Способ нанесения эмиссионного слоя


 

H01L51/56 - Приборы на твердом теле, предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения или конденсаторы или резисторы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или поверхностным барьером; с использованием органических материалов в качестве активной части или с использованием комбинации органических материалов с другими материалами в качестве активной части; способы или устройства специально предназначенные для производства или обработки таких приборов или их частей (способы или устройства для обработки неорганических полупроводниковых тел, включающей в себя образование или обработку органических слоев на них H01L 21/00,H01L 21/312,H01L 21/47)
H01L33/40 - Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, предназначенные для светового излучения, например инфракрасного; специальные способы или устройства для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов (соединение световодов с оптоэлектронными элементами G02B 6/42; полупроводниковые лазеры H01S 5/00; электролюминесцентные источники H05B 33/00)

Владельцы патента RU 2547383:

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) (RU)
СИА ЭВОЛЕД (LV)

Изобретение относится к способам получения эмиссионных слоев, в частности для органических светоизлучающих диодов. Способ нанесения эмиссионного слоя органического светоизлучающего диода на подложку из стекла или полимера, покрытую слоем анода, включает получение раствора, содержащего люминофорсодержащее соединение и проводящий материал, и нанесение тонкой пленки из полученного раствора на упомянутую подложку. Упомянутую пленку подвергают термической обработке при температуре выше 100°C и ниже температуры стабильности эмиссионного слоя, при этом в качестве люминофорсодержащего соединения используют растворимое разнолигандное координационное соединение, которое при термической обработке разлагается на люминофор и нейтральный лиганд, полностью удаляемый из тонкой пленки, при этом термическую обработку упомянутой пленки проводят при температуре выше температуры удаления лиганда. С помощью указанного способа получают эмиссионный слой органического светоизлучающего диода, который содержит слой анода, эмиссионный слой и слой катода. В частных случаях осуществления изобретения используют растворимое разнолигандное координационное соединение в виде комплекса феноксибензоата тербия с ацетилацетонимином, или комплекса феноксибензоата тербия с моноглимом, или комплекса нафтоноата европия с моноглимом. При изготовлении упомянутого диода на слой анода дополнительно наносят слой дыркопроводящего и/или электронблокирующего материалов, а поверх эмиссионного слоя наносят электронпроводящий и/или дыркоблокирующий слой. В качестве дыркоблокирующего слоя используют 2,9-диметил-4,7-дифенил-1,10-фенантролин или 3-(4-бифенил)-4-фенил-5-трет-бутил-фенил-1,2,4-триазол. Обеспечивается улучшение характеристик эмиссионного слоя и получение эмиссионных слоев на основе нерастворимых и нелетучих соединений. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 1табл., 6 пр.

 

Изобретение относится к способам получения эмиссионных слоев, в частности для органических светоизлучающих диодов.

Эмиссионные слои - люминесцирующие тонкие пленки - находят широкое применение в таких устройствах, как, например, органические тонкопленочные транзисторы, органические солнечные батареи и органические светоизлучающие диоды (ОСИД или OLED - Organic Light Emitting Diode).

ОСИД, где на сегодняшний день эмиссионные слои получили наибольшее распространение, представляет собой многослойную гетероструктуру, состоящую, по крайней мере, из эмиссионного слоя, заключенного между катодом и анодом. При протекании электрического тока происходит инжекция электронов и дырок в эмиссионный слой, в результате чего наблюдается электролюминесценция. Для облегчения инжекции электронов и дырок в эмиссионный слой в ОСИД вводятся дополнительные слои с электронной и/или дырочной проводимостью, а также электрон- и/или дыркоблокирующие слои. Как эмиссионный слой, так и все слои гетероструктуры ОСИД представляют собой тонкие пленки толщиной 10-500 нм.

