Способ и устройство для определения длины диффузии носителей заряда в полупроводниковых пластинках

Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для бесконтактного неразрушающего определения диффузионной длины носителей заряда в полупроводниковых пластинах, в том числе покрытых прозрачным слоем диэлектрика. Способ измерения диффузионной длины носителей заряда в полупроводниковых пластинах включает измерение сигнала, пропорционального неравновесной концентрации носителей заряда, возникающей в точке тестирования полупроводниковой пластины вследствие их диффузии из областей генерации, создаваемых на различных расстояниях от точки тестирования за счет формирования в этих областях световых пятен малой площади излучением из спектрального диапазона внутреннего фотоэффекта в полупроводнике, построение опытной зависимости амплитуды измеренного сигнала от расстояния между световым пятном и точкой тестирования, сравнение опытной зависимости с аналогичными зависимостями, рассчитанными теоретически, при этом для проведения измерений без установления электрического контакта с исследуемой пластиной сигнал, пропорциональный неравновесной концентрации носителей заряда в точке тестирования, получают путем пропускания через пластинку инфракрасного излучения с длиной волны из области прозрачности исследуемого полупроводника и измерения интенсивности прошедшего через пластину излучения. Также предложено устройство для измерения длины диффузии носителей заряда в полупроводниковых пластинах. Изобретение обеспечивает возможность выполнять измерения длины диффузии носителей заряда в полупроводниковых пластинах без установления электрического контакта с образцом непосредственно в тех областях, где будут изготовлены приборы, а также в пластинах, покрытых слоем прозрачного диэлектрика. 2 н.п. ф-лы, 1 ил.

 

Изобретение относится к способам и устройствам измерения длины диффузии носителей заряда в полупроводниковых материалах, в частности в полупроводниковых пластинках, в том числе покрытых прозрачным для инфракрасного излучения слоем диэлектрика, и может использоваться для контроля свойств полупроводниковых материалов при производстве приборов и в научных исследованиях.

Известен способ измерения диффузионной длины носителей заряда и устройство для его реализации (метод подвижного электронного зонда) (Батавин В.В., Концевой Ю.А., Федорович Ю.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. - М.: Радио и связь, 1985. - 264 с.). На поверхности полупроводника создается совокупность р-n-переходов или барьеров Шотки малой площади, являющихся коллекторами неосновных носителей заряда. В другой точке образца при помощи подвижного электронного зонда создается повышенная концентрация носителей заряда, которые диффундируют в полупроводнике. Ток в цепи коллектора прямо пропорционален концентрации неосновных носителей заряда. Диффузионную длину определяют, сравнивая экспериментальную зависимость тока в коллекторе от расстояния между зондом и коллектором с такими же зависимостями, рассчитанными теоретически для различных длин диффузии неосновных носителей заряда.

Недостатком этого способа является необходимость формирования на поверхности полупроводника дополнительных структур и создание электрического контакта с ним.

Недостатком устройства, реализующего этот способ, является обязательное наличие вакуумной системы, без которой невозможно создание электронного зонда.

Известен способ измерения диффузионной длины неосновных носителей заряда в полупроводниках (патент РФ №2501116, опубл. 10.12.2013 г.), заключающийся в том, что в тестовой структуре, выполненной на общем базовом слое на поверхности р-n- или n-р-переходов фотодиодов, изготавливают контактные электроды, которые изолируют от базового слоя диэлектрическим слоем. Радиусы контактных электродов больше радиусов р-n- или n-р-переходов фотодиодов и имеют общую ось симметрии. На поверхности базового слоя изготавливают контакт. Освещение тестовой структуры осуществляют в спектральном диапазоне поглощения базового слоя со стороны контактных электродов, непрозрачных для потока ИК-излучения. Проводят измерение фототоков фотодиодов и вычисляют отношения фототоков двух фотодиодов в тестовой структуре. Осуществляют теоретический расчет фототоков разных фотодиодов тестовой структуры и построение графиков зависимости отношения фототоков фотодиодов от диффузионной длины неосновных носителей заряда. Полученные экспериментально отношения фототоков сравнивают с теоретически рассчитанными по графикам и определяют величину диффузионной длины неосновных носителей заряда.

Недостатком способа является необходимость непосредственного контакта с поверхностью полупроводникового образца и изготовление тестовых структур.

