Мощный полевой транзистор свч



Мощный полевой транзистор свч
Мощный полевой транзистор свч
Мощный полевой транзистор свч

 


Владельцы патента RU 2563545:

Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина") (RU)

Изобретение относится к электронной технике СВЧ. В мощном полевом транзисторе СВЧ на полупроводниковой гетероструктуре упомянутая полупроводниковая гетероструктура выполнена в виде последовательности следующих основных слоев, по меньшей мере, одного буферного слоя GaAs толщиной не менее 200 нм, группы проводящих слоев, формирующих канал полевого транзистора, в составе собственно канального слоя InyGa1-yAs толщиной 12-18 нм и, по меньшей мере, двух δn-слоев, легированных донорной примесью, и двух спейсерных i-слоев AlxGa1-xAs толщиной каждый 1-3 нм, попарно расположенных по обе стороны собственно канального слоя, двух групп барьерных слоев AlxGa1-xAs, каждая в виде i-p-i системы барьерных слоев, одна из которых расположена с одной стороны группы проводящих слоев - подложечная, другая - с противоположной стороны - затворная, при этом барьерные слои в каждой i-p-i системе имеют толщину (100-200, 4-15, 2-10) нм в подложечной, (2-10, 4-10, 4-15) нм в затворной соответственно, уровень легирования акцепторной примесью (4-20)×1018 см-2 соответственно, барьерного слоя i-GaAs толщиной 5-30 нм, слоя омического контакта n+-GaAs толщиной (10-60) нм электродов истока и стока, при этом электрод затвора выполнен длиной не более 0,5 мкм. Технический результат - повышение выходной мощности и коэффициента усиления. 2 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 табл.

 

Изобретение относится к электронной технике СВЧ, а именно к мощным полевым транзисторам СВЧ на полупроводниковых гетероструктурах, и предназначено для разработки и производства широкого круга устройств электронной техники СВЧ, в том числе радиолокационных устройств.

Существенный прогресс в части повышения быстродействия и выходной мощности СВЧ, выделяемой в нагрузке, включенной на выходе полевого транзистора СВЧ, обеспечило изобретение так называемых транзисторов с высокой электронной подвижностью (НЕМТ - High Electron Mobility Transistor). Область с электронной проводимостью в таких транзисторах состоит из легированного донорными примесями широкозонного и нелегированного узкозонного, но заполненного электронами, полупроводниковых слоев.

Это обеспечивает существенное увеличение быстродействия таких полевых транзисторов СВЧ (до 100 ГГц) и увеличение удельной выходной мощности СВЧ до 1÷1,1 Вт/мм на частоте 10 ГГц.

Известен полевой транзистор на полупроводниковой гетероструктуре, включающий монокристаллическую подложку из нитрида алюминия (AlN), темплетный слой AlN, канальный слой нитрида галлия (GaN) и барьерный слой AlxGa1-xN, в котором с целью увеличения рабочих токов и выходной мощности полевых транзисторов посредством увеличения проводимости канального слоя полупроводниковой гетероструктуры, между темплетным и канальным слоями расположены один над другим соответственно переходный слой AlyGa1-yΝ, буферный слой AlzGa1-zΝ, значение у на границе с темплетным слоем составляет 1, а на границе с буферным слоем равно значению z буферного слоя, при этом 0,3≤x≤0,5, a 0,1≤z≤0,5.

При этом буферный слой на границе с канальным слоем легирован Si на глубину 50-150 Å [1].

Данный транзистор при высокой выходной мощности имеет коэффициент усиления, по меньше мере, в два раза меньше, чем обычные транзисторы на полупроводниковой гетероструктуре арсенида галлия.

