Широкополосная микрополосковая согласованная нагрузка

Изобретение относится к области радиотехники и электроники и может быть использовано, в частности, для поглощения электромагнитной волны на выходе СВЧ-волноводного тракта. Технический результат - расширение рабочей полосы частот и уменьшение продольных размеров согласованной нагрузки. Для этого микрополосковая согласованная нагрузка, состоящая из последовательно соединенных отрезков микрополосковой линий передачи, содержит не менее семи чередующихся отрезков микрополосковой линии передачи с различным поверхностным сопротивлением, крайними из которых являются отрезки с малым поверхностным сопротивлением, и не менее двух пар разомкнутых шлейфов, расположенных симметрично по разные стороны от микрополосковой линии, каждый из которых выполнен в виде двух последовательно соединенных отрезков микрополосковой линии передачи с большим и малым поверхностным сопротивлением. Поглощающие свойства согласованной нагрузки определяются совокупностью как поглощающих свойств отрезков микрополосковой линии и шлейфов с большим поверхностным сопротивлением, так и топологией структуры. Количество отрезков полосковых линий, их топология и электрические параметры выбираются таким образом, чтобы в выбранном частотном диапазоне величины коэффициентов стоячей волны и прохождения были меньше заданных значений. 19 ил.

 

Изобретение относится к области радиотехники и электроники и может быть использовано как самостоятельно для поглощения электромагнитной волны на выходе СВЧ-волноводного тракта, так и в качестве элементов более сложных функциональных устройств: направленных ответвителей, сумматоров мощности, измерительных мостов, фильтров и т.д.

Известна микрополосковая нагрузка (см. патент RU на ПМ №126197, МПК H01P 1/26), включающая диэлектрическую подложку из оксида алюминия с отрезком микрополосковой линии и резистивным слоем, выполненным в виде двух прямоугольных резисторов, расположенных по разные стороны от отрезка микрополосковой линии и примыкающих одной стороной к этому отрезку, а противоположные стороны этих резисторов замыкаются между собой через П-образный проводник с установленной в его середине перемычкой на земляной слой, выполненный на противоположной плоскости подложки. В пятидесятиомном тракте, работающем на частотах 1000-1500 МГц, для обеспечения КСВН меньше 1,05 диэлектрическая плата выполнена на подложке толщиной 2 мм, а ширина горизонтальной части П-образного проводника выполнена в пределах 1,6…1,9 мм, ширина вертикальных частей - 0,6…0,8 мм, а ширина микрополосковой линии - 1,5…1,7 мм.

Однако данная нагрузка обладает значительными продольными габаритами и является узкополосной.

Известна микрополосковая нагрузка (см. заявку RU на ИЗ №92013230, МПК P01P 1/26). Между П-образными проводниками, подключенными к резистивным элементам, и следующими П-образными проводниками введены компенсирующие индуктивности в виде отрезков проводников, длина которых определена из условия компенсации емкостной составляющей импеданса части согласованной нагрузки от данного сечения до заземляющего проводника, а сопротивление резистивных слоев выбрано увеличивающимся по экспоненциальному закону в направлении от входного проводника к заземляющему проводнику.

Однако данная нагрузка обладает значительными продольными габаритами и достаточно сложна для реализации на высоких частотах.

Наиболее близкой по сущности к предлагаемой является микрополосковая нагрузка (см. патент RU №2049367, МПК H01P 1/26), которая содержит входную линию передачи, к которой через отдельные резисторы подключены разомкнутые шлейфы, электпомагнитно связанные между собой. Общее количество разомкнутых шлейфов не менее двух. Величина сопротивления каждого резистора больше величины волнового сопротивления входной линии передачи. Разомкнутые шлейфы выполнены с одинаковой или различной резонансной частотой.

Однако данная нагрузка обладает значительными продольными габаритами и малой допустимой рассеиваемой мощностью.

