Устройство приема изображения и регулировки резкости фотоизображения на основе переменной кривизны матрицы и внутренней трансфокации



Устройство приема изображения и регулировки резкости фотоизображения на основе переменной кривизны матрицы и внутренней трансфокации
Устройство приема изображения и регулировки резкости фотоизображения на основе переменной кривизны матрицы и внутренней трансфокации
Устройство приема изображения и регулировки резкости фотоизображения на основе переменной кривизны матрицы и внутренней трансфокации
Устройство приема изображения и регулировки резкости фотоизображения на основе переменной кривизны матрицы и внутренней трансфокации
Устройство приема изображения и регулировки резкости фотоизображения на основе переменной кривизны матрицы и внутренней трансфокации

 


Владельцы патента RU 2545483:

Голубь Владимир Иванович (UA)

Изобретение относится к области прикладной оптики и касается устройства для приема изображений с переменной кривизной матрицы и внутренней трансфокацией. Устройство состоит из корпуса, подвижного тубуса, мембраны-подушки, на которой размещены подвижные двухслойные пиксели матрицы, и компрессора. Мембрана-подушка с двухслойными пикселями матрицы закреплена в корпусе с помощью возвратных пружин внутри цилиндра подвижного тубуса, что позволяет ей двигаться в продольном направлении для изменения фокуса. Изменение кривизны матрицы осуществляется за счет изменения давления внутри мембраны-подушки. Технический результат заключается в улучшении качества изображения по всей поверхности матрицы. 5 ил.

 

Изобретение может быть применено в фотоаппаратах, электронных наблюдательных устройствах, робототехнике, искусственном зрении, видеокамерах.

Известно устройство плоской фотоматрицы (из Википедии), первое изготовление в 1974 г., которое содержит пиксели для приема точечного фотоизображения в двух слоях.

Недостатком плоской матрицы является затруднение наведения на резкость по всей площади поверхности матрицы в условиях применения широкоугольных объективов, поскольку при наведении на резкость в центре матрицы страдает качество резкости изображения по краям матрицы, и, наоборот, при наведении резкости в краях матрицы - страдает качество изображения в центральной части матрицы.

Задачей заявляемого технического решения, является устранение недостатка, который касается неоднородной резкости изображения по всему полю матрицы в условиях внутренней трансфокации изображения. Поставленная задача решается путем применения в конструктивном решении матрицы пластичных материалов, которые позволяют на мембрану-подушку с изменяемой геометрией поверхности мембраны-подушки нанести двухслойные подвижные пиксели с целью получения сферической матрицы с закономерно обусловленной поверхностью, радиально адекватной мнимому центру (фокусу) для получения предельной резкости по всей поверхности матрицы.

Графические изображения, которые объясняют конструкцию устройства, которое заявляется, и последствия применения этого конструктивного решения, объясняются:

Фиг.1 - схематическое изображение конструкции заявляемого технического решения.

Фиг.2 - схематическое изображение характера поверхности подвижных двухслойных пикселов матрицы 3, выпуклой формы с изменением давления.

Фиг.3 - схематическое изображение характера поверхности подвижных двухслойных пикселов матрицы 3, вогнутой формы с изменением давления.

Фиг.4 - схема объяснения графического изображения при применении плоской матрицы.

Фиг.5 - схема объяснения графического изображения при применении сферической матрицы с изменением давления.

Устройство приема изображения и регулировки резкости фотоизображения на основе переменной кривизны матрицы в условиях трансфокации изображения, показанное схематически на фиг.1, состоит из мембраны-подушки 1 с расположенным вокруг нее кольцом с возвратными пружинами 2, на передней поверхности мембраны-подушки 1 находятся подвижные двухслойные пиксели матрицы 3, все перечисленное находится внутри цилиндра 4 тубуса, который имеет возможность двигаться в продольном направлении относительно внешнего неподвижного цилиндра 5 тубуса.

Внешний неподвижный цилиндр 5 тубуса крепится к корпусу фотоаппарата 6. С тыльной стороны внешнего неподвижного цилиндра 5 тубуса подключается компрессор 7 с рабочей средой для создания высокого или низкого давления с целью регулировки характера поверхности подвижных двухслойных пикселов матрицы 3, выпуклой (фиг.2) и/или вогнутой (фиг.3).

Преимущество матрицы с переменной кривизной обусловливает отсутствие в фотоизображениях сферических обераций относительно взаимоперпендикулярных линий (фиг.5). Графически объяснены применение плоской и сферической матрицы и расположение геометрии пикселов с изменением давления (фиг.5) и плоской матрицы (фиг.4) на основе фотоизображений.

Предлагаемое устройство позволяет использовать объективы известных брендов, любой конструкции, а также объективы простой и надежной конструкции, которые состоят из одной линзы и диафрагмы для изменения относительного отверстия.

Таким образом фотоаппарат может быть абсолютно герметичным и с неизменным объемом. Трансфокация может осуществляться с помощью тубуса и матрицы переменной кривизны.

Устройство приема изображения и регулировки резкости фотоизображения на основе переменной кривизны матрицы и внутренней трансфокации, которое состоит из корпуса, в котором расположена мембрана-подушка, на которой размещены подвижные двухслойные пиксели матрицы, отличающееся тем, что мембрана-подушка с двухслойными пикселями матрицы закреплена через возвратные пружины внутри циллиндра тубуса, что позволяет ей двигаться в продольном направлении для изменения фокуса и иметь возможность изменять кривизну поверхности с помощью компрессора с рабочей средой.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области полупроводниковой техники. Входное окно предназначено для использования в вакуумных фотоэлектронных приборах проксимити типа.