Известен полевой транзистор СВЧ (полевой транзистор) на полупроводниковой гетероструктуре, содержащий высокоомную подложку и, по меньшей мере, один слой широкозонного и один слой узкозонного полупроводниковых материалов с согласованными или несогласованными кристаллическими решетками, а также электроды истока, затвора, стока, расположенные на наружной поверхности полупроводникового материала, в котором с целью улучшения линейности характеристик полевого транзистора и уменьшения влияния флуктуаций концентрации и подвижности носителей тока в канале полевого транзистора на параметры его эквивалентной схемы, а также снижения модуляционных шумов устройств СВЧ на упомянутых транзисторах, часть слоя полупроводникового материала, расположенная на расстоянии от электрода затвора, превышающем 30 нм, выполнена с концентрацией легирующей примеси большей 3×1017 см-3 и поверхностной плотностью этой примеси большей 1012 см-2, а средняя концентрация легирующей примеси между упомянутой частью слоя полупроводникового материала и электродом затвора не превышает 3×1017 см-3 [2] - прототип.

Данный полевой транзистор из-за большого расстояния от электрода затвора до канала и низкой подвижности электронов в канале не позволяет получать высокий уровень выходной мощности и высокий коэффициент усиления.

Техническим результатом изобретения является повышение выходной мощности и коэффициента усиления мощного полевого транзистора СВЧ.

Указанный технический результат достигается заявленным мощным полевым транзистором СВЧ на полупроводниковой гетероструктуре, содержащим полупроводниковую подложку и последовательность, по меньшей мере, одного слоя широкозонного и одного слоя узкозонного материала с заданными характеристиками полупроводниковой гетероструктуры типа AlGaAs-InGaAs-GaAs, электроды истока, затвора, стока, расположенные на наружной поверхности полупроводниковой гетероструктуры, в котором

упомянутая полупроводниковая гетероструктура выполнена в виде последовательности следующих основных слоев,

по меньшей мере, одного буферного слоя GaAs толщиной не менее 200 нм,

группы проводящих слоев, формирующих канал полевого транзистора, в составе собственно канального слоя InyGa1-yAs толщиной 12-18 нм и,

по меньшей мере, двух δn-слоев, легированных донорной примесью с поверхностной плотностью (2-10)×1012 см-2, и двух спейсерных i-слоев AlxGa1-xAs толщиной каждый 1-3 нм, попарно расположенных по обе стороны собственно канального слоя,

двух групп барьерных слоев AlxGa1-xAs, каждая в виде i-p-i системы барьерных слоев, одна из которых расположена с одной стороны группы проводящих слоев - подложечная, другая - с противоположной стороны - затворная, при этом барьерные слои в каждой i-p-i системе имеют толщину (100-200, 4-15, 2-10) нм в подложечной, (2-10, 4-10, 4-15) нм в затворной соответственно, уровень легирования акцепторной примесью (4-20)×1018 см-3 соответственно,

барьерного слоя i-GaAs толщиной 5-30 нм,

слоя омического контакта n+-GaAs толщиной (10-60) нм электродов истока и стока,

при этом электрод затвора выполнен длиной не более 0,5 мкм.

Значения химических элементов x, y соответственно в каждом из упомянутых слоев полупроводниковой гетероструктуры определяются неравенствами 0,25<x<0,4 и 0,15<y<0,2.

В упомянутой группе проводящих слоев, формирующих канал полевого транзистора, между каждым из спейсерных слоев i-AlxGa1-xAs и собственно канальным слоем InyGa1-yAs могут быть выполнены переходные слои.

Раскрытие сущности изобретения.

Совокупность существенных признаков заявленного мощного полевого транзистора СВЧ на полупроводниковой гетероструктуре типа AlGaAs-InGaAs-GaAs, когда последняя имеет, в том числе, следующие основные слои, выполненные и расположенные указанным образом, а именно:

по меньшей мере, одного буферного слоя GaAs толщиной не менее 200 нм,

группы проводящих слоев, формирующих канал полевого транзистора, в составе собственно канального слоя InyGa1-yAs толщиной 12-18 нм и, по меньшей мере, двух δn-слоев, легированных донорной примесью с поверхностной плотностью доноров (2-10)×1012 см-2, и двух спейсерных i-слоев AlxGa1-xAs толщиной каждый 1-3 нм, попарно расположенных по обе стороны собственно канального слоя,

двух групп барьерных слоев AlxGa1-xAs, каждая в виде i-p-i системы барьерных слоев, одна из которых расположена с одной стороны группы проводящих слоев - подложечная, другая - с противоположной стороны - затворная, при этом барьерные слои в каждой i-p-i системе имеют толщину (100-200, 4-15, 2-10) нм в подложечной, (2-10, 4-10, 4-15) нм в затворной соответственно, уровень легирования акцепторной примесью (4-20)×1018 см-3 соответственно.