Задача настоящего изобретения заключается в создании широкополосной микрополосковой согласованной нагрузки СВЧ-излучения, отличающейся широкополностью, технологической простотой изготовления, малыми продольными габаритами.

Технический результат заключается в расширении рабочей полосы частот, уменьшении продольных размеров согласованной нагрузки.

Поставленная задача достигается тем, что микрополосковая согласованная нагрузка, состоящая из последовательно соединенных отрезков микрополосковой линий передачи, содержит не менее семи чередующихся отрезков микрополосковой линии передачи с различным поверхностным сопротивлением, крайними из которых являются отрезки с малым поверхностным сопротивлением, и не менее двух пар разомкнутых шлейфов, расположенных симметрично по разные стороны от микрополосковой линии, каждый из которых выполнен в виде двух последовательно соединенных отрезков микрополосковой линии передачи с большим и малым поверхностным сопротивлением и подключен к отрезкам микрополосковой линии передачи с малым поверхностным сопротивлением таким образом, что отрезок шлейфа с большим поверхностным сопротивлением соединяется с отрезком микрополосковой линии передачи с малым поверхностным сопротивлением, при этом длина первого отрезка микрополосковой линии передачи с большим поверхностным сопротивлением должна находиться в диапазоне длин λ24-λ/24 (где λ - длина волны, соответствующая середине рабочего диапазона длин волн), длина второго отрезка микрополосковой линии передачи с большим поверхностным сопротивлением должна составлять не менее λ/6, длина третьего отрезка микрополосковой линии передачи с большим поверхностным сопротивлением должна составлять не менее λ/12 длины отрезков шлейфов с большим и малым поверхностным сопротивлением и длины отрезков микрополосковой линии передачи с малым поверхностным сопротивлением должны находиться в диапазоне длин λ/10-λ/6.

Поглощающие свойства согласованной нагрузки определяются совокупностью как поглощающих свойств отрезков микрополосковой линии и шлейфов с большим поверхностным сопротивлением, так и топологией структуры. Оптимальное согласование микрополосковой нагрузки с 50-омной линией передачи в широком диапазоне частот достигается топологией и электрофизическими характеристиками отрезков с большим и малым поверхностным сопротивлением. Количество отрезков полосковых линий, их топологию и электрические параметры выбирают таким образом, чтобы в выбранном частотном диапазоне величины коэффициентов стоячей волны и прохождения были меньше заданных значений.

Предлагаемое устройство поясняется чертежами.

Фиг.1. Общий вид микрополосковой согласованной нагрузки.

Фиг.2. Расчетная зависимость коэффициента стоячей волны от частоты в восьмимиллиметровом диапазоне длин волн.

Фиг.3. Расчетная зависимость коэффициента прохождения от частоты в восьмимиллиметровом диапазоне длин волн.

Фиг.4. Экспериментальная зависимость коэффициента стоячей волны от частоты в восьмимиллиметровом диапазоне длин волн.

Фиг.5. Экспериментальная зависимость коэффициента прохождения от частоты в восьмимиллиметровом диапазоне длин волн.

Фиг.6. Топология микрополосковой согласованной нагрузки при увеличенной длине отрезков с большим поверхностным сопротивлением первой пары шлейфов.

Фиг.7. Расчетная зависимость коэффициента стоячей волны от частоты электромагнитного излучения для топологии микрополосковой согласованной нагрузки при увеличенной длине отрезков с большим поверхностным сопротивлением первой пары шлейфов.

Фиг.8. Топология микрополосковой согласованной нагрузки при увеличенной длине отрезков с большим поверхностным сопротивлением второй пары шлейфов.

Фиг.9. Расчетная зависимость коэффициента стоячей волны от частоты электромагнитного излучения для топологии микрополосковой согласованной нагрузки при увеличенной длине отрезков с большим поверхностным сопротивлением второй пары шлейфов.

Фиг.10. Топология микрополосковой согласованной нагрузки при отсутствии в шлейфах отрезков с малым поверхностным сопротивлением.

