Выводная рамка для многокристального полупроводникового прибора свч

Изобретение относится к электронной технике. В выводной рамке для многокристального полупроводникового прибора СВЧ, содержащей, по меньшей мере, два вывода каждый с внешними и внутренними концами, внешние концы выводов соединены с технологической рамкой, внутренние концы каждого вывода имеют конфигурацию, соответствующую конфигурации контактных площадок кристалла полупроводникового прибора, и предназначены для непосредственного соединения с последним. Внутренние концы каждого вывода выполнены и сгруппированы соответственно конфигурации контактных площадок, по меньшей мере, двух кристаллов полупроводникового прибора, при этом упомянутые группы внутренних концов выводов расположены между собой на расстоянии, обеспечивающем расположение кристаллов полупроводникового прибора с зазором не более 5 мм, упомянутые группы внутренних концов выводов, предназначенные для соединения однофункциональных выводов кристаллов полупроводникового прибора, соединены в один внешний конец вывода упомянутых групп внутренних концов. Изобретение обеспечивает расширение функциональных возможностей, снижение трудоемкости изготовления, повышение воспроизводимости, улучшение электрических характеристик. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

 

Изобретение относится к электронной технике, а именно выводным рамкам, предназначенным для присоединения к многокристальным полупроводниковым приборам СВЧ.

Известна выводная рамка для полупроводниковых приборов, которая содержит выводы с внутренними и наружными концами и посадочную площадку, прикрепленные к держателю в виде прямоугольной рамки [1].

Недостаток данной выводной рамки заключается в невозможности непосредственного присоединения внутренних концов выводов рамки к контактным площадкам кристалла полупроводникового прибора.

Более того, применение данной выводной рамки затруднительно для соединения многокристального полупроводникового прибора СВЧ (далее полупроводникового прибора).

Известна выводная рамка для интегральных схем, которая содержит опорные полоски и несколько выводов с наружными и внутренними концами. Наружные концы выводов соединены с опорными полосками, а внутренние концы отходят от опорных полосок к центру рамки. В центре выводной рамки расположен элемент, подлежащий удалению (технологический элемент), на периферии которого расположено несколько углублений. Внутренние концы выводов помещены в углубления технологического элемента, с целью предотвращения их смещения одного относительно другого [2].

Недостатком данной конструкции является высокая трудоемкость изготовления, обусловленная изготовлением технологического элемента с углублениями.

Кроме того, применение данной выводной рамки, как и предыдущей, затруднительно для соединения многокристального полупроводникового прибора СВЧ.

Известна выводная рамка для полупроводникового прибора, состоящая из нескольких выводов с внешними и внутренними концами, при этом внешние концы выводов соединены с опорными полосками внешней технологической рамки, а внутренние концы имеют конфигурацию, соответствующую конфигурации контактных площадок кристалла полупроводникового прибора, и предназначены для непосредственного соединения с ними (контактными площадками кристалла полупроводникового прибора), в которой с целью упрощения технологии изготовления, упрощения ее применения и улучшения электрических характеристик - снижения потерь СВЧ полупроводникового прибора, толщина выводной рамки составляет 1-30 мкм, а длина внешних концов выводов, выходящих за пределы кристалла полупроводникового прибора, равна 0,1-1,5 мм [3] - прототип.

Преимущество данной выводной рамки состоит, как указано выше, в высокой технологичности изготовления выводной рамки и высокой технологичности ее применения. Последнее заключается, в том числе, в обеспечении защиты полупроводникового прибора от пробоя статистическим электричеством в течение всей сборки выводной рамки.

Недостаток данной выводной рамки для полупроводникового прибора СВЧ, как и предыдущих аналогов, состоит в сложности ее применения для соединения многокристального полупроводникового прибора СВЧ, что на сегодня является актуальным.

Техническим результатом изобретения является расширение функциональных возможностей, снижение трудоемкости изготовления, повышение воспроизводимости выводной рамки, снижение трудоемкости ее применения, улучшение электрических характеристик многокристального полупроводникового прибора СВЧ.