Это обеспечивает формирование в собственно канальном слое InyGa1-yAs и спейсерных i-слоях AlxGa1-xAs, благодаря донорным и акцепторным примесям двух ôn-слоев, легированных донорной примесью AlxGa1-xAs, и барьерных p+-слоев AlxGa1-xAs, разделенных барьерными слоями i-AlxGa1-xAs, дополнительных потенциальных барьеров, которые локализуют электроны и препятствуют поперечному переносу электронов в барьерные слои i-AlxGa1-xAs и тем самым обеспечивают уменьшение рассеяния электронов и тем самым увеличение подвижности электронов в слабых электрических полях и, как следствие, повышение выходной мощности и коэффициента усиления мощного полевого транзистора СВЧ.

Буферный слой GaAs толщиной 200 нм является минимальным, который обеспечивает минимальную плотность дефектов в канале полевого транзистора и соответственно сохранение высокой подвижности электронов и, как следствие, повышение выходной мощности и коэффициента усиления.

Выполнение слоя омического контакта n+-GaAs толщиной 10-60 нм электродов истока и стока обеспечивает их минимальное сопротивление и, как следствие, - повышение выходной мощности коэффициента усиления.

Выполнение электрода затвора длиной не более 0,5 мкм в совокупности с указанной полупроводниковой гетероструктурой обеспечивает повышение выходной мощности и коэффициента усиления.

Выполнение буферного слоя GaAs толщиной менее 200 нм нежелательно из-за резкого увеличения плотности дефектов в канале полевого транзистора, соответственно, снижения подвижности электронов, а более 200 нм ограничено конструкционной необходимостью и техническими возможностями.

Выполнение в группе проводящих слоев:

собственно канального слоя InyGa1-yAs толщиной как менее 12 нм, так и более 18 нм нежелательно, в первом случае - из-за уменьшения поверхностной плотности электронов в квантовой яме собственно канального слоя и соответственно падения рабочего тока, во втором - из-за деления одной упомянутой квантовой ямы на две связанные и соответственно ухудшения управляемости электронами в собственно канальном слое и соответственно уменьшения коэффициента усиления,

двух δn-слоев, легированных донорной примесью, и двух спейсерных i-слоев AlxGa1-xAs каждый

толщиной как менее 1 нм, так и более 3 нм нежелательно, в первом случае - из-за падения подвижности электронов, во втором - из-за уменьшения поверхностной плотности электронов в квантовой яме собственно канального слоя,

двух δn-слоев, легированных донорной примесью с поверхностной плотностью как менее 2×1012 см-2, так и более 10×1012 см-2 нежелательно, в первом случае - из-за резкого уменьшения проводимости канала, во втором - из-за появления паразитных каналов проводимости в спейсерных слоях и барьерных слоях, прилегающих к спейсерным слоям.

Выполнение двух групп барьерных слоев AlxGa1-xAs, каждая в виде i-p-i системы барьерных слоев:

в подложечной толщиной -

i-слоя как менее 100 нм, так и более 200 нм нежелательно, в первом случае - из-за уменьшения высоты потенциального барьера и возможности движения электронов по паразитному каналу проводимости, во втором не имеет смысла из-за увеличения стоимости изделия при отсутствии полезного эффекта,

p-слоя как менее 4 нм, так и более 15 нм нежелательно, в первом случае не обеспечивает потенциальный барьер достаточной высоты (более 0,5 эВ), во втором - из-за и возникновения паразитного канала проводимости,

i-слоя как менее 2 нм, так и более 10 нм нежелательно, в первом случае не обеспечивает потенциальный барьер достаточной высоты, во втором - из-за возникновения паразитного канала проводимости;

в затворной толщиной -

i-слоя как менее 2 нм, так и более 10 нм нежелательно, в первом случае не обеспечивает потенциальный барьер достаточной высоты, во втором - из-за возникновения паразитного канала проводимости,

p-слоя как менее 4 нм, так и более 10 нм нежелательно, в первом случае не обеспечивает потенциальный барьер достаточной высоты, во втором - из-за возникновения паразитного канала проводимости,

i-слоя как менее 4 нм, так и более 15 нм нежелательно, в первом случае - из-за уменьшения концентрации электронов в канале, во втором -из-за ухудшения управления концентрацией электронов в канале.

