Многоточечное частотное устройство измерения давления, массы и деформаций

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения давления, массы, деформаций и напряжений. Устройство содержит тензорезисторы, которые размещены в контролируемых точках объекта и соединены с внешними конденсаторами в фазирующую RC-цепочку, образуя совместно с усилителем генератор гармонических колебаний, соединенный через преобразователь частота-код и микроконтроллер, программа которого снабжена градуировочной характеристикой зависимости частоты от контролируемой массы или деформации, с цифровым индикатором. Технический результат заключается в возможности непрерывно проводить измерения с использованием двухпроводной линии связи и однотипных стандартных тензорезисторов (тензодатчиков). 3 ил.

 

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в различных отраслях промышленности и транспорта для измерения давления, быстрого и высокоточного определения массы транспортного средства с различными грузами, при перемещении грузов различного рода подъемными механизмами и одновременном их взвешивании, а также для исследования деформаций и напряжений в деталях и конструкциях и в системах автоматического контроля.

Известно устройство, реализующее способ многоопорного взвешивания (патент РФ №121570 G01L 25/00, опубл. 27.10.2012), в котором размещают многокомпонентные тензорезисторные датчики веса, каждый из которых содержит основной мост тензорезисторов для измерения силы и по два дополнительных моста тензорезисторов, измеряющих моменты сил, приложенных к их силовводящим и опорным узлам на эталонной силовоспроизводящей установке, и судят об измеряемом весе по сумме сигналов основных мостов тензорезисторов всех датчиков, контролируя при этом сигналы дополнительных мостов тензорезисторов. Измерение сигналов дополнительных мостов тензорезисторов позволяет контролировать правильность ориентации многокомпонентных датчиков веса на эталонной силовоспроизводящей машине.

Недостатками применения этого устройства и реализуемого им способа являются малая мощность выходного сигнала и влияние малозаметных дестабилизирующих факторов (просадки и наклона фундамента и платформы) на погрешность измерения.

Известен преобразователь сигнала разбаланса тензомоста в частоту (АС СССР №828406 МКИ Н03K 13/20, опубл. 07.05.81. Бюл. №17), содержащий тензомост, компаратор, выход которого подключен к диагонали питания тензомоста, и интегратор, выполненный на операционном усилителе с первым конденсатором в цепи отрицательной обратной связи, выход которого подключен к первому входу компаратора, между выходом компаратора и инвертирующим входом операционного усилителя интегратора включен второй конденсатор, вход интегратора соединен с одной из вершин измерительной диагонали тензомоста, а ее другая вершина подключена к неинвертирующему входу операционного усилителя интегратора и второму входу компаратора. Преобразователь содержит тензомост, интегратор на операционном усилителе с конденсатором в цепи отрицательной обратной связи, компаратор, выход которого подключен к диагонали питания тензомоста и через конденсатор соединен с инвертирующим входом усилителя, первый вход подключен к выходу интегратора, а второй вход - к одной из вершин измерительной диагонали тензомоста и к неинвертирующему входу усилителя. Другая вершина измерительной диагонали моста подключена к входу интегратора. Выходная частота данного преобразователя определяется по формуле

где εR - относительное изменение сопротивлений тензомоста от воздействия измеряемого давления;

Rи - сопротивление интегратора, которое включает в себя выходное сопротивление тензометрического моста и сопротивление кабельной линии;

Сд - емкость дозирующего конденсатора.

Недостатками устройства, содержащего тензорезисторный датчик давления и частотный преобразователь сигнала с выхода тензомоста датчика, являются низкая точность при изменении сопротивлений тензорезисторов с изменением температуры разогрева тензомоста и работа преобразователя только при разбалансе тензомоста в одну сторону, а при нулевом разбалансе выходная частота преобразователя равна нулю.