Технический результат достигается выводной рамкой для многокристального полупроводникового прибора СВЧ, содержащей

по меньшей мере, два вывода, каждый с внешними и внутренними концами,

при этом

внешние концы выводов соединены с технологической рамкой,

внутренние концы имеют конфигурацию, соответствующую конфигурации контактных площадок кристалла полупроводникового прибора, и предназначены для непосредственного соединения с последним; в которой

внутренние концы выводов выполнены и сгруппированы соответственно конфигурации контактных площадок, по меньшей мере, двух кристаллов полупроводникового прибора,

при этом

упомянутые группы внутренних концов выводов расположены между собой на расстоянии, обеспечивающем расположение кристаллов полупроводникового прибора с зазором не более 5 мм,

упомянутые группы внутренних концов выводов, предназначенные для соединения однофункциональных выводов кристаллов полупроводникового прибора, соединены в один внешний конец вывода упомянутых групп внутренних концов соответственно,

по меньшей мере, одни рядом расположенные различные упомянутые группы внутренних концов выводов, предназначенные для соединения однофункциональных выводов кристаллов полупроводникового прибора соединены кратчайшим путем.

Внутренние концы выводов имеют размеры и расположение, обеспечивающие при совмещении с контактными площадками кристаллов полупроводникового прибора с трех сторон зазоры между их краями 1-30 мкм.

Места соединений внутренних и внешних концов выводов, а также переходы сечений выводов выполнены плавными.

Раскрытие сущности изобретения.

Совокупность существенных признаков заявленной выводной рамки для многокристального полупроводникового прибора СВЧ, а именно когда

внутренние концы каждого вывода выполнены и сгруппированы соответственно конфигурации контактных площадок, по меньшей мере, двух кристаллов полупроводникового прибора,

при этом упомянутые группы внутренних концов выводов, предназначенные для соединения одноименных выводов кристаллов полупроводникового прибора, соединены в один внешний конец вывода упомянутых групп внутренних концов соответственно.

Это обеспечит:

во-первых, возможность одновременного в едином цикле соединения двух и более кристаллов полупроводникового прибора (многокристального полупроводникового прибора), например, заданного числа кристаллов гибридной интегральной схемы и тем самым обеспечит сложение мощности до заданной - расчетной ее величины и как следствие - расширение функциональных возможностей выводной рамки,

во-вторых, снижение трудоемкости изготовления как самой выводной рамки, так и снижение трудоемкости ее применения,

в-третьих, повышение воспроизводимости.

Второе и третье - благодаря обеспечению

а) соединения многокристалльного полупроводникового прибора посредством одной рамки вместо нескольких (соответственно числу кристаллов полупроводникового прибора),

б) возможности соединения внутренних и внешних концов выводов сваркой или пайкой,

в) повышения технологичности удаления технологической рамки.

Расположение упомянутых групп внутренних концов выводов между собой на расстоянии, обеспечивающем расположение кристаллов полупроводникового прибора с зазором не более 5 мм является конструкционно оптимальным с точки зрения обеспечения оптимальных значений конструкционных и технологических параметров - длины выводов и теплового режима кристаллов полупроводникового прибора и тем самым обеспечение оптимального соответствия импедансов - полного (комплексного) сопротивления выходных микрополосковых линий и внешних концов выводов рамки, и тем самым - уменьшение потерь сигнала СВЧ, и как следствие - улучшение электрических характеристик полупроводникового прибора СВЧ.

Выполнение упомянутого зазора более 5 мм не желательно, поскольку упомянутые - тепловой режим не улучшается, а длина выводов увеличивается, что приводит к ухудшению паразитных индуктивностей и соответственно - электрических характеристик.

Соединение кратчайшим путем, по меньшей мере, одних рядом расположенных различных упомянутых групп внутренних концов выводов, предназначенных для соединения однофункциональных выводов кристаллов полупроводникового прибора, обеспечит выравнивание электрических потенциалов и тем самым исключение паразитной генерации и, как следствие - улучшение электрических характеристик полупроводникового прибора СВЧ.

