Полосковый фильтр свч с подавлением паразитных полос пропускания

Изобретение относится к СВЧ радиотехнике, в частности к частотно-селективным фильтрам. Полосковый фильтр содержит диэлектрическую подложку на основе многослойного материала, внутри которой располагаются четвертьволновые резонаторы фильтра и резонансная структура из отрезков полосковых линий длиной в одну восьмую длины волны на центральной частоте полосы пропускания. Отрезки полосковых линий располагаются над зазорами между четвертьволновыми резонаторами. Указанные полосковые линии образуют резонатор, подавляя паразитные полосы пропускания. На внешних поверхностях фильтра нанесено токопроводящее покрытие. Технический результат - уменьшение геометрических габаритов фильтра. 3 ил.

 

Изобретение относится к технике высоких частот и предназначено для селекции СВЧ сигналов.

Фильтры СВЧ встречно-стержневого типа на основе четвертьволновых полосковых резонаторов с распределенными параметрами имеют паразитные полосы пропускания на частотах, кратных основной гармонике (Маттей Д.Л., Янг Л., Джонс Е.М.Т. Фильтры СВЧ, согласующие цепи и цепи связи: В 2-х т. / Пер. с англ. под ред. Л.В. Алексеева и Ф.В. Кушнира. - М.: Связь, 1972, - 1 т. 222 с., - 2 т. 249 с.), что ухудшает электрические параметры изделия. Основные способы подавления паразитных полос пропускания предполагают использование дополнительных резонансных структур, отделенных от основной структуры фильтра СВЧ и настроенных на нежелательные частотные полосы пропускания, например, дополнительной структуры с характеристикой фильтра нижних частот, что приводит к увеличению габаритных размеров. Пример реализации фильтра СВЧ приведен в статье (Kolmakov Ya. A. Quasi-elliptic two pole microstrip filters / 15-th Int. conf. on microwaves, radar and wireless communications (MICON-2004). Warsaw, 2004: Conf. proc. Vol.1. P 159-161). Менее распространен фильтр СВЧ, в котором подавление паразитных полос пропускания осуществляется с использованием конструктивных элементов, обеспечивающих кондуктивно-индуктивные связи резонаторов фильтра (В.Н. Шепов. Полосно-пропускающий фильтр с высоким затуханием в широкой полосе заграждения. / Электронная техника. Сер. СВЧ-Техника. Вып. 2(484), 2004, стр.31-34). Данный фильтр СВЧ имеет большие габариты и при изготовлении требует применения ручного труда, что удорожает изделие.

Наиболее близким к заявляемому изобретению является полосковый фильтр СВЧ, где подавление паразитных полос пропускания осуществляется с помощью резонансной структуры в виде окон в металлизации под резонаторами фильтра (Zhang Xianjun, Fang Dagang. Miniaturization of С Band LTCC Channel Receiver Front-end SiP Module / 2008 ICMT, pp.1412-1414). Данный полосковый фильтр СВЧ, взятый за прототип, имеет структуру встречно-стержневого типа и сложную конструкцию, к тому же окна в металлизации нельзя перекрывать внешними поверхностями, что также увеличивает габариты изделия. На практике при разработке приемно-передающей аппаратуры СВЧ обычно имеет значение подавления ближних паразитных полос пропускания, так как в более широкой полосе частот ограничивающим фактором становятся активные приборы, такие как усилители, смесители.

Задачей, на решение которой направлено создание предлагаемого изобретения, является улучшение электрических характеристик полоскового фильтра СВЧ при достаточной простоте конструкции.

Для решения поставленной задачи предлагается полосковый фильтр СВЧ с подавлением паразитных полос пропускания, имеющий структуру встречно-стержневого типа.

Согласно изобретению, над зазорами между четвертьволновыми резонаторами размещены отрезки полосковых линий длиной в одну восьмую длины волны на центральной частоте полосы пропускания. Это обеспечивает подавление паразитных полос пропускания.

Техническим результатом предлагаемого изобретения является подавление паразитных полос пропускания на третьей и пятой гармонике основной полосы пропускания полоскового фильтра СВЧ без увеличения габаритов.

