Способ изготовления фотопреобразователя на основе gasb

При изготовлении фотопреобразователя согласно изобретению на тыльной стороне подложки GaSb n-типа проводимости выращивают методом эпитаксии высоколегированный контактный слой n+-GaSb, а на лицевой стороне подложки - буферный слой n-GaSb. Наносят на лицевую поверхность подложки диэлектрическую пленку. Создают химическим травлением окна в диэлектрической пленке. Легируют диффузией цинка из газовой фазы в квазизамкнутом контейнере поверхностный слой структуры GaSb фотопреобразователя. Удаляют на тыльной стороне подложки p-n-переход. Осаждают тыльный и лицевой контакты и отжигают их. Разделяют структуру травлением на отдельные фотоэлементы и наносят антиотражающее покрытие. Изобретение позволяет увеличить КПД фотопреобразователей на основе GaSb при высоких плотностях падающего излучения. 2 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 пр.

 

Изобретение относится к возобновляемой энергетике, а более конкретно к способам изготовления фотопреобразователей на основе соединений ΑIIIΒV.

В зависимости от применения фотопреобразователя в системах с преобразованием концентраторного солнечного или лазерного излучения в процессе эпитаксии есть возможность вырастить необходимую гетероструктуру, например, с тыльным потенциальным барьером, широкозонным окном и контактным слоем. С другой стороны, диффузионные p-n-переходы обладают встроенным электрическим полем, образованным плавным распределением примеси в процессе легирования, что позволяет увеличить коэффициент собирания носителей.

Известен способ изготовления каскадного фотопреобразователя (патент US 5091018, МПК H01L 31/052, опубликован 25.02.1992), основанный на механической стыковке GaAs- и GaSb-фотоэлементов. Способ включает нанесение на лицевую поверхность подложки GaSb n-типа маски из изолирующего материала, диффузию цинка из газовой фазы, удаление слоя р-типа проводимости с тыльной поверхности подложки и нанесение на нее металлических контактов, осаждение фронтальных контактов на лицевую поверхность подложки, утончение p-n-перехода на светочувствительных участках травлением и нанесение антиотражающего покрытия.

К недостаткам известного способа следует отнести снижение получаемого кпд при высоких уровнях засветки, т.к. структура фотоэлемента на основе GaSb оптимизирована для использования в условиях небольшой и средней (~100) кратности концентрирования солнечного излучения. К тому же при финишном утончении p-n-перехода на светочувствительных участках не исключается возможность бокового травления подконтактных областей фотоэлектрического преобразователя.

Известен способ изготовления фотопреобразователя на основе n-GaSb (см. патент CN 103474501 A, МПК H01L 25/04; H01L 31/0216, опубликован 25.12.2013), включающий нанесение на подложку n-GaSb диэлектрической маски диоксида кремния для локальной диффузии Zn, проведение диффузии в GaSb из ZnGa сплава в атмосфере аргона при давлении 5-10 Па около 3 часов при температуре 450-500°C, удаление тыльного p-n-перехода, нанесение тыльного и лицевого контактов, разделительное травление структуры на чипы и нанесение антиотражающего покрытия из нитрида кремния.

К недостаткам известного способа изготовления фотоэлектрического преобразователя можно отнести длительность процесса легирования, а также использование неоптимального антиотражающего покрытия из нитрида кремния.

Известен способ изготовления фотопреобразователя на основе GaSb (см. патент RU 2437186, H01L 31/18, В82В 3/00, опубликован 20.12.2011), совпадающий с заявляемым техническим решением по наибольшему числу существенных признаков и принятый за прототип. Способ включает нанесение на периферийную область подложки из n-GaSb диэлектрической маски, формирование на участках фронтальной поверхности подложки, не защищенных диэлектрической маской, высоколегированного слоя р-типа проводимости диффузией цинка из газовой фазы при температуре 450-490ºC, удаление с тыльной стороны подложки образовавшегося в результате диффузии слоя p-GaSb и формирование тыльного контакта. Затем проводят очистку фронтальной поверхности подложки методом ионно-лучевого травления на глубину 5-30 нм и формирование на ней маски фоторезиста, формирование омического контакта, удаление маски фоторезиста, разделительное травление структуры на отдельные фотоэлементы и нанесение антиотражающего покрытия.

Недостатком данного способа изготовления фотопреобразователя является недостаточно высокая эффективность преобразования излучения при высоких плотностях падающего излучения.