Известен способ измерения длины диффузии носителей заряда и устройство для его реализации на основе измерения фотоэлектромагнитного эффекта (Батавин В.В., Концевой Ю.А., Федорович Ю.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. - М.: Радио и связь, 1985. - 264 с.). Полупроводниковая пластина, находящаяся в магнитном поле, освещается излучением лазера, мощность которого может быть измерена с погрешностью, не превышающей 10%. В этом случае можно рассчитать скорость поверхностной генерации носителей заряда. Присоединяя к пластине контакты, измеряют силу тока фотоэлектромагнитного эффекта или ЭДС. Значения подвижности носителей заряда берут из литературы или измеряют иными методами. Имея вышеперечисленные данные, можно рассчитать длину диффузии неосновных носителей заряда.

Недостаткам способа являются необходимость проведения дополнительных исследований для определения подвижности носителей заряда.

Недостатком устройства, реализующего этот способ, является создание электрического контакта с поверхностью образца.

Известен способ измерения длины диффузии носителей заряда и устройство для его реализации (Л.П. Павлов. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. - М.: Высшая школа, 1987, с. 96-99), принятые за прототип. Способ реализуется следующим образом. Излучением из спектральной области внутреннего фотоэффекта в полупроводнике на поверхности исследуемой полупроводниковой пластины создают световое пятно малой площади. Такой свет (излучение), поглощаясь в приповерхностном слое полупроводника, генерирует в нем электронно-дырочные пары носителей заряда, которые перемещаются из освещенной области посредством диффузии. На некотором расстоянии от светового пятна в другой точке на поверхности исследуемой полупроводниковой пластины (в точке тестирования) устанавливают точечный прижимной коллекторный контакт. К контакту прикладывают напряжение в обратном направлении. Ток в цепи коллектора прямо пропорционален концентрации неосновных носителей заряда, которые переместились (продиффундировали) от светового пятна в точку тестирования. Изменяя расстояние между точкой тестирования и световым пятном, получают опытную зависимость тока коллектора (и концентрации носителей заряда) от расстояния между световым пятном и точкой тестирования. Для определения диффузионной длины неосновных носителей заряда строят зависимость экспериментально измеренного тока в цепи коллектора (или концентрации неравновесных носителей) от расстояния между световым пятном и коллекторным контактом. Полученную зависимость сравнивают с аналогичными зависимостями, рассчитанными теоретически для различных значений диффузионной длины. Совпадение одной из теоретических зависимостей с опытной (экспериментальной) позволяет определить длину диффузии носителей заряда.

Недостатком способа-прототипа является необходимость создания прижимного электрического контакта зонда с поверхностью полупроводника. Это накладывает ограничения на его использование, например, когда исследуемая полупроводниковая пластина покрыта слоем диэлектрика. Кроме того, прижимной контакт механически повреждает пластину и делает невозможным изготовление в области тестирования качественных приборов.

Устройство, реализующее данный способ, содержит: оптическую систему для формирования излучением из области внутреннего фотоэффекта на поверхности исследуемой полупроводниковой пластины пятна малой площади, систему перемещения этого пятна относительно точки тестирования на заданные расстояния и систему измерения концентрации неравновесных носителей заряда в точке тестирования. Система формирования светового пятна может быть реализована классически - источник света (лампа) и объектив. Для повышения точности измерений световое излучение модулируют на заданной частоте. В настоящее время в качестве системы создания светового пятна часто используют полупроводниковый лазер или светодиод, излучение которого модулируют за счет питания. Система перемещения светового пятна на заданное расстояние обычно представляет собой микрометрическую подвижку с линейной или угловой шкалой перемещений, на которую монтируется система формирования светового пятна. Для определения концентрации неравновесных носителей заряда в точке тестирования используется металлический контактор, источник питания и измерительный прибор. В случае использования модулированного светового потока в качестве измерительного прибора обычно используется селективный милливольтметр.

Недостатком устройства являются искажения, связанные с ненадежным контактом между контактором и поверхностью полупроводника, приводящие к ошибкам в измерениях. Создание прижимного электрического контакта с поверхностью пластины для контроля ее электрофизических характеристик может вызывать изменение свойств полупроводника, его повреждение или даже разрушение, поэтому для проведения измерений на пластине приходится резервировать специальные площадки. Измерение параметров происходит не в той области пластины, где будет создан прибор, а в соседней. Это приводит как к недостоверности результатов, так и к уменьшению количества приборов, изготавливаемых по планарной технологии на одной пластине, следствием чего является увеличение их себестоимости.

Техническим результатом предлагаемого способа является возможность выполнять измерения длины диффузии носителей заряда в полупроводниковых пластинах без установления электрического контакта с образцом, в том числе в пластинах, покрытых слоем прозрачного диэлектрика.

Технический результат достигается тем, что для проведения измерений без установления электрического контакта с исследуемой пластиной сигнал, пропорциональный неравновесной концентрации носителей в измеряемой области, получают путем пропускания через нее луча инфракрасного излучения с длиной волны из области прозрачности исследуемой полупроводниковой пластины и измерения интенсивности этого луча после прохождения им пластины.