Наиболее близким по технической сущности является датчик давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы (НиМЭМС) с частотным выходным сигналом (Патент РФ №2408857, МПК G01L 9/04; В82В 1/00, опубл. 10.01.2011), содержащий тензорезисторный датчик, состоящий из корпуса, установленной в нем НиМЭМС с упругим элементом в виде мембраны с основанием, сформированной на ней гетерогенной структурой из тонких пленок материалов, в которой образованы тензорезисторы, объединенные в тензомост, частотный преобразователь сигнала с выхода тензомоста, содержащий компаратор и интегратор, выполненный на операционном усилителе с первым конденсатором в цепи отрицательной обратной связи, выход которого подключен к первому входу первого компаратора, инвертирующий вход операционного усилителя интегратора через второй конденсатор соединен с первой вершиной диагонали питания тензомоста и через резистор интегратора - с одной из вершин измерительной диагонали тензомоста, а ее другая вершина подключена к неинвертирующему входу операционного усилителя интегратора, отличающийся тем, что резистор интегратора выполнен из того же материала, что и тензорезисторы тензомоста датчика, установлен за периферией мембраны на ее основании, введены три дополнительных резистора и второй компаратор, при этом первый дополнительный резистор соединяет первую вершину диагонали питания тензомоста с выходом первого компаратора и с первым входом второго компаратора, выход которого через второй дополнительный резистор соединен со второй вершиной диагонали питания тензомоста, которая через третий дополнительный резистор соединена с инвертирующим входом операционного усилителя интегратора, при этом вторые входы компараторов подключены к шине «земля».

Недостатками датчика давления на основе НиМЭМС с частотным выходным сигналом являются специфическая область применения, использование НиМЭМС, изготавливаемых по особой технологии, возможность измерения лишь в локальной точке, низкая помехоустойчивость выходного сигнала импульсной формы, ограничивающая дальность передачи информации.

Задачей заявляемого изобретения является повышение помехоустойчивости информативного сигнала с возможностью его дистанционной передачи по двухпроводной линии связи при использовании большого количества однотипных стандартных тензорезисторов для контроля значительных площадей и протяженных участков исследуемых объектов с усреднением и линеаризацией измерений без дополнительных вычислительных операций, устранение влияния нестабильности напряжения питания измерительной схемы, просадки, наклона фундамента и платформы весов, а также смещения центра масс грузов на погрешность измерения.

Поставленная задача решается многоточечным частотным устройством измерения давления, массы и деформаций путем измерения частоты генератора, зависящей от параметров тензорезисторов, которые расположены в контрольных точках по площади или участку исследуемого объекта и соединены с внешними конденсаторами, образуя фазирующую RC-цепочку, составляющую совместно с усилителем генератор, соединенный через функциональный преобразователь частота-код и микроконтроллер, программа которого снабжена градуировочной характеристикой зависимости частоты от контролируемой массы или деформации, с цифровым индикатором.

Технический результат достигается использованием тензорезисторов в качестве элементов фазирующей цепочки генератора.

Сущность технических решений поясняется чертежами, где:

- на фиг. 1 представлена принципиальная схема фазирующей CR-цепочки;

- на фиг. 2 - принципиальная схема фазирующей RC-цепочки;

- на фиг. 3 - схема измерения с использованием тензорезисторов в качестве элементов фазирующей цепочки RC-генератора.

Устройство реализуется использованием типовых тензорезисторов, не менее трех, расположенных в необходимых точках контроля и образующих вместе с внешними конденсаторами фазирующую RC-цепочку генератора гармонических колебаний, частота которого зависит от средней массы (деформации, давления) объекта. В случае использования одного или двух тензорезисторов, другие заменяются на типовые резисторы.

Рекомендуемая электрическая схема RC-фазирующей цепочки (ФЦ) представлена на Фиг. 1. Например, при исследованиях деформаций по длине целесообразно использовать ФЦ (Фиг. 2) из цепочечных тензорезисторов (Достоверные измерения и прогнозы. Тезорезисторы и аксессуары. С. 35-38) [электронный ресурс. http://www.hbm.ru>pic/pdf/1372416324], выпускаемых промышленностью и представляющих собой комбинацию из 10 тензорезисторов на одной подложке.

Частоты квазирезонанса ω0 n-плечих ФЦ (фиг. 1), составленных из тензорезисторов с сопротивлением R в поперечных плечах и конденсаторов емкостью С в продольных, и у ФЦ (Фиг. 2) составленных из тензорезисторов с сопротивлением R в продольных, а конденсаторов С в поперечных плечах определяются согласно (см. Гулин А.И. Проектирование многозвенных регенераторов // Изв. вузов «Приборостроение» 2012. Т. 15. №1 (41). С. 14-118) как

и

соответственно, где коэффициент kn вычисляется из уравнения

где р=0,25n-1 - для четных 0,5n;

р=0,25(n+2)-1 - для нечетных 0,5n.

Из всех вещественных положительных корней уравнения необходимо использовать наименьшее значение kn, т.к. использование других значений приведет к сдвигу фаз ФЦ на 2π радиан и более.