Задачей настоящего изобретения являлась разработка такого способа изготовления фотопреобразователя на основе GaSb, который бы обеспечивал получение фотопреобразователей, имеющих более высокую эффективность преобразования солнечного, инфракрасного и лазерного излучения при его большой плотности в диапазоне фоточувствительности 0,5-1,8 мкм.

Поставленная задача решается тем, что способ изготовления фотопреобразователя на основе GaSb включает эпитаксиальное выращивание на подложке GaSb n-типа проводимости тыльного высоколегированного контактного слоя n+-GaSb с концентрацией легирующей примеси Те 1018-1019 ат/см3 и буферного слоя n-GaSb с концентрацией легирующей примеси Те (1-6)∙1017 ат/см3 со стороны лицевой поверхности подложки n-GaSb; нанесение на лицевую поверхность буферного слоя n-GaSb диэлектрической маски, соответствующей топологии p-n-перехода; легирование буферного слоя n-GaSb через диэлектрическую маску диффузией цинка из газовой фазы в квазизамкнутом контейнере с образованием p-n-перехода; удаление на тыльной стороне подложки p-n перехода; формирование тыльного и фронтального омических контактов; разделительное травление структуры на отдельные фотоэлементы и нанесение антиотражающего покрытия.

Новым в настоящем способе является эпитаксиальное выращивание на тыльной стороне GaSb подложки n-типа проводимости высоколегированного контактного слоя n+-GaSb с концентрацией легирующей примеси Те 1018-1019 ат/см3 и буферного слоя n-GaSb с концентрацией легирующей примеси Те (1-6)∙1017 ат/см3 и осуществление газовой диффузии цинка в выращенный на лицевой стороне подложки GaSb эпитаксиальный буферный слой, что позволяет получать фотоэлементы с улучшенными рабочими характеристиками в диапазоне фоточувствительности 0,5-1,8 мкм.

Эпитаксиальное выращивание тыльного высоколегированного контактного слоя n+-GaSb можно проводить при начальной температуре 500ºC и конечной температуре 400ºC.

Эпитаксиальное выращивание буферного слоя n-GaSb можно проводить при начальной температуре 550ºC и конечной температуре 450ºC.

Настоящий способ поясняется чертежами, где

на фиг. 1 показан вид сверху на фотоэлектрический преобразователь, изготовленный настоящим способом;

на фиг. 2 приведен вид сбоку в разрезе по А-А фотоэлектрического преобразователя, показанного на фиг. 1.

Фотоэлектрический преобразователь (см. фиг. 1, фиг. 2) содержит полупроводниковую подложку 1 из GaSb n-типа проводимости; тыльный контактный слой 2 n+-GaSb; эпитаксиальный буферный слой 3 n-GaSb; диффузионный слой 4 р-типа проводимости (p-n-переход) p-GaSb; диэлектрическую маску 5, например, из нитрида кремния Si3N4; тыльный омический контакт 6, например, из Au(Ge)-Au; фронтальный омический контакт 7, например, из Cr-Au. На лицевую поверхность подложки нанесено антиотражающее покрытие 8, выполненное, например, из ZnS/MgF2.