Сочетание отличительных признаков и свойств предлагаемого изобретения в доступной литературе не обнаружено, поэтому изобретение соответствует критериям новизны и изобретательского уровня.

На фиг.1 условно показана внутренняя структура полоскового фильтра СВЧ с дополнительными отрезками полосковых линий длиной в одну восьмую длины волны на центральной частоте полосы пропускания. На фиг.2 показана амплитудно-частотная характеристика (АЧХ) полоскового фильтра СВЧ типовой встречно-стержневой структуры с паразитными полосами пропускания на третьей - 2 и пятой - 3 гармониках основной полосы пропускания - 1. На фиг.3 показана АЧХ полоскового фильтра СВЧ с дополнительными отрезками полосковых линий длиной в одну восьмую длины волны на центральной частоте основной полосы пропускания, где уровень подавления паразитных полос пропускания на третьей - 2 и пятой - 3 гармониках основной полосы пропускания - 1 составляет более 50 дБ.

Полосковый фильтр СВЧ (фиг.1) содержит диэлектрическую подложку - 1 на основе многослойного СВЧ материала, внутри которой располагаются четвертьволновые резонаторы - 2 фильтра и отрезки полосковых линий - 3, размещенные над зазорами между четвертьволновыми резонаторами - 2 и образующие резонансную структуру. На внешних поверхностях - 4, 5 (фиг.1) нанесено токопроводящее покрытие, которое выполняет роль экрана, за счет чего увеличивается подавление сигнала за полосой пропускания, минимизируется влияние внешних воздействий, что также позволяет в большинстве случаев обходиться без дополнительного корпуса.

Полосковый фильтр СВЧ работает следующим образом: сигнал поступает на контакт «Вход» (фиг.1) и проходит через четвертьволновые резонаторы - 2 и отрезки полосковых линий - 3 на контакт «Выход». Коэффициенты связи четвертьволновых резонаторов - 2 и отрезков полосковых линий - 3 в определенной частотной полосе выбраны так, чтобы сигнал в данной полосе проходил с малыми потерями по амплитуде, и определяются электрофизическими параметрами диэлектрического материала подложки - 1 и конструкцией четвертьволновых резонаторов - 2, и отрезков полосковых линий - 3. За полосой пропускания с малыми потерями сигналы на других частотах проходят с большими потерями по амплитуде. Данная резонансная структура, образованная из отрезков полосковых линий - 3, на частотах полосы пропускания с малыми потерями работает, в силу малости размеров данных отрезков полосковых линий, фактически как конструктивная емкость, увеличивающая связь между резонаторами, что позволяет преодолеть технологические ограничения на минимальную ширину зазора между четвертьволновыми резонаторами - 2. На частотах паразитных полос пропускания данные отрезки полосковых линий работают как резонансная структура на элементах с распределенными параметрами, что приводит к значительному (более 50 дБ) подавлению паразитных полос. На фиг.2 показана АЧХ полоскового фильтра СВЧ без дополнительных отрезков полосковых линий, где основная полоса пропускания обозначена цифрой 1, паразитная полоса пропускания на третьей гармонике основной полосы обозначена цифрой 2, паразитная полоса пропускания на пятой гармонике обозначена цифрой 3. На фиг.3 показана АЧХ полоскового фильтра СВЧ с дополнительными отрезками полосковых линий и видно значительное подавление паразитных полос пропускания.

Реализация данного изобретения возможна по технологии низкотемпературной совместно-обжигаемой керамики (Компоненты и технологии, №5, 2005 г., Симин А.В. и др. Многослойные интегральные схемы сверхвысоких частот на основе керамики с низкой температурой обжига, стр.190-196), технологии LCP (Liquid Crystal Polymer, - жидкокристаллический полимер, Thompson D., Tantot О., Jallageas H. Characterization of Liquid Crystal Polymer (LCP) Material and Transmission Lines on LCP Substrates from 30 to 110 GHz. IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech., 2002, 52, p.1343-1352), материал Ultralam 3000.