Первый эмиссионный слой ОСИД, показавший достаточно высокую эффективность электролюминесценции при низком напряжении включения, состоял из 8-оксихинолината алюминия (AlQ3), а в качестве дыркопроводящего слоя был использован триариламин [1]. В 1990 году была продемонстрирована возможность использования в качестве эмиссионных слоев π-сопряженных полимеров, в частности поли(фениленвинилена) (PPV) [2]. В настоящее время в качестве эмиссионных слоев находят применение фосфоресцирующие соединения платины, иридия, редкоземельных элементов, а также флуоресцирующие соединения алюминия и цинка и полимерные соединения.

Для получения тонких пленок чаще всего используют следующие методы нанесения вещества на подложку. Для растворимых соединений: нанесение раствора вещества на вращающуюся подложку (spin-coating) и его вариант - dip-coating, когда подложка многократно опускается в раствор соединения и сушится. Для летучих соединений: физическое осаждение из газовой фазы (Physical Vapor Deposition, PVD) [3].

Описан [4] метод получения тонких пленок, который включает получение растворимого люминофорсодержащего разнолигандного координационного соединения, нанесение тонкой пленки получившегося соединения из раствора на подложку и термическую обработку получившейся тонкой пленки, при которой люминофорсодержащий разнолигандный комплекс разлагается на люминисцирующее координационное соединение и нейтральный лиганд, который полностью удаляется из тонкой пленки. Предложенный метод позволяет получить тонкие пленки нелетучих и нерастворимых химических соединений.

В 1989 году предложен способ получения эмиссионного слоя путем введения люминофора в слой проводящего материала, что позволило увеличить квантовый выход электролюминесценции [5]. При этом в качестве проводящего материала использовали AlQ3, а в качестве люминофора - кумарин 540. Нанесение эмиссионного слоя проводили из газовой фазы. Для этого гомогенную смесь люминофора и проводящего материала испаряли быстрым нагреванием в вакууме и осаждали на холодной подложке, при этом люминофор оказывался равномерно распределен внутри проводящего материала, то есть было осуществлено допирование люминофора в проводящий материал.

В дальнейшем способ получения эмиссионного слоя путем введения люминофора в проводящий материал получил широкое распространение, при этом нанесение эмиссионного слоя осуществлялось как из газовой фазы, так и из раствора.

Так, в работе [6] эмиссионный слой получают нанося на подложку (стекло с нанесенным на него слоем индий-оловянного оксида) методом spin-coating раствор смеси комплекса иридия (люминофор) и 4,4′-N,N′-дикарбозолбифенила (СВР, проводящий материал) в соотношении 1:5 в дихлорметане.

Известно [3], что материал, в который при получении эмиссионного слоя допируют люминофор, должен обладать следующими свойствами:

- прозрачность в видимом диапазоне;

- способность образовывать тонкие пленки высокого качества (высокая сплошность, низкая шероховатость);

- высокая электронная и дырочная проводимость;

- более высокая, чем у люминофора, энергия граничных орбиталей (для эффективной передачи возбужденного состояния на молекулы люминофора);

- растворимость в органических растворителях, общих с допируемым люминофором, или летучесть, если люминофор летуч;

- химическая инертность по отношению к соседним слоям;

- УФ-стабильность;

- термическая стабильность (в режиме работы устройства могут возникать локальные перегревы).

В настоящее время в качестве проводящих материалов для получения эмиссионного слоя наиболее широко используют поли-N-винилкарбазол (PVK), N,N′-бис(3-метилфенил)-N,N′-бис(фенил)-бензидин (TPD), 4,4′-N,N′-дикарбозолбифенил (СВР), поли(9,9-диоктилфлуорен-2,7-диил (PFO), поливинилбутирал (PVB) [7].

Технической задачей, на решение которой направлено заявляемое изобретение, является расширение арсенала способов получения эмиссионного слоя, в частности на основе нерастворимых и нелетучих люминофоров, и повышение его проводимости.

