерительной технике на СВЧ. Устройство для измерения полного сопротивления и шумовых параметров двухполюсника на СВЧ, содержащее измеритель частотных характеристик и интегральную схему в составе центральной линии передачи, отрезка линии передачи, соединенного с центральной линией передачи, электрических ключей - полупроводниковых приборов, управляемых постоянными напряжениями, измеритель частотных характеристик соединен с одним концом центральной линии передачи, другой ее конец - с измеряемым двухполюсником.

Изобретение относится к технике измерения теплофизических параметров полупроводниковых диодов. Способ измерения теплового импеданса полупроводниковых диодов, заключающийся в том, что через полупроводниковый диод пропускают последовательность импульсов греющего тока, период следования которых постоянный, в паузах между ними измеряют температурочувствительный параметр - прямое падение напряжения на полупроводниковом диоде при малом измерительном токе - и определяют изменение температуры р-n-перехода.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к обеспечению качества и надежности полупроводниковых изделий (ПЛИ), в частности транзисторов, и может быть использовано как на этапе производства, так и на этапе применения.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий ППИ (транзисторов и интегральных схем), и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий ППИ как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятии - изготовителе радиоаппаратуры. Способ заключается в том, что на произвольных одинаковых выборках из партий производят измерение квадрата напряжения шума U ш 2 ¯ на частоте до 200 Гц до и после воздействия не менее чем пятью импульсами электростатического разряда обеих полярностей потенциалом, предельно допустимым по техническим условиям. Измерения проводят по выводам «эмиттер - база» транзисторов и «вход - общая точка» интегральных схем. Затем вычисляют значение коэффициента K = U ш э с р 2 ¯ / U ш н 2 ¯ , где U ш н 2 ¯ и U ¯ ш э с р 2 - значения квадрата напряжения шума до и после воздействия ЭСР, и по средним значениям коэффициента K для выборки сравнивают партии изделий. Технический результат заключается в расширении функциональных возможностей.

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, а именно к методам измерения эксплуатационных параметров полупроводниковых источников света, и может быть использовано в их производстве, как для отбраковки потенциально ненадежных источников света, так и для контроля соблюдения режимов выполнения сборочных операций. Для обеспечения конкурентоспособности с люминесцентными источниками света полупроводниковые источники света должны иметь высокую долговечность, не менее 100000 часов. Это достигается за счет совершенствования конструкции и обеспечения оптимального теплового режима кристалла и люминофорного покрытия. Поэтому важной становится задача определения не только средней температуры кристалла, но и неравномерности распределения температуры в конструкции. Для этой цели предлагается способ бесконтактного определения неравномерности температурного поля в полупроводниковых источниках света, заключающийся в измерении температуры в контролируемых точках конструкции источника, причем функции датчиков температуры выполняют сами элементы конструкции источника: p-n-переход кристалла и люминофорное покрытие, а в качестве термочувствительного параметра используюется ширина спектра излучения на уровне 0,5 от их максимального значения. 1 табл., 1 ил.
Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к способам отбраковки мощных светодиодов на основе InGaN/GaN, излучающих в видимом диапазоне длин волн. Способ отбраковки мощных светодиодов на основе InGaN/GaN включает проведение измерений при комнатной температуре в любой последовательности падений напряжения в прямом и обратном направлениях и плотностей тока на светодиодах, отбраковку по определенным критериям, последующее проведение старения светодиодов при определенных условиях, повторное проведение упомянутых измерений при первоначальных условиях, кроме одного, с окончательной отбраковкой ненадежных светодиодов. Изобретение обеспечивает повышение точности отбраковки и расширение области применения светодиодов за счет обеспечения отбраковки ненадежных светодиодов со сроком службы меньше 50000 часов любых производителей без долговременных испытаний.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых интегральных схем (ИС). Сущность: из партий ИС методом случайной выборки отбирают одинаковое количество изделий (не менее 10 от каждой партии) и измеряют значение информативного параметра. Затем на каждую ИС всех выборок подают пять ЭСР одной и пять ЭСР другой полярности потенциалом, максимально допустимым по ТУ. Воздействию ЭСР должны подвергаться следующие выводы ИС: питание - общая точка, вход - питание, выход - питание, вход - выход. Затем измеряют значение информативного параметра. Далее все ИС хранят в нормальных условиях в течение 72 часов. Измеряют значение информативного параметра. Проводят термический отжиг всех ИС при температуре Т=100°С. Измеряют значение информативного параметра. Далее находят значения величин Δ1, Δ2, Δ3 для каждой ИС. По значениям Δ1, Δ2, Δ3 судят о сравнительной надежности партий ИС. 2 табл.

Изобретение относится к технике измерения электрофизических параметров полупроводниковых диодов и может быть использовано на выходном и входном контроле их качества. Технический результат - повышение точности измерения последовательного сопротивления базы диода путем исключения саморазогрева p-n-перехода диода протекающим током в процессе измерения. Используется известный способ измерения последовательного сопротивления базы диода, в котором через диод пропускают прямой ток различной величины и измеряют падение напряжения на диоде при этих значениях прямого тока. Искомую величину последовательного сопротивления базы диода определяют по известным формулам. Для достижения технического результата прямой ток задают в виде трех последовательностей коротких прямоугольных импульсов большой скважности и амплитудой I1, kI1, 2kI1 и измеряют пиковое значение падений напряжения U1, U2, U3 на диоде при пропускании этих импульсов тока. Последовательное сопротивление базы определяется по формуле где ΔU32=U3-U2; ΔU21=U2-U1; ν=ln 2/b; b=ln k. 3 ил.