Техническим результатом устройства является расширение возможностей выполнения измерения длины диффузии носителей заряда в полупроводниковых пластинах без установления электрического контакта с образцом, в том числе непосредственно в тех областях, где будут изготовлены приборы, и без изменения свойств пластины, а также в пластинах, покрытых слоем прозрачного диэлектрика.

Технический результат достигается тем, что для измерения концентрации неравновесных носителей в точке тестирования используется инфракрасный лазер с длиной волны из области прозрачности полупроводника, фотоэлектрический приемник, регистрирующий излучение этого лазера после прохождения излучением исследуемой пластины, и электроизмерительный прибор, например селективный милливольтметр.

Способ и устройство для определения длины диффузии носителей заряда в полупроводниковых пластинках поясняется следующим чертежом:

фиг. 1 - блок-схема установки, где:

1 - система формирования светового пятна на поверхности полупроводниковой пластинки;

2 - система перемещения светового пятна по поверхности полупроводниковой пластинки;

3 - исследуемая полупроводниковая пластина;

4 - инфракрасный лазер с длиной волны из области прозрачности исследуемого полупроводника;

5 - фотоэлектрический приемник, преобразующий излучение инфракрасного лазера в электрический сигнал;

6 - электроизмерительный прибор.

Способ осуществляется следующим образом. Излучение из спектральной области внутреннего фотоэффекта в полупроводнике направляют на поверхность исследуемой полупроводниковой пластины и формируют на ее поверхности световое пятно малой площади. В области светового пятна внутри полупроводниковой пластины возникает повышенная концентрация неравновесных носителей заряда. В другой точке образца (в точке тестирования), отстоящей от области генерации неравновесных носителей заряда (т.е. от светового пятна) на заданное расстояние, определяют пропускание пластиной излучения инфракрасного лазера, длина волны которого выбирается из области прозрачности исследуемого полупроводника. Величина полученного сигнала пропорциональна неравновесной концентрации носителей заряда, созданной в точке тестирования. Это объясняется тем, что изменение концентрации носителей заряда приводит к изменению показателя преломления и коэффициента поглощения полупроводника, вследствие чего и происходит изменение пропускания пластинкой луча инфракрасного лазера (А.Б. Федорцов, Ю.В. Чуркин. Раздельное определение времен жизни неравновесных электронов и дырок в полупроводниках интерференционным методом. - М: Наука, журн. "Письма в ЖТФ", 1988, Т. 14, №4, с. 321-324). Проведя измерения интенсивности прошедшего через исследуемую полупроводниковую пластину лазерного излучения при разных расстояниях между световым пятном малой площади и точкой тестирования, строят экспериментальную зависимость величины полученного сигнала от этого расстояния. Используя решение уравнения непрерывности, рассчитывают серию теоретических зависимостей неравновесной концентрации носителей заряда от расстояния между световыми пятнами и точкой тестирования для различных значений длины диффузии. По совпадению опытной зависимости с одной из теоретических, при их сравнении, определяют диффузионную длину носителей заряда.

Устройство включает в себя: систему формирования излучением из спектрального диапазона внутреннего эффекта в исследуемом полупроводнике светового пятна малой площади на поверхности пластины 1, систему перемещения этого пятна на заданные расстояния 2 по поверхности пластины 3. Для измерения концентрации неравновесных носителей заряда в точке тестирования используется инфракрасный лазер с длиной волны из области прозрачности исследуемого полупроводника 4, фотоэлектрический приемник инфракрасного лазерного излучения 5 и электроизмерительный прибор 6.

Устройство работает следующим образом. Система 1 создает световое пятно малой площади, которое с помощью системы 2 может перемещаться на заданные расстояния по поверхности исследуемой полупроводниковой пластины 3. За счет диффузии неравновесные носители заряда, возникшие в области светового пятна, достигают точки тестирования полупроводниковой пластины 3. Для того чтобы измерения концентрации неравновесных носителей заряда выполнить бесконтактно, не разрушая исследуемый образец, через пластину 3 в точке тестирования пропускают луч длинноволнового инфракрасного лазера 4. Интенсивность прошедшего через пластинку лазерного излучения измеряют фотоэлектрическим приемником 5 и измерительным прибором 6. С помощью системы 2 последовательно устанавливают световое пятно на разных расстояниях от точки тестирования на поверхности пластины 3. При каждом положении светового пятна измеряют концентрацию неравновесных носителей заряда с помощью указанных выше приборов. По результатам измерений стоят опытную зависимость измеренного сигнала от расстояния между световым пятном и точкой тестирования.