Фиг.11. Расчетная зависимость коэффициента стоячей волны от частоты электромагнитного излучения для топологии микрополосковой согласованной нагрузки при отсутствии в шлейфах отрезков с малым поверхностным сопротивлением.

Фиг.12. Топология микрополосковой согласованной нагрузки при уменьшенной длине первого отрезка микрополосковой линии с большим поверхностным сопротивлением.

Фиг.13. Расчетная зависимость коэффициента стоячей волны от частоты электромагнитного излучения для топологии микрополосковой согласованной нагрузки при уменьшенной длине первого отрезка микрополосковой линии с большим поверхностным сопротивлением.

Фиг.14. Топология микрополосковой согласованной нагрузки при увеличенной длине первого отрезка микрополосковой линии с большим поверхностным сопротивлением.

Фиг.15. Расчетная зависимость коэффициента стоячей волны от частоты электромагнитного излучения для топологии микрополосковой согласованной нагрузки при увеличенной длине первого отрезка микрополосковой линии с большим поверхностным сопротивлением.

Фиг.16. Топология микрополосковой согласованной нагрузки при уменьшенной длине второго отрезка микрополосковой линии с большим поверхностным сопротивлением.

Фиг.17. Расчетная зависимость коэффициента стоячей волны от частоты электромагнитного излучения для топологии микрополосковой согласованной нагрузки при уменьшенной длине второго отрезка микрополосковой линии с большим поверхностным сопротивлением.

Фиг.18. Топология микрополосковой согласованной нагрузки при увеличенной длине второго отрезка микрополосковой линии с большим поверхностным сопротивлением.

Фиг.19. Расчетная зависимость коэффициента стоячей волны от частоты электромагнитного излучения для топологии микрополосковой согласованной нагрузки при увеличенной длине второго отрезка микрополосковой линии с большим поверхностным сопротивлением.

Пример практической реализации устройства.

Согласованная волноводная нагрузка в восьмимиллиметровом диапазоне длин волн имеет следующие параметры:

Рабочий диапазон, ГГц 33-37
Коэффициент стоячей волны, не более 1,1
Коэффициент прохождения, дБ, не более -40

Для расчета коэффициентов стоячей волны и прохождения электромагнитной волны через микрополосковую структуру, состоящую из отрезков микрополосковой линии передачи с различным поверхностным сопротивлением, представленную на фиг.1, производилось компьютерное моделирование в среде САПР HFSS Ansoft.

Для вычисления значений параметров микрополосковой структуры решалась следующая задача оптимизации:

- КстU<1.1;

- Кп (коэффициент прохождения) < -40 дБ;

- количество чередующихся отрезков в микрополосковой линии - 7;

- количество чередующихся шлейфов в шлефах - 8;

- количество шлейфов - 4;

- материалы слоев:

1. золото;

2. хром;

- поверхностное сопротивление высокоомного слоя - 50 Ом/квадрат;

- диапазон частот - от 33 ГГц до 37 ГГц.

Расчетные значения частотной зависимости коэффициентов отражения и прохождения представлены на фиг.2 и фиг.3, соответственно.

По данным компьютерного моделирования была изготовлена микрополосковая согласованная нагрузка. Металлические слои (хром и золото) напылялись на подложки из поликора с диэлектрической проницаемостью 9,6. Отрезки микрополосковой структуры с большим поверхностным сопротивлением были непосредственно соединены с отрезками с малым поверхностным сопротивлением и периодически чередовались, образуя структуру микрополоскового неупорядоченного фотонного кристалла. Разомкнутые шлейфы, расположенные симметрично по разные стороны от микрополосковой линии, каждый из которых выполнен в виде двух последовательно соединенных отрезков микрополосковой линии передачи с большим и малым поверхностным сопротивлением и подключен к отрезкам микрополосковой линии передачи с малым поверхностным сопротивлением таким образом, что отрезок шлейфа с большим поверхностным сопротивлением соединяется с отрезком микрополосковой линии передачи с малым поверхностным сопротивлением, образуют периодические микрополосковые структуры в направлении, перпендикулярном направлению распространения электромагнитной волны, что обеспечивает увеличение эффективности поглощения электромагнитных волн в широком диапазоне частот.

