Свч-усилитель на основе высокотемпературного сквида с четырьмя джозефсоновскими контактами



Свч-усилитель на основе высокотемпературного сквида с четырьмя джозефсоновскими контактами
Свч-усилитель на основе высокотемпературного сквида с четырьмя джозефсоновскими контактами
Свч-усилитель на основе высокотемпературного сквида с четырьмя джозефсоновскими контактами
Свч-усилитель на основе высокотемпературного сквида с четырьмя джозефсоновскими контактами
Свч-усилитель на основе высокотемпературного сквида с четырьмя джозефсоновскими контактами

 


Владельцы патента RU 2544275:

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) (RU)

Изобретение направлено на повышение линейности усиления в гигагерцовом диапазоне частот без использования цепей обратной связи. СВЧ-усилитель на основе высокотемпературного СКВИДа включает идентичные и параллельно соединенные первый и второй джозефсоновские контакты, образованные в слое высокотемпературного сверхпроводника (ВТСП) и размещенные вдоль бикристаллической границы подложки, и входной индуктивный элемент, включенный между смежными токоподводами джозефсоновских контактов. Дополнительно введены третий и четвертый джозефсоновские контакты, причем критический ток первого, второго джозефсоновских контактов совпадает, третьего - меньше этой величины, а четвертого контакта - превышает эту величину. Слой ВТСП имеет форму дорожки, которая дважды пересекает бикристаллическую границу и образует замкнутый контур с упомянутым индуктивным элементом, расположенным по одну сторону бикристаллической границы. Третий и четвертый джозефсоновские контакты размещены в местах пересечений упомянутой дорожки с бикристаллической границей, а ширина дорожки в месте размещения четвертого контакта превышает одноименную для третьего контакта. 4 з.п. ф-лы, 5 ил.

 

Область техники

Изобретение относится к криогенной электронике и может быть использовано в измерительной технике, радиотехнических и информационных системах, работающих при низких температурах.

Уровень техники

Радиочастотные усилители на основе сверхпроводящих квантовых интерферометров (СКВИД) имеют высокую чувствительность и обладают низкой шумовой температурой, совместимы с другими сверхпроводниковыми устройствами. СКВИД представляет собой сверхпроводящее кольцо, содержащее один или два джозефсоновских контакта, имеет согласующие и измерительные устройства.

Описаны различные конструкции и схемотехнические решения сверхпроводниковых усилителей СВЧ-диапазона. В частности, описана схема согласованного усилителя на СКВИДе с нагрузкой для диапазона до 0,1 ГГц (JPS60247311, Noguchi, 07.12.1985). Однако как рабочий диапазон частот, так и линейность преобразования для усилителей на одиночном низкотемпературном СКВИДе недостаточны для современных приложений.

Существуют две проблемы, затрудняющие переход к более высоким частотам сигналов 1-10 ГГц при сохранении характерных для сверхпроводниковых устройств высоких показателей по усилению и шумовой температуре. Во-первых, СКВИД-усилители являются особым видом параметрических усилителей, в которых усиление мощности сигнала на его частоте FS происходит путем преобразования сигнала на частоту FS+FJ, где FJ - частота джозефсоновской генерации, и последующем преобразовании вниз, снова на частоту сигнала. Исходя из соотношений Мэнли-Роу, коэффициент усиления по мощности, G, такого усилителя не превышает:

G F J / F S .                                      ( 1 )

Поэтому джозефсоновские переходы СКВИДа должны обладать высоким характеристическим напряжением - VC, чтобы характерная частота джозефсоновской генерации

F C = V C / Ф 0 ,                               ( 2 )

где Ф0 - квант магнитного потока, равный 2,07×10-15 Вб, была на несколько порядков выше частоты сигнала.

Для СКВИДов на основе Nb джозефсоновских контактов типичные значения VC не превышают 100-200 мкВ, соответственно, значения FC не превышают 50-100 ГГц. Типичные значения FJ в рабочей точке примерно на порядок меньше FC и, как видно из формулы (1), усиление исчезает для сигналов с частотой порядка 10 ГГц. Естественно ухудшаются и шумовые характеристики усилителя.

Второй проблемой для СВЧ-усилителей на основе классических СКВИДов с многовитковой входной катушкой в частотном диапазоне выше 0,01 ГГц является нелинейный вид отклика на задаваемое извне магнитное поле и невозможность линеаризации отклика с использованием традиционных систем обратной связи на таких высоких частотах, что ведет к невысокому уровню линейности усиления.