Определение диффузионной длины производится по алгоритму, аналогичному тому, который используется в устройстве-прототипе, т.е. сравнением полученной опытной зависимости с аналогичными зависимостями, рассчитанными теоретически для разных длин диффузии носителей заряда.

1. Способ измерения диффузионной длины носителей заряда в полупроводниковых пластинах, включающий измерение сигнала, пропорционального неравновесной концентрации носителей заряда, возникающей в точке тестирования полупроводниковой пластины вследствие их диффузии из областей генерации, создаваемых на различных расстояниях от точки тестирования за счет формирования в этих областях световых пятен малой площади излучением из спектрального диапазона внутреннего фотоэффекта в полупроводнике, построение опытной зависимости амплитуды измеренного сигнала от расстояния между световым пятном и точкой тестирования, сравнение опытной зависимости с аналогичными зависимостями, рассчитанными теоретически, отличающийся тем, что для проведения измерений без установления электрического контакта с исследуемой пластиной сигнал, пропорциональный неравновесной концентрации носителей заряда в точке тестирования, получают путем пропускания через пластинку инфракрасного излучения с длиной волны из области прозрачности исследуемого полупроводника и измерения интенсивности прошедшего через пластину излучения.

2. Устройство для измерения длины диффузии носителей заряда в полупроводниковых пластинах, включающее систему формирования на поверхности исследуемой полупроводниковой пластины излучением из спектрального диапазона внутреннего эффекта в полупроводнике светового пятна малой площади, систему перемещения этого пятна на заданные расстояния по поверхности пластины и приборы для измерения концентрации неравновесных носителей заряда в точке тестирования, удаленной от светового пятна, отличающееся тем, что устройство содержит инфракрасный лазер с длиной волны из области прозрачности исследуемого полупроводника и фотоэлектрический приемник, преобразующий излучение этого лазера в электрический сигнал после прохождения излучением исследуемой полупроводниковой пластины.



 

Похожие патенты:

Использование: для определения времени межуровневой релаксации электрона в полупроводниковых квантовых точках. Сущность изобретения заключается в том, что предлагаемый способ проводят в следующем порядке: измеряют спектры фоточувствительности в области поглощения квантовых точек диодных структур при различных температурах и/или напряжениях смещения на диодных структурах, по которым строят температурные и/или полевые зависимости фоточувствительности диодных структур, для всех величин температуры диодных структур и/или напряженности электрического поля в слое квантовых точек - параметров измерения указанной выше фоточувствительности и предполагаемого интервала величин времени межуровневой релаксации электрона τ32 получают температурные и/или полевые зависимости квантовой эффективности эмиссии η0 электронно-дырочных пар, после чего сравнивают логарифмы полученных величин квантовой эффективности эмиссии η0 и η1 с логарифмами построенных величин нормированной фоточувствительности диодных структур в области основного и первого возбужденного оптических переходов в квантовых точках во всем диапазоне указанных параметров измерения для каждой величины времени межуровневой релаксации электрона τ32 с выбранным шагом изменения этой величины в пределах предполагаемого интервала и по величине времени межуровневой релаксации электрона τ32, соответствующей минимальному расхождению сравниваемых величин, судят об искомом времени межуровневой релаксации электрона.

Изобретение относится к области инновационных технологий и может быть использовано для определения параметров кристаллов силленитов, определяющих эффективность перспективных технических систем, и их экспресс-характеризации методами диэлектрической спектроскопии.

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для проведения ускоренных испытаний и получения сравнительной оценки надежности металлической разводки при производстве интегральных схем.

Изобретение относится к электронной технике, к области производства и эксплуатации интегральных схем, может быть использовано для проведения комплекса мероприятий по подготовке образцов изделий радиоэлектронной аппаратуры, к проведению испытаний на стойкость, к воздействию ионизирующего излучения космического пространства.

Изобретение относится к вопросам проектирования схемотехники и топологии интегральных схем и может быть использовано для коррекции топологии БИС, гибридных тонко- и толстопленочных микросхем, а также совмещенных ГИС.

