Способ изготовления фотопреобразователя


 


Владельцы патента RU 2559166:

Публичное акционерное общество "Сатурн" (RU)

Изобретение относится к области электрического оборудования, в частности к полупроводниковым приборам, а именно к способам получения трехкаскадных преобразователей. Технический результат, достигаемый в предложенном способе, изготовления фотопреобразователя заключается в улучшении однородности и воспроизводимости стравливания контактного слоя структуры, повышении фотоэлектрических параметров. Достигается это тем, что формируют контактную металлизацию на фронтальной и тыльной поверхностях многослойной полупроводниковой структуры Ga(In)As/GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенной на германиевой подложке, вжигают контакты, вытравливают мезу, удаляют контактный слой структуры химикодинамическим травлением в водном растворе гидроокиси тетраметиламмония и перекиси водорода при количественном соотношении компонентов, соответственно в мас.%: гидроокись тетраметиламмония 0,7÷1,3, перекись водорода 6,5÷17,7, вода 92,8÷81. 1 табл.

 

Изобретение относится к области электрического оборудования, в частности к полупроводниковым приборам, а именно к способам получения трехкаскадных преобразователей.

Известен способ селективного стравливания контактного слоя n+GaAs гетероструктуры GaAs/Al0,2Ga0,8As в подзатворной области полевых транзисторов (см. Highly Selective GaAs/Al0,8Ga0,8As Gate Recess of Low-Voltage-Power Pseudomorphic High-Electron-Mobility Transistor, Jpn. J. Appl. Phys. v.39 (2000), р. 1, №8, стр. 4699-4703), в котором используется водный раствор лимонной кислоты, лимонно-кислого калия и перекиси водорода. С увеличением концентрации лимонно-кислого калия селективность травителя возрастает благодаря процессу гидролиза, при этом возникающие гидрооксиды способствуют образованию труднорастворимых окислов на слое Al0,2Ga0,8As.

Недостаток данного способа применительно к производству фотопреобразователей на трехкаскадных структурах Ga(In)As/GaInP/Ga(In)As/Ge - высокая чувствительность травителя к поверхностным загрязнениям и окисным пленкам, возникающим при выполнении операций нанесения и снятия фоторезиста, отжига контактов. В результате при стравливании контактного слоя n+Ga(In)As по маске фронтальной металлизации остаются островки не удаляемых пленок, что снижает фотоактивную площадь прибора.

Признак, общий с предлагаемым способом, следующий: удаление n+Ga(In)As контактного слоя структуры.

Известен способ изготовления чипов многослойных фотопреобразователей (см. патент России №2368038, опубл. 20.09.2009 г.), принятый за прототип, в котором формируют контактную металлизацию на фронтальной и тыльной поверхностях многослойной полупроводниковой структуры Ga(In)As/GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенной на германиевой подложке.

При этом на фронтальную поверхность структуры напыляют основу омического контакта толщиной 0,2÷0,4 мкм, состоящую из последовательно расположенных слоя сплава, содержащего золото 90 масс.% и германий 10 масс.%, слоев никеля и золота. Вжигают основу омических контактов при температуре 360÷370°С. Далее утолщают фронтальный и тыльный контакты электрохимическим осаждением последовательно слоев золота, никеля и золота общей толщиной 1,6÷3,5 мкм. Затем вытравливают мезу; удаляют n+Ga(In)As контактный слой структуры по маске фронтальной металлизации для открытия светочувствительной поверхности солнечного элемента. Травление проводят последовательно в две стадии: на первой стадии осуществляют удаление окислов с поверхности структуры в аммиачно-перекисном травителе, на второй стадии осуществляют полное стравливание контактного n+Ga(In)As слоя в растворе лимонной кислоты и перекиси водорода. Далее напыляют антиотражающее покрытие.

Недостаток вышеуказанного способа заключается в том, что при изготовлении фотопреобразователей с фронтальными контактами на основе серебра, например, Cr/Au-Ge/Ag/Au травление контактного слоя структуры в аммиачно-перекисном растворе сопровождается подтравливанием слоя серебра, увеличением электрического сопротивления узких полос токосъемной металлизации. Кроме того, пластины после операции нанесения и удаления фоторезиста, в том числе «взрыва» негативного фоторезиста, отжига контактов травятся в растворах, указанных в прототипе, неоднородно, что видимо связано с поверхностными загрязнениями технологического характера. По периферии пластины остаются нестравливаемые зоны. Неоднородность скорости травления по площади пластины негативно сказывается на параметрах фотопреобразователя из-за локального перетрава слоя широкозонного «оптического окна» AlInP. Неконтролируемый подтрав контактного n+Ga(In)As слоя структуры под маской металлизации приводит к нарушению адгезии.