Решение первой проблемы - повышения характеристического напряжения VC, лежит в использовании в СКВИДах высокотемпературных сверхпроводниковых (ВТСП) джозефсоновских контактов, которые демонстрируют значения VC в милливольтовом диапазоне и могут обеспечить значительное усиление на частотах до 10 ГГц. Также для решения первой проблемы могут использоваться многоэлементные джозефсоновские структуры, в том числе состоящие из N последовательно или параллельно соединенных СКВИДов. Сложение откликов от составляющих такую цепочку СКВИДов как раз и позволяет достигнуть требуемого уровня усиления.

В изобретении (US 7095227, Tarutani et. al., 22.08.2006) описан усилитель на последовательной цепочке СКВИДов, позволяющий использовать в качестве источника питания источник постоянного тока и занимающий малую площадь. Однако такое устройство позволяет достичь лишь относительно малую линейность усиления сигнала.

Были предложены усилители-драйверы для гигагерцового диапазона (до десятков ГГц) на основе цепочек СКВИДов, разделенных на изолированные от земли пары, для уменьшения паразитных емкостей в системе (US 6486756, Tarutani, 26.11.2002), однако такие усилители пригодны лишь для цифровых применений и не могут быть использованы для усиления аналогового сигнала. Примером усилителя сигналов БОК-логики, преобразующего их на выходе в импульсы напряжения с величиной, достаточной для использования полупроводниковой электроники, является изобретение (US 6917216, Herr Quentin, 14.10.2004), использующее разделение и переотражение выходного БОК-импульса для получения достаточных значений выходных импульсов напряжения. Но это предложение опять же рассчитано исключительно на применения в цифровых устройствах.

Для создания усилителя тока с большими значениями выходного тока предлагалось использовать набор параллельно соединенных СКВИДов постоянного тока (JP 2003209299, MOROOKA et al., 25.07.2003). Однако это предложение не рассчитано на работу в гигагерцовом диапазоне.

Цепочку СКВИДов переменной площади предлагали использовать в качестве высокочувствительного магнетометра (WO 01/25805, Schopohl et al., 12.04.2001; US 7369093, Oppenlander et al., 06.05.2008), однако описанные структуры не дают необходимой линейности усиления сигнала. Не дают достаточной линейности преобразования входного магнитного сигнала в выходное напряжение и неоднородные параллельные цепочки контактов (US 7369093), не позволяющие ко всему прочему добиться значительных значений выходного сигнала.

Известен сверхпроводящий широкополосный СВЧ усилитель, содержащий подключенную к входной и выходной сверхпроводящим линиям последовательную цепочку двухконтактных СКВИДов, связанных со средствами задания рабочих режимов тока и магнитного поля (JPH10028021, Takeda et al., 27.01.1998). Описана конструкция СВЧ-усилителя на линейных цепочках СКВИДов постоянного тока, имеющего повышенный коэффициент усиления и высокую линейность в полосе частот 1-10 ГГц (RU 2353051, Корнев и др., 06.06.2007). Однако реализация требуемых цепочек СКВИДов на основе ВТСП технологически не решена, что ограничивает область перспективных применений усилителя.

Описана структура с тремя джозефсоновскими контактами (US 8179133, Kornev et al, 15.05.2012; S. Berggren, G. Prokopenko et al, "Development of 2D Bi-SQUID Arrays with High Linearity", IEEE Transactions on Applied Superconductivity, Vol.23, Iss.3, p.1400208, 2013). В этом элементе параллельно основной индуктивности двухконтактного сквида предложено включить третий джозефсоновский переход, который находится всегда в сверхпроводящем состоянии и играет роль нелинейной индуктивности. Подключение джозефсоновского контакта параллельно индуктивности СКВИДа образует двойной СКВИД, далее именуемый как би-СКВИД. Такая ячейка позволяет добиться достаточно высокой линейности преобразования входного сигнала в выходное напряжение усилителя, однако и в данном случае реализовать предложенную структуру на основе высокотемпературных бикристаллических джозефсоновских контактов не представляется возможным.