Выполнение размеров внутренних концов выводов и их расположение при совмещении с контактными площадками кристаллов полупроводникового прибора с трех сторон с зазором 1-30 мкм обеспечит их точное совмещение.

Выполнение упомянутого зазора менее 1 мкм затруднит проведение технологической операции совмещения, а более 30 мкм приводит к увеличению контактных площадок кристалла, а следовательно - повышению паразитной емкости и соответственно ухудшению электрических характеристик полупроводникового прибора СВЧ.

Выполнение мест соединений внутренних и внешних концов выводов, а также переходов сечений выводов плавными (с углом наклона более 90° и менее 180°) обеспечит улучшение электрических характеристик полупроводникового прибора СВЧ.

Изобретение поясняется чертежом.

На чертеже представлена заявленная выводная рамка для фрагмента многокристального полупроводникового прибора СВЧ-гибридной интегральной схемы СВЧ, содержащего два кристалла, где:

- по меньшей мере, два вывода - 1, 2, каждый с внешними - 3 и внутренними - 4 концами,

- внешняя технологическая рамка - 5,

- контактная площадка - 6 кристалла - 7, полупроводникового прибора - 8,

- контактная площадка - 9 второго кристалла - 10, полупроводникового прибора - 8,

- группы внутренних концов вывода - 11, 12, предназначенные для соединения однофункциональных выводов первого 7 и второго 10 кристаллов полупроводникового прибора 8,

- соответственно внешние концы 13, 14, 15, 16 выводов групп внутренних концов однофункциональных выводов кристаллов полупроводникового прибора 8.

Примеры конкретного выполнения заявленной выводной рамки многокристального полупроводникового прибора СВЧ рассмотрены для полупроводникового прибора СВЧ-гибридной интегральной схемы СВЧ 8, содержащей два кристалла полевых транзисторов с барьером Шотки 7, 10 (3П976 А-5) АЕЯР.432140.207 ТУ.

Пример 1.

В указанном образце полупроводникового прибора СВЧ-гибридной интегральной схемы СВЧ 8, содержащем два кристалла полевых транзисторов с барьером Шотки 7, 10, выводная рамка содержит два вывода 1, 2 каждый с внешним 3 и внутренним 4 концами.

Внешние концы 3 выводов 1, 2 соединены с технологической рамкой 5.

Внутренние концы 4 каждого вывода 1, 2 имеют конфигурацию, соответствующую конфигурации контактных площадок 6, 9 двух кристаллов полевых транзисторов с барьером Шотки 7, 10 полупроводникового прибора 8 и предназначены для непосредственного соединения с последним.

При этом

Внутренние концы 4 каждого вывода 1, 2 выполнены и сгруппированы соответственно конфигурации контактных площадок упомянутых двух кристаллов полевых транзисторов с барьером Шотки 7, 10 полупроводникового прибора 8.

Упомянутые группы 11, 12 внутренних концов 4 выводов 1, 2 расположены между собой на расстоянии, обеспечивающем расположение двух кристаллов полевых транзисторов с барьером Шотки 7, 10 полупроводникового прибора 8 с зазором не более 2,5 мм.

Упомянутые группы 11, 12 внутренних концов 4 выводов 1, 2, предназначенные для соединения однофункциональных выводов кристаллов полевых транзисторов с барьером Шотки 7, 10 полупроводникового прибора 8, соединены в два внешних конца выводов 13, 15 (затворов) и 14, 16 (стоков) упомянутых групп внутренних концов выводов соответственно.

По меньшей мере, одни, рядом расположенные различные упомянутые группы внутренних концов выводов (13, 15) - затворов, и/или (14, 16) - стоков, предназначенные для соединения однофункциональных выводов двух кристаллов полевых транзисторов с барьером Шотки 7, 10 полупроводникового прибора 8 соединены кратчайшим путем.