Признаки прототипа, общие с предлагаемым способом следующие: формирование контактной металлизации на фронтальной и тыльной поверхностях многослойной полупроводниковой структуры Ga(In)As/GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенной на германиевой подложке, вжигание контактов, вытравливание мезы, удаление контактного слоя структуры, напыление антиотражающего покрытия.

Технический результат, достигаемый в предложенном способе изготовления фотопреобразователя заключается в улучшении однородности и воспроизводимости стравливания контактного слоя структуры, повышении фотоэлектрических параметров.

Достигается это тем, что формируют контактную металлизацию на фронтальной и тыльной поверхностях многослойной полупроводниковой структуры Ga(In)As/GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенной на германиевой подложке, вжигают контакты, вытравливают мезу, удаляют контактный слой структуры химикодинамическим травлением в водном растворе гидроокиси тетраметиламмония и перекиси водорода при количественном соотношении компонентов, соответственно в масс.%:

- гидроокись тетраметиламмония 0,7÷1,3

- перекись водорода 6,5÷17,7

- вода 92,8÷81.

Отличительные признаки предлагаемого способа изготовления фотопреобразователя, обеспечивающие его соответствии критерию «новизна», следующие:

- удаление контактного слоя структуры химикодинамическим травлением в водном растворе гидроокиси тетраметиламмония и перекиси водорода при следующем соотношении компонентов, масс.%: гидроокись тетраметиламмония - 0,7÷1,3; перекись водорода - 6,5÷17,7; вода - 92,8÷81.

Для обоснования соответствия предлагаемого способа изготовления фотопреобразователя критерию «изобретательский уровень» был проведен анализ известных решений по литературным источникам, в результате которого не обнаружено технических решений, содержащих совокупность известных и отличительных признаков предлагаемого способа, дающих вышеуказанный технический результат. Поэтому, по мнению авторов, предлагаемый способ изготовления фотопреобразователя соответствует критерию «изобретательский уровень».

Предложенный способ изготовления фотопреобразователя обеспечивает однородное полное стравливание контактного n+Ga(In)As слоя структуры даже при наличие технологических загрязнений на поверхности пластины. Предложенный травитель не воздействует на серебряную составляющую фронтальной металлизации, в результате чего сохраняется необходимая электропроводность токосъемных полос.

Химико-динамическое травление обеспечивает удаление газовых пузырьков и продуктов реакции с поверхности пластины. Однородное травление по площади пластины исключает неконтролируемый подтрав контактного n+Ga(In)As слоя под маской металлизации. К предложенному травителю химически устойчив последующий широкозонный слой «оптического окна» AlInP. В результате улучшаются фотоэлектрические параметры фотопреобразователя.

Для конкретного примера реализации способа используют трехкаскадные структуры Ga(In)As/GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенные на германиевой подложке диаметром ⌀100 мм.

Создают фоторезистивную маску с рисунком окон лицевых контактов и встроенного диода на установке Lithofab, при этом используют негативный фоторезист Aznlof2070. Затем вытравливают диодные площадки методом капельного травления; формируют фронтальную металлизацию на основе серебра Cr/Au-Ge/Ag/Au с толщинами слоев 7 нм/70 нм/6 мкм/50 нм соответственно напылением на установке ВАК 761 и последующим «взрывом» фоторезиста в органическом растворителе. Создают фоторезистивную маску с рисунком окон по периметру активных областей фотопреобразователя и диода, при этом используют фоторезист ФП 9120-2. Далее вытравливают мезу для электрической изоляции активных областей; удаляют фоторезист; напыляют сплошной слой тыльной металлизации Cr/Au/Ag/Au с толщинами слоев 10 нм/30 нм/6 мкм/50 нм соответственно. Далее вжигают контакты для снижения переходного сопротивления на установке ATV SRO 706 в режиме Тотж.=335°С, t=10 сек в среде водорода, а затем удаляют контактный n+Ga(In)As слой, согласно предложенному способу, химико-динамическим травлением в водном растворе гидроокиси тетраметиламмония и перекиси водорода при количественном соотношении компонентов, масс.%: гидроокись тетраметиламмония - 1, перекись водорода - 12,6, вода - 86,4.