Наиболее близким к патентуемому усилителю является сверхпроводящий СВЧ-усилитель на высокотемпературном СКВИДе (RU 2325004, Калабухов, Снигирев, 20.05.2008 - прототип). СВЧ-усилитель содержит двухконтактный квантовый интерферометр на основе слоистой структуры (ВТСП)/изолятор/нормальный металл, сформированной на изолирующей бикристаллической подложке, связанный с входной и выходной линиями передачи, средства электрического согласования. Линии передачи выполнены в виде копланарных линий, установленных соосно интерферометру и имеющих протяженный центральный электрод, образованный в слое ВТСП на поверхности подложки, и размещенную с зазором по обе стороны от центрального электрода по меньшей мере одну пару внешних электродов, образованных в слое нормального металла, выполняющих функцию обкладок конденсаторов средств электрического согласования. Однако преобразование магнитного сигнала в напряжение в интерферометре такого усилителя по-прежнему остается нелинейным.

Раскрытие изобретения

Предметом настоящего изобретения является конструкция СВЧ-усилителя на основе высокотемпературного СКВИДа постоянного тока, имеющего повышенную линейность преобразования приложенного магнитного сигнала в отклик напряжения.

Патентуемый СВЧ-усилитель на основе высокотемпературного СКВИДа включает параллельно соединенные первый и второй джозефсоновские контакты, образованные в слое высокотемпературного сверхпроводника (ВТСП) в форме петли и размещенные вдоль бикристаллической границы подложки, и входной индуктивный элемент, включенный между смежными токоподводами упомянутых джозефсоновских контактов.

Отличие состоит в том, что дополнительно введены третий и четвертый джозефсоновские контакты, причем критический ток первого и второго джозефсоновских контактов совпадает, третьего - меньше величины критического тока первого и второго переходов, а четвертого контакта - превышает эту величину.

Петля в слое ВТСП замкнута дорожкой, которая дважды пересекает бикристаллическую границу и образует замкнутый контур с упомянутым индуктивным элементом, расположенным по одну сторону бикристаллической границы.

Третий и четвертый джозефсоновские контакты размещены в местах пересечений упомянутой дорожки с бикристаллической границей, а ширина дорожки в месте размещения четвертого джозефсоновского контакта превышает одноименную для третьего джозефсоновского контакта.

Усилитель может характеризоваться тем, что отношение критического тока упомянутого четвертого джозефсоновского контакта к критическому току остальных джозефсоновских контактов более 4.

Усилитель может характеризоваться и тем, что бикристаллическая подложка выполнена из сапфира с углом разориентации границы 24°, а также тем, что слой ВТСП представляет собой соединение общей формулы YBa2Cu3O7-x и образован на подслое из CeO2.

Технический результат изобретения состоит в обеспечении повышенной линейности отклика без использования цепей обратной связи в гигагерцовом диапазоне частот.

Сущность изобретения поясняется чертежами.

Краткое описание чертежей

На фиг.1 представлена блок-схема СВЧ-усилителя;

На фиг.2 представлена принципиальная схема двухконтактного СКВИДа с дополнительно введенными двумя джозефсоновскими контактами;

На фиг.3 представлена схематическая топология слоя ВТСП на изолирующей бикристаллической подложке с двумя идентичными джозефсоновскими контактами и дополнительным нелинейным джозефсоновским шунтированием индуктивного элемента;

На фиг.4 представлен расчетный вид вольт-потоковой зависимости би-СКВИДа с четырьмя джозефсоновскими контактами в сравнении с вольт-потоковой зависимостью двухконтактного СКВИДа;

На фиг.5 представлены отклики напряжения последовательно соединенных би-СКВИДов в случае номинальной величины критического тока IC джозефсоновских переходов и в случае ±2%-го отклонения IC от номинального значения.

Осуществление изобретения

В основе изобретения лежит оптимизация конструкции устройства сверхпроводящего высокотемпературного СВЧ-усилителя на СКВИД: параллельно основной индуктивности двухконтактного СКВИДа подключены два последовательно соединенных джозефсоновских контакта, которые находятся всегда в сверхпроводящем состоянии и играют роль нелинейной индуктивности. Введение дополнительного нелинейного шунтирования индуктивного элемента посредством джозефсоновских контактов обеспечивает нелинейное преобразование входного магнитного сигнала в джозефсоновскую фазу двухконтактного интерферометра, что обеспечивает при надлежащем подборе параметров линейную зависимость выходного напряжения от величины приложенного потока.

