Микросборка


 


Владельцы патента RU 2553424:

Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (RU)
Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр-Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики"-ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ" (RU)

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для разработки микросборок различного назначения. Микросборка содержит корпус, на который установлена коммутационная плата с размещенными на ней активными и/или пассивными радиоэлементами, каждый из которых соединен своими выводами с контактными площадками коммутационной платы. Коммутационная плата и радиоэлементы покрыты слоем поли-пара-ксилилена. На коммутационной плате установлены токовыводы, выполненные в виде штырьковых лепестков, при этом одни концы токовыводов электрически соединены с контактными площадками коммутационной платы, а другие концы выведены наружу через изолированные отверстия, выполненные в металлической крышке микросборки, и загерметизированы. Достигаемым техническим результатом является упрощение конструкции микросборки при сохранении ее влагозащищенности и ремонтопригодности, а также повышение стойкости к помехам и паразитным наводкам. 1 ил.

 

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для разработки микросборок различного назначения.

Известна «Микросборка» (см. патент РФ №1683447, опубликованный 20.05.1995 г.). Микросборка содержит коммутационную плату, на которой установлены активные и/или пассивные элементы, каждый из которых соединен своими выводами с контактами площадками платы. Коммутационная плата с установленными на нее элементами защищена полым полиимидным колпачком с толщиной стенок, равной 40-50 мкм. Внешняя поверхность колпачка и участок платы по периметру колпачка снабжены защитным слоем из компаунда.

Вышеуказанное устройство является наиболее близким по технической сущности к заявляемому устройству и поэтому выбрано в качестве прототипа.

Недостатком прототипа является незащищенность микросборки от электромагнитных наводок и от механических воздействий из-за того, что колпачок выполнен из диэлектрического материала с толщиной стенок 40-50 мкм, что влияет на надежность работы микросборки.

Решаемой технической задачей является повышение надежности работы микросборки, обеспечение защиты от электромагнитных наводок и механических воздействий.

Достигаемым техническим результатом является упрощение конструкции микросборки при сохранении ее влагозащищенности и ремонтопригодности, а также повышение стойкости к помехам и паразитным наводкам.

Для достижения технического результата в микросборке, на корпусе которой установлена коммутационная плата с размещенными на ней активными и/или пассивными радиоэлементами, каждый из которых соединен своими выводами с контактными площадками коммутационной платы, новым является то, что коммутационная плата и радиоэлементы покрыты слоем поли-пара-ксилилена, на коммутационной плате дополнительно установлены токовыводы, выполненные в виде штырьковых лепестков, при этом одни концы токовыводов электрически соединены с контактными площадками коммутационной платы, а другие концы выведены наружу через изолированные отверстия, выполненные в металлической крышке микросборки и загерметизированы.

Размещение токовыводов на коммутационной плате, а не по периметру корпуса микросборки позволяет при трассировке цепей, чувствительных к помехам и паразитным наводкам, уменьшать их длину и упростить разводку платы.

Новая совокупность существенных признаков позволяет снизить трудоемкость изготовления микросборки с сохранением требований по влагозащите и герметизации, уменьшить влияние помех и паразитных наводок.

На чертеже представлено заявляемое устройство.

Микросборка содержит корпус 1, на который установлена коммутационная плата 2 с размещенными на ней активными и/или пассивными радиоэлементами 3, каждый из которых соединен своими выводами с контактными площадками коммутационной платы 2. Коммутационная плата 2 и радиоэлементы 3 покрыты слоем поли-пара-ксилилена 4. На коммутационной плате 2 дополнительно установлены токовыводы 5, выполненные в виде штырьковых лепестков, при этом одни концы 6 токовыводов 5 электрически соединены с контактными площадками коммутационной платы 2, а другие концы 7 выведены наружу через изолированные отверстия 8, выполненные в металлической крышке 9 микросборки, и загерметизированы.

Технология изготовления заявляемого технического решения поясняется следующим образом.