Использование: для климатических испытаний готовых полупроводниковых приборов при одновременном измерении их электрических параметров. Сущность изобретения заключается в том, что термокамера содержит корпус, в котором размещена рабочая камера, вентилятор, узел очистки рециркуляционного воздуха, установленный в нагнетательном патрубке и выполненный в виде соосно соединенных суживающегося диффузора с винтообразными канавками на внутренней поверхности и расширяющегося сопла, в котором размещено осушивающее устройство в виде емкости, вентилятор снабжен приводом с регулятором скорости вращения, соединенным с выходами регулятора температуры и регулятора давления, и датчиками температуры и давления, подсоединенными соответственно к регулятору температуры и давления, каждый из которых содержит блок сравнения и блок задания, выпрямитель, который на входе подключен к регулятору скорости в виде блока порошковых электромагнитных муфт привода вентилятора, при этом на внутренней поверхности расширяющегося сопла выполнены винтообразные канавки, узел очистки рециркуляционного воздуха снабжен сеткой, выполненной из биметалла, установленной после внутренней круговой канавки на входе в суживающийся диффузор и соединенной с накопителем загрязнений, при этом на наружной поверхности корпуса расположен тонковолокнистый базальтовый материал, выполненный в виде витых пучков по высоте корпуса.

Изобретение относится к испытательной технике, применяемой при прочностных испытаниях (в частности, к испытаниям на прочность электронных плат (ЭП) при изготовлении).

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники, в частности к модификации электрофизических свойств полупроводниковых транзисторных структур. Способ включает определение критериальных параметров приборов, облучение в пассивном режиме ограниченной выборки однотипных полупроводниковых приборов слабым ИЭМП с варьируемыми параметрами, включая амплитуду импульса, его длительность и частоту следования, обработку экспериментальных данных статистическими методами путем сравнения критериальных параметров полупроводниковых приборов до и после облучения ИЭМП, по результатам которой выявляют положительный эффект модификации и производят повторное облучение необработанных полупроводниковых приборных структур при оптимальных для этого типа приборных структур режимах генерации ИЭМП.
Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к способам отбраковки мощных светодиодов на основе InGaN/GaN, излучающих в видимом диапазоне длин волн. Способ отбраковки мощных светодиодов на основе InGaN/GaN включает проведение измерений при комнатной температуре в любой последовательности падений напряжения в прямом и обратном направлениях и плотностей тока на светодиодах, отбраковку по определенным критериям, последующее проведение старения светодиодов при определенных условиях, повторное проведение упомянутых измерений при первоначальных условиях, кроме одного, с окончательной отбраковкой ненадежных светодиодов.

Изобретение относится к нанотехнологии и может применяться при изготовлении планарных двухэлектродных резистивных элементов запоминающих устройств. Способ получения резистивного элемента памяти включает в себя создание проводящих электродов на непроводящей подложке, напыление в зазор между электродами металлической пленки и последующий термический отжиг пленки.

Изобретение относится к области нанотехнологий, а именно к способам измерения параметров наноструктур, и может быть использовано при определении электрофизических параметров конденсаторной структуры мемристора, характеризующих процесс формовки. Способ определения электрофизических параметров конденсаторной структуры мемристора, характеризующих процесс формовки, включает измерение вольт-амперных и импедансных характеристик. Новым является то, что выбирают мемристоры в виде конденсаторов металл - диэлектрик - полупроводник с соизмеримыми емкостями диэлектрика и области пространственного заряда полупроводника, и с отсутствием фиксации (пиннинга) уровня Ферми на этой границе раздела; для этих структур дополнительно измеряют спектральную характеристику конденсаторной фотоЭДС; из измеренных характеристик определяют электрофизические параметры структур, которые характеризуют происходящие при формовке изменения как в диэлектрике, так и на границе раздела диэлектрик/полупроводник и в полупроводнике: захват носителей заряда поверхностными состояниями на границе раздела диэлектрик/полупроводник, перемещение ионов, электрохимические реакции, дефектообразование. Изобретение обеспечивает расширение диагностических возможностей измерения характеристик и повышение степени прогнозирования электрофизических параметров мемристоров в виде МДП-конденсаторов для оптимизации технологии их изготовления при их разработке, кроме того, изобретение расширяет арсенал методов измерительной технологии в актуальной области изготовления мемристоров, являющихся основой нового поколения устройств энергонезависимой памяти. 1 з.п. ф-лы, , 4 ил.

Изобретение относится к области оптоэлектронной техники и касается способа определения температурного распределения по поверхности светодиода. Способ включает в себя нанесение на поверхность светодиода пленки покровного материала, определение с помощью ИК тепловизионного микроскопа калибровочной зависимости излучаемого находящимся в нерабочем режиме светодиодом сигнала от температуры при внешнем нагреве, регистрацию с помощью ИК тепловизионного микроскопа излучаемого поверхностью светодиода в рабочем режиме сигнала и программную обработку полученных данных. При этом покровный материал обладает прозрачностью в области собственной электролюминесценции светодиода и его свойства в отношении поглощения и излучения электромагнитных волн ИК диапазона близки к свойствам абсолютно черного тела в области спектральной чувствительности ИК тепловизионного микроскопа. Технический результат заключается в повышении точности измерений. 7 ил.