Обрабатываемые пластины по одной укладывают фронтальной стороной вверх в ванночки диаметром ⌀120 мм. Объем раствора в ванночке ~80 мм достаточен для полного погружения пластины. Устанавливают ванночки на платформу, совершающую орбитальное вращение в горизонтальной плоскости. Радиус вращения r~5 мм, частота оборотов f~200 об/мин. При этом раствор в ванночках движется по поверхности пластин, удаляя газовые пузырьки, образующиеся при разложении перекиси водорода, а также смывая продукты реакции травления. В случае неподвижного положения ванночки пластина под действием газовых пузырьков всплывает на поверхность раствора, происходит накопление продуктов реакции и торможение процесса травления. Применение раствора травителя с содержанием гидроокиси тетраметиламмония и перекиси водорода более 1,3 и 17,7 масс.% нецелесообразно из-за интенсивного разложения перекиси водорода на поверхности металлизации, сопровождающегося капельным выбрызгиванием. В случае содержания гидроокиси тетраметиламмония и перекиси водорода соответственно менее 0,7 и 6,5 масс.% травление протекает медленно (более 5 мин на одну пластину) и неоднородно по площади пластины. Процесс стравливания контактного n+Ca(In)As слоя контролируется по смене интерференционных цветов и прекращается по достижении широкозонного слоя «оптического окна» AlInP однородного темно-фиолетового цвета. Время травления t=1÷1,5 мин. Вытравленные пластины поочередно извлекаются из ванночек, промываются деионизованной водой. В одной ванночке с раствором травителя объемом ~80 мл обрабатывают до 4 пластин, после чего в раствор добавляют свежую порцию перекиси водорода ~8 мл и травитель используют повторно. Используемый согласно предложенному способу травитель обладает высокой селективностью к широкозонному слою «оптического окна» AlInP. Передержка пластины в растворе в течение t=3 мин не ухудшает параметры фотопреобразователя. Движение травителя по поверхности пластины способствует однородному стравливанию n+Ga(In)As слоя за счет удаления газовых пузырьков и продуктов реакции. Расположение пластин фронтальной поверхностью вверх позволяет визуально контролировать и своевременно прекращать процесс травления, что необходимо для пластин, различающихся по свойствам поверхности вследствие причин технологического характера. Далее наносят просветляющее покрытие TiO2/Al2O3 с помощью магнитных масок на установке ВАК 761 Opt. Разделяют пластины на чипы дисковой резкой на установке DFD6240.

Изготовленные фотопреобразователи размером 40×80 мм, площадью 30,17 см2 имеют хорошую адгезию лицевых контактов, однородный цвет просветляющего покрытия, улучшенные фотоэлектрические параметры с эффективностью более 29% (см.таблицу 1).

Таблица №1
Номер фотоэлемента Iкз, mА Uxx, mV Параметры в рабочей точке FF, % КПДmax, %
Ιp, mΑ Up, mV КПДр, %
1 521,76 2674,8 512,46 2350 29,2 86,89 29,4
2 521,46 2676,07 512,54 2350 29,2 86,91 29,41
3 522,51 2676,02 512,61 2350 29,21 86,7 29,39
4 521,14 2675,66 512,66 2350 29,41 86,98 29,21
5 521,09 2785,23 512,8 2350 29,22 86,85 29,46
6 523,45 2663,85 512,99 2350 29,23 86,81 29,35
7 521,49 2676,07 513 2350 29,23 87,02 29,45
8 520,98 2677,94 513,06 2350 29,23 86,98 29,42
9 522,52 2673,56 513,75 2350 29,27 86,97 29,46
10 522,52 2675,03 514,27 2350 29,3 87,01 29,49

Способ изготовления фотопреобразователя, включающий формирование контактной металлизации на фронтальной и тыльной поверхностях многослойной полупроводниковой структуры Ga(In)As/GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенной на германиевой подложке, вжигание контактов, вытравливание мезы, удаление контактного слоя многослойной полупроводниковой структуры и нанесение просветляющего покрытия, отличающийся тем, что удаление контактного слоя многослойной полупроводниковой структуры производится химико-динамическим травлением в водном растворе гидроокиси тетраметиламмония и перекиси водорода при количественном соотношении гидроокиси тетраметиламмония 0,7-1,3 мас.%, перекиси водорода 6,5-17,7 мас.%, воды 92,8-81 мас.%.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к созданию тонкопленочных элементов матрицы неохлаждаемого типа в тепловых приемниках излучения (болометров) высокой чувствительности. Способ получения чувствительного элемента матрицы теплового приемника на основе оксида ванадия представляет собой нанесение металлической пленки ванадия и электродов методами магнетронного распыления и последующей лифт-офф литографии на диэлектрическую подложку.