Уровнем легирования акцепторной примесью как менее 4×1018 см-3, так и более 20×1018 см-3 нежелательно, в первом случае не обеспечивает потенциальный барьеры достаточной высоты и резкости, во втором - из-за повышения плотности дефектов.

Выполнение барьерного слоя i-GaAs толщиной менее 5 нм недопустимо из-за уменьшения пробивного напряжения, более 30 нм нежелательно из-за ухудшения управления электронами.

Выполнение слоя омического контакта n+-GaAs электродов истока и стока толщиной как менее 10 нм, так и более 60 нм нежелательно, в первом случае - из-за роста омического сопротивления, во втором - из-за технологических сложностей при изготовлении канала полевого транзистора.

Выполнение электрода затвора длиной более 0,5 мкм нежелательно из-за увеличения времени пролета электронов под электродом затвора и соответственно уменьшения коэффициента усиления.

Значение химических элементов x, y соответственно в каждом из упомянутых слоев полупроводниковой гетероструктуры как менее 0,25 и 0,15, так и более 0,4 и 0,2 соответственно нежелательно из-за существенного падения подвижности электронов для данного типа полупроводниковых гетероструктур.

Изобретение поясняется чертежами.

На фиг. 1а дан фрагмент заявленного мощного полевого транзистора СВЧ, где:

- полупроводниковая подложка - 1,

- полупроводниковая гетероструктура типа AlGaAs-InGaAs-GaAs - 2,

- электроды истока, затвора, стока 3, 4, 5 соответственно, расположенные на наружной поверхности полупроводниковой гетероструктуры.

При этом упомянутая полупроводниковая гетероструктура выполнена в виде последовательности следующих основных слоев:

- буферного слоя GaAs - 6,

- группы проводящих слоев - 7, формирующих канал полевого транзистора, в составе собственно канального слоя InyGa1-yAs, двух δn-слоев, легированных донорной примесью, и двух спейсерных i-слоев AlxGa1-xAs, попарно расположенных по обе стороны собственно канального слоя,

- двух групп барьерных слоев AlxGa1-xAs, каждая в виде i-p-i системы барьерных слоев, одна из которых расположена с одной стороны группы проводящих слоев - подложечная - 8, другая - с противоположной стороны - затворная - 9,

- барьерного слоя i-GaAs - 10,

- слоя омического контакта n+-GaAs - 11 электродов истока и стока.

На фиг. 1б даны зонные диаграммы в равновесном состоянии (φG=0), при обратном смещении на электроде затвора (φG<0) и при прямом смещении на электроде затвора (φG>0) в области поперечного сечения электрода затвора, где:

EC0 - положение дна зоны проводимости в равновесном состоянии полевого транзистора при потенциале электрода затвора φG=0,

EC - положение дна зоны проводимости в неравновесных состояниях полевого транзистора при положительном и отрицательном потенциале электрода затвора,

EF0 - положение уровня Ферми при равновесном состоянии полевого транзистора и потенциале электрода затвора φG=0.

На фиг. 2 даны вольт-амперные характеристики заявленного мощного полевого транзистора СВЧ (кривая 1) и прототипа (кривая 2).

Примеры конкретного выполнения заявленного мощного полевого транзистора СВЧ.

Пример 1

Мощный полевой транзистор СВЧ выполнен на монокристаллической полуизолирующей подложке арсенида галлия 1 толщиной 100 мк.