Изобретение относятся к использованию графена в качестве прозрачного проводящего покрытия (ППП). Согласно изобретению предложен солнечный элемент, содержащий стеклянную подложку; первый проводящий слой на основе графена, расположенный, непосредственно или опосредованно, на стеклянной подложке; первый слой полупроводника в контакте с первым проводящим слоем на основе графена; по меньшей мере один поглощающий слой, расположенный, непосредственно или опосредованно, на первом слое полупроводника; второй слой полупроводника, расположенный, непосредственно или опосредованно, на упомянутом по меньшей мере одном поглощающем слое; второй проводящий слой на основе графена в контакте со вторым слоем полупроводника; и задний контакт, расположенный, непосредственно или опосредованно, на втором проводящем слое на основе графена, при этом каждый из упомянутых первого и второго проводящих слоев на основе графена является изначально легируемым легирующими примесями одного из n-типа и p-типа, и при этом по меньшей мере один из упомянутых первого и второго проводящих слоев на основе графена легирован легирующими примесями n-типа или p-типа, внедренными в его объем из твердого материала-источника легирующих примесей.

Использование: для выполнения тонкопленочного солнечного элемента. Сущность изобретения заключается в том, что кремниевый тонкопленочный солнечный элемент включает подложку, подстилающее покрытие, сформированное поверх по меньшей мере части подложки, включающее первый слой, содержащий оксид олова или диоксид титана, и второй слой, содержащий однородную или неоднородную по составу смесь оксидов, содержащую оксиды по меньшей мере двух элементов из Sn, P, Si, Ti, Al и Zr, и проводящее покрытие, сформированное поверх по меньшей мере части подстилающего покрытия, где проводящее покрытие содержит оксиды одного или нескольких элементов из Zn, Fe, Mn, Al, Ce, Sn, Sb, Hf, Zr, Ni, Zn, Bi, Ti, Co, Cr, Si или In или сплав из двух или более из этих материалов.

Изобретение относится к устройствам преобразования солнечной энергии в электрическую, в частности к конструкциям солнечных энергетических установок, которые могут использоваться в быту, например, в усадьбах индивидуальных жилых домов (коттеджей, сельских жилых домов), на садовых участках, в парках, городских скверах, остановках транспорта (особенно загородом, где нет централизованного электроснабжения) и т.д.

Использование: для изготовления тонкопленочного солнечного элемента. Сущность изобретения заключается в том, что при изготовлении тонкопленочного солнечного элемента, имеющего верхний слой и подстилающий слой, осуществляют осаждение подстилающего слоя, имеющего шероховатую поверхность, и осаждение верхнего слоя поверх подстилающего слоя с помощью химического осаждения из газовой фазы, так чтобы верхний слой имел более шероховатую поверхность, чем подстилающий слой, где подстилающий слой содержит смесь оксидов по меньшей мере двух материалов, выбранных из кремния, титана, циркония, олова, алюминия, фосфора и их смесей, или где подстилающий слой содержит оксид титана в анатазной модификации с толщиной в диапазоне от 20 нм до 25 нм.

Изобретение относится к фотогальваническому модулю (1), содержащему, по меньшей мере, два последовательно соединенных фотогальванических элемента (7, 7'), при этом каждый элемент (7, 7') имеет прямоугольную форму и содержит соответственно первый задний тонкослойный электрод (5, 5'), фотогальванический набор, по меньшей мере, из двух активных материалов (3) между задним электродом (5) и тонкослойным проводящим прозрачным электродом (ТС) (4), при этом указанный электрод ТС (4, 4') выполнен с возможностью отбора и передачи электрического тока (10, 10'), генерируемого фотогальваническим набором (3, 3'), при этом оба фотогальванических элемента (7, 7') последовательно соединены электрически электрической контактной полосой (6), проходящей вдоль стороны, заключенной между электродом ТС (4) первого элемента (7) и задним электродом (5') второго элемента (7').

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к фотоэлектрическим преобразователям (ФП) для прямого преобразования солнечной энергии в электрическую энергию.

Настоящее изобретение относится к люминесцентному фотогальваническому генератору (1) и волноводу для использования в таком фотогальваническом генераторе. Фотогальванический генератор содержит фотогальванический элемент (4) и волновод, содержащий прозрачную матрицу (2), имеющую частицы неорганического люминесцентного материала, рассредоточенные в ней, и/или неорганический люминесцентный материал, расположенный по меньшей мере на одной ее стороне.
Изобретение относится к проводящим пастам для формирования металлических контактов на поверхности субстратов для фотогальванических элементов. Проводящая паста по существу свободна от стеклянной фритты.
Изобретение относится к области фотометрических измерений и касается устройства для измерения чувствительности и пороговой энергии фотоприемных устройств. Устройство включает в себя источник непрерывного излучения, вращающееся зеркало или призму и щель, образующих импульсный источник излучения в виде ослабителя-преобразователя и ослабителя-формирователя пучка излучения в виде коллиматора, на оптической оси которого, ближе к фокальной плоскости, находится выходное отверстие фотометрического шара.

Изобретение относится к аппаратуре, применяемой для астрофизических исследований, и может быть использовано при наблюдении за звездным небом с помощью телескопа.

Изобретение относится к оптике, а именно к устройствам создания фоновой засветки без искажения спектра фонового излучения, в основном для проверки фоточувствительной поверхности фотоприемника.

Изобретение относится к области защиты от жесткого УФ-излучения во время загара под солнцем. .

Изобретение относится к ракетно-космической технике и предназначено для фиксации факта облучения космического аппарата (КА) внешним источником излучения при отсутствии необходимости определения точного направления на источник излучения.

Изобретение относится к оптическому приборостроению. .
Наверх