Настоящий способ изготовления фотопреобразователя на основе GaSb включает эпитаксиальное выращивание на подложке 1 из GaSb n-типа проводимости, например, при начальной температуре 500ºC и конечной температуре 400ºC тыльного высоколегированного контактного слоя 2 n+-GaSb с концентрацией легирующей примеси Те 1018-1019 ат/см3, снижающего сопротивление растекания и контактное сопротивление фотопреобразователя, и эпитаксиальное выращивание при температуре 550-450ºC на лицевой поверхности подложки буферного слоя 3 n-GaSb с концентрацией легирующей примеси Те (1-6)∙1017 ат/см3, имеющего более бездефектную структуру по сравнению с подложкой 1. Эпитаксиальное выращивание может быть осуществлено методом жидкофазной эпитаксии в графитовой кассете, например, поршневого типа в кварцевом проточном реакторе в атмосфере очищенного водорода при скорости охлаждения расплава Vохл=0,3-2,0º/мин. Такие скорости охлаждения раствора-расплава позволяют контролировать толщину и состав растущего слоя, а также выращивать слои с наименьшим количеством дефектов. При скорости охлаждения расплава меньше 0,3º/мин значительно увеличивается время эпитаксиального выращивания слоя и снижается концентрация легирующей примеси. При скорости охлаждения расплава больше 2,0º/мин увеличивается вероятность образования дефектов в процессе роста. При концентрации легирующей примеси Те в контактном слое 2 n+-GaSb меньше 1018 ат/см3 увеличивается сопротивление растекания и контактное сопротивление при создании омического контакта 6. В качестве легирующей примеси при выращивании n-GaSb и n+-GaSb эпитаксиальных слоев 2, 3 выбрали теллур, поскольку он является мелким акцептором. При концентрации легирующей примеси Те в контактном слое 2 больше 1019 ат/см3 увеличивается вероятность образования дефектов в процессе роста и снижается подвижность носителей тока. При концентрации легирующей примеси Те в буферном слое 3 n-GaSb меньше 1017 ат/см3 увеличивается вероятность образования p-GaSb, поскольку нелегированные кристаллы GaSb имеют электропроводность р-типа. При концентрации легирующей примеси Те в буферном слое 3 n-GaSb больше 6∙1017 ат/см3 увеличиваются токи утечки, что приводит к снижению напряжения холостого хода. В качестве металла-растворителя при эпитаксиальном выращивании из жидкой фазы GaSb используют галлий. Выращивание эпитаксиальных слоев 2, 3 может быть осуществлено также методом молекулярно-пучковой эпитаксии, или методом газофазной эпитаксии, или иным методом эпитаксиального выращивания. Далее наносят со стороны лицевой поверхности подложки 1 диэлектрическую маску 5, соответствующую топологии p-n-перехода, например, из оксида кремния SiO2 или нитрида кремния Si3N4. Легируют через диэлектрическую маску 5 буферный слой 3 n-GaSb диффузией цинка из газовой фазы в квазизамкнутом контейнере с образованием р-n-перехода. В качестве газовой фазы при диффузионном легировании можно использовать водород для предотвращения окисления подложки. Источником диффузии может быть чистый цинк, который при температуре выше 350ºC начинает активно испаряться и переходить в газовую фазу. Диффузию цинка можно проводить в квазизамкнутом контейнере в интервале температур 450-550ºC. При использовании низкотемпературной диффузии при использовании в качестве легирующей примеси Zn снижается вероятность появления структурных дефектов в буферном слое 3 GaSb. При этом при локальном легировании через диэлектрическую маску 5 p-n-переход не выходит на боковую поверхность структуры (см. фиг. 2). Затем удаляют на тыльной стороне подложки 1 p-n-переход, формируют тыльный и фронтальный омические контакты 6, 7 с последующим их отжигом. Тыльный омический контакт 6 можно создавать последовательным напылением слоя из сплава Au(Ge) и слоя Au. Отжиг осажденного тыльного контакта 6 в атмосфере водорода предпочтительно проводить при температуре 220-250ºC. Фронтальный омический контакт 7 можно создавать последовательным нанесением Cr и Au. Отжиг осажденного фронтального омического контакта 7 в атмосфере водорода предпочтительно проводить при температуре 200-220ºC. Может быть проведена дополнительная металлизация фронтального омического контакта 7 гальваническим осаждением через маску из фоторезиста при одновременном гальваническом осаждении золота на тыльную поверхность. Далее проводят разделительное травление структуры на отдельные фотоэлементы и наносят антиотражающее покрытие 8, например, из слоя сульфида цинка ZnS, покрытого слоем дифторида магния MgF2.

Пример 1. Изготавливали фотопреобразователь на основе GaSb. Выращивали на монокристаллической подложке антимонида галлия n-типа проводимости методом жидкофазной эпитаксии тыльный контактный слой n+-GaSb толщиной 10 мкм при начальной температуре 450°C и конечной температуре 400ºC, на лицевой поверхности подложки выращивали буферный слой n-GaSb толщиной 20 мкм при начальной температуре 550ºC. Скорость охлаждения составляла 1,5º/мин. Процесс проводили в кварцевом проточном реакторе в атмосфере очищенного водорода в графитовой кассете поршневого типа. Для обеспечения локальности диффузионного процесса сформировали защитную маску на поверхности структуры GaSb. Для этого методом плазмохимического осаждения наносили диэлектрическую пленку Si3N4, в которой при помощи техники фотолитографии вскрывали окна под светочувствительную поверхность подложки и производили их травление. Проводили газовую диффузию цинка в квазизамкнутом контейнере в атмосфере водорода при температуре 450-470ºC в течение 40 минут для создания р-n-перехода. Затем удаляли тыльный p-n-переход с помощью механической шлифовки, осаждали тыльный омический контакт методом термического вакуумного испарения и отжигали его в атмосфере водорода. Создавали маску из фоторезиста посредством фотолитографии для формирования фронтального омического контакта, осаждали его методом термического вакуумного испарения, удаляли фоторезист с помощью техники взрывной фотолитографии и отжигали фронтальный омический контакт в атмосфере водорода. Создавали маску из фоторезиста посредством фотолитографии для гальванического осаждения золота на фронтальную поверхность и проводили это осаждение. Одновременно проводилось гальваническое осаждение золота на тыльную поверхность. Проводили процесс фотолитографии с целью разделительного травления структуры на чипы и самотравление. На светочувствительной поверхности структуры осаждали антиотражающее покрытие (ZnS/MgF2).