Измеренные частотные зависимости коэффициентов стоячей волны и прохождения электромагнитной волны представлены на фиг.4 и фиг.5, соответственно.

Изменением топологии микрополосковой согласованной нагрузки путем варьирования длин отрезков с большим поверхностным сопротивлением первой и второй пары шлейфов можно добиться наилучшего согласования в выбранной области частотного диапазона.

На фиг.6 и 7 приведены топология микрополосковой согласованной нагрузки при увеличенной длине отрезков с большим поверхностным сопротивлением первой пары шлейфов, равной λ/6, и уменьшенной длине второй пары шлейфов, равной λ/11, и соответствующая расчетная зависимость коэффициента стоячей волны от частоты электромагнитного излучения.

На фиг.8 и 9 приведены топология микрополосковой согласованной нагрузки при уменьшенной длине отрезков с большим поверхностным сопротивлением первой пары шлейфов, равной λ/11, и увеличенной длине второй пары шлейфов, равной λ/6, и соответствующая расчетная зависимость коэффициента стоячей волны от частоты электромагнитного излучения.

Исследование топологии микрополосковой согласованной нагрузки при отсутствии и наличии в шлейфах отрезков с малым поверхностным сопротивлением позволяет сделать вывод о значительном снижении величины коэффициента стоячей волны при наличии в шлейфах отрезков с малым поверхностным сопротивлением.

Топология микрополосковой согласованной нагрузки при отсутствии в шлейфах отрезков с малым поверхностным сопротивлением и соответствующая этому случаю расчетная зависимость коэффициента стоячей волны от частоты электромагнитного излучения представлены на фиг.10 и фиг.11 соответственно.

С целью выяснения влияния изменения топологии микрополосковой согласованной нагрузки путем варьирования длин отрезков микрополосковой линии с большим поверхностным сопротивлением на частотную зависимость коэффициента стоячей волны в выбранной области частотного диапазона было проведено компьютерное моделирование в среде САПР HFSS Ansoft.

Топологии микрополосковых согласованных нагрузок при уменьшенной и увеличенной длине отрезков микрополосковой линии с большим поверхностным сопротивлением и соответствующие им зависимости коэффициента стоячей волны от частоты электромагнитного излучения приведены на фиг.12-19.

На фиг.12 и 13 приведены топология микрополосковой согласованной нагрузки при длине первого отрезка микрополосковой линии с большим поверхностным сопротивлением, равной λ/25, и соответствующая расчетная зависимость коэффициента стоячей волны от частоты электромагнитного излучения.

На фиг.14 и 15 приведены топология микрополосковой согласованной нагрузки при длине первого отрезка микрополосковой линии с большим поверхностным сопротивлением, равной λ/20, и соответствующая расчетная зависимость коэффициента стоячей волны от частоты электромагнитного излучения.

Как следует из результатов, представленных на фиг.12-15, как увеличение, так и уменьшение длины первого отрезка микрополосковой линии с большим поверхностным сопротивлением относительно оптимального значения, равного λ/22, приводит к увеличению коэффициента стоячей волны в выбранном частотном диапазоне.

На фиг.16 и 17 приведены топология микрополосковой согласованной нагрузки при длине второго отрезка микрополосковой линии с большим поверхностным сопротивлением, равной λ/11, и соответствующая расчетная зависимость коэффициента стоячей волны от частоты электромагнитного излучения.

На фиг.18 и 19 приведены топология микрополосковой согласованной нагрузки при длине второго отрезка микрополосковой линии с большим поверхностным сопротивлением, равной 2·λ/5, и соответствующая расчетная зависимость коэффициента стоячей волны от частоты электромагнитного излучения.

