Способ формирования опорного резонанса на сверхтонких переходах основного состояния атома щелочного металла



Способ формирования опорного резонанса на сверхтонких переходах основного состояния атома щелочного металла
Способ формирования опорного резонанса на сверхтонких переходах основного состояния атома щелочного металла

 


Владельцы патента RU 2541051:

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный политехнический университет" (ФГАОУ ВО "СПбПУ") (RU)

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано в метрологии для определения частоты и времени, а также найти применение в атомных стандартах частоты и атомных часах. Предложенный способ формирования опорного резонанса на сверхтонких переходах основного состояния атома щелочного металла, основанный на использовании эффекта когерентного пленения населенностей в бихроматическом лазерном поле, предусматривает выбор режима возбуждения лазером, имеющим ширину спектра ГL излучения, исходя из условия, при котором ГL ≤ γ, где γ - величина спонтанного распада возбужденного состояния. Предложенный способ при формировании опорного резонанса позволяет использовать ячейки без антирелаксационного покрытия и без буферного газа, что обеспечивает удешевление способа формирования опорного резонанса на сверхтонких переходах основного состояния атома щелочного металла. 2 ил.

 

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано в метрологии для определения частоты и времени, может найти применение в атомных стандартах частоты и атомных часах.

Известен способ формирования высококонтрастного резонанса на сверхтонких переходах основного состояния атома щелочного металла в бихроматическом поле, в котором частотные компоненты одинаково линейно поляризованы. При этом полные угловые моменты сверхтонких компонент в основном состоянии имеют значения F=1 и F=2 для атомов 87Rb, а возбуждение осуществляется через сверхтонкую компоненту с полным угловым моментом F′=1. Обязательным является условие спектрального разрешения сверхтонкой структуры возбужденного состояния. Среди щелочных металлов перечисленные условия в обычных условиях выполняются для атомов 87Rb. Резонанс когерентного пленения населенностей (КПН) может формироваться как на 0-0 переходе, так и на частотах переходов атомов 87Rb: F=2, m=1↔F=1, m=-1 и F=2, m=-1↔F=1, m=1, где F - квантовое число полного углового момента атома, m - квантовое число проекции полного углового атома на направление магнитного поля [RU патент №2312457]. Недостатком этого способа является его сложная техническая реализация.

Известен способ формирования опорного резонанса на сверхтонких переходах основного состояния атома щелочного металла для стабилизации частоты генератора электромагнитных колебаний, основанный на эффекте когерентного пленения населенностей в бихроматическом лазерном поле, выбранный за прототип. Два сонаправленных лазерных поля с частотами ω1 и ω2, действующие в Л-конфигурации на разрешенные электродипольные переходы F=3<->F′=3 и F=4<->F′=3 (F - квантовое число полного углового момента атома, m - квантовое число проекции полного углового момента атома на направление магнитного поля), создают долгоживущую непоглощающую суперпозицию состояний сверхтонких подуровней атомов 133Cs, находящихся в ячейке с буферным газом [Ж. Кичинг, С. Кнэйп и Л. Холлберг. «Журнал прикладной физики». Том 81, стр. 353, 2002 г.]

Недостатком является необходимость покрывать ячейку антирелаксационным стеночным покрытием или вводить буферный газ, что ведет к удорожанию способа.

Задачей является удешевление способа формирования опорного резонанса.

Для решения задачи предложен способ возбуждения для формирования опорного резонанса на сверхтонких переходах основного состояния атома щелочного металла, основанный на эффекте когерентного пленения населенностей в бихроматическом лазерном поле, в котором резонанс возбуждают лазером, имеющим ширину спектра ГL≤γ, где γ - величина спонтанного распада возбужденного состояния. Ширина лазера является ключевым параметров при формировании резонанса КПН.

Способ может быть реализован как для lin||lin, так и для linlin конфигураций бихроматического лазерного поля при возбуждении резонанса КПН.

При возбуждении лазером с «узким» спектром излучения (т.е. когда выполняется условие ГL≤γ) в лазерном поле взаимодействуют только атомы из одной скоростной группы - "медленные" атомы, которые в основном участвуют в формировании резонанса когерентного пленения населенностей. Поэтому уширение резонанса КПН за счет столкновений со стенками ячейки имеет незначительный вклад и зависимость ширины резонанса КПН от размеров ячейки практически отсутствует. Таким образом, если работать только с "медленными" атомами, то столкновительное уширение со стенками ячейки несет незначительный вклад, что позволяет не покрывать ячейку антирелаксационным стеночным покрытием или вводить буферный газ. Следовательно, отличительный признак является существенным и достаточным для решения задачи.