Использование в настоящем способе преимуществ эпитаксиального и диффузионного методов изготовления приборных структур позволяет получать фотопреобразователи с улучшенными значениями рабочих характеристик.

1. Способ изготовления фотопреобразователя на основе GaSb, включающий эпитаксиальное выращивание при скорости охлаждения расплава Vохл=0,3-2,0°/мин на подложке из GaSb n-типа проводимости тыльного высоколегированного контактного слоя n+-GaSb с концентрацией легирующей примеси Те 1018-1019 ат/см3 и буферного слоя n-GaSb с концентрацией легирующей примеси Те (1-6)·1017 ат/см3 со стороны лицевой поверхности подложки n-GaSb; нанесение на лицевую поверхность буферного слоя n-GaSb диэлектрической маски, соответствующей топологии p-n-перехода; легирование буферного слоя n-GaSb через диэлектрическую маску диффузией цинка из газовой фазы в квазизамкнутом контейнере с образованием p-n-перехода; удаление на тыльной стороне подложки p-n-перехода; формирование тыльного и фронтального омических контактов с последующим их отжигом; разделительное травление структуры на отдельные фотоэлементы и нанесение антиотражающего покрытия.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что эпитаксиальное выращивание тыльного высоколегированного контактного слоя n+-GaSb проводят при начальной температуре 500°С и конечной температуре 400°С.

3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что эпитаксиальное выращивание буферного слоя n-GaSb проводят при начальной температуре 550°С и конечной температуре 450°С.



 

Похожие патенты:
Изобретение относится к солнечной энергетике. Способ формирования активной p+-области солнечных элементов включает процесс диффузии бора с применением жидкого источника - треххлористого бора (BCl3).

Изобретение относится к технологии фотодиодов на основе эпитаксиальных p-i-n структур GaN/AlxGa1-xN, преобразующих излучение ультрафиолетовой области спектра. Изобретение может быть использовано в производстве матричных фоточувствительных элементов приборов гражданского и военного назначения.

Изобретение относится к способу получения структурированного электропроводящего покрытия на подложке. Технический результат - предоставление способа получения структурированного металлического покрытия на подложке, при реализации которого формируют структурированный металлический слой с четко определенными кантами и краями, что позволяет напечатать картину с высоким разрешением и структурами малых размеров, применимую в солнечных батареях.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых фотоприемников и может использоваться для создания многоэлементных фотоприемников различного назначения.

Изобретение относится к технологии получения индиевых микроконтактов для соединения больших интегральных схем (БИС) и фотодиодных матриц, выполненных на основе полупроводниковых материалов.

Коллекторный электрод для солнечного элемента изготавливают трафаретной печатью проводящей пасты, при этом трафаретную печать повторяют многократно. Скорость прокатывания во время второй или последующей трафаретных печатей является больше, чем скорость прокатывания во время первой трафаретной печати.

Изобретение относится к области технологии изготовления полупроводниковых приборов методом газофазной эпитаксии с использованием металлорганических соединений, в частности к технологии выращивания гетероструктуры для полупроводникового полупрозрачного фотокатода с активным слоем из арсенида галлия, фоточувствительного в видимом и ближнем инфракрасном диапазоне.

Изобретение относится к технологии создания фоточувствительных халькопиритных пленок, которые могут найти применение при создании солнечных батарей. Способ получения фоточувствительных халькопиритных пленок включает два этапа, на первом получают прекурсорную пленку, а на втором проводят ее отжиг.

Изобретение относится к технологии изготовления матричных фотоприемников ИК-излучения на основе антимонида индия, теллурида кадмия-ртути. Способ изготовления матричного фотоприемника согласно изобретению включает формирование на полупроводниковой пластине р+-n- или n+-р-перехода по всей поверхности, формирование защитной маски фоторезиста с рисунком ФЧЭ с последующим травлением мезаструктур на глубину, при которой р+-n- или n+-р-переход выходит на поверхность у основания мезаструктуры под углом меньше 60°.