Как следует из результатов, представленных на фиг.16-19, уменьшение длины второго отрезка микрополосковой линии с большим поверхностным сопротивлением относительно оптимального значения, равного λ/6, приводит к увеличению коэффициента стоячей волны в выбранном частотном диапазоне, а увеличение длины второго отрезка микрополосковой линии с большим поверхностным сопротивлением приводит увеличению габаритов микрополосковой согласованной нагрузки.

Длина третьего отрезка микрополосковой линии передачи с большим поверхностным сопротивлением минимизирует величину СВЧ-мощности, отраженной от последнего отрезка микрополосковой линии передачи с большим поверхностным сопротивлением, и для всех рассматриваемых топологий составляла не менее λ/12.

Таким образом, использование микрополосковых структур, состоящих из чередующихся отрезков микрополосковой линии передачи с различным поверхностным сопротивлением, крайними из которых являются отрезки с малым поверхностным сопротивлением, и не менее двух пар разомкнутых шлейфов, расположенных симметрично по разные стороны от микрополосковой линии, каждый из которых выполнен в виде двух последовательно соединенных отрезков микрополосковой линии передачи с большим и малым поверхностным сопротивлением, позволяет создавать широкополосные малогабаритные микрополосковые согласованные нагрузки. При этом оптимизация параметров микрополосковой структуры позволяет выбрать диапазон частот, в котором необходимо реализовать требуемые значения коэффициента стоячей волны и прохождения.

Микрополосковая согласованная нагрузка, состоящая из последовательно соединенных отрезков микрополосковой линии передачи, отличающаяся тем, что содержит не менее семи чередующихся отрезков микрополосковой линии передачи с различным поверхностным сопротивлением, крайними из которых являются отрезки с малым поверхностным сопротивлением, и не менее двух пар разомкнутых шлейфов, расположенных симметрично по разные стороны от микрополосковой линии, каждый из которых выполнен в виде двух последовательно соединенных отрезков микрополосковой линии передачи с большим и малым поверхностным сопротивлением и подключен к отрезкам микрополосковой линии передачи с малым поверхностным сопротивлением таким образом, что отрезок шлейфа с большим поверхностным сопротивлением соединяется с отрезком микрополосковой линии передачи с малым поверхностным сопротивлением, при этом длина первого отрезка микрополосковой линии передачи с большим поверхностным сопротивлением должна находиться в диапазоне длин λ/24-λ/22 (где λ - длина волны, соответствующая середине рабочего диапазона длин волн), длина второго отрезка микрополосковой линии передачи с большим поверхностным сопротивлением должна составлять не менее λ/6, длина третьего отрезка микрополосковой линии передачи с большим поверхностным сопротивлением должна составлять не менее λ/12, длины отрезков шлейфов с большим и малым поверхностным сопротивлением и длины отрезков микрополосковой линии передачи с малым поверхностным сопротивлением должны находиться в диапазоне длин λ/10-λ/6.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технике СВЧ и может использоваться при испытаниях ферритовых циркуляторов. Технический результат - расширение функциональных возможностей путем оценки роста прямых потерь ферритовых приборов при высоких уровнях мощности.

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот и может быть использовано в селективных трактах приемных и передающих систем. Достигаемый технический результат - расширение полосы рабочих частот и улучшение селективных свойств.

Изобретение относится к радиоэлектронике и измерительной технике и может быть использовано для заданного ослабления СВЧ сигнала большой мощности в широкой полосе рабочих частот.

Изобретение относится к области измерительной техники, электротехники, радиотехники, связи и может использоваться в структуре различных интерфейсов, измерительных приборах, быстродействующих аналого-цифровых (АЦП) и цифроаналоговых (ПАП) преобразователях.

Изобретение относится к радиоэлектронике, в частности к аттенюаторным устройствам. Технический результат заключается в расширении диапазона регулировки мощности выходного сигнала за счет использования двухканальной системы регулировки мощности.