СВЧ-усилитель на основе высокотемпературного СКВИДа (фиг.1, 2) содержит входную линию 1, би-СКВИД 2 с четырьмя джозефсоновскими контактами 21, 22, 23 и 24. Входная линия 1 характеризуется внутренним импедансом Zi (поз.3) и индуктивным элементом 4, задающим магнитный поток Ф через индуктивный элемент би-СКВИДа 2. Схема включает линию 5 задания рабочей точки би-СКВИДа, причем величина протекающего через эту линию тока равна IB, и выходную линию 6.

Би-СКВИД с четырьмя джозефсоновскими контактами представляет (фиг.3) структуру, размещенную на сапфировой бикристаллической подложке 7 с бикристаллической границей 8. Кристаллофизические параметры подложки и технология образования слоистой структуры (условно обозначена поз.9) в данном описании не приводятся и известны из уровня техники (см., например, E. Stepantsov et al., THz Josephson properties of grain boundary YBaCuO junctions on symmetric, tilted bicrystal sapphire substrates, J. Appl. Phys., v.96, N 6, pp.3357-3361, 2004).

СВЧ-усилитель на основе высокотемпературного би-СКВИДа 2 включает идентичные и параллельно соединенные первый 21 и второй 22 джозефсоновские контакты, образованные в слое 10 высокотемпературного сверхпроводника (ВТСП) в форме петли и размещенные вдоль бикристаллической границы 8 подложки 7.

Высокотемпературный би-СКВИД 2 содержит индуктивный элемент 11, включенный между смежными токоподводами джозефсоновских контактов 21 и 22, который также образован в слое 10. Введены третий 23 и четвертый 24 джозефсоновские контакты, причем критический ток первого и второго контактов 21 и 22 совпадает, третьего контакта - меньше этой величины, а четвертого контакта - превышает эту величину, т.е. IC(24)>IC(21,22)>IC(23).

Слой 10 ВТСП в форме петли соединен с дорожкой 12, которая дважды пересекает бикристаллическую границу 8 и образует замкнутый контур с индуктивным элементом 11, расположенным по одну сторону 13 бикристаллической границы 8. По другую сторону 14 границы 8 размещены части 15, 16 слоя ВТСП.

Третий и четвертый джозефсоновские контакты 23, 24 размещены в местах пересечений упомянутой дорожки 12 с бикристаллической границей 8. Ширина b дорожки 12 в месте 17 размещения четвертого джозефсоновского контакта 24 превышает одноименную a для третьего джозефсоновского контакта, таким образом, что a<0,2b (снизу величина a ограничена возможностями современной технологии). Это необходимо для того, чтобы обеспечить надлежащий вид преобразования входного магнитного сигнала в джозефсоновскую фазу двухконтактного интерферометра и упомянутой джозефсоновской фазы интерферометра - в выходной отклик напряжения.

Отношение критического тока джозефсоновского контакта 24 к критическому току джозефсоновских контактов 21, 22 более четырех. Это условие выбрано из соображений оптимизации линейности отклика напряжения и его амплитуды. Отношение нормированной индуктивности l индуктивного элемента 11 к нормированной индуктивности дорожки 12 более 10. Принципы подбора оптимального значения l в данном описании не приводятся и известны из уровня техники (см., например, Kornev V., Soloviev I., Klenov N., Mukhanov O., "Bi-SQUID: a novel linearization method for dc SQUID voltage response", Supercond. Sci. Technol., vol.22, p.114011, 2009). Отношение критического тока джозефсоновского контакта 23 к критическому току джозефсоновских контактов 21, 22 может находиться в диапазоне 0,5-1, т.е. IC(23)=(0,5-1)IC(21,22) и выбрано так, чтобы обеспечить надлежащий вид преобразования входного магнитного сигнала в джозефсоновскую фазу двухконтактного интерферометра и упомянутой джозефсоновской фазы интерферометра - в выходной отклик напряжения.

Структура непосредственно самого высокотемпературного би-СКВИДа 2 имеет два слоя: по всей плоскости подложка 7 покрывается подслоем оксида церия CeO2, поверх которого без разрыва вакуума наносится пленка ВТСП - соединение YBa2Cu3O7-x. Далее при необходимости для формирования входных и выходных линий на подложку со сформированной литографией в слоях CeO2/YBCO структурой наносится слой изолятора - SiO2, и в нем литографией формируют часть элементов согласования. Затем наносится слой золота, в котором формируют остальные элементы СВЧ-усилителя. Толщины пленок составляют: подслой CeO2 - 30 нм, слой ВТСП (YBCO) - 250 нм, слой SiO2 - 400 нм, слой золота - 200 нм. Бикристаллические сапфировые подложки с углом разориентации 24° обеспечивают получение значений характерного джозефсоновского напряжения VC на уровне 0,2 мВ при 77 K (A. Kalabukhov, et al., "Design, fabrication and experimental investigation of high-Tc dc SQUID RF amplifier with a slot-line input circuit" - in Extended Abstract of International Superconductive Electronics Conference (ISEC'05), Noordwijkerhout, The Netherlands, September 5-9, 2005, Report P-H 23).