При больших площадях и протяженных участках контролируемого объекта число тензорезисторов увеличивают до необходимого количества (нескольких сот), располагая их в необходимых точках контроля.

Для расчета более сложных ФЦ можно воспользоваться программой (см. Гулин А.И., Сухинец Ж.А. и др. Расчет частоты квазирезонанса и коэффициента передачи многозвенных RC-структур // Свидетельство об официальной регистрации программы для ЭВМ №2003611147 / 16.05.2003. Роспатент. Москва. 2003).

Подобный подход к построению измерительных устройств массы устраняет необходимость точной выдержки горизонтальности авто- и вагонных весов, возникающих вследствие просадки, наклона фундамента и платформы весов, а также смещения центра масс грузов на погрешность измерения, т.к. увеличение нагрузки на одни тензорезисторы и соответственно уменьшение нагрузок на другие не влияет на среднюю частоту квазирезонанса.

Многоточечное частотное устройство измерения массы и деформаций (Фиг. 3) на протяженном объекте или объекте большой площади содержит тензорезисторы 1, составляющие с внешними конденсаторами элементы фазирующей цепочки 2 для образования совместно с усилителем 3 генератора 4, соединенного через функциональный преобразователь частота-код 5 и микроконтроллер 6 с цифровым индикатором 7.

Программу микроконтроллера снабжают градуировочной характеристикой зависимости частоты от массы (деформации) объекта.

Измерение массы или деформаций на объекте осуществляется следующим образом. Однотипные стандартные тензорезисторы (тензодатчики) 1 размещают в контролируемых точках объекта, соединяют с внешними конденсаторами для образования фазирующей цепочки 2, составляющей совместно с усилителем 3 генератор 4, выход которого соединяют через функциональный преобразователь частота-код 5 и микроконтроллер 6 с цифровым индикатором 7.

При изменениях массы (давлений, деформаций) контролируемого объекта меняются значения сопротивлений тензорезисторов, образующих фазирующую цепочку 2 генератора 4. В соответствии с величинами этих сопротивлений устанавливается частота генератора 4, которая преобразуется функциональным преобразователем частота-код 5, обрабатывается микроконтроллером, программу которого снабжают градуировочной характеристикой зависимости частоты от контролируемой массы или деформации, и индицируется на цифровом индикаторе 7 в соответствующих единицах измерения.

Итак, заявляемое изобретение позволяет частотным способом непрерывно измерять давление, массу и деформацию объекта с использованием двухпроводной линии связи и однотипных стандартных тензорезисторов (тензодатчиков) с усреднением и линеаризацией измерений без дополнительных вычислительных операций, что обеспечивает высокую надежность и помехоустойчивость устройства при дистанционных измерениях.

Кроме того, устройство устраняет влияние просадки, наклона фундамента и платформы весов, а также смещения центра масс грузов, т.к. увеличение сопротивлений одних тензорезисторов будет соответствовать уменьшению сопротивлений других, а также нестабильности напряжения питания измерительной схемы на выходную частоту генератора.

Многоточечное частотное устройство измерения давления, массы и деформаций путем измерения частоты генератора, зависящей от параметров тензорезисторов, отличающееся тем, что тензорезисторы размещены в контролируемых точках объекта и соединены с внешними конденсаторами в фазирующую RC-цепочку, образуя совместно с усилителем генератор гармонических колебаний, соединенный через преобразователь частота-код и микроконтроллер, программа которого снабжена градуировочной характеристикой зависимости частоты от контролируемой массы или деформации, с цифровым индикатором.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к оборудованию для гранулирования предварительно измельченных материалов и может быть использовано для определения напряженного состояния в клиновидном рабочем пространстве вальцово-матричных пресс-грануляторов.

Способ настройки термоустойчивого датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы относится к области измерительной техники и предназначен для измерения давления при воздействии нестационарной температуры измеряемой среды.

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к тензорезисторным датчикам давления на основе тонкопленочных нано- и микроэлектрических систем (НиМЭМС) с мостовой измерительной цепью, предназначенных для использования в системах управления, контроля и диагностики объектов длительного функционирования.

Изобретение относится к измерительной технике. Микромеханический волоконно-оптический датчик давления выполнен на основе оптического волокна, содержащего участки ввода и вывода излучения, а также участок, размещенный в пропускном канале корпуса.