Изобретение относится к области контроля полупроводниковых устройств. Способ оценки качества гетероструктуры полупроводникового лазера включает воздействие на волноводный слой гетероструктуры полупроводникового лазера световым излучением, не испытывающим межзонное поглощение в его активной области, но поглощаемым на свободных носителях в волноводном и ограничительных слоях гетероструктуры, регистрацию величины интенсивности светового излучения, прошедшего через указанный слой при отсутствии тока накачки и при заданной величине тока накачки, определение величины внутренних оптических потерь по соответствующей формуле. При величине внутренних оптических потерь, меньших заданной величины для данного типа лазера, судят о высоком качестве гетероструктуры полупроводникового лазера. Технический результат заключается в обеспечении возможности контроля отдельного полупроводникового лазера в линейке или матрице лазеров при высоких токах накачки. 1 ил.

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для визуализации электрических микронеоднородностей технологического происхождения: дислокаций, пор, преципитатов и т.д. в полупроводниковых гетероструктурах с произвольным дизайном активной области, выращенных на подложках Al2O3. В способе диагностики электрических микронеоднородностей в полупроводниковых гетероструктурах на основе InGaN/GaN подложку Al2O3 вместе с гетероструктурой и нанесенной на ее поверхность заземленной алюминиевой фольгой облучают электронным пучком с плотностью энергии от 0,1 до 0,8 Дж/см2 и скоростью нарастания напряженности электрического поля в гетероструктуре не ниже 5⋅1013 В/см⋅с. Определяют пороговую плотность энергии, выше которой в гетероструктуре возникают электрические разряды и связанные с ними микроразрушения. Микроразрушения регистрируют с помощью оптического микроскопа после многоимпульсного облучения дозой не менее 6⋅10-6 Кл/см2. Визуально судят о размерах и пространственном распределении электрических микронеоднородностей в гетероструктуре. Способ позволяет проводить диагностику в атмосферном воздухе без использования сложного и дорогостоящего оборудования на подложках с произвольным дизайном активной области. 4 ил.

Изобретение относится к технике измерения предельных параметров мощных биполярных транзисторов и может использоваться на входном и выходном контроле их качества. Способ согласно изобретению основан на использовании эффекта увеличения крутизны зависимости напряжения на эмиттерном переходе мощного биполярного транзистора при постоянном эмиттерном токе от коллекторного напряжения при приближении коллекторного напряжения к значению напряжения локализации тока. Контролируемый транзистор включают по схеме с общей базой, задают постоянный эмиттерный ток, на коллектор контролируемого транзистора подают напряжение, представляющее собой сумму линейно нарастающего напряжения, не превышающего предельно допустимое значение для данного типа транзисторов при заданном токе, и малого синусоидального напряжения, при напряжении на коллекторе, близком к нулю, определяют амплитуду переменной составляющей напряжения на эмиттере контролируемого транзистора и затем определяют значения напряжения на коллекторе контролируемого транзистора, при которых амплитуда переменной составляющей напряжения на эмиттере контролируемого транзистора становится равной и соответственно, где k1 и k2 - заданные коэффициенты превышения начальной амплитуды , причем k2>k1, и искомое напряжение локализации тока вычисляют по предложенной расчетной формуле. Изобретение обеспечивает повышение точности определения напряжения локализации тока в мощных ВЧ и СВЧ биполярных транзисторах при однократном измерении. 3 ил.