Изобретение относится к высокочастотным аттенюаторам. Технический результат заключается в расширении диапазона рабочих частот устройства и повышении его быстродействия при работе с импульсными сигналами большой амплитуды.

Изобретение относится к области электронной техники. Диодная сборка относится к элементам, предназначенным для использования в сверхвысокочастотных защитных устройствах.

Изобретение относится к устройству дифференциального аттенюатора. Техническим результатом является повышение быстродействия устройства при работе с импульсными противофазными сигналами большой амплитуды.

Изобретение относится к технике СВЧ. Технический результат - увеличение крутизны ската амплитудно-частотной характеристики фильтра.

Изобретение относится антенной технике и может быть использовано в радиоприемных и радиопередающих устройствах систем связи, в том числе в аппаратуре потребителей спутниковых радионавигационных систем Glonass, GPS для разделения сигналов, принятых общей антенной приемника.

Изобретение относится к волноводным аттенюаторам и может быть использовано в волноводной, антенной и СВЧ измерительной технике. Технический результат - уменьшение массы поглощающего сопротивления при работе в низкочастотных диапазонах и обеспечение оптимального согласования входа и выхода аттенюатора. Волноводный аттенюатор состоит из отрезка прямоугольного волновода и помещенного в него объемного поглощающего сопротивления, состоящего из основной прямоугольной призмы и согласующих элементов в виде дополнительных прямоугольных призм. Основная прямоугольная призма и согласующие элементы могут быть выполнены в виде одной детали, причем объемное поглощающее сопротивление выполнено в виде основной прямоугольной призмы, при этом основная призма хотя бы с одной из сторон, параллельной поперечному сечению прямоугольного волновода, сопряжена с согласующим элементом в виде дополнительной прямоугольной призмы, конструктивно объединенным с основной призмой и выполненным из материала основной призмы, при этом плоскость основания дополнительной призмы совпадает с плоскостью сопряжения основной призмы с волноводом. 4 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к устройству беспроводной связи. Технический результат состоит в уменьшении энергопотребления, уменьшении количества составных частей и улучшении производительности при приеме сигнала, что достигается отсутствием модуля переключения антенны. Для этого устройство беспроводной связи включает в себя усилитель мощности (31), который усиливает сигнал передачи, схему (37) передачи, которая обрабатывает усиленный сигнал передачи, антенну (13) и блок (10e) управления, который поочередно активирует и деактивирует усилитель мощности (31), причем схема (37) передачи сконфигурирована для согласования импеданса между схемой (37) передачи и антенной (13), когда активируется усилитель мощности (31), и приведения импеданса, наблюдаемого от антенны (13) в направлении схемы (37) передачи, в высокоимпедансное состояние, когда деактивируется усилитель мощности (31). 4 н. и 14 з.п. ф-лы, 52 ил.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к аттенюаторам СВЧ на полупроводниковых приборах. Технический результат - снижение прямых потерь СВЧ и расширение функциональных возможностей за счет увеличения количества уровней затухания. Для этого аттенюатор СВЧ содержит линии передачи на входе и выходе с одинаковым волновым сопротивлением, шесть резисторов, четыре полевых транзистора с барьером Шотки, два отрезка линии передачи длиной, равной четверти длины волны в линии передачи, и волновым сопротивлением, превышающим волновое сопротивление линий передачи на входе либо на выходе, два источника постоянного управляющего напряжения. 3 ил.