Датчик давления с нормализованным или цифровым выходом содержит корпус с установленными в нем чувствительным элементом давления (ЧЭД) с кристаллом интегральной микросхемы преобразователя давления (ИПД) и контактными площадками, кристалл интегральной микросхемы (ИС) преобразователя сигнала ИПД, защитную крышку ЧЭД и ИС, выходные контакты, средства электрических соединений ЧЭД, ИС и выходных контактов и по меньшей мере один канал в корпусе для подвода давления среды.

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения давления в системах измерения, контроля и управления. Датчик абсолютного давления содержит корпус со штуцером, металлическую мембрану, передающую воздействие давления через несжимаемую жидкость полупроводниковому чувствительному элементу, выполненному в виде профилированного монокристалла кремния плоскости (100) с квадратной мембраной, соединенного электростатическим способом в вакууме со стеклянным основанием, на плоской поверхности профилированного монокристалла сформированы тензорезисторы, объединенные в мостовую измерительную цепь.

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к преобразователям малых давлений высокотемпературных сред, и может быть использовано в разработке и изготовлении малогабаритных полупроводниковых преобразователей давления, работоспособных при повышенных температурах.

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к тензорезисторным датчикам давления на основе тонкопленочных нано- и микроэлектромеханических систем (НиМЭМС).

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в технологии изготовления малогабаритных тонкопленочных датчиков механических величин, работоспособных в широком диапазоне температур.

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к тензорезисторным датчикам давления на основе тонкопленочных нано- и микроэлектромеханических систем (НиМЭМС) с мостовой измерительной цепью.

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для прецизионного измерения давления на основе тензомостового интегрального преобразователя давления в широком диапазоне рабочих температур. Предложен способ измерения давления и калибровки, в котором калибровку аддитивной и мультипликативной температурной погрешностей проводят при непрерывном измерении напряжений с диагоналей тензомоста отдельно для минимального и максимального значения давления при изменении температуры от минимальной до максимальной рабочей температуры и обратно, а нелинейность преобразователя от давления оценивают при изменении давления в НУ и крайних точках рабочих температур. Давление вычисляют по коэффициентам, рассчитанным при калибровке, путем последовательной компенсации аддитивной и мультипликативной температурной погрешностей, а также нелинейности преобразователя от давления. Технический результат - повышение точности измерений за счет компенсации аддитивной, мультипликативной погрешностей и нелинейности тензомостового интегрального преобразователя давления во всем диапазоне изменения рабочих температур и давления при сокращении времени и трудоемкости калибровки. 4 ил.

Изобретение относится к оборудованию для гранулирования измельченного полуфабриката растительного происхождения. Прессующий ролик пресс-гранулятора содержит обечайку, подшипники качения, торцевые крышки для фиксации обечайки относительно наружных колец подшипников и измеритель нормальных напряжений на рабочей поверхности ролика. Обечайка выполнена по меньшей мере с одним меридиональным пазом на внутренней поверхности и по меньшей мере с одним радиальным отверстием. Измеритель нормальных напряжений выполнен в виде по меньшей мере одного тензометрического штифта, установленного с зазором в соответствующем радиальном отверстии обечайки. Штифт имеет опорно-стопорную головку, расположенную в меридиональном пазу обечайки с опорой на тензометрическую пластину. На одной стороне упомянутой пластины закреплен тензодатчик. Проводники тензодатчика выведены через полость, образованную П-образным сечением колодки, по меньшей мере в одно отверстие в торцевой крышке. Колодка размещена в меридиональной пазу обечайки. В результате обеспечивается повышение точности измерения нормального напряжения на рабочей поверхности прессующего ролика. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к преобразователям давлений, и может быть использовано в разработке и изготовлении малогабаритных полупроводниковых датчиков давлений. Сущность: преобразователь давления содержит кремниевую мембрану (1), предназначенную для измерения давления, с расположенным на ней кремниевым резонатором (2). Дополнительно преобразователь содержит два постоянных магнита (3), обеспечивающие действие магнитного поля в плоскости резонатора в направлении, перпендикулярном продольной оси резонатора (2). Резонатор (2) выполнен в виде наружной рамки, внутри которой на перемычках (4, 5) подвешен колебательный элемент в виде внутренней рамки (6) с напыленной на ее поверхности по периметру проводящей дорожкой (7), которая проходит через одну из перемычек, а на другой перемычке расположен преобразователь деформации, состоящий из расположенных попарно-перпендикулярно на противоположных краях одной стороны перемычки в зонах наибольшего сжатия и растяжения четырех тензорезисторов (8), объединенных в мостовую схему. Технический результат: повышение чувствительности, увеличение добротности колебательной системы и снижение потребляемой мощности преобразователя. 5 ил.