В ФГУП "РНИИРС" разработано техническое предложение, которое позволит улучшить массогабаритные характеристики приемников и передатчиков СВЧ диапазона.

Полосковый фильтр СВЧ с подавлением паразитных полос пропускания, имеющий структуру встречно-стержневого типа, отличающийся тем, что над зазорами между четвертьволновыми резонаторами размещены отрезки полосковых линий длиной в одну восьмую длины волны на центральной частоте полосы пропускания.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к способу определения износа контактных элементов электрического переключателя. Способ содержит этап регистрации электрических значений (I(t), U(t)), которые представляют электрический параметр, релевантный для электрической дуги, возникающей во время операции переключения на переключателе, как функцию времени, и вычисление значения (d) износа, представляющего собой износ контактного элемента, из множества значений доли износа; значения доли износа вычисляются с применением множества правил (fi) вычисления доли износа из множества подмножеств (I(ti); I([ti; t'i])) зарегистрированных электрических значений, так что каждое из значений доли износа вычисляется по соответствующему из правил вычисления доли износа из соответствующего из подмножеств значений (I(ti); I([ti; t'i])), по меньшей мере, два из правил вычисления доли износа отличаются друг от друга.
Изобретение относится к способу получения легированного оксидом индия серебряно-оловооксидного материала для электроконтактов и может применяться в электротехнической промышленности.

Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к получению порошка сплава серебро-кадмий для изготовления контактов. Раствор нитратов серебра и кадмия обрабатывают раствором гидроксида натрия, выдерживают пульпу и отделяют осадок смеси AgOH и Cd(OH)2 от маточного раствора.

Изобретение относится к выключателю среднего напряжения, который содержит контактную сборку, имеющую для каждой фазы первый неподвижный контакт и второй подвижный контакт, взаимно соединяемые/разъединяемые с переходом между разомкнутым и замкнутым положениями.
Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к производству графито-медных материалов для сильноточных электрических контактов. Шихта содержит, мас.%: частицы меди 20-85, частицы гидрида титана 1-10 и частицы графита - остальное.

Изобретение относится к производству материалов дугогасительных и разрывных электрических контактов и может быть использовано в токоприемниках электровозов, метропоездов и другого городского электрифицированного транспорта.

Изобретение относится к области электротехники, в частности к магнитоуправляемым коммутирующим устройствам - коммутаторам тока, используемым в широком диапазоне коммутируемых нагрузок и мощностей.
Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к получению металлокерамических электроконтактных материалов Cu-Cd/Nb. Из порошков меди и ниобия готовят шихту, проводят холодное прессование и спекание.
Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к порошковым антифрикционным материалам для сильноточных скользящих контактов. Может использоваться для изготовления токосъемных щеток, например, униполярных генераторов или токосъемных башмаков, контактирующих с рельсом туннельной железной дороги.
Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к способу изготовления полуфабриката детали для электрических контактов в форме полосы. Из композиционного материала на основе серебра, содержащего один или более оксидов металла или углерод, изготавливают блок, наносят на блок из композиционного материала покрытия из порошка базового металла.

Изобретение относится к области электротехники и нанотехнологии, в частности к нанокомпозитному материалу на основе меди (Cu) для производства силовых разрывных электрических контактов в переключателях мощных электрических сетей и вакуумных дугогасительных камерах и способу его получения. Нанокомпозиционный электроконтактный материал на основе меди состоит из частично разупорядоченной матрицы на основе меди, в которой распределены кластеры тугоплавких частиц размером менее 5 нм, при этом содержание тугоплавких частиц составляет от 20 до 80 мас.%. В качестве тугоплавких частиц могут быть использованы частицы хрома или вольфрама или молибдена. Способ получения нанокомпозиционного электроконтактного материала включает механическую обработку смесей металлов в высокоэнергетической шаровой планетарной мельнице с последующим твердофазным спеканием полученной активированной смеси. Высокоэнергетическую обработку проводят в атмосфере аргона при соотношении масс шаров и исходных порошков 20:1-40:1, при скорости вращения планетарного диска планетарной мельницы 694-900 об/мин и продолжительности обработки не более 90 минут. Спекание полученных нанокомпозионных частиц с размером тугоплавкого металла менее 5 нм осуществляют методом искрового плазменного спекания, при этом в камере создают вакуум или атмосферу инертного газа и через спекаемый образец пропускают импульсный электрический ток 1000-5000 A под нагрузкой до 50 МПа. Температура спекания образцов не превышает 1000°C при продолжительности процесса не более 15 минут. Повышение твердости, снижение пористости и удельного электросопротивления образцов является техническим результатом изобретения. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 1 ил., 3 пр.