Изобретение относится к области радиотехники, а именно к волноводной и антенной технике, и может быть использовано в качестве устройства в длинных магистральных волноводных линиях связи. Техническим результатом заявляемого возбудителя волны H01 является его конструктивное упрощение при одновременном улучшении его технических характеристик. Для этого возбудитель волны H01 состоит из Е-плоскостного Т-образного разветвления 1, боковые плечи 2 которого изогнуты в Е-плоскости по окружности, центр которой совпадает с осью отрезка круглого волновода 3. Каждое из боковых плеч 2 Е-плоскостного Т-образного разветвления 1 соединено с отрезком круглого волновода 3 через прямоугольные волноводы 4, расположенные с шагом λв. С одного конца отрезка круглого волновода 3 установлен короткозамыкатель 5. В отрезок круглого волновода 3 установлен модовый фильтр 6. Размеры узких стенок прямоугольных волноводов 4 выбраны из условия равноамплитудного возбуждения элементов питания отрезка круглого волновода 3. Для данной реализации возбудителя волны H01: b1=1.2b, b2=b, где b - размер узкой стенки бокового плеча 2 Е-плоскостного Т-образного разветвления 1. 5 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к микрополосковому двухполосному полосно-пропускающему фильтру, предназначенному для частотной селекции сигналов на двух несущих частотах и используемому в технике сверхвысоких частот в селективных трактах приемных и передающих систем. Техническим результатом является более высокая технологичность за счет отсутствия емкости на крайних резонаторах. Для этого фильтр содержит диэлектрическую подложку (1), на одну сторону которой нанесено заземляемое основание (2), а на вторую сторону нанесены полосковые проводники, электромагнитно связанные между собой и расположенные в два параллельных друг другу ряда, причем проводники первого (3) и второго (5) рядов отличаются между собой длиной. Центральные проводники (4, 6) в каждом ряде отличаются длиной и шириной от проводников своего ряда, при этом длина отрезков крайних проводников (7), взаимодействующих с проводниками каждого ряда, различна. 3 ил.

Изобретение относится к радиоэлектронной аппаратуре. Технический результат заключается в обеспечении возможности оперативного монтажа и демонтажа волноводов с различной геометрией фланцев в условиях ограниченного доступа. Для этого фланцевое соединение волноводов содержит волноводы с плоскими фланцами, между которыми установлена контактная прокладка с прямоугольным окном, по контуру которого выполнены прорези. Контактная прокладка выполнена с возможностью осуществления стыковки волноводов с различной конфигурацией фланцев, посредством установки и фиксации ее на внутренней боковой поверхности паза, выполненного в центральной части контактирующей поверхности одного из фланцев. Фиксацию контактной прокладки осуществляют при помощи фиксирующих элементов, выполненных с внешней стороны контактной прокладки и являющихся продолжением ребер ее основания, направленных в одну сторону и выполненных с некоторым внутренним уклоном к основанию, а также дополнительным фиксированием герметизирующей прокладкой, размещенной внутри данного паза. В контактной прокладке по контуру окна прорези образуют лепестки, поочередно отогнутые в противоположные стороны на равный угол. 6 з.п. ф-лы, 10 ил.