Пленки твердых растворов замещения PbSnSe - востребованный материал полупроводниковой оптоэлектроники и лазерной техники среднего и дальнего инфракрасного диапазона.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов. Способ изготовления pin-фотодиодов с охранным кольцом (ОК) на высокоомном р-кремнии включает термическое окисление исходной пластины р-кремния или эпитаксиальной структуры, содержащей слой высокоомного р-кремния, вскрытие «окон» в термическом окисном слое, загонку атомов фосфора в «окна» и их разгонку, совмещенную с окислением, для формирования планарных n+-р переходов рабочей области и области ОК, создание на обратной стороне пластины геттерирующего слоя и проведение геттерирования, стравливание геттерирующего слоя и подлегирование подконтактной области базы атомами бора для создания омического контакта р+-р типа, вскрытие в окисном слое контактных «окон» к рабочей области и охранному кольцу и зондовый контроль их темновых токов, отбор пластин, не соответствующих заданным значениям темнового тока, стравливание с них термического окисного слоя и нанесение на свободную поверхность кремния нового защитного слоя окиси кремния при температуре не выше 300°С, вскрытие контактных «окон» в нанесенном слое и повторный зондовый контроль темновых токов и при соответствии темнового тока заданным значениям - нанесение металлизации, формирование контактного рисунка и вжигание металла, а при несоответствии заданным значениям темнового тока - повторение операций до получения заданных значений темнового тока.
Изобретение относится к области изготовления фоточувствительных полупроводниковых приборов на основе GaAs, позволяющих преобразовывать мощное узкополосное излучение в электрическую энергию для энергоснабжения наземных и космических объектов.

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, а именно к способу изготовления фотопроводящих радиационно стойких структур. Способ включает предварительное формирование монослоя жирной кислоты на поверхности раствора свинецсодержащей соли в воде в концентрации 1·10-3-5·10-3 моль/л для получения свинецсодержащего монослоя жирной кислоты по методу Ленгмюра-Блоджетт, перенос одного свинецсодержащего монослоя жирной кислоты на поверхность фоточувствительной пленки, термическую сенсибилизацию фоточувствительной пленки.

Предлагаемое изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности, к способам изготовления планарных pin-фотодиодов большой площади на основе высокоомного кремния p-типа проводимости.
Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых p-i-n фотодиодов (ФД), чувствительных к излучению с длинами волн 0,9-1,06 мкм. Они предназначены для использования в различной электронно-оптической аппаратуре, в которой требуется регистрация коротких импульсов лазерного излучения (10-40 нс).

Изобретение относится к технологии сборки гибридных матричных фотоприемных устройств методом перевернутого монтажа. Согласно изобретению способ гибридизации кристаллов БИС считывания и матрицы фоточувствительных элементов фотоприемных устройств включает сдавливание индиевых микроконтактов, расположенных на стыкуемых кристаллах, при этом микроконтакты выполняют в форме вытянутых прямоугольников с размерами сторон менее зазоров между микроконтактами, как по вертикали, так и по горизонтали, причем микроконтакты на кристаллах БИС и матрицы фоточувствительных элементов расположены под углом по отношению к друг другу.
Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых p-i-n фотодиодов (ФД), чувствительных к излучению с длинами волн 0,9-1,06 мкм. Согласно изобретению в способе изготовления кремниевых p-i-n фотодиодов для снижения концентрации электрически активных центров, создаваемых загрязняющими примесями с низкими значениями коэффициентов диффузии, процесс термического окисления проводят при температуре не выше 950°C и последующие процессы диффузии (диффузия фосфора для создания n+-областей, геттерирование диффузионным n+-слоем, диффузия бора для создания p+-области) проводят при температурах, не превышающих указанную.

Изобретение относится к технологии фотодиодов на основе эпитаксиальных p-i-n структур GaN/AlGaN, преобразующих излучение ультрафиолетовой области спектра. Согласно изобретению предложен способ изготовления многоэлементного фотоприемника на основе эпитаксиальных p-i-n структур GaN/AlxGa1-xN.