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к датчикам, предназначенным для измерения давления жидких и газообразных сред в условиях воздействия нестационарных температур измеряемой среды. Термоустойчивый датчик давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы содержит корпус, установленную в нем нано- и микроэлектромеханическую систему (НиМЭМС), состоящую из упругого элемента - мембраны с жестким центром, с периферийным основанием в виде оболочки вращения с кольцевой проточкой. На мембране образована гетерогенная структура из тонких пленок материалов, в которой сформированы контактные площадки, тензорезисторы из одинаковых тензоэлементов, соединенные перемычками, включенные в измерительный мост. Центры окружных и радиальных тензоэлементов расположены по окружности, радиус которой определен по соотношению: r(x)=(0,744-0,0476·cos(4,806x)-0,07482·sin(4,806х)-0,01826·cos(9,612х)+0,005405·sin(9,612х))·rм, где x = r 0 r м - отношение радиуса жесткого центра r0 к радиусу мембраны rм, при этом радиус периферийного основания определен по соотношению: rп=1,28rм. Техническим результатом изобретения является повышение точности путем повышения устойчивости к воздействию термоудара при одновременном уменьшении нелинейности мостовой измерительной цепи датчика и обеспечении высокой чувствительности. 6 ил.

Изобретение относится к измерительной технике и может использоваться для измерения избыточного или абсолютного давления в условиях работы с возможным воздействием большого перегрузочного давления до 1000 бар. Заявленный датчик избыточного и абсолютного давления с защитой от высокого перегрузочного давления, содержащий корпус из нержавеющей стали, в верхней части которого имеется узкое дренажное отверстие и в центре вдоль продольной оси расположена заполненная силиконовой жидкостью полость, над которой размещен сенсор с чувствительным элементом, а в нижней части корпуса установлена мягкая разделительная металлическая мембрана, связанная с полостью с силиконовой жидкостью через узкое отверстие, расположенное вдоль продольной оси корпуса, при этом корпус выполнен из двух соединенных между собой и расположенных по вертикали на одной продольной оси верхней и нижней частей, при этом снизу в верхней части корпуса установлены дополнительно две компенсационные мембраны, связанные через узкое отверстие, расположенное вдоль продольной оси корпуса, с мягкой разделительной мембраной в нижней части корпуса, а через узкое ступенчатое отверстие в верхней части корпуса - с полостью, заполненной силиконовой жидкостью. Технический результат - обеспечение компенсации воздействия высокого перегрузочного давления на мягкую разделительную мембрану перемещением компенсационных мембран и обеспечение нормальных условий работы сенсора. 4 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к технике измерения неэлектрических величин, а именно к тензорезисторным датчикам абсолютного давления на основе кремний-на-изоляторе (КНИ) микроэлектромеханической системы. Тензорезисторный датчик абсолютного давления содержит корпус с трубкой для подвода измеряемого давления, выполненный из металлической пластины-основания и металлической крышки, внутри которого имеется электрическая цепь коммутации тензопреобразователя с внешней электрической схемой и жестко закреплен чувствительный элемент абсолютного давления (ЧЭД). При этом ЧЭД состоит из чипа тензопреобразователя с измерительным мостом Уинстона, стеклянного пьедестала и вакуумированной полости. Причем чип тензопреобразователя выполнен на основе КНИ-гетероструктуры, состоящей из двух монокристаллических кремниевых пластин, разделенных промежуточным тонким слоем неорганического диэлектрика, причем в верхней сформирована монолитная тензорамка, а в нижней сформированы трапециевидная выемка и мембрана, образующие вакуумированную полость в результате герметичного соединения чипа тензопреобразователя с пьедесталом по полоске на периметре пьедестала. Пьедестал ЧЭД выполнен в форме квадратной пластины из стекла Pyrex и жестко закреплен на пластине-основании в посадочном месте, выполненном в форме глухого отверстия со ступенчатым профилем, а монолитная тензорамка состоит из четырех объемных тензорезисторов равной длины и равного сечения, образующих измерительный мост Уинстона. Трубка для подвода измеряемого давления установлена в крышке корпуса со стороны рабочей поверхности чипа тензопреобразователя. Электрическая цепь коммутации выполнена в виде гибкого шлейфа на основе полиимидной пленки, который ленточными выводами с одного конца электрически соединен с контактными площадками чипа тензопреобразователя, а на другом конце шлейфа расположен ряд контактных площадок для соединения с внешней электрической схемой, проводники и микроконтакты гибкого шлейфа защищены тонкой неорганической пленкой. Техническим результатом является повышение временной стабильности и надежности, расширение диапазона рабочей температуры датчика, снижение его чувствительности к воздействию гамма-радиации. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к микромеханическим датчикам, и может быть использовано для создания датчиков для измерения давлений жидких и газообразных агрессивных сред в условиях воздействия широкого диапазона стационарных и нестационарных температур. Датчик содержит корпус, установленную в нем нано- и микроэлектромеханическую систему (НиМЭМС), состоящую из мембраны, подушки с силопередающим штоком, соединенным с балкой, имеющей отверстия и прорези, на плоской поверхности которой образована гетерогенная структура из тонких пленок материалов, контактной колодки, соединительных проводников. Сформированные в гетерогенной структуре тензорезисторы, состоят из идентичных тензоэлементов, соединенных перемычками, включенными в мостовую измерительную цепь. Тензоэлементы, включенные в противоположные плечи мостовой измерительной цепи, размещены на плоской поверхности балки, а центры других тензоэлементов, включенных в противоположные плечи мостовой измерительной цепи, размещены на плоской поверхности балки. При этом диаметр отверстий, толщина балки и диаметр силопередающего штока определены также по установленным соотношениям. Технический результат заключается в повышении точности и чувствительности датчика. 2 ил., 1 табл.