Поставленная задача достигается тем, что в способе нанесения эмиссионного слоя, включающем получение раствора, содержащего люминофорсодержащее соединение и проводящий материал, и нанесение тонкой пленки из полученного раствора на упомянутую подложку, согласно изобретению упомянутую пленку подвергают термической обработке при температуре выше 100°C и ниже температуры стабильности эмиссионного слоя, при этом в качестве люминофорсодержащего соединения используют растворимое разнолигандное координационное соединение, которое при термической обработке разлагается на люминофор и нейтральный лиганд, полностью удаляемый из тонкой пленки, при этом термическую обработку упомянутой пленки проводят при температуре выше температуры удаления лиганда.

Под люминофорсодержащим соединением понимается сам люминофор и любое соединение, способное разлагаться с образованием люминофора.

Под температурой стабильности эмиссионного слоя понимается температура, выше которой в эмиссионном слое начинаются химические и/или физические превращения (разложение, полимеризация, изомеризация, фазовые переходы и т.д.).

Нами установлено, что термическая обработка эмиссионного слоя при температуре выше 100°C приводит к значимому улучшению его оптоэлектронных свойств, в частности повышению проводимости и понижению напряжения включения. Можно предположить, что данный эффект связан, например, с образованием в ходе термической обработки связей между молекулами люминофорсодержащего соединения и проводящего материала (за счет отрыва от люминофорсодержащего соединения молекул воды или нейтрального лиганда).

Температура термической обработки определяется в каждом конкретном случае в зависимости от термических свойств выбранного люминофорсодержащего соединения и проводящего материала.

Верхняя граница температуры термообработки лимитируется температурой стабильности эмиссионного слоя.

Подложка для нанесения эмиссионного слоя зависит от устройства, для которого изготавливается эмиссионный слой. Для ОСИД, например, подложка представляет собой стеклянную пластину или полимерную пленку с последовательно нанесенными на нее в виде тонких пленок анода и, возможно, дополнительных проводящих слоев. Для органической солнечной батареи - стекло, покрытое тонкой пленкой анода и оксида титана. Нанесение тонкой пленки на подложку осуществляется любым подходящим способом.

В качестве люминофорсодержащего соединения в заявленном способе может быть использован как люминофор, растворимый сам по себе, так и любое растворимое соединение, которое при нагревании превращается в люминофор, в частности растворимое люминофорсодержащее разнолигандное координационное соединение (РЛК), которое при термической обработке разлагается на люминофор и нейтральный лиганд, полностью удаляющийся из тонкой пленки. При этом температура удаления нейтрального лиганда из РЛК должна быть ниже, чем температура термолиза люминофора.

Под «температурой удаления лиганда» понимается температура, при которой происходит полное удаление нейтрального лиганда из люминофорсодержащего РЛК. В зависимости от состава люминофорсодержащего РЛК температура удаления лиганда может совпадать либо с температурой его распада на люминофор и дополнительный лиганд, либо с температурой испарения дополнительного лиганда.

В случае, когда в качестве люминофорсодержащего соединения используется растворимое люминофорсодержащее РЛК, термическую обработку эмиссионного слоя ведут при температуре ниже температуры стабильности эмиссионного слоя, но выше температуры удаления лиганда, а нейтральный лиганд и проводящий материал выбираются таким образом, чтобы при удалении нейтрального лиганда из состава РЛК он не взаимодействовал с проводящим материалом и полностью удалялся.

При этом проводящий материал, кроме всех ранее перечисленных свойств (высокая электронная и дырочная проводимость, растворимость, пленкообразующие свойства, прозрачность и соответствующее положение граничных орбиталей), должен обладать термической стабильностью при температуре не ниже 100°C, а в случае, когда в качестве люминофорсодержащего соединения выбирается люминофорсодержащее РЛК, не ниже температуры удаления дополнительного лиганда, и иметь по меньшей мере один общий растворитель с люминофорсодержащим соединением.

Представленное техническое решение позволяет не только улучшить характеристики эмиссионного слоя, но и получать эмиссионные слои на основе нерастворимых и нелетучих соединений.