Изобретение относится к области создания полупроводниковых изделий, а именно к мощному переключателю СВЧ на основе соединения галлия, содержащему подложку, поверх которой размещена эпитаксиальная гетероструктура и барьер Шоттки. Технический результат заключается в уменьшении теплового сопротивления мощных переключателей, повышении уровня допустимой входной мощности, повышении скорости переключения, повышении надежности приборов, уровня радиационной стойкости и в снижении утечки тока затвора и уровня деградации. Для этого переключатель СВЧ изготовлен на нитриде галлия, где в качестве подложки использован сапфир. Затем последовательно размещены: буферный слой AlN, буферный слой из GaN, второй буферный слой из нелегированного нитрида галлия (i-тип), твердый раствор AlXGa1-XN, и в интерфейсе GaN/AlXGa1-XN гетероструктуры образован двумерный электронный газ высокой плотности, который служит нижней обкладкой конденсатора, поверх твердого раствора AlXGa1-XN размещен химически устойчивый сглаживающий слой из нитрида галлия, поверх которого нанесен диэлектрик, содержащий слой из двуокиси гафния. Поверх диэлектрика размещены металлические электроды полосковой формы, которые образуют верхнюю обкладку конденсатора, при этом переключатель содержит два конденсатора, образующие двойные ВЧ-ключи. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Использование: для настройки трехплечевого ферритового циркулятора с согласующим трансформатором. Сущность изобретения заключается в том, что осуществляют подачу измерительного сигнала в каждое плечо трехплечевого ферритового циркулятора, измерение электромагнитных характеристик каждого плеча, определение плеча трехплечевого ферритового циркулятора, электромагнитные характеристики которого не соответствуют заданным значениям, и доведение электромагнитных характеристик этого плеча до заданных значений изменением конфигурации электромагнитного поля в трехплечевом ферритовом циркуляторе, при этом изменение конфигурации электромагнитного поля в трехплечевом ферритовом циркуляторе осуществляют постепенным заполнением области плеча трехплечевого ферритового циркулятора, электромагнитные характеристики которого не соответствуют заданным значениям, диэлектрической пастой, содержащей 50-60 мас.% кремнийорганического герметика и 40-50 мас.% двуокиси титана TiO2, при этом количество вводимой диэлектрической пасты увеличивают до тех пор, пока электромагнитные характеристики плеча трехплечевого ферритового циркулятора не достигнут заданного значения, и затем введенную диэлектрическую пасту высушивают. Технический результат: обеспечение возможности сокращения времени настройки трехплечевого ферритового циркулятора с согласующим трансформатором. 6 з.п. ф-лы, 9 ил.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к полосно-пропускающим перестраиваемым фильтрам СВЧ. Технический результат заключается в расширении полосы пропускания частот и снижении коэффициента стоячей волны напряжения при сохранении низких потерь СВЧ в полосе пропускания частот полосно-пропускающего перестраиваемого фильтра. Технический результат достигается за счет полосно-пропускающего перестраиваемого фильтра СВЧ, который содержит две линии передачи с одинаковыми волновыми сопротивлениями, одна предназначена для входа СВЧ-сигнала, другая - для выхода, по меньшей мере одно резонансное звено с полевым транзистором с барьером Шотки, отрезок линии передачи, при этом затвор полевого транзистора с барьером Шотки соединен с источником постоянного управляющего напряжения, при этом в каждое резонансное звено дополнительно введены два элемента, каждый на двух связанных линиях передачи, и индуктивность. 3 ил.

Изобретение относится к области электротехники и связи и может быть использовано для одновременной работы двух радиопередатчиков на одну общую антенну. Частотно-разделительное устройство содержит широкополосное мостовое устройство и цепь компенсации потерь для возврата части энергии сигналов, поступающих на балластный выход мостового устройства, источникам питания радиопередатчиков. Техническим результатом является обеспечение независимой работы двух радиопередатчиков на общую антенну без ограничения рабочего диапазона каждого из радиопередатчиков. 2 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и электроники и может быть использовано, в частности, для поглощения электромагнитной волны на выходе СВЧ-волноводного тракта. Технический результат - расширение рабочей полосы частот и уменьшение продольных размеров согласованной нагрузки. Для этого микрополосковая согласованная нагрузка, состоящая из последовательно соединенных отрезков микрополосковой линий передачи, содержит не менее семи чередующихся отрезков микрополосковой линии передачи с различным поверхностным сопротивлением, крайними из которых являются отрезки с малым поверхностным сопротивлением, и не менее двух пар разомкнутых шлейфов, расположенных симметрично по разные стороны от микрополосковой линии, каждый из которых выполнен в виде двух последовательно соединенных отрезков микрополосковой линии передачи с большим и малым поверхностным сопротивлением. Поглощающие свойства согласованной нагрузки определяются совокупностью как поглощающих свойств отрезков микрополосковой линии и шлейфов с большим поверхностным сопротивлением, так и топологией структуры. Количество отрезков полосковых линий, их топология и электрические параметры выбираются таким образом, чтобы в выбранном частотном диапазоне величины коэффициентов стоячей волны и прохождения были меньше заданных значений. 19 ил.

Наверх