Изобретение относится к средствам измерения давления и может использоваться в нефтегазовой, химической и т.п. отраслях промышленности. Измерительный модуль содержит двухчастевой цилиндрический корпус, на противолежащих торцевых поверхностях которого расположены разделительные мембраны. Внутри корпуса расположен трехчастевой цилиндрический корпус. В первой части корпуса размещен тензорезистивный сенсор, а в полости на границе средней и третьей частей корпуса расположен мембранный блок, прикрепленный жестким центром к средней части корпуса и включающий две упругие компенсационные мембраны. При этом мембраны блока расположены одна над другой с зазором между ними, образованным кольцевой вставкой, сваренной с мембранами по наружному диаметру. Обе упругие мембраны блока выполнены гофрированными с соответствующими друг другу гофрами. Тензорезистивный сенсор соединен с разделительными мембранами и компенсационными мембранами блока каналами подвода давления. Технический результат заключается в уменьшении габаритов измерительного модуля давления при сохранении хороших рабочих характеристик. 2 ил.

Изобретение относится к средствам измерения давления и может использоваться в нефтегазовой, химической и т.п. отраслях промышленности. Устройство содержит двухчастевой цилиндрический корпус, на противолежащих торцевых поверхностях которого расположены разделительные мембраны. Внутри корпуса расположен трехчастевой цилиндрический корпус. В первой части корпуса размещен тензорезистивный сенсор, а в полости на границе средней и третьей частей корпуса расположена первая упругая компенсационная мембрана и дополнительно введенная вторая упругая компенсационная мембрана. При этом мембрана расположена над мембраной с зазором между ними. Зазор образован сваркой периферийных поверхностей мембран с торцевыми уступами на средней части корпуса, расположенными на разных уровнях. Обе упругие мембраны размещены с одной стороны сенсора и выполнены гофрированными с соответствующими друг другу гофрами. Тензорезистивный сенсор соединен с разделительными мембранами и упругими компенсационными мембранами каналами подвода давления. Технический результат заключается в уменьшении габаритов измерительного модуля давления при сохранении хороших рабочих характеристик. 1 ил.

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения давления жидкости и газов. Тензопреобразователь давления содержит квадратную плоскую диафрагму из монокристаллического кремния с опорной рамкой и четыре продольных тензорезистора. Тензорезисторы расположены на планарной поверхности диафрагмы, содержащей 12 одинаковых квадратных углублений со стороной не менее длины тензорезистора и глубиной не больше половины толщины диафрагмы. Четыре углубления расположены в центре, а восемь остальных - парами у краев диафрагмы симметрично ее срединным осям. Зазор между углублениями одинаков и равен ширине тензорезисторов, которые расположены между углублениями, два - в центре, а два - у краев диафрагмы, образуя мостовую схему. Технический результат - повышение чувствительности тензопреобразователя давления. 5 ил.
Наверх