Изобретение обеспечивает фотогальваническое устройство и способ изготовления такого устройства. Фотогальваническое устройство согласно изобретению включает в себя комбинацию полупроводниковых структур и защитный слой. Комбинация полупроводниковых структур имеет множество сторон и включает в себя p-n-переход, n-p-переход, p-i-n-переход, n-i-p-переход, тандемный переход или мульти-переход. В частности, защитный слой сформирован для покрытия сторон комбинации полупроводниковых структур. Благодаря этому защитный слой может эффективно подавлять эффект вызванной высоким потенциалом деградации фотогальванического устройства согласно изобретению, что повышает надежность фотогальванического устройства. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 13 ил., 1 табл.

Согласно изобретению предложена печь для вжигания электрода солнечного элемента, которая снабжена транспортировочным элементом, транспортирующим подложку с нанесенной на нее проводящей пастой, секцией нагрева, которая нагревает подложку и вжигает проводящую пасту, и секцией охлаждения, которая охлаждает нагретую подложку. При этом печь снабжена средством нагрева транспортировочного элемента. Также предложены способ изготовления солнечного элемента с использованием описанной выше печи и устройство, изготовленное этим способом. Изобретение обеспечивает во время вжигания электродной пасты исключение осаждения материала металлического компонента проводящей пасты на транспортирующей проволоке, и печь для вжигания можно использовать непрерывно, что исключает потери производительности. 3 н. и 4 з.п. ф-лы, 6 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области контроля фотоэлектрических устройств и касается способа исследования пространственного распределения характеристик восприимчивости фотоэлектрических преобразователей в составе солнечных батарей к оптическому излучению. Способ включает сканирование поверхности исследуемого объекта лазерным лучом с помощью гальваносканеров с одновременной записью координат сканирования и напряжения, пропорционального величине фотоотклика в данной точке исследуемого объекта. Технический результат заключается в обеспечении возможности получения данных о распределении энергетических параметров фотоэлектричиских преобразователей в составе солнечных батарей, а также в обеспечении возможности визуализации полученных данных. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к технологии изготовления матричных фотоприемников ИК-излучения на основе антимонида индия, теллурида кадмия-ртути. Способ изготовления матричного фотоприемника согласно изобретению включает формирование на полупроводниковой пластине р+-n- или n+-р-перехода по всей поверхности, формирование защитной маски фоторезиста с рисунком ФЧЭ с последующим травлением мезаструктур на глубину, при которой р+-n- или n+-р-переход выходит на поверхность у основания мезаструктуры под углом меньше 60°. Затем осуществляют нанесение защитного диэлектрика, формирование фоторезистивной маски с последующим травлением контактных окон в диэлектрике, напыление металла, формирование фоторезистивной маски с последующим травлением металла для получения контактной системы, напыление индия, формирование фоторезистивной маски с последующим травлением индия одним из известных способов: химическое травление или ионное травление с последующим удалением слоев фоторезиста для получения индиевых микроконтактов. Изобретение обеспечивает возможность изготовления мезаструктур с помощью известных методов ионного и химического травления, обеспечивающих низкое значение напряженности электрического поля на поверхности n+-р- или р+-n-переходов и, соответственно, низкие значения темновых токов фотоприемников. 9 ил.

Изобретение относится к технологии создания фоточувствительных халькопиритных пленок, которые могут найти применение при создании солнечных батарей. Способ получения фоточувствительных халькопиритных пленок включает два этапа, на первом получают прекурсорную пленку, а на втором проводят ее отжиг. В качестве прекурсоров используют интерметаллиды Cu2In, CuGa2 и металлический индий. Изобретение обеспечивает получение однородных пленок с хорошей адгезией. 2 з.п. ф-лы, 9 ил.