При этом:

Толщина выводной рамки составляет 8 мкм.

Материал, из которого выполнена выводная рамка - золото (гальванически осажденное).

Внешние концы 3 выводов 1, 2 имеют размеры и расположение, обеспечивающие при совмещении с контактными площадками 6, 9 кристаллов полевых транзисторов с барьером Шотки 7, 10 полупроводникового прибора 8 с трех сторон зазор между их краями, равный 15 мкм.

Места соединений внешних 3 внутренних 4 концов выводов 1, 2, а также переходы сечений последних выполнены плавными.

Примеры 2-3.

Аналогично примеру 1 были изготовлены образцы полупроводникового прибора СВЧ-гибридной интегральной схемы СВЧ 8, но когда упомянутые группы 11, 12 внутренних концов 4 выводов 1, 2 заявленной выводной рамки расположены между собой на расстоянии, обеспечивающем расположение кристаллов полевых транзисторов с барьером Шотки 7, 10 полупроводникового прибора 8 с зазором 0,5 и 5,0 мм соответственно.

Измеренные выходные параметры - коэффициента усиления и выходной мощности указанных образцов гибридной интегральной схемы составили примерно 10,0 дБ и 1,1 Вт в отличие от аналогичных выходных параметров прототипа - 9,0 дБ и 0,9 Вт соответственно на рабочей частоте 18 ГГц.

Таким образом, заявленная выводная рамка для многокристального полупроводникового прибора СВЧ по сравнению с прототипом обеспечит:

во-первых, расширение функциональных возможностей - использование одной рамки для многокристальных полупроводниковых приборов, и

во-вторых, соответственно снижение трудоемкости изготовления и повышение воспроизводимости.

в-третьих, улучшение электрических характеристик - коэффициента усиления и выходной мощности многокристального полупроводникового прибора примерно на 11,0 и 22,0 процентов соответственно.

Источники информации

1. Заявка Японии 63-249359, МКИ H01L 23/50, приоритет 1988.10.17.

2. Патент США 4415917, МКИ H01L 29/60, 23/48, НКИ 357-70, публикация 83.11.15, т.1036, 3.

3. Патент РФ №2191492, МПК Н05K 3/24, H01L 23/48 опубл. 20.10.2002 - прототип.

1. Выводная рамка для многокристального полупроводникового прибора СВЧ, содержащая, по меньшей мере, два вывода каждый с внешними и внутренними концами, при этом внешние концы выводов соединены с технологической рамкой, внутренние концы каждого вывода имеют конфигурацию, соответствующую конфигурации контактных площадок кристалла полупроводникового прибора, и предназначены для непосредственного соединения с последним, отличающаяся тем, что внутренние концы каждого вывода выполнены и сгруппированы соответственно конфигурации контактных площадок, по меньшей мере, двух кристаллов полупроводникового прибора, при этом упомянутые группы внутренних концов выводов расположены между собой на расстоянии, обеспечивающем расположение кристаллов полупроводникового прибора с зазором не более 5 мм, упомянутые группы внутренних концов выводов, предназначенные для соединения однофункциональных выводов кристаллов полупроводникового прибора, соединены в один внешний конец вывода упомянутых групп внутренних концов соответственно, по меньшей мере, одни рядом расположенные различные упомянутые группы внутренних концов выводов, предназначенные для соединения однофункциональных выводов кристаллов полупроводникового прибора, соединены кратчайшим путем.

2. Выводная рамка для полупроводникового прибора СВЧ по п.1, отличающаяся тем, что ширина внешних концов выводов соответствует ширине пленочного проводника, к которому он должен присоединяться.

3. Выводная рамка для полупроводникового прибора СВЧ по п.1, отличающаяся тем, что внутренние концы выводов имеют размеры и расположение, обеспечивающие при совмещении с контактными площадками кристалла полупроводникового прибора с трех сторон зазоры между их краями, равными 1-30 мкм.

