Способ обработки обратной стороны кремниевых подложек на основе полировальной подушки


 

H01L21/00 - Способы и устройства для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей (способы и устройства, специально предназначенные для изготовления и обработки приборов, относящихся к группам H01L 31/00- H01L 49/00, или их частей, см. эти группы; одноступенчатые способы изготовления, содержащиеся в других подклассах, см. соответствующие подклассы, например C23C,C30B; фотомеханическое изготовление текстурированных поверхностей или поверхностей с рисунком, материалы или оригиналы для этой цели; устройства, специально предназначенные для этой цели вообще G03F)[2]

Владельцы патента RU 2562740:

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ДГТУ) (RU)

Использование: для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Сущность изобретения заключается в том, что способ обработки обратной стороны кремниевых подложек на основе полировальной подушки включает обработку поверхности кремниевых подложек, поверхность подложки подвергается обработке полировальной подушкой, пропитанной суспензией, в два этапа: 1. Алмазная суспензия марки 3 до 13 класса чистоты поверхности, толщина удаляемого слоя 28±2 мкм, скорость удаления 0,8±0,1 мкм/мин; 2. Алмазная суспензия марки 1 до 14 класса чистоты поверхности, толщина удаляемого слоя 6±1 мкм, скорость удаления 1,0±0,1 мкм/мин, где глубина нарушенного слоя составляет 0,6 мкм. Технический результат: обеспечение чистой поверхности кремниевых подложек без сколов и царапин и повреждений обрабатываемой поверхности.

 

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС), в частности к способу обработки кремниевых подложек для снятия припуска с помощью полировальной подушки.

Известны различные способы обработки, которые широко применяются для полирования на мягких подложках: из фетра, велюра, или батиста, пропитанных абразивными пастами на жировой основе с крупностью зерен абразива от 3 до 0,25 мкм [1].

Основным недостатком этих способов является то, что при обработке поверхности кремния образуются микротрещины, которые в дальнейшем приводят к созданию сети трещин, и вызывают сколы отдельных участков.

Целью изобретения является обеспечение чистой поверхности кремниевых подложек без сколов и царапин, и повреждений обрабатываемой поверхности.

Поставленная цель достигается использованием полировальных подушек, пропитанныхсуспензией, позволяющей проводить высокоточную и высокоэффективную обработку кремниевых подложек.

Сущность способа заключается в том, что поверхность кремниевой подложки подвергается обработке полировальной подушкой, пропитанной суспензией, в два этапа:

1. Алмазная суспензия марки 3 до 13 класса чистоты поверхности, толщина удаляемого слоя 28±2 мкм, скорость удаления 0,8±0,1 мкм/мин;

2. Алмазная суспензия марки 1 до 14 класса чистоты поверхности, толщина удаляемого слоя 6±1 мкм, скорость удаления 1,0±0,1 мкм/мин.

Контроль качества полировки определяется по глубине нарушенного слоя 0,6 мкм.

Предлагаемый способ отличается от прототипа тем, что полировальная подушка позволяет создать паутину волнообразной структурой, трехмерную направленность, при которой обеспечивается хорошая однородность.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами:

ПРИМЕР 1. Процесс проводят с предварительной химической обработкой поверхности кремниевых подложек. Поверхность кремниевой подложки подвергается обработке полировальной подушкой, пропитанной суспензией, в два этапа:

1. Алмазная суспензия марки 3 до 13 класса чистоты поверхности, толщина удаляемого слоя 24±2 мкм, скорость удаления 0,5±0,1 мкм/мин;

2. Алмазная суспензия марки 1 до 14 класса чистоты поверхности, толщина удаляемого слоя 10±1 мкм, скорость удаления 0,7±0,1 мкм/мин.

Контроль качества полировки поверхности кремниевой подложки определяется глубиной нарушенного слоя 1,0 мкм.

ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят в два этапа:

1. Алмазная суспензия марки 3 до 13 класса чистоты поверхности, толщина удаляемого слоя 26±2 мкм, скорость удаления 0,7±0,1 мкм/мин;

2. Алмазная суспензия марки 1 до 14 класса чистоты поверхности, толщина удаляемого слоя 8±1 мкм, скорость удаления 0,9±0,1 мкм/мин.

Контроль качества полировки поверхности кремниевой подложки определяется глубиной нарушенного слоя 0,8 мкм.

ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят в два этапа:

1. Алмазная суспензия марки 3 до 13 класса чистоты поверхности, толщина удаляемого слоя 28±2 мкм, скорость удаления 0,8±0,1 мкм/мин;

2. Алмазная суспензия марки 1 до 14 класса чистоты поверхности, толщина удаляемого слоя 6±1 мкм, скорость удаления 1,0±0,1 мкм/мин.

