Чувствительный элемент на основе магнитоимпеданса



Чувствительный элемент на основе магнитоимпеданса
Чувствительный элемент на основе магнитоимпеданса
Чувствительный элемент на основе магнитоимпеданса
Чувствительный элемент на основе магнитоимпеданса

 

H01L43/00 - Приборы с использованием гальваномагнитных или аналогичных магнитных эффектов; способы и устройства, предназначенные специально для изготовления и обработки этих приборов или их частей (приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированных на общей подложке или внутри нее, H01L 27/00; приборы с поверхностным барьером или потенциальным барьером, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, управляемые изменением магнитного поля, H01L 29/82)

Владельцы патента RU 2561232:

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ИНСТИТУТ ФИЗИКИ им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук (RU)

Использование: для создания новых элементов, необходимых для хранения, обработки и передачи данных. Сущность изобретения заключается в том, что чувствительный элемент на основе эффекта магнитоимпеданса включает немагнитную подложку, слой диэлектрика и контакты и имеет СРР геометрию, где в качестве подложки используют n-Si, в качестве диэлектрика используют SiO2 и металлические электроды в виде полос, нанесенных на SiO2 и нижнюю часть полупроводника n-Si, и поведение магнитоимпеданса обусловлено процессами перезарядки поверхностных состояний на границе диэлектрик/полупроводник при приложенном к структуре переменном напряжении. Технический результат: обеспечение возможности реализации большой величины МИ эффекта в МДП структуре при использовании СРР геометрии. 4 ил.

 

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при создании новых элементов, необходимых для хранения, обработки и передачи данных.

Магнитный импеданс (МИ) - это эффект изменения комплексного сопротивления, Z=R+iX (как действительной, R, так и мнимой части, X), ферромагнитного проводника при протекании через него переменного тока под действием внешнего магнитного поля.

В 1994 году было обнаружено, что в некоторых магнитомягких материалах относительное изменение импеданса превышает 100% в сравнительно малых магнитных полях (менее 1-10 Э) [Meydan Т. Application of amorphous materials to sensors. J Magn Magn Mater 1995; 133:525-32]. Такая разновидность МИ получила название «Гигантский магнитный импеданс» (ГМИ). Чувствительность ГМИ к внешнему магнитному полю на сегодняшний день достигает 500%/Э, что превышает чувствительность всех других известных эффектов.

Начиная с первой публикации эффекта ГМИ, несколько групп исследователей сосредоточились на том, чтобы улучшать чувствительность и размер датчиков [R. Beach and A. Berkowitz, "Giant Magnetic Field Dependent Impedance of Amorphous FeCoSiB Wire," Applied Physics Letters, Vol. 64, No. 26, 1994, pp. 3652-3654].

Недостаток этих устройств заключается в габаритах устройств, т.к. датчики ГМИ в современных устройствах требуют производства миниатюрных сенсоров на основе тонких пленок, связанных с полупроводниковой электроникой.

Наиболее близким к заявляемому изобретению является сенсорный элемент на основе магнитоимпеданса [заявка WO 2010097932A1, МПК G01R 33/02, опубл. 02.09.2010 (прототип)], содержащий немагнитную подложку, слой диэлектрика и контакты. Прототип показывает высокую чувствительность к магнитному полю.

Однако данный элемент основан на эффекте магнитоимпеданса, возникающего за счет скин-эффекта, представлен в планарной геометрии, и, кроме того, прототип представляет собой аморфный провод, что усложняет производство и использование элемента.

Технический результат изобретения заключается в реализации большой величины МИ эффекта в МДП (магнетик/диэлектрик/полупроводник) структуре при использовании CPP (current perpendicular to plane) геометрии, при которой ток перпендикулярен плоскости интерфейсов структуры, и в возможности эффективного управления величиной МИ эффекта током смещения, протекающем через структуру.

Указанный технический результат достигается тем, что в чувствительном элементе на основе эффекта магнитоимпеданса, включающем немагнитную подложку, слой диэлектрика и контакты, новым являет то, что имеет он СРР геометрию, где в качестве подложки используют n-Si, в качестве диэлектрика используют SiO2 и металлические электроды в виде полос, нанесенных на SiO2 и нижнюю часть полупроводника n-Si, и поведение магнитоимпеданса обусловлено процессами перезарядки поверхностных состояний на границе диэлектрик/полупроводник при приложенном к структуре переменном напряжении.