Другой технической задачей, решаемой данным изобретением, является расширение арсенала способов получения органических светоизлучающих диодов.

Поставленная задача достигается тем, что предложен способ получения органического светоизлучающего диода, эмиссионный слой которого выполнен заявленным способом.

Полученный ОСИД представляет собой многослойную гетероструктуру, состоящую из несущей основы, выполненной в виде подложки с размещенным на ней прозрачным слоем анода, на котором располагается эмиссионный слой, полученный заявленным способом, и катод. Для улучшения рабочих характеристик в ОСИД могут быть введены дополнительные слои с электронной и/или дырочной проводимостью, а также электрон- и/или дыркоблокирующие слои.

Настоящее изобретение проиллюстрировано ниже в примерах, которые не ограничивают каким-либо образом рамки настоящего изобретения.

Тестирование эмиссионного слоя во всех примерах осуществляют, вводя его в ОСИД. Эмиссионный слой наносят на стекло, покрытое последовательно тонкой пленкой анода (индий-оловянный оксид, ITO) и тонкой пленкой дыркопроводящего слоя (все вместе далее - подложка). Поверх эмиссионного слоя наносят тонкую пленку дыркоблокирующего слоя и катода (алюминий). В качестве дыркопроводящего слоя везде используют поли(3,4-этилендиокситиофен)-поли(стиролсульфоната(PEDOT:PSS), в качестве дыркоблокирующих слоев используют 2,9-диметил-4,7-дифенил-1,10-фенантролин (ВСР) (пример 4) и 3-(4-бифенил)-4-фенил-5-трет-бутил-фенил-1,2,4-триазол (TAZ) (примеры 1-3, 5-6). Их выбор определяется соотношением энергий высшей занятой молекулярной орбитали дыркоблокирующего слоя и люминофора.

Для полученного устройства измеряют начальное напряжение включения и вольт-амперную характеристику в интервале 0-30 B.

Пример 1. Эмиссионный слой - TPD, дотированный Tb(pobz)3 (без термической обработки, образец сравнения)

4 мг феноксибензоата тербия (Tb(pobz)3) и 4 мг TPD растворяют в 0,2 мл смеси спирта и бензола (1:1 по объему). Тонкую пленку наносят на подложку методом spin-coating (накапывают на подложку при скорости вращения 4500 об/мин в течение 30 с). По данным атомно-силовой микроскопии полученный эмиссионный слой однороден, его шероховатость составила 4,2 нм, а толщина, измеренная по данным профилометрии, составила 100 нм.

Результаты измерений, приведенные в табл.1, показывают, что напряжение включения полученного устройства (Uon) составило 7 B, а ток при напряжении 10 B (I10 B) составил 0.05 мА/см2.

Таблица 1
Характеристики ОСИД
Пример Uon, B I10B, мА/см2 Люминофорсодержащее соединение Структура ОСИД
1 7 0.05 Tb(pobz)3 ITO/PEDOT:PSS/Tb(pobz)3:TPD/TAZ/Al
2 4 0.2 Tb(pobz)3 ITO/PEDOT:PSS/Tb(pobz)3:TPD/TAZ/Al
3 3 1.2 Tb(pobz)3(Hacim)2 ITO/PEDOT:PSS/Tb(pobz)3:TPD/TAZ/Al
4 5 0.8 Tb(pobz)3(Hacim)2 ITO/PEDOT:PSS/Tb(pobz)3:PVK/BCP/Al
5 4 5 Tb(pobz)3(MG)(H2O)2 ITO/PEDOT:PSS/Tb(pobz)3:TPD/TAZ/Al
6 6 2.5 Eu(naph)3(MG)2 ITO/PEDOT:PSS/Eu(naph)3:TPD/TAZ/Al

Пример 2. Эмиссионный слой - TPD, дотированный Tb(pobz)3

Эмиссионный слой получают по примеру 1, но после нанесения его на подложку проводят термическую обработку при температуре 100°C в течение 1 часа в вакууме (0,01 мм рт.ст.).