Изобретение относится к технике измерения теплофизических параметров компонентов наноэлектроники, таких как нанотранзисторы, нанорезисторы и др.. Сущность: способ заключается в пропускании через объект измерения последовательности импульсов греющего тока с постоянным периодом следования и длительностью, изменяющейся по гармоническому закону, измерении в паузах температурочувствительного параметра - напряжения на объекте при пропускании через него измерительного тока и определении изменения температуры объекта, вызванной модуляцией греющей мощности. Далее с помощью Фурье-преобразования вычисляют амплитуду первой гармоники температуры объекта, после чего определяют тепловое сопротивление как отношение амплитуд первых гармоник температуры и греющей мощности. При этом при определении амплитуды первой гармоники греющей мощности учитывают величину рассеиваемой мощности в паузе между греющими импульсами при пропускании через объект измерительного тока. Технический результат: повышение точности. 2 ил.

Изобретение относится к технике измерения теплофизических параметров компонентов силовой электроники и может быть использовано для контроля их качества. Способ заключается в том, что нагрев мощного МДП-транзистора осуществляют греющей мощностью, модулированной по гармоническому закону, для чего через транзистор пропускают последовательность импульсов греющего тока постоянной амплитуды, постоянным периодом следования и изменяющейся по гармоническому закону длительностью. Импульсы пропускают через встроенный в мощный МДП-транзистор антипараллельный диод при закрытом канале транзистора, измеряют и запоминают для каждого греющего импульса напряжение на диоде и вычисляют временную зависимость средней за период следования греющей мощности. В паузах между импульсами греющего тока измеряют и запоминают значения температурочувствительного параметра - прямого напряжения на диоде при малом постоянном измерительном токе и вычисляют временную зависимость температуры кристалла в процессе нагрева транзистора, после чего с помощью Фурье-преобразования вычисляют амплитуду основной гармоники температуры кристалла и амплитуду основной гармоники греющей мощности, отношение которых равно модулю теплового импеданса транзистора на частоте модуляции греющей мощности. Затем процесс измерения повторяют на других частотах модуляции, получают частотную зависимость модуля теплового импеданса транзистора, содержащую участок с постоянным значением модуля теплового импеданса, которое принимают равным тепловому сопротивлению переход-корпус мощного МДП-транзистора. 4 ил.

Изобретение относится к области инновационных технологий и может быть использовано для определения параметров кристаллов силленитов, определяющих эффективность перспективных технических систем, и их экспресс-характеризации методами диэлектрической спектроскопии. При соответствующей стартовой подготовке образцов и выборе частоты регистрации, основанном на информации о частотных спектрах, могут быть определены ключевые параметры примесных центров в кристаллах силленитов. Изобретение обеспечивает возможность оценки параметров, характеризующих оптоэлектронные свойства силленитов, по результатам измерений частотных зависимостей проводимости, комплексной диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь при разных температурах. 4 ил.

Изобретение относится к области радиоэлектронной техники и микроэлектроники. Использование: для термотренировки тонких пленок, нанесенных на диэлектрическую основу. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает очистку поверхности плат методом протирки спиртом или ацетоном для обезжиривания поверхности, помещают изделия в камеру конвекционной печи так, чтобы у атмосферы был доступ к проводниковому слою платы, производят термотренировку изделий в атмосфере воздуха при температуре процесса 100-170°С в течение 85-340 ч, по окончании термотренировки проверяют платы на адгезию липкой лентой с клеевым слоем, производят очистку поверхности плат методом протирки спиртом или ацетоном от остатков клеевого слоя на платах, проводят внешний осмотр изделий с помощью микроскопа на предмет отслоения проводникового слоя. Технический результат: обеспечение возможности выявления потенциально ненадежных металлизированных тонкопленочных структур и скрытых дефектов микрополосковых плат по параметру межслоевой адгезии проводников методом термотренировки. 3 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области нанотехнологий, а именно к способам измерения параметров наноструктур, и может быть использовано при определении электрофизических параметров конденсаторной структуры мемристора, характеризующих процесс формовки. Способ определения электрофизических параметров конденсаторной структуры мемристора, характеризующих процесс формовки, включает измерение вольт-амперных и импедансных характеристик. Новым является то, что выбирают мемристоры в виде конденсаторов металл - диэлектрик - полупроводник с соизмеримыми емкостями диэлектрика и области пространственного заряда полупроводника, и с отсутствием фиксации (пиннинга) уровня Ферми на этой границе раздела; для этих структур дополнительно измеряют спектральную характеристику конденсаторной фотоЭДС; из измеренных характеристик определяют электрофизические параметры структур, которые характеризуют происходящие при формовке изменения как в диэлектрике, так и на границе раздела диэлектрик/полупроводник и в полупроводнике: захват носителей заряда поверхностными состояниями на границе раздела диэлектрик/полупроводник, перемещение ионов, электрохимические реакции, дефектообразование. Изобретение обеспечивает расширение диагностических возможностей измерения характеристик и повышение степени прогнозирования электрофизических параметров мемристоров в виде МДП-конденсаторов для оптимизации технологии их изготовления при их разработке, кроме того, изобретение расширяет арсенал методов измерительной технологии в актуальной области изготовления мемристоров, являющихся основой нового поколения устройств энергонезависимой памяти. 1 з.п. ф-лы, , 4 ил.
Наверх