Изобретение относится к области электротехники. Контакт выполнен в виде цилиндра, на внешней поверхности которого, у его торцов, образованы выступающие относительно цилиндрической поверхности контактные участки сферической формы. Ламели в сечении, перпендикулярном оси, представляют собой кольцевые сектора цилиндра, а пружины поджатия размещены между ламелями в глухих отверстиях 5, которые выполнены в радиальных поверхностях ламелей, зеркально друг относительно друга и нормально к радиальным поверхностям. В центральном осевом отверстии (11) установлена тяга (12) электротехнического контакта (3) с зазором относительно отверстия (11). Ограничители перемещения ламелей в радиальном направлении размещены в проточках на периферии контакта (3). Пружины поджатия размещены вдоль оси электротехнического контакта (3). Техническим результатом является уменьшение габаритов электротехнического контакта и предотвращение заклинивания от несоосности расположения неподвижных контактов. 4 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к области электротехники, а именно к защитному покрытию электрических контактов, например магнитоуправлемых контактов (герконов), микроэлектромеханических (МЭМС) коммутаторов, слаботочных и сильноточных контактов коммутационных приборов, электромагнитных реле, и может быть использовано для улучшения эксплуатационных свойств указанных устройств. Повышения значений коммутируемой мощности и срока службы электрических контактов с предложенным защитным покрытием является техническим результатом изобретения. Защитное покрытие электрических контактов выполнено на основе бинарного электролитического сплава W-Ni, нанесенного на никелевую подложку, в котором содержание W линейно возрастает от 0% на границе покрытие-подложка до 50% на внешней границе покрытия, что обеспечивает высокую стойкость покрытия к отслоению.1 ил.

Изобретение относится к электротехнике, в частности к разрывным контактам, и может быть использовано при изготовлении низковольтной коммутирующей аппаратуры, в электромагнитных реле. Электрический контакт, включающий рабочую поверхность и поверхность токосъема, выполнен из композиции серебра и графита с анизотропной структурой, пластинчатые частицы которой расположены перпендикулярно рабочей поверхности контакта. Содержание графита составляет 60-90 мас.%, остальное - серебро. Графит и серебро спрессованы слоями, торцовая поверхность которых образует рабочую поверхность контакта, причем между каждыми двумя слоями графита проложен слой серебра, а со стороны токосъема, каждые два слоя графита со слоем серебра между ними обернуты металлической сеткой. Открытые концы сетки расположены с отступом от рабочей поверхности контакта. Слой серебра в контакте выполнен в виде сетки или перфорированной фольги. Изобретение позволяет повысить эксплуатационные характеристики и упростить процесс изготовления. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к получению электроконтактного композитного материала на основе меди, содержащего кластеры на основе частиц тугоплавкого металла. Способ включает механическую обработку смеси порошков меди и тугоплавного металла в атмосфере аргона при соотношении масс шаров и смеси порошков 20:1-40:1, скорости вращения планетарного диска планетарной мельницы 694-900 об/мин и продолжительности обработки 5-90 минут с получением нанокомпозиционных частиц с размером кристаллитов тугоплавкого металла от 5 нм до 100 мкм, и последующее искровое плазменнное спекание активированной смеси порошков в камере в вакууме или в атмосфере инертного газа с пропусканием через спекаемую смесь порошков импульсного электрического тока 500-5000 А под нагрузкой до 50 МПа, при температуре 700-1000°C и продолжительности спекания 5-15 минут. Обеспечивается регулирование структуры материала. 5 ил., 3 пр.
Наверх