Полученный эмиссионный слой однороден, его шероховатость составила 4,4 нм, а толщина - 100 нм.

Напряжение включения полученного устройства составило 4 B, а ток при напряжении 10 B составил 0.2 мА/см2 (табл.1).

Пример 3. Эмиссионный слой - TPD, дотированный Tb(pobz)3 (получение из разнолигандного комплекса Tb(pobz)3(Hacim)2)

В качестве люминофорсодержащего соединения используют разнолигандный комплекс Tb(pobz)3(Hacim)2 (Hacim = ацетилацетонимин), который получают следующим образом.

Суспензию 0.798 г (1 ммоль) Tb(pobz)3 кипятят в растворе 0.198 г (2 ммоль) Hacim в смеси спирта и бензола (1:1 по объему) в колбе с обратным холодильником до полного растворения. Полученный раствор упаривают на роторном испарителе, и образовавшийся стеклообразный продукт кристаллизуют в вакууме при 60°C, получая ~0,9 г разнолигандного комплекса Tb(pobz)3(Hacim)2, состав которого устанавливают по совокупности данных элементного анализа, ПК и КР спектроскопии.

Готовят раствор, содержащий 5 мг Tb(pobz)3(Hacim)2 и 4 мг TPD в 0.2 мл растворителя (этанол:бензол = 1:1).

Тонкую пленку из полученного раствора наносят на подложку и подвергают термической обработке по примеру 2.

Полученную пленку характеризуют методами ПК и КР спектроскопии, люминесцентной спектроскопии, атомно-силовой микроскопии, сканирующей электронной микроскопии.

Показано, что состав пленки соответствует TPD, допированному Tb(pobz)3, а нейтральный лиганд Hacim полностью удален из пленки.

Толщина пленки составляет ~100 нм; пленка обладает высокой однородностью и низкой шероховатостью (~4 нм).

Напряжение включения полученного устройства составило 3 B, а ток при напряжении 10 B составил 0.7 мА/см2 (табл.1).

Пример 4. Эмиссионный слой - PVK, допированный Tb(pobz)3 (получение из разнолигандного комплекса Tb(pobz)3(Hacim)2)

Получение эмиссионного слоя и его термическую обработку осуществляют по примеру 3, но в качестве проводящего материала используют PVK.

Состав пленки соответствует PVK, допированному Tb(pobz)3, нейтральный лиганд Hacim полностью удален из пленки.

Толщина пленки составляет ~100 нм; пленка обладает высокой однородностью и низкой шероховатостью (~4 нм).

Напряжение включения полученного устройства составило 5 B, а ток при напряжении 10 B составил 0.8 мА/см2 (табл.1).

Пример 5. Эмиссионный слой - TPD, допированный Tb(pobz)3 (получение из разнолигандного комплекса Tb(pobz)3(MG)(H2O)2)

Суспензию 0.798 г (1 ммоль) Tb(pobz)3 кипятят в 30 мл моноглима (MG, выступает как лиганд и как растворитель) в колбе с обратным холодильником до полного растворения. Полученный раствор упаривают на роторном испарителе. Образовавшийся стеклообразный продукт кристаллизуют в вакууме при 60°C, получая ~0.8 г разнолигандного комплекса Tb(pobz)3(MG)(H2O)2.

Готовят раствор, содержащий 5 мг Tb(pobz)3(MG)(H2O)2 и 4 мг TPD в 0,2 мл растворителя (этанол:бензол = 1:1).

Тонкую пленку наносят на подложку методом spin-coating (накапывают на подложку при скорости вращения 4500 об/мин в течение 30 с). Термическую обработку проводят при температуре 150°C в течение 3 часов в вакууме (0,01 мм рт.ст.).

Толщина пленки составляет ~100 нм; пленка обладает высокой однородностью и низкой шероховатостью (~4 нм).

Напряжение включения полученного устройства составило 4 B, а ток при напряжении 10 B составил 5 мА/см2 (табл.1).