Изобретение относится к технологии контроля качества полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками и может быть использовано для обнаружения глубоких дефектов, создаваемых слоем квантовых точек InAs в матрице GaAs. Технический результат изобретения - расширение технологических возможностей и повышение точности контроля наличия глубоких дефектов матрицы GaAs в окрестности слоя квантовых точек InAs за счет надежной оценки захвата носителей заряда глубокими дефектами вблизи указанного слоя квантовых точек, обеспечивающей повышение технологичности указанного контроля в связи с достаточностью использования доступного исследовательского оборудования. Способ контроля наличия глубоких дефектов матрицы GaAs, связанных с встраиванием в нее слоя квантовых точек InAs, основанный на оценке захвата носителей заряда глубокими дефектами вблизи слоя квантовых точек InAs, в котором измеряют кривую изменения продольной поверхностной проводимости гетероструктуры на основе матрицы GaAs в зависимости от напряжения импульсного поперечного монополярного электрического поля, инжектирующего носители заряда в поверхностную область указанной гетероструктуры, состоящей из полуизолирующей подложки GaAs, проводящего буферного слоя GaAs, выращенного на нем слоя квантовых точек InAs, и покровного слоя GaAs, образующего с указанным буферным слоем GaAs матрицу GaAs, затем при выявлении формы указанной кривой в виде петли гистерезиса повторяют это измерение в гетероструктурах с различной толщиной покровного слоя GaAs в пределах максимальной толщины, определяемой шириной области пространственного заряда поверхностного барьера при нулевом напряжении в данной гетероструктуре, и по увеличению ширины петли гистерезиса при увеличении толщины покровного слоя GaAs судят о наличии глубоких дефектов матрицы GaAs вблизи слоя квантовых точек InAs. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение может быть использовано для измерения электрофизических параметров полупроводниковых монокристаллических пластин, автоэпитаксиальных и гетероэпитаксиальных структур, а также структур типа полупроводника на изоляторе. Устройство содержит два электролитических зонда, у которых каждый корпус представлен в виде полой прозрачной трубки из диэлектрического материала, с одного конца которой закреплен монолитный наконечник из диэлектрического капиллярного или пористого материала в форме конуса с удлиненным цилиндрическим основанием, а с другого конца закреплена пробка из резины. Электроды устройства выполнены в виде колец из инертного металла и расположены на внешней поверхности конусных наконечников. Материал конусных наконечников пропитывают электролитом, зонды устанавливают на измеряемую пластину конусными наконечниками по нормали к лицевой поверхности, прикладывают к электродам постоянное напряжение разной полярности, постепенно увеличивают величину постоянного напряжения и одновременно подают на измерительные электроды электролитических зондов короткие периодические синусоидальные импульсы напряжения с амплитудой, большей, чем величина постоянного напряжения. Регистрируют вольт-амперную характеристику полупроводника с помощью устройств вывода радиоизмерительного прибора. Изобретение обеспечивает возможность увеличения точности производимых измерений и расширения области применения. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 пр.

Изобретение относится к измерительной технике, может быть использовано для определения электрофизических параметров слоя полупроводника на поверхности диэлектрика и может найти применение в различных отраслях промышленности при контроле свойств полупроводниковых слоев. Технический результат изобретения заключается в снижение трудоемкости и времени определения параметров полупроводника за счет уменьшения количества проводимых измерений. Cпособ определения параметров полупроводникового слоя в измеряемой структуре диэлектрик-полупроводниковый слой включает облучение структуры электромагнитным излучением СВЧ-диапазона, измерение спектра отражения излучения от структуры в выбранном частотном диапазоне при ряде различных значений температур, определение толщины dnn и электропроводности σ полупроводникового слоя при температуре Т3, для которой характерно преимущественное рассеяние носителей заряда на фононах, в результате решения обратной задачи, согласно решению при известном dnn определяют σ в диапазоне температур от значения T1, для которого характерно изменение электропроводности за счет ионизации примеси, до значения, для которого характерно преимущественное рассеяние носителей заряда на фононах, определяют температуру Т0 полной ионизации примесей, при которой σ принимает максимальное значение, для определения искомых параметров определяют диапазон физически значимых температур, серединой которого является значение температуры Т0, а минимальным значением – Т1, затем по зависимости σ(T) в диапазоне физически значимых температур, решая обратную задачу с использованием теоретической зависимости σ(T, ΔW, m*, N, b1), находят энергию активации ΔW, эффективную массу носителей заряда m*, концентрацию примесных центров N, параметр b1, определяющий коэффициент рассеяния на ионах примеси, затем при известных ΔW, m*, N, b1 вычисляют зависимость коэффициента рассеяния носителей заряда на фононах a(T) и коэффициент рассеяния носителей заряда на ионах b. 3 ил.

Изобретение относится к технологии косвенного контроля степени влияния дефектообразования на рекомбинационное время жизни носителей в полупроводниковых квантовых точках на основе гетероперехода первого рода, повышающего эффективность изготовления приборов оптоэлектроники. Технический результат заявляемого изобретения - разработка эффективного косвенного способа определения изменения рекомбинационного времени жизни носителей в полупроводниковых квантовых точках на основе гетероперехода первого рода в связи с изменением концентрации точечных дефектов в слое указанных квантовых точек, не требующего использования сложного и малодоступного дорогостоящего измерительного оборудования за счет выявления новых диагностических возможностей экспериментально более простого метода фотоэлектрической спектроскопии полупроводниковых квантово-размерных гетеронаноструктур, основанного на применении стандартного оборудования. В заявленном способе измеряют спектры фоточувствительности при различных температурах у двух фотодиодных структур, низкодефектной и высокодефектной, содержащих слой квантовых точек, различающихся концентрацией точечных дефектов в последнем, по измеренным спектрам строят температурные зависимости фоточувствительности в области основного оптического перехода квантовых точек и нормируют построенные зависимости по высокотемпературному участку насыщения, затем путем соответствующих измерений параметров для низкодефектной и высокодефектной фотодиодных структур и соответствующих расчетов судят об искомом изменении величины рекомбинационного времени жизни носителей, соответствующем повышению концентрации точечных дефектов в слое квантовых точек. 2 з.п. ф-лы, 6 ил.