Полупроводниковая гетероструктура типа AlGaAs-InGaAs-GaAs 2 выполнена в виде последовательности следующих основных слоев:

по меньшей мере, одного буферного слоя GaAs 6 толщиной 250 нм,

группы проводящих слоев 7, формирующих канал полевого транзистора, в составе собственно канального слоя InyGa1-yAs толщиной 15 нм и, по меньшей мере, двух δn-слоев, легированных донорной примесью с поверхностной плотностью доноров 6×1012 см-2, и двух спейсерных i-слоев AlxGa1-xAs толщиной каждый 2 нм, попарно расположенных по обе стороны собственно канального слоя,

двух групп барьерных слоев AlxGa1-xAs, каждая в виде i-p-i системы барьерных слоев, одна из которых расположена с одной стороны группы проводящих слоев - подложечная 8, другая - с противоположной стороны - затворная 9, при этом барьерные слои в каждой i-p-i системе имеют толщину 150, 9,5, 6 нм, в подложечной, 6, 7, 9,5 нм в затворной соответственно, уровень легирования акцепторной примесью 12×1018 см-3 соответственно,

барьерного слоя i-GaAs 10 толщиной 17,5 нм,

слоя омического контакта n+-GaAs 11 толщиной 35 нм электродов истока 3 и стока 5,

электрод затвора 4 выполнен длиной 0,25 мкм.

Примеры 2-5

Изготовлены образцы мощного полевого транзистора СВЧ аналогично примеру 1, но при других конструкционных параметрах согласно формуле изобретения (примеры 2-3) и за ее пределами (примеры 4-5).

Пример 6 соответствует образцу прототипа.

На изготовленных образцах мощных полевых транзисторов СВЧ была измерена выходная мощность, коэффициент усиления на рабочей частоте 10 ГГц (Стенд для измерения электрических параметров в режиме непрерывного и импульсного сигнала СВЧ КГ-4-33-81).

Данные сведены в таблицу.

Из представленных фиг. 1б, фиг. 2 и таблицы видно что, а именно:

из фиг. 1б - зонные диаграммы, образованные зарядами легирующих примесей, находящихся в системах i-p-i двух групп барьерных слоев подложечной 8 и затворной 9, содержат дополнительные локализующие потенциальные барьеры, способствующие увеличению концентрации электронов в канале полевого транзистора и увеличению подвижности электронов и, соответственно, повышению выходной мощности и коэффициента усиления;

из фиг. 2 - при одинаковом напряжении перекрытия UP заявленный мощный полевой транзистор СВЧ превосходит прототип по величине максимального тока электрода стока (JDmax), который достигается при прямом смещении на электроде затвора и, соответственно, и по величине рабочего тока (JD(0)).

Из таблицы - образцы мощных полевых транзисторов СВЧ, изготовленные согласно заявленной формуле изобретения, имеют выходную мощность порядка 1,45 Вт, коэффициент усиления порядка 11,0 дБ в отличие от образцов за пределами, указанными в формуле изобретения, выходная мощность которых составляет 0,8 Вт, коэффициент усиления -7 дБ (примеры 4-5), как и образца прототипа, выходная мощность которого - 0,5 Вт, коэффициент усиления - 6,0 дБ (пример 6).

Таким образом, заявленный мощный полевой транзистор СВЧ на полупроводниковой гетероструктуре типа AlGaAs-InGaAs-GaAs по сравнению с прототипом обеспечит повышение:

выходной мощности примерно на 190 процентов,

коэффициента усиления примерно на 80 процентов.

Источники информации

1. Патент РФ №2316076, МПК H01L 29/772, приоритет 14.11.2006 г., опубл. 27.01.2008 г.

2. Патент РФ №2093924, МПК H01L 29/772, приоритет 10.03.1993 г., опубл. 20.10.1997 г. - прототип.