Пример 6. Эмиссионный слой - TPD, допированный Eu(naph)3 (получение из разнолигандного комплекса Eu(naph)3(MG)2)

Суспензию 0.569 г (1 ммоль) нафтоноата европия (Eu(naph)3) кипятят в растворе 1.736 г (19.3 ммоль) моноглима в 20 мл смеси этанол-бензол (1:1 по обьему) в колбе с обратным холодильником в течение 3 часов. Раствор, полученный после отделения фильтрованием нерастворившегося осадка (~5 вес.% от исходной массы), медленно испаряют на воздухе. Образовавшийся мелкокристаллический белый продукт высушивают на воздухе, получая ~0.6 г разнолигандного комплекса Eu(naph)3(MG)2.

Готовят раствор, содержащий 5 мг Eu(naph)3(MG)2 и 4 мг TPD в 0,2 мл растворителя (этанол:бензол = 1:1).

Тонкую пленку наносят на подложку и подвергают термической обработке по примеру 5.

Напряжение включения полученного устройства составило 6 B, а ток при напряжении 10 B составил 2,5 мА/см2 (табл.1).

Таким образом, показано, что получение эмиссионного слоя заявленным способом возможно с использованием различных проводящих материалов и люминофорсодержащих соединений, при этом термическая обработка приводит к увеличению проводимости эмиссионного слоя, что влечет увеличение яркости электролюминесценции и повышение энергоэффективности готового устройства ОСИД.

Кроме того, предложенный способ позволяет получить эмиссионный слой, содержащий в качестве люминофора нерастворимые химические соединения.

Источники информации

1. C.W. Tang. S.A. Vanslyke, Appl. Phys. Lett. 51 (1987) 913.

2. J.H. Burroughes, D.D.C. Bradley, A.R. Brown et al., Nature 347 (1990) 539-541.

3. M.H. Бочкарев, А.Г. Витухновский, M.A. Каткова. Органические светоизлучающие диоды (OLED). Нижний Новгород: Деком, 2011.

4. Уточникова В.В., Калякина А.С., Кузьмина Н.П., патент РФ №2469124.

5. C.W. Tang, S.A. VanSlyke, С.Н. Chen, J. Appl. Phys. 65 (1989) 3610.

6. J.W. Levell, J.P. Gunning, P.L. Burn et al., Org. Electr., 11 (2010) 1561.

7. R. Bauer. Organic Electronics, v 9, I 5, (2008) 641-648.

1. Способ нанесения эмиссионного слоя органического светоизлучающего диода на подложку из стекла или полимера, покрытую слоем анода, включающий получение раствора, содержащего люминофорсодержащее соединение и проводящий материал, и нанесение тонкой пленки из полученного раствора на упомянутую подложку, отличающийся тем, что упомянутую пленку подвергают термической обработке при температуре выше 100°C и ниже температуры стабильности эмиссионного слоя, при этом в качестве люминофорсодержащего соединения используют растворимое разнолигандное координационное соединение, которое при термической обработке разлагается на люминофор и нейтральный лиганд, полностью удаляемый из тонкой пленки, при этом термическую обработку упомянутой пленки проводят при температуре выше температуры удаления лиганда.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что используют растворимое разнолигандное координационное соединение, в виде комплекса феноксибензоата тербия с ацетилацетонимином или комплекса феноксибензоата тербия с моноглимом, или комплекса нафтоноата европия с моноглимом.

3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что на слой анода дополнительно наносят слой дыркопроводящего и/или электронблокирующего материала.

4. Способ получения органического светоизлучающего диода, включающий нанесение на подложку из стекла или полимера слоя анода, эмиссионного слоя и слоя катода, отличающийся тем, что эмиссионный слой наносят способом по п. 1.

5. Способ по п. 4, отличающийся тем, что на упомянутом слое анода размещают дыркопроводящий и/или электронблокирующий слой, а поверх эмиссионного слоя наносят электронпроводящий и/или дыркоблокирующий слой.