Использование: для одновременного определения толщины полуизолирующей подложки, толщины и удельной электропроводности нанесенного на нее сильнолегированного слоя и подвижности свободных носителей заряда в этом слое. Сущность изобретения заключается в том, что способ определения параметров полупроводниковой структуры, состоящей из полуизолирующей подложки с нанесенным на нее сильнолегированным слоем, включает размещение полупроводниковой структуры на границе нарушенного центрального слоя одномерного волноводного СВЧ фотонного кристалла, полностью заполняющего прямоугольный волновод по поперечному сечению, облучение фотонного кристалла электромагнитным излучением СВЧ-диапазона, измерение частотной зависимости коэффициентов отражения и прохождения электромагнитного излучения СВЧ-диапазона, измерение проводят при двух различных ориентациях полупроводниковой структуры относительно направления распространения электромагнитной волны: «сильнолегированный слой–полуизолирующая подложка» и «полуизолирующая подложка–сильнолегированный слой», рассчитывают значения толщины полуизолирующей подложки, толщины и удельной электропроводности нанесенного на нее сильнолегированного слоя, при которых измеренные частотные зависимости коэффициентов отражения и прохождения электромагнитного излучения при двух различных ориентациях полупроводниковой структуры наиболее близки к теоретическим частотным зависимостям, затем размещают полупроводниковую структуру после фотонного кристалла перпендикулярно широкой стенке волновода в центре его поперечного сечения, облучают фотонный кристалл электромагнитным излучением СВЧ-диапазона, измеряют частотные зависимости коэффициентов отражения и прохождения электромагнитного излучения СВЧ-диапазона, подвергают полупроводниковую структуру воздействию внешнего магнитного поля, вектор магнитной индукции которого направлен перпендикулярно узкой стенке волновода, облучают фотонный кристалл электромагнитным излучением СВЧ-диапазона, измеряют частотные зависимости коэффициентов отражения и прохождения электромагнитного излучения СВЧ-диапазона при воздействии магнитного поля, рассчитывают значение подвижности свободных носителей заряда в сильнолегированном слое, при котором измеренные частотные зависимости коэффициентов отражения и прохождения электромагнитного излучения в отсутствие внешнего магнитного поля и при воздействии магнитного поля с индукцией наиболее близки к теоретическим частотным зависимостям, полученным с учетом рассчитанных значений толщины полуизолирующей подложки, толщины и удельной электропроводности нанесенного на нее сильнолегированного слоя. Технический результат - обеспечение возможности определения четырех параметров полупроводниковых структур. 12 ил.

Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для бесконтактного неразрушающего определения диффузионной длины носителей заряда в полупроводниковых пластинах, в том числе покрытых прозрачным слоем диэлектрика. Способ измерения диффузионной длины носителей заряда в полупроводниковых пластинах включает измерение сигнала, пропорционального неравновесной концентрации носителей заряда, возникающей в точке тестирования полупроводниковой пластины вследствие их диффузии из областей генерации, создаваемых на различных расстояниях от точки тестирования за счет формирования в этих областях световых пятен малой площади излучением из спектрального диапазона внутреннего фотоэффекта в полупроводнике, построение опытной зависимости амплитуды измеренного сигнала от расстояния между световым пятном и точкой тестирования, сравнение опытной зависимости с аналогичными зависимостями, рассчитанными теоретически, при этом для проведения измерений без установления электрического контакта с исследуемой пластиной сигнал, пропорциональный неравновесной концентрации носителей заряда в точке тестирования, получают путем пропускания через пластинку инфракрасного излучения с длиной волны из области прозрачности исследуемого полупроводника и измерения интенсивности прошедшего через пластину излучения. Также предложено устройство для измерения длины диффузии носителей заряда в полупроводниковых пластинах. Изобретение обеспечивает возможность выполнять измерения длины диффузии носителей заряда в полупроводниковых пластинах без установления электрического контакта с образцом непосредственно в тех областях, где будут изготовлены приборы, а также в пластинах, покрытых слоем прозрачного диэлектрика. 2 н.п. ф-лы, 1 ил.

Наверх