Изобретение относится к области технологии изготовления полупроводниковых приборов методом газофазной эпитаксии с использованием металлорганических соединений, в частности к технологии выращивания гетероструктуры для полупроводникового полупрозрачного фотокатода с активным слоем из арсенида галлия, фоточувствительного в видимом и ближнем инфракрасном диапазоне. В способе изготовления гетероструктуры для полупроводникового полупрозрачного фотокатода из арсенида галлия методом МОС-гидридной эпитаксии, при котором стопорный слой и активная область выращиваются при температурах 600-640°C, в структуру введен переходной слой переменного состава от p-GaAs до p-AlyGa1-yAs. При его выращивании повышают температуру до 700-760°С. На нем выращивают буферный слой при температурах 700-760°C. Скорость выращивания слоев выбрана в диапазоне от 0,1 до 3 мкм/час. Поток металлорганического соединения цинка выбирают так, чтобы обеспечить требуемую концентрацию акцепторной примеси в выращиваемых слоях. С использованием данного способа получены фотокатоды с повышенной минимум на 10% квантовой эффективностью. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.

Коллекторный электрод для солнечного элемента изготавливают трафаретной печатью проводящей пасты, при этом трафаретную печать повторяют многократно. Скорость прокатывания во время второй или последующей трафаретных печатей является больше, чем скорость прокатывания во время первой трафаретной печати. Вторая и последующая трафаретная печать накладывается на коллекторный электрод, отпечатанный первый раз; таким образом, чем выше скорость прокатывания, тем лучше отделяется печатная форма от пасты и основания. Количество нанесенной пасты увеличивается, и пленка для изготавливаемого коллекторного электрода становится толще, уменьшается величина сопротивления, а также обеспечивается улучшение эффективности преобразования солнечной энергии. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 2 ил., 2 табл.

Изобретение относится к технологии получения индиевых микроконтактов для соединения больших интегральных схем (БИС) и фотодиодных матриц, выполненных на основе полупроводниковых материалов. Способ изготовления индиевых микроконтактов согласно изобретению включает напыление слоя индия на полупроводниковые пластины с контактными площадками, формирование плоских индиевых площадок толщиной напыленного индия методами фотолитографии и/или ионного травления, при этом перед соединением матрицы и БИС производят оплавление индиевых плоских площадок в усеченные сферы высокочастотным катодным травлением ионами инертного газа при парциальном давлении (8-10)×10-1 Па и плотности мощности в разряде от 1 Вт/см2, без последующего нагревания. Изобретение предназначено для повышения надежности при одновременном снижении расхода индия при использовании стандартной конструкции испарителя, а также уменьшении времени процесса ионного травления напыленного слоя индия. 1 пр., 1 табл., 1 ил.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых фотоприемников и может использоваться для создания многоэлементных фотоприемников различного назначения. Изобретение обеспечивает утоньшение базовой области фоточувствительного элемента с получением требуемого качества и воспроизводимости границ и толщины. В способе изготовления матричного фотоприемника на лицевой стороне фоточувствительного элемента до гибридизации протравливают канавку определенной глубины. В процессе утоньшения, когда полировка доходит до дна канавки, вследствие заданной ширины углубления происходит резкое изменение габаритов базовой области, которое можно зафиксировать визуально. В этот момент утоньшение прекращают - полученный кристалл имеет ровные края и фиксированный размер, заданный фотошаблонами под углубление. При этом для изготовления углубления после травления индиевых микроконтактов, не снимая нижний защитный и верхний фоторезисты, напыляют тонкую пленку SiO. Далее делают фотолитографию по SiO с помощью прямоугольного фотошаблона, открывающего место под углубление. Затем следует плазмохимическое травление SiO в месте углубления и жидкостное химическое травление непосредственно углубления на требуемую величину. Удаляют фоторезист, плазмохимически стравливают оставшуюся пленку SiO и удаляют остатки фоторезиста. 3 з.п. ф-лы, 12 ил.

Изобретение относится к способу получения структурированного электропроводящего покрытия на подложке. Технический результат - предоставление способа получения структурированного металлического покрытия на подложке, при реализации которого формируют структурированный металлический слой с четко определенными кантами и краями, что позволяет напечатать картину с высоким разрешением и структурами малых размеров, применимую в солнечных батареях. Достигается тем, что сначала на поверхность подложки наносят монослой или олигослой вещества, гидрофобизирующего поверхность, а затем на подложку наносят вещество, содержащее электропроводящие частицы, в соответствии с заранее заданным узором. Кроме того, изобретение касается применения этого способа для изготовления солнечных батарей или печатных плат, а также электронной детали, включающей в себя подложку, на которую нанесена структурированная электропроводящая поверхность, причем на подложку нанесен монослой или олигослой материала, гидрофобизирующего поверхность, а на монослой или олигослой нанесена структурированная электропроводящая поверхность. 2 н. и 5 з.п. ф-лы.
Наверх