6. Способ по п. 4, отличающийся тем, что в качестве дыркоблокирующего слоя используют 2,9-диметил-4,7-дифенил-1,10-фенантролин или 3-(4-бифенил)-4-фенил-5-трет-бутил-фенил-1,2,4-триазол.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к белковым фотоэлектрическим преобразователям. Не увлажняемый, полностью твердый белковый фотоэлектрический преобразователь выполнен с возможностью работы без присутствия жидкости, такой как вода, внутри и снаружи устройства, и имеет структуру, в которой твердый белковый слой состоит из переносящего электроны белка и помещен между первым электродом и вторым электродом, при этом твердый белковый слой непосредственно иммобилизирован на обоих электродах.

Изобретение относится к способу нанесения конформного покрытия на электронное устройство, содержащему: (A) нагревание соединения конформного покрытия, содержащего париленовое соединение конформного покрытия для покрытия электронных схем или компонентов, которые чувствительны к влаге, для образования газообразных мономеров соединения конформного покрытия, (B) объединение нитрида бора с газообразными мономерами, и (C) контактирование поверхности электронного устройства с газообразными мономерами и нитридом бора при условиях, при которых на по меньшей мере части поверхности формируется конформное покрытие, содержащее соединение конформного покрытия и нитрид бора и придающее по меньшей мере этой части поверхности водостойкость.

Изобретение относится к интегральным оптоэлектронным устройствам, содержащим светоизлучающие полевые транзисторы. Описано оптоэлектронное устройство, содержащее светоизлучающий полевой транзистор (LEFET) с активным слоем из органического полупроводника и волноводом, сформированным в канале светоизлучающего полевого транзистора.

Изобретение относится к электролюминесцентному устройству (10), содержащему органический светоизлучающий слой (50) и средство (70) герметизации с замкнутым контуром, герметизирующее боковую сторону стека (59) электролюминесцентных слоев, и для электрического подключения противоэлектрода (40) к источнику электрического тока.

Использование: для получения светоизлучающих устройств. Сущность изобретения заключается в том, что устройство содержит подложку, имеющую первый коэффициент преломления, прозрачный электрод, связанный с органическим слоем и расположенный между органическим слоем и подложкой, при этом прозрачный электрод имеет второй коэффициент преломления, отличающийся от первого коэффициента преломления.

Изобретение относится к области органической электроники, а именно к органическим фотовольтаическим устройствам (солнечным батареям и фотодетекторам), изготовленным с использованием органических фторсодержащих соединений в качестве модифицирующих добавок.

Изобретение относится к органическому светоизлучающему устройству (OLED). Технический результат - предоставление устройства OLED, которое предоставляет улучшенную интенсивность излучаемого света, особенно для использования на большой площади.

Использование: для изготовления органических светоизлучающих диодов. Сущность изобретения заключается в том, что светоизлучающий диод содержит прозрачную или частично прозрачную подложку с нанесенной на нее слоистой структурой, содержащей по меньшей мере один органический электролюминесцентный слой и транспортные подслои из органических веществ n- и p-типов проводимости, расположенных на границах электролюминесцентный слой - контактный слой.

Изобретение относится к электролюминесцентному устройству (10), содержащему систему слоев с подложкой (40) и поверх подложки (40) электродом (20) подложки, противоэлектродом (30) и набором электролюминесцентных слоев, по меньшей мере, с одним органическим электролюминесцентным слоем (50), расположенным между электродом (20) подложки и противоэлектродом (30), отличающееся тем, что, по меньшей мере, одно оптическое прозрачное выводящее тело (71) обеспечено поверх электрода (20) подложки, чтобы увеличить вывод света, генерируемого, по меньшей мере, одним органическим электролюминесцентным слоем (50), по меньшей мере, частично покрывающим оптическое прозрачное выводящее тело (71).