В гибридной структуре металл/диэлектрик/полупроводник возникает эффект гигантского магнитоимпеданса за счет принципиально нового механизма благодаря наличию поверхностных состояний на границе диэлектрик/полупроводник, которые участвуют в процессах перезарядки при воздействии на структуру переменного напряжения. Действие магнитного поля сводится, главным образом, к сдвигу уровней поверхностных состояний на границе диэлектрик/полупроводник. Кроме того, при определенном выборе величины тока смещения возможно влияние поля на вероятность туннелирования электронов через потенциальный барьер между поверхностными состояниями и ферромагнитным электродом.

Отличия заявляемого устройства от наиболее близкого аналога заключаются в том, что эффект гигантского магнитоимпеданса возникает за счет наличия поверхностных состояний на границе диэлектрик/полупроводник. И благодаря этому, за счет использования внешнего магнитного поля и тока смещения, в данном устройстве можно варьировать значения магнитосопротивления. Эти отличия позволяют сделать вывод о соответствии заявляемого технического решения критерию «новизна». Признаки, отличающие заявляемое техническое решение от прототипа, не выявлены в других технических решениях при изучении данной и смежной областей техники и, следовательно, обеспечивают заявляемому решению соответствие критерию «изобретательский уровень».

Изобретение поясняется чертежами. На фиг. 1 приведен пример конструкции предлагаемого МИ элемента. На фиг. 2 приведена температурная зависимость реальной части импеданса структуры Fe/SiO2/n-Si при частоте переменного тока 10 КГц и с приложенным внешним напряжением смещения. На фиг. 3 показаны полевые зависимости реальной (а) и мнимой (b) частей импеданса при разных температурах. На фиг. 4 представлена схематическая зонная диаграмма диода Шоттки на основе структуры Fe/SiO2/n-Si.

Чувствительный элемент на основе эффекта магнитоимпеданса состоит из подложки 1, слоя диэлектрика 2, слоя металла 3 и токовых контактов 4.

Устройство представляет собой гибридную структуру в виде диода металл/диэлектрик/полупроводник (МДП) с барьером Шоттки. Структура изготавливается на подложке монокристаллического Si. На поверхности подложки формируется слой диэлектрика, на который напыляется слой металла. Два токовых контакта в виде полос токопроводящего клея наносятся на поверхность железа и на нижнюю часть n-Si.

Работает устройство следующим образом. При воздействии на структуру внешнего магнитного поля Н изменяется значение сопротивления образца. Таким образом, за счет изменения внешнего магнитного поля можно осуществлять изменение магнитосопротивления структуры

M R = 100 % × R ( H ) R ( 0 ) R ( 0 ) .

При воздействии напряжения смещения Vb также изменяется значение сопротивление образца, а следовательно, магнитосопротивление структуры также меняет значение, фиг. 2. Таким образом, меняя Н и Vb, возможно более гибкое управление эффектом магнитоимпеданса.

В случае МДП структуры поведение импеданса обусловлено процессами перезарядки поверхностных состояний на границе диэлектрик/полупроводник. Эти процессы вызваны приложенным к структуре переменным напряжением Vac, что приводит к смещению уровня Ферми через границу энергетических уровней. Сам же эффект магнитоимпеданса в МДП диоде следует рассматривать с позиции влияния магнитного поля на энергетическую структуру поверхностных состояний на границе диэлектрик/полупроводник. Хорошо известно, что при изменении напряжения смещения на МДП структуре (Vb) положение энергетических уровней поверхностных состояний изменяется, следуя за смещением краев разрешенных зон полупроводника, в то время как положение уровня Ферми остается неизменным. При включении отрицательного смещения Vb<0 в приповерхностном слое МДП структуры образуется обедненная электронами область, которая действует как добавочный слой диэлектрика и, тем самым, понижает полную емкость структуры. Появление области обеднения при Vb<0 означает, что в области туннельного перехода возникает дополнительное электрическое поле, которое может оказывать влияние на процессы туннелирования между металлом и поверхностными состояниями. В случае положительного смещения Vb>0 влияния на поведение импеданса не обнаруживается. Это, по-видимому, объясняется тем, что основное падение напряжения приходится на объем полупроводника. Тем самым демонстрируется возможность управления при помощи смещения особенностями R(T) и X(T), связанными с поверхностными состояниями, и, следовательно, возможность управления величинами MR и MX, где

M X = 100 % × X ( H ) X ( 0 ) X ( 0 )

Пример практически реализованной структуры соответствует фиг. 1, где 1 - подложка n-Si; 2 - слой SiO2; 3 - слой Fe и 4 - электроды. Такая структура Fe/SiO2/n-Si была изготовлена следующим образом. Подложка n-Si была очищена методом Шираки. На поверхности подложки методом химического окисления формировался слой SiO2, на который нанесен слой Fe методом термического испарения. Контакты были нанесены на поверхность железа и на нижнюю часть n-Si(100) при помощи двухкомпонентного токопроводящего клея. Изменение действительной части импеданса для Fe/SiO2/n-Si представлено на фиг. 2. Изменение в поведении R(T) при включении поля позволяет понять необычное на первый взгляд поведение действительной части импеданса при изменении H (R(H)) при фиксированной температуре, фиг. 3(а). Характер поведения R(H) зависит от того, на каком участке R(T) находится система при H=0, это положение, в свою очередь, полностью определяется температурой. Фиг. 3(а) демонстрирует, что в зависимости от выбора температуры можно реализовать положительное магнитосопротивление, отрицательное магнитосопротивление или даже смену знака магниторезистивного эффекта при определенной величине H.