Способ формирования опорного резонанса на сверхтонких переходах основного состояния атома щелочного металла осуществляют следующим образом. Возьмем ячейку без антирелаксационного стеночного покрытия, в которую помещены атомы цезия 133Cs при температуре 55°C. Поместим ячейку в магнитное поле 0,02 Гс. На данные атомы направим бихроматическое лазерное поле в ∧-конфигурации, которое резонансно переходам F=3<->F′=3 и F=4<->F′=3 и имеет ширину спектра 4,57 МГц. Величина спонтанного распада для атомов 133Cs на переходе F′=3<->F=3, F′=3<->F=4 составляет 4,57 МГц. Следовательно, выполняется условие ГL≤γ. Лазерное поле имеет интенсивность 1 мкВт.

Результаты численного расчета амплитуды p резонанса когерентного пленения населенностей в ∧-конфигурации от двухфотонной отстройки Ω для различных длин ячеек для случая ячейки без антирелаксационного стеночного покрытия предсталены на фиг.1. Сплошная кривая соответствует ячейке длиной 0,825 см, точечная 1,65 см, пунктирная 2,475 см, штрихпунктирная 3,3 см. Из фиг.1 видно, что не наблюдается какой-либо существенной зависимости ширины резонанса когерентного пленения населенностей от размеров ячейки.

Возьмем ячейку без антирелаксационного стеночного покрытия, в которую помещены атомы рубидия 87Rb при температуре 55°C. Поместим ячейку в магнитное поле 0,05 Гс. На данные атомы направим бихроматическое лазерное поле в ∧-конфигурации, которое резонансно переходам F=1<->F′=2 и F=2<->F′=2 и имеет ширину спектра 2 МГц. Величина спонтанного распада для атомов 133Cs на переходе F′=2<->F=1, F′=2<->F=2 составляет 5,74 МГц. Следовательно, выполняется условие ГL≤γ. Лазерное поле имеет интенсивность 2 мкВт.

Результаты численного расчета амплитуды ρ резонанса когерентного пленения населенностей в ∧-конфигурации от двухфотонной отстройки Ω для различных длин ячеек для случая ячейки без антирелаксационного стеночного покрытия представлены на фиг.2. Сплошная кривая соответствует ячейке длиной 2,2 см, пунктирная 3,3 см, точечная 4,4 см. Из фиг.2 видно, что не наблюдается какой-либо существенной зависимости ширины резонанса когерентного пленения населенностей от размеров ячейки.

Предложенный способ формирования опорного резонанса на сверхтонких переходах основного состояния атома щелочного металла позволяет использовать ячейки без антирелаксационного покрытия, что ведет к удешевлению способа формирования опорного резонанса на сверхтонких переходах основного состояния атома щелочного металла.

Способ формирования опорного резонанса на сверхтонких переходах основного состояния атома щелочного металла, основанный на эффекте когерентного пленения населенностей в бихроматическом лазерном поле в ячейке, отличающийся тем, что:
резонанс когерентного пленения населенностей возбуждают лазером, имеющим ширину ГL спектра излучения ГL≤γ, где γ - величина спонтанного распада возбужденного состояния.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технике стабилизации частоты и может быть применено в квантовых стандартах частоты. Устройство содержит последовательно включенные в замкнутое кольцо автоматической подстройки частоты управляемый генератор, фазовый модулятор, управляемый лазерный источник света, управляемый оптический аттенюатор, квантовый поглотитель, фотоприемник и блок подстройки частоты, выход которого подключен к входу управляемого генератора, а также первый низкочастотный генератор, выход которого подключен к модулирующему входу фазового модулятора и опорному входу блока подстройки частоты.

Устройство лазерной оптической накачки квантового дискриминатора относится к области квантовой электроники и может быть использовано в квантовых стандартах частоты.

Изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано в квантовых стандартах частоты. .

Изобретение относится к технике стабилизации частоты и может быть использовано в квантовых стандартах частоты на газовой ячейке с источником света оптической накачки в виде безэлектродной спектральной лампы.

Изобретение относится к технике стабилизации частоты и может быть использовано в атомно-лучевых стандартах частоты. .

Изобретение относится к технике стабилизации частоты и может быть использовано в атомно-лучевых стандартах частоты. .

Изобретение относится к технике стабилизации частоты и может быть использовано в атомно-лучевых стандартах частоты. .
Наверх