1. Мощный полевой транзистор СВЧ на полупроводниковой гетероструктуре, содержащий полупроводниковую подложку и последовательность, по меньшей мере, одного слоя широкозонного и одного слоя узкозонного материала с заданными характеристиками полупроводниковой гетероструктуры типа AlGaAs-InGaAs-GaAs, электроды истока, затвора, стока, расположенные на наружной поверхности полупроводниковой гетероструктуры, отличающийся тем, что упомянутая полупроводниковая гетероструктура выполнена в виде последовательности следующих основных слоев, по меньшей мере, одного буферного слоя GaAs толщиной не менее 200 нм, группы проводящих слоев, формирующих канал полевого транзистора, в составе собственно канального слоя InyGa1-yAs толщиной 12-18 нм и, по меньшей мере, двух δn-слоев, легированных донорной примесью с поверхностной плотностью доноров (2-10)×1012 см-2, и двух спейсерных i-слоев AlxGa1-xAs толщиной каждый 1-3 нм, попарно расположенных по обе стороны собственно канального слоя, двух групп барьерных слоев AlxGa1-xAs, каждая в виде i-p-i системы барьерных слоев, одна из которых расположена с одной стороны группы проводящих слоев - подложечная, другая - с противоположной стороны - затворная, при этом барьерные слои в каждой i-p-i системе имеют толщину (100-200, 4-15, 2-10) нм в подложечной, (2-10, 4-10, 4-15) нм в затворной соответственно, уровень легирования акцепторной примесью (4-20)×1018 см-3 соответственно, барьерного слоя i-GaAs толщиной 5-30 нм, слоя омического контакта n+-GaAs толщиной (10-60) нм электродов истока и стока, при этом электрод затвора выполнен длиной не более 0,5 мкм.

2. Мощный полевой транзистор СВЧ по п. 1, отличающийся тем, что значения химических элементов x, y соответственно в каждом из упомянутых слоев полупроводниковой гетероструктуры определяются неравенствами 0,25<x<0,4, 0,15<y<0,2.

3. Мощный полевой транзистор СВЧ по п. 1, отличающийся тем, что в упомянутой группе проводящих слоев, формирующих канал полевого транзистора, между каждым из спейсерных слоев i-AlxGa1-xAs и собственно канальным слоем InyGa1-yAs могут быть выполнены переходные слои.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электронной технике СВЧ. В мощном полевом транзисторе СВЧ на полупроводниковой гетероструктуре упомянутая гетероструктура выполнена в виде последовательности следующих основных слоев: по меньшей мере одного буферного слоя GaAs толщиной не менее 200 нм, группы проводящих слоев, формирующих канал полевого транзистора, в составе собственно канального слоя InyGa1-yAs толщиной 12-20 нм и по меньшей мере двух δn-слоев, легированных донорной примесью, и двух спейсерных i-слоев AlxGa1-xAs, толщиной каждый 1-3 нм, двух групп барьерных слоев AlxGa1-xAs, одна из которых расположена с одной стороны группы проводящих слоев - подложечная, другая - с противоположной стороны - затворная, при этом подложечная группа барьерных слоев выполнена в виде акцепторно-донорной p-i-δn системы барьерных слоев, затворная группа барьерных слоев - в виде донорно-акцепторной δn-i-p системы барьерных слоев, при этом в каждой группе барьерных слоев i-слой выполнен толщиной 0,5-10 нм, p-слой выполнен с уровнем легирования, обеспечивающим высоту потенциальных барьеров 0,4-0,8 ширины запрещенной зоны AlxGa1-xAs, δn-слой выполнен с избыточным уровнем легирования, обеспечивающим разницу поверхностной плотности донорной и акцепторной примеси равной (1-10)×1012 см-2.

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники. Управление величиной тока в приборе с вертикальной структурой, содержащем проводящую область с n-типом проводимости (n-область), анод, который расположен на нижней стороне n-области, управляющий электрод, сформированный на верхней стороне n-области и образующий с ней барьер Шотки, и катод, расположенный на боковой поверхности n-области между анодом и управляющим электродом, осуществляется путем изменения площади и, следовательно, сопротивления омического контакта между катодом и n-областью.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к вертикальным полевым транзисторам с р-n переходом. .

Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано при создании элементной базы сверхпроводниковой микроэлектроники, в частности полностью сверхпроводниковых интегральных схем.

Изобретение относится к полевым транзисторам и предназначено для работы в преобразователях частоты миллиметрового диапазона длин волн. .

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, а более конкретно к полевым транзисторам с управляющим p-n-переходом (ПТУП). .

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к конструкции интегральных схем на основе полевых транзисторов. .

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к конструкции полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом (ТПУП). .

Изобретение относится к электронной технике. Полупроводниковая гетероструктура для мощного полевого транзистора СВЧ содержит на монокристаллической полуизолирующей подложке арсенида галлия последовательность полупроводниковых слоев каждый с заданными функциональными свойствами и техническими характеристиками - толщиной слоев, составом - качественным и количественным, концентрацией легирующей примеси.