Контроль качества полировки поверхности кремниевой подложки определяется глубиной нарушенного слоя 0,6 мкм.

Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипами позволяет получить поверхность кремниевых подложек чистой, без сколов и царапин. Полировальные подушки позволяют проводить высокоточное полирование разнообразных полупроводниковых кристаллических материалов, металлов, стекла и др. Подушки полировальные специально разрабатываются для высокоточных отделочных работ, при проведении которых не образуются повреждения и царапины на поверхности обрабатываемой кремниевой подложки.

Литература

1. Пичугин И.Г., Таиров Ю.М. Технология полупроводниковых приборов. - М.: Высш. шк., 1984. - 288 с.

Способ обработки обратной стороны кремниевых подложек на основе полировальной подушки, включающий обработку поверхности кремниевых подложек, отличающийся тем, что поверхность подложки подвергается обработке полировальной подушкой, пропитанной суспензией, в два этапа: 1. Алмазная суспензия марки 3 до 13 класса чистоты поверхности, толщина удаляемого слоя 28±2 мкм, скорость удаления 0,8±0,1 мкм/мин; 2. Алмазная суспензия марки 1 до 14 класса чистоты поверхности, толщина удаляемого слоя 6±1 мкм, скорость удаления 1,0±0,1 мкм/мин, где глубина нарушенного слоя составляет 0,6 мкм.



 

Похожие патенты:

Использование: для производства полупроводниковых приборов, в частности в технологии изготовления биполярных транзисторов с низкой плотностью дефектов. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления полупроводникового прибора включает нанесение эпитаксиального слоя, формирование областей эмиттера, коллектора и базы, которую формируют легированием углеродом концентрацией 2,1-2,4·1019 см-3 с последующим отжигом при температуре 500-550°C в течение 50-60 с.

Изобретение относится к области силовой электроники. Кассета для сплавления элементов конструкции полупроводниковых диодов содержит основание, выполненное из пластины углерода, в котором по образующей окружности термокомпенсатора изготовлены п-образные полости глубиной h=(1-2) диаметра керамических стержней.

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в производстве детекторов электромагнитных излучений различной длины. Сущность изобретения заключается в том, что наносят слой полупроводникового материала требуемой толщины на керамическую, стеклянную или полимерную непроводящую пластину.

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к созданию тонкопленочных элементов матрицы неохлаждаемого типа в тепловых приемниках излучения (болометров) высокой чувствительности. Способ получения чувствительного элемента матрицы теплового приемника на основе оксида ванадия представляет собой нанесение металлической пленки ванадия и электродов методами магнетронного распыления и последующей лифт-офф литографии на диэлектрическую подложку.

Использование: для создания материалов с новыми свойствами и способа обработки поверхности твердого материала с получением на этой поверхности структур с чешуйками субмикронной толщины и микронными размерами и/или с субмикронными трещинами и щелями между упомянутыми чешуйками и/или участками поверхности с характерными субмикронными перепадами по высоте рельефа.

Изобретение относится к способу образования прозрачного легированного слоя, содержащего оксид цинка, на полимерной подложке для оптоэлектронных устройств и прозрачному легированному слою.

Группа изобретений относится к области электронной техники, микро- и наноэлектроники и может быть использована для локального определения концентрации свободных носителей заряда в отдельно взятых полупроводниковых нанообъектах и наноструктурах, а также для контроля качества материалов, применяемых в полупроводниковом приборостроении.

Изобретение относится к технологии получения изделий оптоэлектроники и солнечной энергетики, а именно к раствору для гидрохимического осаждения полупроводниковых пленок сульфида индия(III).

Изобретение относится к области вычислительной техники, а именно к области цифровой обработки сигналов. Технический результат - снижение энергопотребления на единицу производительности и повышение производительности процессора.

Изобретение относится к устройству для перемещения подложек согласно технологии производства микропроцессорной техники без образования частиц в миниатюрных рабочих средах в условиях чистого помещения.

Изобретение относится к технологии присоединения элемента интегральной схемы (чип) к поверхности, которая содержит проводящие рисунки. Технический результат - создание способа и устройства для быстрого, плавного и надежного подключения чипа к печатной проводящей поверхности за счет точечного характера передачи тепла и приложения давления к поверхности в точках контакта. Достигается это тем, что сначала чип (201) нагревают до первой температуры, более низкой, чем температура, которую чип может выдерживать без повреждения под действием тепла. Нагретый чип прижимают к печатной проводящей поверхности с первым прижимающим усилием. Совместного воздействия первой температуры и первого прижимающего усилия достаточно для того, чтобы, по меньшей мере, частично расплавить материал печатной проводящей поверхности и/или соответствующей точки контакта на чипе (205, 206). 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 13 ил.
Наверх