4. Выводная рамка для полупроводникового прибора СВЧ по п.1, отличающаяся тем, что места соединений внутренних и внешних концов выводов, а также переходы сечений выводов выполнены плавными.



 

Похожие патенты:
Изобретение относится к проводящим пастам для формирования металлических контактов на поверхности субстратов для фотогальванических элементов. Проводящая паста по существу свободна от стеклянной фритты.

Изобретение относится к модулю полупроводникового преобразователя электроэнергии. Технический результат - создание модуля полупроводникового преобразователя электроэнергии с охлаждаемой ошиновкой (8) по меньшей мере двух модулей (2, 4) силовых полупроводниковых приборов, который можно нагружать электрически сильнее по сравнению со стандартным модулем полупроводникового преобразователя электроэнергии, при этом может выдерживаться допустимая температура для изоляционного слоя (32) и материала ламинирования ошиновки (8).

Изобретение относится к области приведения в контакт ОСИД с проводником. В способе для приведения в контакт ОСИД с проводником, ОСИД содержит подложку, по меньшей мере, с одной ячейкой, область контакта и инкапсулирующую оболочку, содержащую тонкую пленку, которая содержит нитрид кремния, карбид кремния или оксид алюминия, причем инкапсулирующая оболочка инкапсулирует, по меньшей мере, область контакта, а способ содержит этапы компоновки проводника на инкапсулирующей оболочке и взаимного соединения проводника с областью контакта, без предварительного удаления инкапсулирующей оболочки между проводником и областью контакта.

Изобретение относится к микроэлектронике, к структурам взаимного соединения в многокристальных корпусах. Сущность изобретения: многокристальный корпус включает в себя подложку, имеющую первую сторону, противоположную вторую сторону и третью сторону, которая продолжается от первой стороны до второй стороны, первый кристалл, закрепленный на первой стороне подложки, и второй кристалл, также закрепленный на первой стороне подложки, и мост, расположенный рядом с третьей стороной подложки и соединенный с первым кристаллом и со вторым кристаллом.

Изобретение относится к вычислительным системам, в частности к системной плате. .

Изобретение относится к электронной технике. .

Изобретение относится к межсоединениям по методу перевернутого кристалла. .

Изобретение относится к полупроводниковому устройству, снабженному многослойной структурой межсоединений. .

Изобретение относится к способу и устройству межсоединения, использующему метод перевернутого кристалла на основе сформированных электрических соединений. .

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и может быть использовано при разработке и изготовлении гибридных микросхем. .