Изобретение относится к экспериментальной медицине и может быть использовано при ранней диагностике и лечении опухолей, индуцированных в эксперименте. Для раннего МРТ выявления опухолей, инвазий и метастазов животному вводят комбинации МРТ-негативных контрастных нанопрепаратов с позитивными МРТ контрастными препаратами.

Изобретение относится к электронной технике СВЧ. В мощном полевом транзисторе СВЧ на полупроводниковой гетероструктуре упомянутая гетероструктура выполнена в виде последовательности следующих основных слоев: по меньшей мере одного буферного слоя GaAs толщиной не менее 200 нм, группы проводящих слоев, формирующих канал полевого транзистора, в составе собственно канального слоя InyGa1-yAs толщиной 12-20 нм и по меньшей мере двух δn-слоев, легированных донорной примесью, и двух спейсерных i-слоев AlxGa1-xAs, толщиной каждый 1-3 нм, двух групп барьерных слоев AlxGa1-xAs, одна из которых расположена с одной стороны группы проводящих слоев - подложечная, другая - с противоположной стороны - затворная, при этом подложечная группа барьерных слоев выполнена в виде акцепторно-донорной p-i-δn системы барьерных слоев, затворная группа барьерных слоев - в виде донорно-акцепторной δn-i-p системы барьерных слоев, при этом в каждой группе барьерных слоев i-слой выполнен толщиной 0,5-10 нм, p-слой выполнен с уровнем легирования, обеспечивающим высоту потенциальных барьеров 0,4-0,8 ширины запрещенной зоны AlxGa1-xAs, δn-слой выполнен с избыточным уровнем легирования, обеспечивающим разницу поверхностной плотности донорной и акцепторной примеси равной (1-10)×1012 см-2.

Изобретение относится к ядерной технике, а именно к материалам для защиты от ионизирующего излучения, и предназначено для использования при изготовлении элементов радиационно-защитных экранов.

Изобретение относится к химической промышленности, а именно к технологическим составам, используемым для покрытия поверхностей твердого материала (тела) и получения многофункциональной (защитной) наноразмерной пленки (конкретно для модификации поверхностей с целью улучшения их свойств), и может найти применение в приборостроении, электронике, машиностроении, топливо-энергетическом комплексе, ЖКХ и иных отраслях, например, в металлообработке.
Изобретение относится к акриловым клеевым композициям (варианты) термического отверждения для прочного соединения металлических поверхностей, в том числе алюминиевых субстратов.

Изобретение относится к области производства резиновых смесей и изделий из этих смесей, в частности для изготовления пневмошин. Резиновая смесь содержит каучук и наполнители.

Изобретение относится к области термоэлектрического преобразования энергии. Сущность: термоэлектрический материал содержит полупроводниковую подложку, полупроводниковую оксидную пленку, образованную на полупроводниковой подложке, и термоэлектрический слой, выполненный на полупроводниковой оксидной пленке.

Изобретение относится к области строительного производства в автодорожной отросли и может быть применено при изготовлении асфальтобетона, в том числе с использованием нанотехнологий.

Изобретение относится к области химической модификации поверхности пористого кремния и, в частности, может найти применение для создания биосовместимого и способного к полной биодеградации носителя медицинских препаратов, обеспечивающего их целевую доставку и пролонгированное действие в организме.

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к конструкции диэлектрического слоя МДП структур, обладающих эффектом переключения проводимости. Особенность предлагаемой конструкции состоит в том, что внутри основной диэлектрической пленки - широкозонного полупроводника из оксида и/или нитрида кремния или их сплавов с углеродом или германием, со встроенными наноразмерными кластерами кремния - сформированы 1-5 слоев материала на базе кремния толщиной 1-5 нм, отличающихся от материала основного слоя химическим составом и меньшей шириной запрещенной зоны. Техническим результатом изобретения является получение диэлектрических слоев на базе кремния для МДП структур, обладающих эффектом переключения проводимости, позволяющее получать МДП структуры малой площади при повышении выхода годных структур. 2 ил.
Наверх