Магнитосопротивление (MR) мы определяем здесь как

M R = 100 % × R ( H ) R ( 0 ) R ( 0 ) .

В случае влияния H на (X(H) ситуация более простая (фиг. 3(b)), поскольку в магнитном поле происходит сдвиг X(T) в более высокие температуры, реализуется только

M X = 100 % × X ( H ) X ( 0 ) X ( 0 ) .

От температуры зависит величина MX и характер поведения X(H).

Можно заключить, что в поле ES сдвигаются в сторону от EC, фиг. 4, меняется, хоть и незначительно, и вид плотности функции поверхностных состояний N(E). Действительно, в этом случае уровень Ферми, который в полупроводнике n-типа при понижении температуры сдвигается в сторону EC, «достигнет» положения энергетических уровней поверхностных состояний при более высоких температурах, чем в отсутствие магнитного поля. Поэтому и пик R(T) в поле также наблюдается при более высоких температурах. Изменение N(E) проявляется в увеличении высоты пика R(T) и в изменении его формы.

Чувствительный элемент на основе эффекта магнитоимпеданса, включающий немагнитную подложку, слой диэлектрика и контакты, отличающийся тем, что имеет СРР геометрию, где в качестве подложки используют n-Si, в качестве диэлектрика используют SiO2 и металлические электроды в виде полос, нанесенных на SiO2 и нижнюю часть полупроводника n-Si, и поведение магнитоимпеданса обусловлено процессами перезарядки поверхностных состояний на границе диэлектрик/полупроводник при приложенном к структуре переменном напряжении.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области магнитных наноэлементов на основе многослойных металлических наноструктур с магниторезистивным эффектом и может быть использовано для преобразования высокочастотного магнитного поля в электрический сигнал.

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при измерении величины индукции магнитного поля в условиях криогенных температур. .

Изобретение относится к измерительной технике и представляет собой сверхчувствительный интеллектуальный магнитометрический датчик (МИ датчик) с расширенным диапазоном рабочих температур области. Датчик включает магнитоимпедансный элемент (МИ элемент) с двумя катушками, выполненными одна над другой, аналоговый ключ, усилитель, температурный датчик, микроконтроллер, блок терморезистора. МИ элемент с двумя катушками позволяет расширять измерительную шкалу, проводить калибровку датчика. Микроконтроллер выполняет оцифровку данных, управляет всеми узлами датчика (МИ элементом, аналоговым ключом, усилителем), проводит математическую обработку данных. Температурный датчик и блок терморезистора обеспечивают работу датчика в широком температурном диапазоне. Техническим результатом является повышение функциональных возможностей МИ датчика (интеллектуализация), расширение пределов измерительной шкалы и диапазона рабочих температур, повышение точности измерений, получение дополнительной информации о температуре. 6 ил.

Изобретение относится к измерительной технике, представляет собой магниторезистивный преобразователь и может быть использовано в конструкции датчиков магнитного поля. Преобразователь содержит кремниевый кристалл с выполненными в нем по меньшей мере двумя заглублениями, в которых размещены планарные металлические концентраторы. Планарные металлические концентраторы выполнены длиной L и толщиной b, причем величина зазора между концентраторами h составляет примерно не более чем 2 толщины концентратора b и не менее чем 0,06 длины концентратора L. На поверхности кристалла в области между заглублениями размещен магниточувствительный элемент. Над магниточувствительным элементом размещена планарная катушка первого типа, выполненная с возможностью формирования магнитного поля вдоль оси легкого намагничивания магниторезистивных полосок, отделенная от магниточувствительного элемента первым слоем диэлектрика, над которой размещена планарная катушка второго типа, выполненная с возможностью формирования магнитного поля, перпендикулярного оси легкого намагничивания магниторезистивных полосок, отделенная от планарной катушки первого типа вторым слоем диэлектрика. Техническим результатом является увеличение относительной чувствительности к слабому магнитному полю (до 1 мТл) и повышение соотношения сигнал/шум. 7 з.п. ф-лы, 4 ил.
Наверх