Изобретение относится к области силовых корпусов и более конкретно к вводам, выполненным в этих корпусах. Технический результат - предложение ввода, позволяющего минимизировать риски возникновения мультипакторных эффектов, и обеспечение возможности функционирования ввода при передаче сигналов повышенной мощности. Достигается тем, что устройство содержит основание (204) и стенку (203), определяющую внутреннюю часть и наружную часть, причем герметичный ввод содержит первый участок (202а') линии передачи сигнала, располагающийся снаружи корпуса, второй участок (202b') линии передачи сигнала, располагающийся внутри корпуса, и третий участок (202с') линии передачи сигнала, соединяющий два других участка (202а', 202b'), причем ввод отличается тем, что первый участок (202а') смещен относительно стенки таким образом, чтобы обеспечивать первое безопасное расстояние d, представляющее собой расстояние между первым участком (202а) линии передачи сигнала, располагающимся на поверхности второго слоя, и металлическими частями корпуса. 12 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к области силовых корпусов и более конкретно к вводам, выполненным в этих корпусах. Технический результат - предложение ввода, позволяющего минимизировать риски возникновения мультипакторных эффектов, и обеспечение возможности функционирования ввода при передаче сигналов повышенной мощности. Достигается тем, что устройство содержит основание (204) и стенку (203), определяющую внутреннюю часть и наружную часть, причем герметичный ввод содержит первый участок (202а') линии передачи сигнала, располагающийся снаружи корпуса, второй участок (202b') линии передачи сигнала, располагающийся внутри корпуса, и третий участок (202с') линии передачи сигнала, соединяющий два других участка (202а', 202b'), причем ввод отличается тем, что первый участок (202а') смещен относительно стенки таким образом, чтобы обеспечивать первое безопасное расстояние d, представляющее собой расстояние между первым участком (202а) линии передачи сигнала, располагающимся на поверхности второго слоя, и металлическими частями корпуса. 12 з.п. ф-лы, 6 ил.
Изобретение относится к технологии производства приборов электронной техники. Способ изготовления корпуса микросхемы включает изготовление металлокерамического или металлостеклянного основания с монтажными и контактными металлическими площадками, сборку и пайку металлокерамического основания с металлическими деталями корпуса, нанесение слоя никеля и меди поверх никеля и их последующее спекание в защитной или восстановительной газовой атмосфере с образованием плотного медно-никелевого подслоя, нанесение золота на металлические поверхности в качестве финишного покрытия. Изобретение обеспечивает сокращение расхода золота за счет снижения толщины золотого покрытия до 0,1-0,5 мкм по всей металлической поверхности корпуса микросхемы с одновременным повышением плотности покрытия, его коррозионной стойкости, проводимости и термических характеристик для повышения эффективности в процессе сборки микросхем и повышения их стойкости в процессе эксплуатации в электронной аппаратуре. 3 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к устройству (10) с переходными отверстиями в подложке, содержащему подложку (12), выполненную из материала подложки и имеющую первую поверхность (12а) подложки и вторую поверхность (12b) подложки, противоположную первой поверхности (12а) подложки. Устройство (10) с переходными отверстиями в подложке также содержит множество соседних первых канавок (14), обеспеченных проводящим материалом и проходящих с первой поверхности (12а) подложки внутрь подложки (12), так что между первыми канавками (14) формируется множество спейсеров (16) из материала подложки. Устройство (10) с переходными отверстиями в подложке также содержит вторую канавку (18), обеспеченную проводящим материалом и проходящую со второй поверхности (12b) подложки внутрь подложки (12). Вторая канавка (18) соединена с первыми канавками (14). Устройство 10 с переходными отверстиями в подложке также содержит проводящий слой (20), выполненный из проводящего материала и сформированный на стороне первой поверхности (12а) подложки, причем проводящий материал заполняет первые канавки (14), так что первый проводящий слой (20) имеет по существу планарную и закрытую поверхность, покрывающую заполненные первые канавки и формирующую электрическое соединение между заполненными канавками. Изобретение обеспечивает создание усовершенствованного устройства с переходными отверстиями в подложке. 3 н. и 10 з.п. ф-лы, 4 ил.

Настоящее изобретение относится к устройству (10) электронной схемы, содержащему: подложку (12), имеющую первую поверхность (12a) и вторую поверхность (12b), электронную схему, часть (16) электрического соединения для обеспечения электрического соединения с электронной схемой и расположенную на первой поверхности (12a) и по меньшей мере один электрический провод (18). Электрический провод (18) содержит по меньшей мере одну проводящую жилу (20) и изоляцию (22), окружающую проводящую жилу (20). Концевой участок (18a) электрического провода (18) является свободным от изоляции участком для предоставления доступа к проводящей жиле (20), причем концевой участок (18a) электрического провода (18) соединяется с частью (16) электрического соединения. В подложке (12) обеспечивается по меньшей мере одно сквозное отверстие (24), проходящее от первой поверхности (12a) ко второй поверхности (12b), причем электрический провод (18) пропускается через сквозное отверстие (24). Изобретение обеспечивает упрощение производства электронной схемы. 4 н. и 7 з.п. ф-лы, 13 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и может быть использовано при разработке и изготовлении фотоприемных устройств, выполненных в виде гибридных микросхем. Микроконтакт для фотоприемной гибридной микросхемы содержит две металлические контактные площадки и между ними контактный элемент с заданной площадью S0 поперечного сечения. Контактный элемент выполнен из множества тонких электрически-проводящих соединений, присоединенных на торцах к двум металлическим контактным площадкам, причем общая площадь поперечного сечения всего множества тонких электрически-проводящих соединений, образующих контактный элемент, также составляет величину S0, но при этом площадь S1 поперечного сечения каждого тонкого электрически-проводящего соединения не менее чем в 104 раз меньше общей площади S0 поперечного сечения всего множества тонких электрически-проводящих соединений, образующих контактный элемент, а аспектное отношение одного тонкого электрически-проводящего соединения составляет величину от 103 до 104. Металлические контактные площадки выполнены на первом и втором полупроводниковых кристаллах с различными коэффициентами термического расширения. Техническим результатом изобретения является повышение стойкости контактных элементов к термоциклированиям. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.