На коммутационную плату 2 устанавливают радиоэлементы 3 и разваривают их выводы на контактные площадки коммутационной платы 2. Дополнительно на коммутационную плату 3 устанавливают токовыводы 5 в виде стандартных штырьковых лепестков. Одни концы 6 токовыводов 5 припаивают к контактным площадкам коммутационной платы 2. Затем собранную конструкцию покрывают слоем поли-пара-ксилилена толщиной 7-10 мкм, предварительно защитив другие концы 7 токовыводов 5 технологическими заглушками или промазав латексом. После чего коммутационную плату 2 с радиоэлементами 3 и токовыводами 5 устанавливают на основание 1 и защищают металлической крышкой 9 с изолированными отверстиями 8, через которые выводятся другие концы 7 токовыводов 5. После окончательной сборки и монтажа с другими элементами конструкции, микросборка заливается компаундом “Виксинт ПК-68”.

Размещение токовыводов в коммутационной плате позволяет сократить дополнительные коммутирующие элементы, что уменьшает количество сварных или паяных соединений в микросборке.

Защитное покрытие на основе поли-пара-ксилилена обеспечивает надежное функционирование изделий в условиях воздействия повышенной влажности, смены температур в широком диапазоне (от -80 до 100°C), биологических, химических и других факторов, отсутствие внутренних напряжений, высокую равномерность покрытия.

Отсутствие сварного соединения корпуса с крышкой позволяет производить многократную разгерметизацию микросборки с целью внесения изменений и замены элементов в микросборке, что повышает технологичность и ремонтопригодность микросборки.

Металлическая крышка является экраном для электромагнитных наводок и защищает коммутационную плату с установленными на ней радиоэлементами от механических воздействий.

Изготовлен опытный образец, который подтвердил работоспособность заявленного устройства.

Микросборка, на корпусе которой установлена коммутационная плата с размещенными на ней активными и/или пассивными радиоэлементами, каждый из которых соединен своими выводами с контактными площадками коммутационной платы, отличающаяся тем, что коммутационная плата и радиоэлементы покрыты слоем поли-пара-ксилилена, на коммутационной плате дополнительно установлены токовыводы, выполненные в виде штырьковых лепестков, при этом одни концы токовыводов электрически соединены с контактными площадками коммутационной платы, а другие концы выведены наружу через изолированные отверстия, выполненные в металлической крышке микросборки, и загерметизированы.



 

Похожие патенты:
Изобретение относится к способу изготовления электрических устройств, содержащему стадии: 1) нанесение изоляционного диэлектрического слоя, состоящего из по меньшей мере одного материала с низкой или ультранизкой диэлектрической проницаемостью, на поверхность подложки, 2) нанесение позитивного или негативного слоя резиста на поверхность изоляционного диэлектрического слоя, 3) подвергание слоя резиста селективному воздействию электромагнитного излучения или корпускулярного излучения, 4) проявление селективно подвергнутого излучению слоя резиста для образования рисунка в резисте, 5) сухое травление изоляционного диэлектрического слоя с использованием рисунка в резисте в качестве маски для образования проводных канавок и/или сквозных отверстий, сообщающихся с поверхностью подложки, 6) выбор по меньшей мере одного полярного органического растворителя (А) из группы, состоящей из: диэтилентриамина, N-метилимидазола, 3-амино-1-пропанола, 5-амино-1-пентанола и диметилсульфоксида, проявляющего в присутствии от 0,06 до 4 мас.

Изобретение предназначено для использования в производстве полупроводниковых приборов, в частности для экспонирования рисунков на полупроводниковые пластины и иные мишени.

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых лазеров. Способ сборки полупроводниковых лазеров включает захват линейки лазерных диодов вакуумным инструментом, фиксирование линейки на контактной площадке теплоотвода, сжатие, нагрев в среде инертно-восстановительного газа, выдержку при температуре выше температуры образования многофазного эвтектического межсоединения и охлаждение полученного блока.