Изобретение относится к электролюминесцентному устройству (10), которое содержит подложку (40), расположенный на этой подложке электрод (20) подложки, противоэлектрод (30) и пачку электролюминесцентного слоя с, по меньшей мере, одним органическим электролюминесцентным слоем (50), расположенным между упомянутым электродом (20) подложки и упомянутым противоэлектродом (30), средство (90) инкапсуляции, которое, по меньшей мере, инкапсулирует упомянутую пачку электролюминесцентного слоя, по меньшей мере, один разделитель (80, 80'), который разделяет, по меньшей мере, упомянутый противоэлектрод (30) на множество электрически разделенных сегментов (110, 110', 110") противоэлектрода, и находящееся под упомянутым разделителем (80, 80') электрически непроводящее защитное средство (70), которое расположено на упомянутом электроде (20) подложки, которое больше упомянутого разделителя (80, 80") и которое имеет форму, подходящую для предотвращения затенения края.

Изобретение относится к осветительным устройствам, включающим в себя белые светоизлучающие диоды (СИД) на основе люминофоров. Технический результат - создание осветительного устройства, характеризующегося белым внешним видом в выключенном состоянии.

Изобретение относится к микроэлектронике, оптической и оптоэлектронной технике, устройствам полупроводниковых светодиодов. В устройстве полупроводникового светодиода, излучающего через рассеивающую поверхность прозрачной пластины и содержащего в ней светогенерирующую область, в соответствии с изобретением, на поверхности пластины в качестве рассеивателя закреплен слой прозрачных частиц с большим, чем у окружающей среды, показателем преломления и меньшим длины волны зазором между частицей и поверхностью.

Изобретение относится к области светотехники. Техническим результатом является увеличение эффективности освещения.

Изобретения относятся к светотехнике и могут быть использованы при изготовлении светодиодных устройств для общего освещения. Композиция для получения оптически прозрачного материала содержит компоненты в следующих пропорциях: 100 вес.

Настоящее изобретение относится к способу получения галогендиалкоксидов индия (III) общей формулы InX(OR)2 с Х=F, Cl, Br, I и R = алкильный остаток, алкилоксиалкильный остаток.

Изобретение может быть использовано в производстве белых светодиодов. Проблема, подлежащая решению в настоящем изобретении, состоит в том, чтобы экономически эффективно преодолеть ряд недостатков, таких как стробоскопический эффект светодиодов переменного тока и проблемы с диссипацией тепла, возникающие при интегрировании множества светодиодов.

Изобретение относится к полупроводниковым нитридным наногетероструктурам и может быть использовано для изготовления светодиодов видимого диапазона с длиной волны 460±5 нм.

Изобретение относится к области полупроводниковой светотехники, а именно к светодиодным лампам. Светодиодная лампа содержит колбу из прозрачного материала, сменный излучающий элемент и средство фиксации в виде электропатрона.

Группа изобретений относится к полупроводниковой технике на основе нитридов, а именно к способу формирования темплейта для светоизлучающего устройства, а также к конструкции самого прибора.

Модуль излучателя света содержит подложку, кристалл излучателя света, установленный на подложке, при этом отношение ширины кристалла к ширине подложки составляет 0,35 или более, и линзу над кристаллом излучателя света, причем отношение ширины кристалла к ширине линзы составляет 0,5 или более.

Использование: для изготовления тонкопленочного солнечного элемента. Сущность изобретения заключается в том, что при изготовлении тонкопленочного солнечного элемента, имеющего верхний слой и подстилающий слой, осуществляют осаждение подстилающего слоя, имеющего шероховатую поверхность, и осаждение верхнего слоя поверх подстилающего слоя с помощью химического осаждения из газовой фазы, так чтобы верхний слой имел более шероховатую поверхность, чем подстилающий слой, где подстилающий слой содержит смесь оксидов по меньшей мере двух материалов, выбранных из кремния, титана, циркония, олова, алюминия, фосфора и их смесей, или где подстилающий слой содержит оксид титана в анатазной модификации с толщиной в диапазоне от 20 нм до 25 нм.
Наверх