Изобретение относится к области контроля фотоэлектрических устройств и касается способа исследования пространственного распределения характеристик восприимчивости фотоэлектрических преобразователей в составе солнечных батарей к оптическому излучению.

Способ изготовления гетероструктурного солнечного элемента включает выращивание полупроводниковой гетероструктуры на германиевой подложке, создание омических контактов со стороны тыльной поверхности германиевой подложки и со стороны фронтальной поверхности гетероструктуры, нанесение просветляющего покрытия на фронтальную поверхность гетероструктуры, создание разделительной мезы через маску фоторезиста путем травления первой канавки в полупроводниковой гетероструктуре до германиевой подложки. После создания первой канавки осуществляют пассивацию поверхности первой канавки диэлектриком, после чего проводят травление через маску из фоторезиста второй канавки в германиевой подложке глубиной не менее 2 мкм и шириной на 5-10 мкм уже ширины первой канавки и покрывают вторую канавку диэлектриком. Способ согласно изобретению позволяет увеличить выход годных гетероструктурных солнечных элементов и повысить надежность их эксплуатации особенно в условиях космического пространства. 1 з.п. ф-лы, 2 ил., 5 пр.

Изобретение относится к технологии изготовления трехкаскадных фотопреобразователей со встроенным диодом. Согласно изобретению на трехкаскадной полупроводниковой структуре GaInP/GaAs/Ge, выращенной на германиевой подложке с p-AlGaInP слоем потенциального барьера, p++-AlGaAs и n++-GaInP слоями туннельного перехода верхнего каскада, создают фоторезистивную маску с окнами лицевых контактов фотопреобразователя и диода, удаляют в диодном окне маски полупроводниковые слои, причем вытравливают p-AlGaInP слой потенциального барьера полностью или частично в смеси концентрированных соляной и фтористоводородной кислот в количественном соотношении объемных частей 5÷7 и 3÷5 соответственно, p++-AlGaAs слой туннельного перехода удаляют в смеси концентрированных соляной и лимонной (50%) кислот в количественном соотношении объемных частей 6÷10 и 8÷12 соответственно. Технический результат изобретения заключается в повышении однородности и воспроизводимости процесса травления, а также в улучшении параметров встроенного диода. 2 ил., 1 табл.

Изобретение относится к конструкции матричных полупроводниковых фотоприемников и может использоваться для создания многоэлементных фотоприемников различного назначения. Сборка фоточувствительного модуля на растр заключается в том, что приклейку криостойким клеем фоточувствительного модуля осуществляют с помощью многоконтактной зондовой головки с симметричным расположением 2n (n=1, 2…) зондов (обычно из нержавеющей стали), которые находятся точно на контактных площадках БИС считывания, предназначенных для вывода сигналов посредством сварки (обычно золотых) выводов на растр. Поскольку давить на утоньшенный фоточувствительный элемент недопустимо, а осуществлять давление по всей периферийной области небезопасно, так как в этой области находится схема БИС считывания, которую можно повредить, то нагрузку необходимо осуществлять на наиболее защищенные от повреждения области, которыми являются контактные площадки, предназначенные для тестирования БИС считывания и сварки выводов на растр. При типичном количестве контактных площадок (~30 шт.) на БИС считывания приклейку криостойким клеем фоточувствительного модуля, содержащего утоньшенный фоточувствительный элемент, на растр осуществляют с помощью штатного контактного устройства с фиксированным расположением зондов (типично из вольфрама), предназначенного для контроля кристаллов БИС считывания, которое позволяет осуществлять равномерную нагрузку на фоточувствительный модуль с величиной, необходимой для уменьшения клеевого слоя до толщины 3-5 мкм, обеспечивающей прочное соединение криостойким клеем при охлаждении до рабочей температуры жидкого азота. Изобретение позволяет бездефектно и качественно проводить сборку фоточувствительного модуля на растр во время приклейки криостойким клеем. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к радиографии, в частности к системам цифрового изображения в рентгеновских и гамма-лучах с помощью многоканальных полупроводниковых детекторов на основе полуизолирующего арсенида галлия. Предложенные конструкция и способ ее изготовления позволяют реализовать принцип внутреннего усиления в многоканальных полупроводниковых детекторах. Полупроводниковый детектор включает формирование полуизолирующей i-области, которая выполнена на основе арсенида галлия, компенсированного хромом, и металлические контакты к ней, при этом между металлическими контактами и i-областью формируют слой полупроводника, например арсенида индия, толщиной менее диффузионной длины электронов, инжектируемых из металлического контакта в i-область, и понижающий высоту потенциального барьера контакта металл-GaAs до энергии теплового равновесия кристалла, kT. Формирование осуществляют путем нанесения слоя индия поверх металлических контактов к i-области и последующего отжига контактов в условиях, достаточных для проплавления первичного металлического контакта. 2 н.п. ф-лы, 1 табл., 2 ил.
Изобретение относится к технологии изготовления солнечных элементов. Способ согласно изобретению заключается в том, что на поверхности подложки формируют тонкий слой пленки диоксида кремния за счет горения водорода и сухого кислорода в среде азота при расходе газов: N2=450 л/ч; H2=75 л/ч; O2=750±50 л/ч. Температура рабочей зоны 900±10°C. Разброс по толщине пленки диоксида кремния на подложке составил 3,0÷3,5%. Изобретение обеспечивает получение на поверхности подложки однородной и равномерной диэлектрической пленки диоксида кремния при низких температурах. 3 пр.