Изобретение относится к источникам получения направленного (сформированного) мягкого рентгеновского излучения, или, что то же самое, экстремального ультрафиолетового излучения (ЭУФ) с длиной волны 13,5 нм или 6,7 нм, применяемым в настоящее время или в ближайшей перспективе в проекционной литографии высокого разрешения.

Изобретение относится к приборостроению и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых микроэлектромеханических устройств, а именно малогабаритных датчиков физических величин.

Изобретение относится к области фотолитографии, а именно к способу изготовления резистивных масок для нанолитографии. Способ включает восстановление серебра с образованием наночастиц серебра и последующую стимуляцию процесса термической полимеризации капролактама на поверхности полученных наночастиц с помощью лазерного возбуждения в них плазмонных колебаний.

Изобретение относится к области сборки микроэлектронной аппаратуры с расположением электронных компонентов и содержащих их микроплат в трехмерном пространстве. .

Изобретение относится к способу и устройству, полезным при нанесении нанорисунка на подложки большой площади. .

Изобретение относится к литографии, точнее к способам создания резистивной маски на поверхности полупроводниковой подложки. .

Изобретение относится к структурам и способам изготовления стопок активных слоев полупроводниковых материалов. Изобретение обеспечивает получение стопок активных слоев полупроводниковых материалов с согласованными параметрами кристаллических решеток, рассогласованными параметрами кристаллических решеток и рассогласованными коэффициентами термического расширения с низкой плотностью винтовых дислокаций, отсутствием растрескивания слоев и минимизированным прогибом подложки с использованием эпитаксиального наращивания на приподнятых участках подложки в безмасковом процессе. Структура содержит паттернированную кристаллическую полупроводниковую основу с приподнятыми областями, ограниченными бороздками, глубина которых по меньшей мере равна их ширине, и эпитаксиальный полупроводниковый материал, осажденный на приподнятых областях основы в форме изолированных пятен, причем основа изготовлена из первого кристаллического полупроводникового материала, а эпитаксиальный полупроводниковый материал содержит по меньшей мере один второй кристаллический полупроводниковый материал, обладающий рассогласованием кристаллической решетки или рассогласованием коэффициента термического расширения относительно основы, а скорость вертикального роста эпитаксиально наращиваемого материала значительно выше, чем скорость латерального роста. 2 н. и 11 з.п. ф-лы, 41 ил.

Изобретение относится к способам получения тонкопленочных материалов, в частности тонких пленок на основе оксида европия(III), и может быть использовано для защиты функционального слоя EuO. Способ изготовления защитного диэлектрического слоя Eu2O3 для полупроводниковой пленки, полученной на подложке, включает доокисление поверхностного слоя выращенной в сверхвысоковакуумной камере полупроводниковой пленки EuO в той же камере в кислороде, при этом давление потока кислорода составляет от 1·10-9 до 1·10-6 Торр в диапазоне температур подложки от 0 до 19°C. Обеспечивается формирование эффективного защитного диэлектрического слоя Eu2O3 на поверхности функционального слоя из полупроводникового оксида европия(II) - EuO, способного предотвратить деградацию функционального слоя в результате химического взаимодействия с внешней средой. 2 ил., 1 пр.

Настоящее изобретение относится к водной щелочной очищающей композиции, свободной от органических растворителей и силикатов, свободных от ионов металлов, причем указанная композиция содержит: (A) от 0,1 до 20 мас. % L-цистеина, (B) от 0,1 до 20 мас. % по меньшей мере одного гидроксид четвертичного аммония, (C) от 0,05 до 15 мас. % по меньшей мере одного хелатирующего и/или ингибирующего коррозию агента, выбранного из группы, состоящей из алифатических и циклоалифатических аминов, имеющих по меньшей мере две первичные аминогруппы, (D) от 0,001 до 5 мас. % по меньшей мере одного неионного поверхностно-активного вещества, выбранного из группы ацетиленовых спиртов, алкилоксилированных ацетиленовых спиртов и алкилоксилированных сложных моноэфиров сорбита и одноосновной карбоновой кислоты. Также настоящее изобретение относится к способу обработки подложек и к применению водной щелочной очищающей композиции для обработки подложек. Техническим результатом настоящего изобретения является создание композиции, которая наиболее эффективно удаляет все виды остатков и загрязнений, образованных в ходе подготовки поверхности подложки, осаждения, нанесения гальванического покрытия, травления и химико-механической полировки. 3 н. 9 з.п. ф-лы, 8 пр., 1 табл.

