Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов. В способе изготовления полупроводникового прибора формируют активные области полупроводникового прибора и пленку диоксида кремния, наносят слой молибденовой пленки толщиной 400 нм, затем структуру обрабатывают ионами аргона Ar+ энергией 130-160 кэВ дозой 5*1015 - 1*1016 см-2 с последующим термостабилизирующим отжигом при температуре 600-700°C в течение 40-60 сек. Изобретение обеспечивает повышение адгезии в полупроводниковых структурах, что повышает технологичность, надежность и процент выхода годных структур. 1 табл.

 

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов с повышенной адгезией.

Известен способ увеличения адгезии [Пат. 5391397 США, МКИ В05D 5/10] путем формирования ковалентных связей за счет использования слоя между полиимидом и подложкой. Полиимид, нанесенный на поверхность кристалла, обрабатывают при повышенной температуре в растворе гидроксиламина. Присоединение кристалла с полиимидным слоем к подложке осуществляется стандартным способом, а в оставляемый зазор затем вводят герметик, после чего проводят отверждение для образования прочной адгезионной связи. При этом образуется многослойная структура, которая ухудшает тепловые параметры приборов.

Известен способ увеличения адгезии [Пат. 5391519 США, МКИ H01L 21/44] контактной площадки к кристаллу с подслоем SiO2, путем удаления части промежуточного барьерного слоя титана Ti или двухслойной структуры Ti/TiN, после формирования проводников и контактов. После нанесения барьерного слоя на слой SiO2 проводится быстрый отжиг пластины в среде N2 и его травление для полного удаления соединений TiN и TiSixOy, за исключением узкого ободка но периметру формируемой контактной площадки.

Недостатками этого способа являются:

- образование дополнительных механических напряжений;

- низкая технологичность;

- повышенная плотность дефектов.

Задача, решаемая изобретением: повышение адгезии в полупроводниковых структурах, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных.

Задача решается путем обработки полупроводниковых структур после нанесения на нее молибденовой пленки толщиной 400 нм ионами аргона Ar+ энергией 130-160 кэВ дозой (5*1015 - 1*1016) см-2 с последующим термостабилизирующим отжигом при температуре 600-700°C в течение 40-60 сек.

Технология способа состоит в следующем: в процессе производства полупроводниковых приборов после формирования активных областей полупроводникового прибора, пленки диоксида кремния и нанесения слоя молибденовой пленки толщиной 400 нм, полупроводниковую структуру обрабатывают ионами аргона Ar+ энергией 130-160 кэВ дозой 5*1015 - 1*1016 см-2 с последующим термостабилизирующим отжигом при температуре 600-700°C в течение 40-60 сек. В результате повышается адгезия молибденовой пленки к пленке диоксида кремния за счет перестройки связи на границе раздела диоксид кремния/молибденовая пленка.

По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы структуры. Результаты обработки представлены в таблице.

Параметры структур, изготовленных стандартной технологией Параметры структур, изготовленных предложенным способом
Плотность дефектов, см-2, N*103 Адгезия, МПа Плотность дефектов, см-2 N*103 Адгезия, МПа
0,8 2,5 0,25 6,6
0,5 2,1 0,15 5,2
1,1 3,2 0,3 7,5
1,05 3,1 0,28 7,1
0,9 2,8 0,26 6,9
1,0 3,0 0,27 7,0
0,85 2,6 0,35 6,7
0,95 2,9 0,29 6,8
0,6 2,2 0,18 5,5
0,65 2,4 0,28 6,1
1,1 3,3 0,35 7,7
0,9 2,7 0,26 6,9
0,7 2,3 0,21 5,9

Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора путем обработки структуры после формирования активных областей полупроводникового прибора, пленки диоксида кремния и нанесения слоя молибденовой пленки толщиной 400 им ионами аргона Ar+ энергией 130-160 кэВ дозой 5*1015 - 1*1016 см-2 с последующим термостабилизирующим отжигом при температуре 600-700°C в течение 40-60 сек позволяет повысить процент выхода годных структур и улучшить их надежность.

Экспериментальные исследования показали, что выход годных полупроводниковых структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличивается на 14,7%.

Технический результат: повышение адгезии в полупроводниковых структурах, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных структур.

Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.

Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий процессы формирования активных областей полупроводникового прибора и слоя диоксида кремния, отличающийся тем, что на диоксид кремния наносят слой молибденовой пленки толщиной 400 нм, затем структуру обрабатывают ионами аргона Ar+ с энергией 130-160 кэВ дозой 5*1015 - 1*1016 см-2 с последующим термостабилизирующим отжигом при температуре 600-700°C в течение 40-60 сек.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологии обработки кремниевых монокристаллических пластин и может быть использовано для создания электронных структур на его основе. Способ электрической пассивации поверхности кремния тонкопленочным органическим покрытием из поликатионных молекул включает предварительную подготовку подложки для создания эффективного отрицательного электростатического заряда, приготовление водного раствора поликатионных молекул, адсорбцию поликатионных молекул на подложку в течение 10-15 минут, промывку в деионизованной воде и сушку подложки с осажденным слоем в потоке сухого воздуха, при этом в качестве подложки использован монокристаллический кремний со слоем туннельно прозрачного диоксида кремния, с шероховатостью, меньшей или сравнимой с толщиной создаваемого покрытия, предварительную подготовку кремниевой подложки проводят путем ее кипячения при 75°C в течение 10-15 минут в растворе NH4OH/H2O2/H2O в объемном соотношении 1/1/4, для приготовления водного раствора поликатионных молекул использован полиэтиленимин, а во время адсорбции поликатионных молекул на подложку осуществляют освещение подложки со стороны раствора светом с интенсивностью в диапазоне 800-1000 лк, достаточной для изменения плотности заряда поверхности полупроводниковой структуры за время адсорбции.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления контактно-барьерной металлизации прибора.

Изобретение относится к области гальванотехники и может быть использовано при изготовлении полупроводников. Композиция содержит по меньшей мере один источник меди и по меньшей мере одну добавку, получаемую путем реакции многоатомного спирта, содержащего по меньшей мере 5 гидроксильных функциональных групп, с по меньшей мере первым алкиленоксидом и вторым алкиленоксидом из смеси первого алкиленоксида и второго алкиленоксида.

Изобретение относится к технологии изготовления индиевых микроконтактов в матричных фотоприемниках ИК-излучения и БИС считывания фотосигнала. Изобретение обеспечивает изготовление индиевых микроконтактов с низким сопротивлением и высокой однородностью их значений в пределах больших массивов.

Изобретение относится к электронике. В способе формирования нанопроводов из коллоидного естественно-природного материала, основанном на самоорганизованном формировании линейно-упорядоченных наноразмерных токопроводящих структур со строго заданной ориентацией для соединения отдельных микро- и наноэлектронных элементов и/или формирования нанокомпонентов электронной элементной базы, формирование структур и/или элементов проводят в одном процессе в течение не более 3 минут под действием только электрического постоянного поля с напряженностью не более 5×103 В/м, конфигурация которого непосредственно задает как размеры и формы, так и ориентацию наноразмерных токопроводящих углеродных структур, которые стабильно сохраняются без нанесения каких-либо защитных слоев на подложке из любого материала, в том числе содержащей отдельные микро- и наноэлектронные элементы для их соединения и/или для формирования нанокомпонентов электронной элементной базы.

Заявленное изобретение относится к области электротехники, а именно, к способу получения трехмерно-структурированной полупроводниковой подложки для автоэмиссионного катода, и может быть использовано в различных электронных приборах: СВЧ, рентгеновских трубках, источниках света, компенсаторах заряда ионных пучков и т.п.

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при формировании токопроводящих дорожек для коммутации электронных схем и полупроводниковых приборов.

Изобретение относится к технологии получения индиевых микроконтактов для соединения больших интегральных схем (БИС) и фотодиодных матриц. .

Изобретение относится к области технологии микроэлектроники и наноэлектроники, а именно к технологии формирования упорядоченных наноструктур на поверхности твердого тела, и может быть использовано для создания проводников, длина которых на несколько порядков превышает его диаметр (нанопроволоки).

Изобретение относится к полупроводниковой микро- и наноэлектронике и может быть использовано при создании твердотельных электронных приборов. .
Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов. Способ формирования многослойного омического контакта включает предварительное формирование фотолитографией маски из фоторезиста на поверхности арсенида галлия электронной проводимости, очистку свободной от маски поверхности арсенида галлия, последовательное напыление слоя из эвтектического сплава золота с германием толщиной 10-100 нм, напыление с помощью магнетронного разряда постоянного тока слоя из сплава никеля с ванадием с содержанием ванадия 5-50 мас. % толщиной 5-100 нм и нанесение проводящего слоя, последующее удаление фоторезиста и отжиг контактной структуры. Способ более прост в осуществлении и обеспечивает точное воспроизведение заданных параметров контактных структур приборов на большой площади. 12 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления контактов с пониженным сопротивлением. В способе изготовления полупроводникового прибора формируют контакты на основе силицида платины. Для этого наносят пленку платины толщиной 35-45 нм электронно-лучевым испарением на кремниевую подложку, нагретую предварительно до 350°C, со скоростью осаждения 5 нм/мин. Затем проводят термообработку в три этапа: 1 этап - при температуре 200°C в течение 15 мин, 2 этап - при температуре 300°C в течение 10 мин и 3 этап - при температуре 550°C в течение 15 мин в форминг-газе, при смеси газов N2:H2=9:1. Предлагаемый способ изготовления полупроводникового прибора обеспечивает снижение сопротивления контакта, повышение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных. 1 табл.
Наверх