Изобретение относится к технологии обработки поверхности полупроводниковых пластин, в частности к процессам очистки поверхности пластин между технологическими операциями, для изготовления солнечных элементов. Способ согласно изобретению заключается в том, что с поверхности пластин происходит полное удаление окисла в растворе состоящей из плавиковой кислоты и деионизованной воды, при комнатной температуре раствора. Процесс удаления окисла считается законченным, в том случае, когда раствор скатывается с поверхности обратной стороны кремниевой пластины. Реакция обработки поверхности кремниевой пластины протекает с большой скоростью, длительность процесса составляет не более 20 секунд. При этом не происходит ухудшения качества поверхности кремния. Предлагаемый способ обеспечивает удаление остатков окисла с поверхности обратной стороны перед напылением и способствует улучшению адгезии, благодаря которой увеличивается процент выхода годных кристаллов - 98%. 3 пр.
Изобретение относится к солнечной энергетике. Способ формирования активной n- области солнечных элементов включает процесс образования фосфоросиликатного стекла на поверхности полупроводниковой пластины из газовой фазы, при этом в качестве источника диффузанта используется жидкий источник оксихлорид фосфора (POCl3) при следующем соотношении компонентов: азот N2=280 л/ч, кислород O2=300 л/ч, кислород O2=15 л/ч, азот через питатель N2=14 л/ч. Изобретение обеспечивает возможность проводить процесс диффузии фосфора при температуре 1000°C и получить RS=35±10 Ом/см с обеспечением уменьшения разброса значений поверхностной концентрации по полупроводниковой пластине, снижения длительности и температуры процесса. 3 пр.

Изобретение относится к солнечной энергетике и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую. Способ изготовления многопереходного солнечного элемента согласно изобретению включает последовательное формирование субэлемента из Ge с p-n переходом, первого туннельного диода, субэлемента Ga(In)As с p-n переходом, второго туннельного диода, субэлемента из GaInP с p-n переходом и контактного слоя из GaAs, нанесение тыльного омического контакта р-типа на тыльную сторону субэлемента из Ge и нанесение через первую маску первого омического контакта n-типа на контактный слой GaAs, удаление химическим травлением через вторую маску участков контактного слоя из GaAs, где отсутствует первый омический контакт, и нанесение на эти участки просветляющего покрытия, создание ступенчатой разделительной мезы путем травления через третью маску контактного слоя из GaAs и субэлемента из GaInP на глубину 0,2-0,4 мкм, осаждения через третью маску первого пассивирующего покрытия, вскрытия через четвертую маску первых окон в первом пассивирующем покрытии, осаждения второго омического контакта p-типа на вскрытые первые окна, травления через пятую маску, закрывающую второй омический контакт, субэлемента из GaInP и субэлемента из Ga(In)As до субэлемента из Ge, осаждения через пятую маску второго пассивирующего покрытия, вскрытия через шестую маску вторых окон во втором пассивирующем покрытии, осаждения третьего омического контакта n-типа на вскрытые вторые окна, травления через седьмую маску, закрывающую третий омический контакт, субэлемента из Ge на глубину 2-10 мкм и осаждения через седьмую маску третьего пассивирующего покрытия. Изобретение позволяет изготавливать многопереходный солнечный элемент с повышенной эффективностью преобразования солнечного излучения в электрическую энергию. 3 з.п. ф-лы, 2 ил., 4 пр.
Наверх