Изобретение относится к композиции для химико-механической полировки, применяемой при изготовлении интегральных схем и микроэлектромеханических устройств. Композиция содержит (А) по меньшей мере один тип неорганических частиц, которые диспергированы в жидкой среде (В), (Б) по меньшей мере один тип полимерных частиц, которые диспергированы в жидкой среде (В), (В) жидкую среду, где дзета-потенциал неорганических частиц (А) в жидкой среде (В) и дзета-потенциал полимерных частиц в жидкой среде (В) являются положительными. Полимерные частицы (Б) представляют собой сополимер, содержащий стирол и/или дивинилбензол и метакриламид, и имеют по меньшей мере один тип функцинальной группы, которая является диалкиламино-группой или имидазольной группой, причем массовое отношение полимерных частиц (Б) к неорганическим частицам (А) находится в интервале от 0,001 до 0,06, а величина рН композиции находится в интервале от 4 до 6. Описан также способ получения композиции для химико-механической полировки, способ производства полупроводниковых устройств, включающих химико-механическую полировку и применение композиции для химико-механической полировки поверхностей субстратов, используемых в полупроводниковой промышленности и для устройств с узкощелевой изоляцией. Технический результат - улучшение характеристик полировки, особенно в отношении интенсивности съема материала и шага снижения высоты. 5 н. и 7 з.п. ф-лы, 6 табл., 9 пр., 4 ил.

Изобретение относится к технологии обработки монокристаллического CVD-алмазного материала. Описан способ введения NV-центров в монокристаллический CVD-алмазный материал. Одна стадия способа включает облучение алмазного материала, который содержит одиночный замещающий азот Ns 0, для введения изолированных вакансий в алмазный материал в концентрации 0,05-1 ppm. Другая стадия включает отжиг облученного алмазного материала при температуре 700-900°С для формирования NV-центров из, по меньшей мере, некоторых из дефектов одиночного замещающего азота и введенных изолированных вакансий. Данная обработка алмазного материала максимизирует получение NV-центров, сводя к минимуму другие нежелательные дефекты, что позволяет использовать его в спинтронных и связанных с цветом применениях, в частности для применений в фантазийных бледно-розовых синтетических драгоценных камнях или окрашенных фильтрах. 2 н. и 14 з.п. ф-лы, 7 ил., 12 табл.

Изобретение относится к электронной технике, в частности к процессам формирования топологических элементов микроэлектронных устройств с использованием электрохимического осаждения и взрывной литографии. Способ фотолитографии включает формирование первого слоя позитивного фоторезиста путем, по меньшей мере, двух циклов нанесения на подложку слоя фоторезиста с последующей его сушкой, экспонирование первого слоя без шаблона, формирование второго слоя позитивного фоторезиста путем, по меньшей мере, двух циклов нанесения на подложку слоя фоторезиста с последующей его сушкой, термообработку при температуре 120-150°С, экспонирование через шаблон и проявление рисунка, причем время экспозиции первого слоя меньше времени экспозиции второго слоя. Технический результат, получаемый при реализации заявляемого изобретения, выражается в реализации расширения арсенала технических средств формирования технологически качественной маски отрицательным углом наклона стенок профиля из позитивного фоторезиста с толщиной 7-15 мкм, что сопровождается уменьшением образования дефектов, достигаются оптимальные параметры края отрицательного профиля, что необходимо для качественного проведения обратной фотолитографии и увеличивает процент выхода годных структур после фотолитографии. 7 з.п. ф-лы, 1 ил.
Наверх