Использование: для микросхемной сборки. Сущность изобретения заключается в том, что микросхемная сборка содержит соединительную подложку с несколькими расположенными на соединительной подложке полупроводниковыми подложками, прежде всего микросхемами, причем расположенные на контактной поверхности микросхем контактные площадки соединены с контактными площадками на соединительной подложке, причем микросхемы боковой кромкой простираются параллельно, а контактной поверхностью - перпендикулярно контактной поверхности соединительной подложки, причем в соединительной подложке расположены сквозные соединения, которые соединяют расположенные на внешней контактной стороне внешние контакты с выполненными на контактной поверхности соединительной подложки в виде внутренних контактов контактными площадками, причем расположенные смежно боковой кромке контактные площадки микросхем соединены с внутренними контактами соединительной подложки посредством переплавленного запаса припоя. Технический результат: обеспечение возможности простого изготовления микросхемной сборки. 2 н. и 23 з.п. ф-лы, 7 ил.

Способ изготовления полупроводникового устройства (50), которое содержит первый элемент (10) и второй элемент (20), присоединяемый к первому элементу, содержит: a) образование (Cu,Ni)6Sn5 на Ni пленке (12), сформированной на первом элементе путем плавления первого припоя Sn-Cu (14), содержащего 0,9 вес. % или более Cu, на Ni пленке первого элемента; b) образование (Cu,Ni)6Sn5 на Ni пленке (22), сформированной на втором элементе путем плавления второго припоя Sn-Cu (24), содержащего 0,9 вес. % или более Cu, на Ni пленке второго элемента; а также c) соединение первого элемента и второго элемента друг с другом за счет расплавления первого припоя Sn-Cu, выполненного на этапе a), и второго припоя Sn-Cu, выполненного на этапе b), таким образом, что первый припой Sn-Cu и второй припой Sn-Cu соединяются в один. Изобретение обеспечивает получение заданного количества (Cu,Ni)6Sn5 на Ni пленке каждого из соединяемых элементов. 3 з.п. ф-лы, 22 ил.

Изобретение относится к электронной технике. В выводной рамке для многокристального полупроводникового прибора СВЧ, содержащей, по меньшей мере, два вывода каждый с внешними и внутренними концами, внешние концы выводов соединены с технологической рамкой, внутренние концы каждого вывода имеют конфигурацию, соответствующую конфигурации контактных площадок кристалла полупроводникового прибора, и предназначены для непосредственного соединения с последним. Внутренние концы каждого вывода выполнены и сгруппированы соответственно конфигурации контактных площадок, по меньшей мере, двух кристаллов полупроводникового прибора, при этом упомянутые группы внутренних концов выводов расположены между собой на расстоянии, обеспечивающем расположение кристаллов полупроводникового прибора с зазором не более 5 мм, упомянутые группы внутренних концов выводов, предназначенные для соединения однофункциональных выводов кристаллов полупроводникового прибора, соединены в один внешний конец вывода упомянутых групп внутренних концов. Изобретение обеспечивает расширение функциональных возможностей, снижение трудоемкости изготовления, повышение воспроизводимости, улучшение электрических характеристик. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

Наверх