На фиг.4 представлен расчетный вид вольт-потоковой зависимости би-СКВИДа с четырьмя джозефсоновскими контактами в сравнении с вольт-потоковой зависимостью двухконтактного СКВИДа. Из сравнения представленных результатов видно, что при величине нормированной индуктивности l=0,5 двухконтактного интерферометра и отношении критического тока IC контакта 24 к критическому току IC контактов 21(22), равному 4, отклик напряжения V би-СКВИДа на магнитный сигнал Ф существенно линеаризуется, обеспечивая достижение технического результата. Для достижения технического результата необходимо также чтобы отношение нормированной индуктивности l индуктивного элемента 11 к нормированной индуктивности дорожки 12 было более 10.

На фиг.5 представлены отклики напряжения V последовательно соединенных би-СКВИДов в случае номинальной величины критического тока IC джозефсоновских контактов и в случае ±2%-го отклонения критического тока от номинального значения. Видно, что отклонение критического тока от номинального значения приводит в основном к изменению амплитуды откликов, практически не изменяя при этом линейности и формы откликов.

Таким образом, представленные данные свидетельствуют о достижении технического результата в гигагерцовом диапазоне частот в части повышения линейности отклика без использования цепей обратной связи.

1. СВЧ-усилитель на основе высокотемпературного СКВИДа, включающий параллельно соединенные первый и второй джозефсоновские контакты, образованные в слое высокотемпературного сверхпроводника (ВТСП) в форме петли и размещенные вдоль бикристаллической границы подложки, и входной индуктивный элемент, включенный между смежными токоподводами упомянутых джозефсоновских контактов,
отличающийся тем, что
дополнительно введены третий и четвертый джозефсоновские контакты, причем критический ток первого и второго джозефсоновских контактов совпадает, третьего - меньше величины критического тока первого и второго переходов, а четвертого контакта - превышает эту величину,
петля в слое ВТСП замкнута дорожкой, которая дважды пересекает бикристаллическую границу и образует замкнутый контур с упомянутым индуктивным элементом, расположенным по одну сторону бикристаллической границы, при этом
третий и четвертый джозефсоновские контакты размещены в местах пересечений упомянутой дорожки с бикристаллической границей по обе стороны от первого и второго джозефсоновских контактов, а ширина дорожки в месте размещения четвертого джозефсоновского контакта превышает одноименную для третьего джозефсоновского контакта.

2. СВЧ-усилитель по п.1, отличающийся тем, что ширина дорожки в месте размещения четвертого джозефсоновского контакта превышает одноименную для третьего джозефсоновского контакта.

3. СВЧ-усилитель по п.1, отличающийся тем, что отношение критического тока упомянутого четвертого джозефсоновского контакта к критическому току остальных джозефсоновских контактов более 4.

4. СВЧ-усилитель по п.1, отличающийся тем, что бикристаллическая подложка выполнена из сапфира с углом разориентации 24°.

5. СВЧ-усилитель по п.1, отличающийся тем, что слой ВТСП представляет собой соединение общей формулы YBa2Cu3O7-x и образован на подслое из CeO2.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к криогенной радиотехнике. .

Усилитель // 1775845

Использование: при производстве сверхпроводниковых интегральных схем (СПИС) различного назначения. Сущность изобретения: СПД на основе многослойной тонкопленочной гетероструктуры содержит два слоя сверхпроводника, образующих электроды, и прослойку с металлической проводимостью между ними из легированного металлом полупроводника.

Изобретение относится к криоэлектронным приборам и может быть использовано в измерительной технике. .

Изобретение относится к сверхпроводниковым устройствам и может быть использовано в радиотехнических информационных системах и вычислительной технике. .

Изобретение относится к криоэлектронным приборам и может быть использовано в измерительной технике, радиотехнических и информационных системах, работающих при низких температурах.

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в приемных системах для целей радиоастрономии, интроскопии и спектроскопии. .

Изобретение относится к области коммутационной электронной техники и энергетики и может быть использовано для переключения и ограничения токов в бытовых электронных устройствах, бытовых и промышленных электрических сетях, устройствах защитного отключения.

Изобретение относится к криоэлектронным приборам и может быть использовано в измерительной технике, радиотехнических и информационных системах, работающих при низких температурах.

Изобретение относится к криогенным приборам и может быть использовано в измерительной технике, радиотехнических и информационных системах, работающих при низких температурах.

Изобретение относится к криогенной радиотехнике и может быть использовано для усиления электрических сигналов в гигагерцовом диапазоне частот. .

Изобретение относится к способам создания слабых связей в виде двумерных периодических микроструктур с джозефсоновскими свойствами, используемых в высокочувствительных системах пленочных ВТСП сквид-магнитометрах, в частности, при создании высокочувствительных датчиков магнитного потока и детекторов электромагнитного поля, применяемых в устройствах для регистрации магнитокардиограмм в медицине, геофизике, экологии, контроля парамагнитных примесей в нефтепродуктах и т.п.

Изобретение относится к приборам с использованием сверхпроводимости, в частности к приборам с переходом между различными материалами с использованием эффекта Джозефсона. Указанный результат достигается тем, что предложен способ формирования тонкопленочных микромостиков, в котором наносят сверхпроводящий материал на подложку через маску, при этом в качестве маски используют пластины из тугоплавких материалов заданной геометрии, между остриями пластин при начальной фиксированной температуре T1 формируют величину первичного фиксированного зазора d1 и его геометрию, рассчитывают величину вторичного зазора, получаемой ширины микромостика d2 в зависимости от конечной фиксированной температуры T2 по формуле d2=d1-{α1L1(T2-T1)+α2L2(T2-T1)}-α3{(L1+L2+d1)(T2-T1)}, где: L1 - расстояние от линии фиксации первой пластины до зазора, L2 - расстояние от линии фиксации второй пластины до зазора, T1 - начальная фиксированная температура, T2 - конечная фиксированная температура, α1 - температурный коэффициент теплового расширения первой тугоплавкой пластины, α2 - температурный коэффициент теплового расширения второй тугоплавкой пластины, α3 - температурный коэффициент теплового расширения подложки, затем производят: нагрев, напыление или лазерную абляцию сверхпроводящего материала фиксированной длительности t и фиксированной энергии E, определяющих конечную фиксированную температуру T2. 1 з.п. ф-лы, 6 ил., 1 табл.

Технический результат изобретения состоит в увеличении изменения амплитуды критического тока перехода под действием малого магнитного потока по сравнению с предыдущими геометриями, что открывает возможности для миниатюризации сверхпроводящих элементов памяти. Дополнительный технический результат изобретения состоит в возможности обеспечить достаточно высокую характерную частоту джозефсоновской гетероструктуры, и, как следствие, достаточно высокое быстродействие элемента памяти на ее основе. Высокочастотный сверхпроводящий элемент памяти, выполненный в планарной, торцевой или мостиковой геометрии, состоит из двух сверхпроводящих электродов и области слабой связи, включающей магнитные слои с непосредственной, туннельной или резонансной проводимостью и сверхпроводящий слой между ними. Отличие от известных ранее джозефсоновских SFS структур состоит в том, что при изменении направления намагниченности одного из магнитных слоев в сверхпроводящей пленке, локализованной в области слабой связи между магнитными слоями, происходит фазовый переход из нормального состояния в сверхпроводящее или из сверхпроводящего в нормальное. 15 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к криогенной электронике, представляет собой джозефсоновский 0-π переключатель и может быть использовано в измерительной технике, радиотехнических и информационных системах, работающих при низких температурах, в устройствах сверхпроводниковой электроники. Устройство выполнено по планарной технологии и состоит из двух сверхпроводящих электродов и области слабой связи, включающей магнитный слой с непосредственной или резонансной проводимостью, слой изолятора и сверхпроводящий слой между ними, а также два вспомогательных сверхпроводящих подвода для задания тока через магнитный слой. Техническим результатом является изменение величины критического тока джозефсоновской гетероструктуры под действием малого токового сигнала по сравнению с предыдущими геометриями, а также возможность переключения между состояниями с разными знаками критического тока, возможность обеспечить достаточно высокую характерную частоту джозефсоновской гетероструктуры и, как следствие, достаточно высокое быстродействие элемента памяти на ее основе. 8 з.п. ф-лы, 4 ил.
Наверх